一種基於rtv塗料的中壓電纜附件缺陷處理方法

2023-04-22 21:07:31

一種基於rtv塗料的中壓電纜附件缺陷處理方法
【專利摘要】本發明涉及一種基於RTV塗料的中壓電纜附件缺陷處理方法，其主要特點是：進行電纜及附件選材；確定四種缺陷模型；對每組缺陷製作缺陷模型和缺陷處理模型，在每組模型中均包括正常相、缺陷相和缺陷處理相；將前三種缺陷模型分電壓等級串聯在一條電纜迴路中，分別通過交流耐壓、紅外熱成像、局部放電檢測對處理情況進行檢驗；對於第四缺陷模型，從電纜其中一端線芯注入1～2MPa的水壓，驗證防水效果；驗證處理結果。本發明對現場施工過程中多發的問題進行模擬，並利用RTV處理缺陷，通過試驗及對比分析，能夠有效地消除電纜附件安裝施工過程中遺留的缺陷，確保電纜線路的可靠運行，對提高電纜供電可靠性、降低運行及維護成本有著重要意義。
【專利說明】—種基於RTV塗料的中壓電纜附件缺陷處理方法

【技術領域】
[0001]本發明屬於中壓電纜【技術領域】，尤其是一種基於RTV塗料的中壓電纜附件缺陷處理方法。

【背景技術】
[0002]隨著電網的發展，中壓(額定電壓6?35kV)電纜附件的使用量逐年增加，運行中電纜附件也時常發生故障。電纜附件在電網中運行的質量取決於多方面的因素，包括設計、產品本身質量、施工安裝工藝、電纜線路運行狀況等。隨著現代科技的不斷發展及材料技術、生產工藝的不斷提高，產品本身質量原因造成故障的概率越來越少，而現場的安裝質量已直接影響中壓電纜附件的故障率。


【發明內容】

[0003]本發明的目的在於克服現有技術的不足，提供一種基於RTV塗料的中壓電纜附件缺陷處理方法，解決中壓電纜施工過程中多發故障的分析及處理問題。
[0004]本發明解決現有的技術問題是採取以下技術方案實現的:
[0005]一種基於RTV塗料的中壓電纜附件缺陷處理方法，包括以下步驟:
[0006]步驟1、根據IOkV及35kV兩個電壓等級，進行電纜及附件選材；
[0007]步驟2、根據IOkV及35kV兩個電壓等級確定缺陷模型，缺陷模型包括如下四種類型:電纜導體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型、半導電斷口劃傷缺陷模型、主絕緣劃傷缺陷模型、中間接頭防水缺陷模型；
[0008]步驟3、對每組缺陷製作缺陷模型和缺陷處理模型，在每組模型中均包括正常相、缺陷相和缺陷處理相；
[0009]步驟4、將電纜導體與主絕緣間氣隙缺陷模型、半導電斷口劃傷缺陷模型、主絕緣劃傷缺陷模型分電壓等級串聯在一條電纜迴路中，分別通過交流耐壓、紅外熱成像、局部放電檢測對處理情況進行檢驗；對於中間接頭防水缺陷模型，從電纜其中一端線芯注入I?2MPa的水壓，驗證防水效果；
[0010]步驟5、通過收集試驗數據，根據其中的正常相與缺陷相、缺陷處理相進行比對分析，驗證處理結果。
[0011]而且，所述缺陷模型均包括主絕緣體、絕緣屏蔽層、導體壓接管，絕緣屏蔽層設置在主絕緣體的兩端，導體壓接管將兩端電纜連接後，在整體外部設有冷縮中間接頭，所述的冷縮中間接頭採用透明矽橡膠製成，其中，電纜導體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型是在導體壓接管與主絕緣體之間制有氣隙；半導電斷口劃傷缺陷模型是在絕緣屏蔽層與主絕緣體的斷口處制有沿斷口走向的環狀劃傷；主絕緣劃傷缺陷模型是在主絕緣體上制有劃傷；中間接頭防水缺陷模型是在主絕緣體的導體壓接處制有滲水縫隙。
[0012]而且，所述電纜導體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型的製作方法為:電纜主絕緣體剝切及導體壓接後，在纏繞半導電帶時在主絕緣體和導體壓接管之間留出約l_2mm的縫隙；所述半導電斷口劃傷缺陷模型的製作方法為:當完成電纜絕緣屏蔽體的剝除後，在絕緣屏蔽體與主絕緣體的斷口處留下半導電斷口劃傷，劃痕的寬度及深度為，IOkV:寬
0.5mm,深Imm ；35kV:寬Imm,深1.5mm ;所述主絕緣劃傷缺陷模型的製作方法為:在完成電纜絕緣屏蔽層的剝除後，在電纜主絕緣體上留下主絕緣劃傷，劃痕的深度及位置，IOkV:
0.5-lmm,劃痕約長25mm,末端距主絕緣端部約40_50mm ；35kV:0.5-1.5mm,劃痕約長30mm,末端距主絕緣端部約60-80mm ;所述中間接頭防水缺陷模型的製作方法為:在主絕緣體的導體壓接處制有滲水縫隙。
[0013]而且，所述的缺陷處理模型是使用RTV對缺陷處進行填充處理。
[0014]本發明的優點和積極效果是:
[0015]本發明通過製作中壓電纜附件典型缺陷模型，對現場施工過程中多發的問題進行模擬，並利用RTV處理缺陷，通過試驗及對比分析，能夠有效地消除電纜附件安裝施工過程中遺留的缺陷，確保電纜線路的可靠運行，對提高電纜供電可靠性、降低運行及維護成本有著重要意義。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是本發明的處理方法示意圖；
[0017]圖2是本發明的電纜導體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型示意圖；
[0018]圖3是本發明的半導電斷口劃傷缺陷模型示意圖；
[0019]圖4是本發明的主絕緣劃傷缺陷模型示意圖；
[0020]圖5是本發明的防水缺陷模型示意圖；
[0021]圖中，1:主絕緣體，2:導體壓接管與主絕緣間氣隙，3:絕緣屏蔽層，4:半導電斷口劃傷，5:導體壓接管，6:主絕緣劃傷，7:滲水縫隙，8:冷縮中間接頭。

【具體實施方式】
[0022]以下結合附圖對本發明實施例做進一步詳述。
[0023]一種基於RTV塗料的中壓電纜附件缺陷處理方法，如圖1所示，包括以下步驟:
[0024]步驟1、根據IOkV及35kV兩個電壓等級，進行電纜及附件選材；
[0025]步驟2、根據電壓等級確定缺陷模型，缺陷模型包括如下四種類型:(I)電纜導體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型、(2)半導電斷口劃傷缺陷模型、(3)主絕緣劃傷缺陷模型、⑷中間接頭防水缺陷模型。
[0026]如圖2至圖5所示，四種缺陷模型均包括主絕緣體1、絕緣屏蔽層3，絕緣屏蔽層設置在主絕緣體的兩端，導體壓接管5將兩端電纜連接後，在整體外部設有冷縮中間接頭8，所述的冷縮中間接頭採用透明矽橡膠製成，其中，電纜導體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型如圖2所示，在導體壓接管與主絕緣體之間制有氣隙；如圖3所示，半導電斷口劃傷缺陷模型是在絕緣屏蔽層與主絕緣體的斷口處制有沿斷口走向的環狀劃傷；如圖4所示，主絕緣劃傷缺陷模型是在主絕緣體上制有劃傷；如圖5所示，中間接頭防水缺陷模型是在主絕緣體的導體壓接處制有滲水縫隙。
[0027]步驟3、對每組缺陷製作缺陷模型和缺陷處理模型，在每組模型中均包括正常相、缺陷相和缺陷處理相。
[0028]由於10kV、35kV電纜均為三芯結構，因此，每組缺陷包括三相，在其中的兩相上製作缺陷模型，另外一相作為正常相留作對比。在兩個缺陷相中再選取一相用RTV進行處理，得到缺陷處理相，這樣就保證了一組模型中包含正常相、缺陷相和缺陷處理相。
[0029]所述缺陷模型的製作方法為:
[0030]第(I)種缺陷模型的製作方法為:電纜主絕緣體剝切及導體壓接後，在纏繞半導電帶時在主絕緣體和導體壓接管之間留出約l_2mm的縫隙。如果進行RTV處理，則使用RTV填補導體壓接管與主絕緣體之間的氣隙，得到相應的缺陷處理模型。
[0031]第(2)種缺陷模型的製作方法為:當完成電纜絕緣屏蔽層的剝除後，在絕緣屏蔽層與主絕緣體的斷口處留下半導電斷口劃傷，劃痕的寬度及深度為，IOkv:寬0.5mm,深Imm ；35kV:寬1mm，深1.5mm。如果進行RTV處理，則使用RTV沿斷口均勻塗抹一周，並在其乾燥後打磨平滑，得到相應的缺陷處理模型。
[0032]第(3)種缺陷模型的製作方法為:在完成電纜絕緣屏蔽層的剝除後，在電纜主絕緣體上留下主絕緣劃傷，劃痕的深度及位置，IOkV:0.5-lmm,劃痕約長25mm,末端距主絕緣端部約40_50mm ；35kV:0.5-1.5mm,劃痕約長30mm,末端距主絕緣端部約60_80mm。如果進行RTV處理，則使用RTV沿斷口均勻塗抹一周，並在其乾燥後打磨平滑，得到相應的缺陷處理模型。
[0033]第(4)種缺陷模型的製作方法為:在主絕緣體的導體壓接處制有滲水縫隙。如果進行RTV處理，使用RTV對中間接頭中的滲水縫隙進行填補，得到相應的缺陷處理模型。
[0034]步驟4、將前三種模型分電壓等級串聯在一條電纜迴路中，分別通過交流耐壓、紅外熱成像、局部放電檢測對處理情況進行檢驗；對於第四組模型，從電纜其中一端線芯注入I?2MPa的水壓，驗證防水效果。
[0035]步驟5，通過收集試驗數據，根據其中的正常相與缺陷相、缺陷處理相進行比對分析，驗證處理結果。
[0036]需要強調的是，本發明所述的實施例是說明性的，而不是限定性的，因此本發明包括並不限於【具體實施方式】中所述的實施例，凡是由本領域技術人員根據本發明的技術方案得出的其他實施方式，同樣屬於本發明保護的範圍。
【權利要求】
1.一種基於RTV塗料的中壓電纜附件缺陷處理方法，其特徵在於包括以下步驟: 步驟1、根據1kv及35kV兩個電壓等級，進行電纜及附件選材； 步驟2、根據1kV及35kV兩個電壓等級確定缺陷模型，缺陷模型包括如下四種類型:電纜導體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型、半導電斷口劃傷缺陷模型、主絕緣劃傷缺陷模型、中間接頭防水缺陷模型； 步驟3、對每組缺陷製作缺陷模型和缺陷處理模型，在每組模型中均包括正常相、缺陷相和缺陷處理相； 步驟4、將電纜導體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型、半導電斷口劃傷缺陷模型、主絕緣劃傷缺陷模型分電壓等級串聯在一條電纜迴路中，分別通過交流耐壓、紅外熱成像、局部放電檢測對處理情況進行檢驗；對於中間接頭防水缺陷模型，從電纜其中一端線芯注入I?2MPa的水壓，驗證防水效果； 步驟5、通過收集試驗數據，根據其中的正常相與缺陷相、缺陷處理相進行比對分析，驗證處理結果。
2.根據權利要求1所述的一種基於RTV塗料的中壓電纜附件缺陷處理方法，其特徵在於:所述缺陷模型均包括主絕緣體、絕緣屏蔽層、導體壓接管，絕緣屏蔽層設置在主絕緣體的兩端，導體壓接管將兩端電纜連接後，在整體外部設有冷縮中間接頭，所述的冷縮中間接頭採用透明矽橡膠製成，其中，電纜導體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型是在導體壓接管與主絕緣體之間制有氣隙；半導電斷口劃傷缺陷模型是在絕緣屏蔽體與主絕緣體的斷口處制有沿斷口走向的環狀劃傷；主絕緣劃傷缺陷模型是在主絕緣體上制有劃傷；中間接頭防水缺陷模型是在主絕緣體的導體壓接處制有滲水縫隙。
3.根據權利要求1所述的一種基於RTV塗料的中壓電纜附件缺陷處理方法，其特徵在於:所述電纜導體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型的製作方法為:電纜主絕緣體剝切及導體壓接後，在纏繞半導電帶時在主絕緣體和導體壓接管之間留出約l_2mm的縫隙；所述半導電斷口劃傷缺陷模型的製作方法為:當完成電纜絕緣屏蔽體的剝除後，在絕緣屏蔽體與主絕緣體的斷口處留下半導電斷口劃傷，劃痕的寬度及深度為，1kV:寬0.5mm,深Imm ；35kV:寬1mm，深1.5mm ;所述主絕緣劃傷缺陷模型的製作方法為:在完成電纜絕緣屏蔽體的剝除後，在電纜主絕緣體上留下主絕緣劃傷，劃痕的深度及位置，1kV:0.5-lmm，劃痕約長25mm,末端距主絕緣端部約40_50mm ；35kV:0.5-1.5mm,劃痕約長30mm,末端距主絕緣端部約60-80mm ;所述中間接頭防水缺陷模型的製作方法為:在主絕緣體的導體壓接處制有滲水縫隙。
4.根據權利要求1所述的一種基於RTV塗料的中壓電纜附件缺陷處理方法，其特徵在於:所述的缺陷處理模型是使用RTV對缺陷處進行填充處理。
【文檔編號】H02G1/00GK104078876SQ201410329491
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年7月11日 優先權日:2014年7月11日
【發明者】朱曉輝, 李旭, 郭勇 申請人:國家電網公司, 國網天津市電力公司