導電氧化層的沉積裝置及方法與流程

2023-05-24 06:56:46 1

本發明涉及導電氧化層的沉積裝置及方法，更詳細地說涉及根據濺射(Sputtering)的導電氧化層的沉積裝置及方法。

背景技術：

導電氧化層正在被廣泛利用於顯示裝置領域。諸如ITO的導電氧化層帶有導電性並且透明，因此也能夠以各種用途利用於顯示畫面的顯示裝置。例如，導電氧化層被利用成薄膜電晶體的活躍層材料，因此也可利用於實現透明顯示裝置，並且可被利用成有機發光顯示裝置的陽極(anode)材料。

如上所述的導電氧化層主要由濺射(Sputtering)工藝沉積於基板上。濺射工藝是利用如下的原理的沉積方法：使目標(Target)位於真空狀態的腔室內之後通過等離子放電將離子碰撞於所述目標，進而構成所述目標的物質被彈出而沉積於基板上。

由如上所述的濺射工藝沉積導電氧化層的方法公開於韓國公開專利第2014-0099340號。

但是，現有的根據濺射工藝的導電氧化層的沉積方法具有如下的局限性。

由現有的濺射工藝形成的導電氧化層電阻大，因此作為要求優秀的導電性特性的顯示裝置的電極上是有局限的。

另外，為了減少獲得的導電氧化層的電阻，考慮在濺射工藝時加熱基板的方案，但是若加熱基板，能夠獲取電阻低的導電氧化層，但是在這一情況下，伴隨能夠適用的應用範圍被限定的制約。例如，被廣泛利用為顯示裝置的有機發光顯示裝置的情況下，應該在形成有機發光層的狀態下形成導電氧化層，但是所述有機發光層不耐熱，因此在加熱基板的狀態下無法形成導電氧化層，因此，為了降低導電氧化層的電阻，在有機發光顯示裝置將無法適用加熱基板的方法。

技術實現要素：

(要解決的問題)

本發明是為了解決上述現有技術的問題而提出的，本發明的目的在於提供在不加熱基板的同時也能夠沉積電阻低的導電氧化層的沉積裝置及沉積方法。

(解決問題的手段)

為了達成上述目的，本發明提供如下的導電物質氧化層的沉積裝置，包括：第一工藝腔室，與供應第一工藝氣體的第一氣體供應部連接，並且具有從第一電力供應部施加DC或DC脈衝電壓的第一目標及與第一微波生成部連接的第一導波管；及第二工藝腔室，與供應第二工藝氣體的第二氣體供應部連接，並且具有從第二電力供應部施加DC或DC脈衝電壓的第二目標及與第二微波生成部連接的第二導波管，所述第一微波生成部被設定為施加可將所述第一工藝氣體等離子放電的功率。

本發明還提供如下的導電氧化層的沉積裝置，包括：第一工藝腔室，與供應第一工藝氣體的第一氣體供應部連接，並且具有第一目標及第一導波管；及第二工藝腔室，與供應第二工藝氣體的第二氣體供應部連接，並且具有第二目標及與第二導波管；隔壁，具有用於在所述第一工藝腔室與第二工藝腔室之間移動基板的間隙；及吸氣結構，用於防止所述第二工藝腔室內的第二工藝氣體進入所述第一工藝腔室內。

本發明還提供如下的導電氧化層的沉積方法，包括：基板的表面處理及種子層形成工藝，在常溫下將第一工藝氣體供應於第一腔室內，並且將微波照射於所述第一工藝氣體來等離子放電所述第一工藝氣體，並將第一電壓施加於第一目標；及導電氧化物沉積工藝，在常溫下將第二工藝氣體供應於第二腔室內，並將第二電壓施加於第二目標來等離子放電所述第二工藝氣體，並將微波照射於所述等離子，進而在所述種子層上沉積導電氧化物。

(發明的效果)

根據本發明一實施例，在沉積氧化物之前，對基板追加執行表面處理工藝及種子層形成工藝，進而具有在常溫下執行工藝的同時也能夠降低最終獲取的氧化層的電阻的效果。

另外，根據本發明一實施例，相比於一般的濺射(sputter)，以低電壓沉積氧化物薄膜，因此具有降低氧化層的電阻的效果。

附圖說明

圖1是根據本發明一實施例的導電氧化層的沉積裝置的概略圖。

圖2是根據本發明一實施例的導電氧化層的沉積工藝的流程圖。

圖3是根據本發明另一實施例的導電氧化層的沉積裝置的概略圖。

圖4a及圖4b是圖示本發明的各種形狀的吸氣結構的圖面。

圖5是根據本發明其他實施例的導電氧化層的沉積裝置的概略圖。

圖6是示出根據改變工藝條件而變化ITO薄膜的薄膜電阻的示意圖。(附圖標記說明)

10：腔室 20：目標

30：支撐架 40：電力供應部

50：微波生成部 60：氣體供應部

具體實施方法

與附圖一起參照詳細後述的實施例可明確本發明的優點、特徵及達成方法。但是本發明並不被以下公開的實施例限定，而是能夠實現相互不同的形狀，本實施例只是使本發明的公開更加完整，並且是為了對於在本發明所屬技術領域具有通常知識的技術人員告知本發明的範疇而提供的，並且只用權利要求的範疇定義本發明。

在用於說明本發明的實施例的圖面公開的形狀、大小、比例、角度、個數等是示例性的，因此不限定於在本發明中被示出的。在說明書所有內容中相同參照符號稱為相同構成要素。另外，在說明本發明時，在判斷對相關公知技術的具體說明可使本發明的要點不清楚的情況下，將省略該詳細說明。在本說明書上使用「包括」、「具有」、「構成」等的情況下，只要未使用「只」也可增加其他部分。用單數表示構成要素的情況下，只要沒有特別明示的記載事項，還包括多數的情況。

在解釋構成要素時，就算沒有另外的明確記載，應該解釋為包括誤差範圍。

在說明位置關係的情況下，例如「在～上」「在～上部」、「在～下部」、「在～旁邊」等說明兩個部分的位置關係的情況下，只要在未使用「直接」的情況下，在兩個部分之間也可設置一個以上的另一部分。

在說明時間關係的情況下，例如「在～之後」「～接著」、「在～之前」等說明時間上先後關係的情況下，只要在未使用「直接」的情況下，也可包括在兩個部分之間也可設置一個以上的另一部分的情況。

第一、第二等用語是為了說明多種構成要素而使用的，但是該多種構成要素並不被該用語限制。該用語只是為了將一個構成要素與其他構成要素區分而使用的。因此，在以下談及的第一構成要素在本發明的技術思想內也可以是第二構成要素。

本發明的各種實施例的各個特徵能夠部分或全部相互結合或組合，並且能夠在技術上進行各種連動及驅動，對於各個實施例也可獨立實施並且也能夠以相關關係一起實施。

以下，參照附圖詳細說明本發明的優選實施例。

圖1是根據本發明一實施例的導電氧化層的沉積裝置的概略圖。

在圖1可以看出，根據本發明一實施例的導電氧化層的沉積裝置包括：腔室(Chamber)10、目標(Target)20、支撐架30、電力供應部40、微波生成部(Microwave Generator)50、導波管55及氣體供應部60。

所述腔室10形成反應空間。因此，在所述腔室10內中可由濺射工藝在基板S上沉積導電氧化層。尤其是，根據本發明一實施例，由所述微波生成部50生成的微波通過所述導波管55入射於所述腔室10內，進而所述微波與等離子結合引起電子迴旋共振(ECR:Electron Cyclotron Resonance)，進而可生成高密度的等離子。

所述目標20形成在所述腔室10內。所述目標20可導電氧化物構成，所述導電氧化物構成在所述基板S上沉積的導電氧化層。例如，所述沉積的導電氧化層由ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)構成的情況下，所述目標20也可由ITO構成。所述目標20執行用於濺射工藝的陰極(Cathode)的功能。根據本發明一實施例的目標20由導電性物質(即，導電氧化物)構成，因此可利用所述目標20本身作為陰極。但是，並不限定於此，而是也能夠與所述目標20分開單獨形成陰極。

所述目標20形成圓筒形並可旋轉地設置，但是不必限定於此。另外，在所述圓筒形的目標20內部設置磁鐵，進而通過所述磁鐵在所述目標20周邊形成磁場，以在所述目標20周邊形成高密度的等離子。

在所述支撐30架安裝所述基板S。根據本發明一實施例，根據濺射的薄膜沉積工藝在常溫(15～25℃)下執行，因此所述支撐架30無需具有用於加熱所述基板S的另外的加熱器。

所述電力供應部40將電壓施加於執行所述陰極功能的目標20，進而可使所述目標20放電，如上所述若使所述目標20放電，則加速等離子的同時碰撞於所述目標20表面執行濺射的沉積工藝。所述電力供應部40可由DC、脈衝DC或MF等電源構成。所述電力供應部40可通過電源線41連接於所述目標20。

所述微波生成部(Microwave Generator)50生成微波，進而在所述腔室10內的反應空間中引起電子迴旋共振(ECR:Electron Cyclotron Resonance)。由所述微波生成部50中生成的微波通過所述導波管55向所述腔室10內的反應空間照射，向反應空間照射的微波與等離子結合引起電子迴旋共振，據此生成高密度的等離子。所述微波生成部50通過微波管51連接於所述導波管55。

所述導波管55使由所述微波生成部50生成的微波向所述腔室10內的反應空間照射。為此，所述導波管55與所述微波生成部50連接，並且形成在所述腔室10內部。所述導波管55可向著目標20與所述基板S之間的反應空間進行設置。如圖所示，所述導波管55隻設置1個設置在所述目標20的一側，但是也可設置2個導波管55各在所述目標20的一側及另一側設置1個。在配置2個所述導波管55的情況下，各個導波管55可與一個微波生成部50連接。

所述氣體供應部60將工藝氣體供應於所述腔室10內部。具體地說，所述氣體供應部60與氣體供應管61連接，因此通過所述氣體供應管61將工藝氣體供應於所述腔室10內部。所述工藝氣體可由諸如氬(Ar)的惰性氣體構成，也可由諸如氬(Ar)的惰性氣體與氧氣的組和氣體構成。所述工藝氣體由惰性氣體與氧氣的組和氣體構成的情況下，可由供應惰性氣體的第一氣體供應部與供應氧氣的第二氣體供應部的組合來構成所述氣體供應部60。

在以下說明根據本發明一實施例的導電氧化層的沉積工藝。圖2是根據本發明一實施例的導電氧化層的沉積工藝流程圖。參照根據上述圖1的沉積裝置，如下說明根據圖2沉積工藝。

首先，執行對基板的表面處理及種子層(seed layer)形成工藝(10S)。

對所述基板的表面處理及種子層形成工藝(10S)，包括如下的工藝：將所述第一工藝氣體供應於所述腔室10內，並使所述第一工藝氣體等離子放電，之後施加DC或DC脈衝電壓。如上所述對基板的表面處理及種子層形成工藝(10S)可在常溫(15～25℃)下執行。

所述第一工藝氣體可由不包括氧氣的惰性氣體構成。例如，所述第一工藝氣體可由氬(Ar)氣構成，在將所述第一工藝氣體供應於所述腔室10內之前，在所述腔室10已有基礎壓力(Base Pressure)。

使所述第一工藝氣體等離子放電的工藝可由如下的工藝構成：將由所述微波生成部50生成的微波通過所述導波管55照射於所述腔室10內的第一工藝氣體。如上所述，將微波照射於第一工藝氣體，進而可使所述第一工藝氣體等離子放電。因此，所述照射微波的功率可調節至能夠使所述第一工藝氣體等離子放電程度的功率。例如，利用氬(Ar)作為工藝氣體的情況下，若照射1Kw的微波，則所述氬可被等離子放電。與此相同，根據本發明照射微波來使所述第一工藝氣體等離子放電，並不是根據施加所述DC或DC脈衝電壓來使所述第一工藝氣體等離子放電。因此，將所述DC或DC脈衝電壓設定為等離子放電電壓以下的電壓，進而可在常溫(15～25℃)下可執行對基板的表面處理及種子層形成工藝(10S)。

若在使所述第一工藝氣體等離子放電的狀態下施加所述DC或DC脈衝電壓，第一，存在於等離子內的電子碰撞於基板S，進而對所述基板執行表面處理工藝，第二，存在於所述等離子內的陽離子碰撞於所述目標20，使構成所述目標20的導電氧化物的一部分沉積於所述基板S上，進而執行所述種子層(seed layer)形成工藝。

施加所述DC或DC脈衝的工藝，可由所述電力供應部40將第一電壓施加於所述目標20的工藝實現。

若在所述目標20施加第一電壓，則在所述目標20與所述基板S之間形成電場，因此存在於所述等離子內的電子碰撞於所述基板S，進而可執行對所述基板S的表面處理。另外，若在所述目標20施加第一電壓，則在所述目標20與所述基板S之間形成電場，進而存在於所述等離子內的陽離子碰撞於所述目標20。如此，微量的導電氧化物在所述目標20彈出，進而可在所述基板S上形成數至數十厚度的種子層。

如上所述，根據所述施加DC或DC脈衝電壓的工藝，可一同執行對基板S的表面處理工藝與種子層形成工藝，尤其是可同時執行對基板S的表面處理工藝與種子層形成工藝。

對基板S的表面處理工藝與種子層形成工藝(10S)，正式是在濺射工藝之前執行，如上所述，在所述表面處理及種子層形成工藝(10S)時施加的所述第一電壓範圍是在所述目標20與所述基板S之間形成磁場的同時，不在所述目標20引起放電的電壓範圍。即，所述第一電壓是比能夠在所述目標20引起放電的最小電壓更低的電壓。尤其是，所述第一電壓是比在後述的薄膜沉積工藝(20S)施加的第二電壓更低的電壓。例如，若在所述目標20施加50V的DC電壓，則不會在所述目標20引起放電的同時可執行對基板S的表面處理及種子層形成工藝(10S)。

結果，對所述基板的表面處理及種子層(seed layer)形成工藝(10S)可由如下的工藝構成：在常溫(15～25℃)下將第一工藝氣體供應於所述腔室10內，將由所述微波生成部50生成的微波照射於所述腔室10內的第一工藝氣體來使所述第一工藝氣體等離子放電，之後施加DC或DC脈衝電壓。但是，不必限定於此，而是所述施加DC或DC脈衝電壓的工藝也可在所述微波照射工藝之前執行，在這一情況下，在保持所述施加的DC或DC脈衝電壓的狀態下，執行所述微波照射工藝。

之後，在所述種子層上沉積導電氧化物(20S)。

在所述種子層上沉積導電氧化物的工藝(20S)包括如下的工藝：將第二工藝氣體供應於所述腔室10內，施加DC或DC脈衝電壓來使所述第二工藝氣體等離子放電。與此相同，導電氧化物的沉積工藝(20S)可在常溫(15～25℃)下執行。

所述第二工藝氣體可由不包括氧氣的惰性氣體構成，例如可由氬(Ar)氣構成，但是根據情況也可由氧氣與惰性氣體的混合氣體構成。並且，調節所述氧氣的含量，進而可調節最終獲取的導電氧化物的電阻。

所述施加DC或DC脈衝電壓的工藝可由如下的工藝構成：在所述電力供應部40將初期放電電壓施加於所述目標20，之後保持低於所述初期放電電壓的放電穩定化電壓，之後施加低於所述放電穩定化電壓的第二電壓。若在所述目標20經過所述初期放電電壓及所述放電穩定化電壓施加所述第二電壓，則在所述目標20與所述基板S之間形成電場的同時使所述第二工藝氣體等離子放電。據此，使存在於所述等離子內的陽離子碰撞於所述目標20，進而實現將構成所述目標20的導電氧化物沉積於所述基板S上的濺射工藝。

這時，所述第二電壓是能夠在所述目標20引起放電的電壓。例如，若在所述目標20施加170V的DC電壓，則在所述目標20彈出導電氧化物來執行濺射工藝。

為了由所述電力供應部40將電壓施加於所述目標20來等離子放電之後增加所述等離子的離子密度，可追加執行使由所述微波生成部50生成的微波通過所述導波管55照射於所述腔室10內的等離子的工藝。與此相同，若將微波照射於等離子，則所述微波與等離子結合引起電子迴旋共振，進而可生成高密度的等離子。

尤其是，若照射所述微波，則可將所述第二電壓降低至所述放電穩定化電壓的30％至80％的電壓。即，由所述微波的照射被調節至所述放電穩定化電壓的30％至80％的電壓的所述第二電壓可被施加於所述目標20。

如上所述，並行所述DC或DC脈衝電壓的施加與所述微波的照射，進而可生成高密度的等離子，因此可降低所述第二電壓，尤其是，可將所述第二電壓設定為比引起放電的放電穩定化電壓更低的電壓，具體地說，適當地調節所述微波的功率，進而能夠將所述第二電壓設定為放電穩定化電壓的30％至80％的電壓。

結果，在所述種子層上沉積導電氧化物的工藝(20S)可由如下的工藝構成：在常溫(15～25℃)下將第二工藝氣體供應於所述腔室10內，並施加DC或DC脈衝電壓來使所述第二工藝氣體等離子放電，並將微波照射於所述等離子。

這時，所述微波功率可與上述對基板的表面處理及種子層形成工藝(10S)時相同地進行設定。即，為了增加所述等離子的離子密度而照射的微波的功率，可被調節至能夠等離子放電所述第二工藝氣體程度的功率，例如可由1Kw構成。

如上所述，本發明通過表面處理及種子層形成工藝與沉積工藝的2個步驟工藝，具有能夠在比常溫低的溫度及比放電穩定化電壓的更低的電壓下，沉積具有薄膜電阻的導電氧化層的優點。

以上說明的導電氧化層的沉積方法可利用上述根據圖1的沉積裝置執行，在這一情況下，利用一個相同的腔室10及在該腔室10內部配置的相同的目標20，可執行所述表面處理及種子層形成工藝(10S)及所述導電氧化物沉積工藝(20S)。

只是，導電氧化層的沉積方法也可利用根據後述的圖3及圖4的沉積裝置執行，在這一情況下，可在第一工藝腔室200內執行所述表面處理及種子層形成工藝(10S)，接著可在第二工藝腔室300內執行所述導電氧化物沉積工藝(20S)。

圖3是根據本發明另一實施例的導電氧化層的沉積裝置的概略圖。

在圖3可以看出，根據本發明另一實施例的導電氧化層的沉積裝置包括：裝載腔室100、第一閘閥150、第一工藝腔室200、第二工藝腔室300、第二閘閥350、卸載腔室400及隔壁450。

所述裝載腔室100配置在沉積裝置的最前方。並且，能夠以首次真空處理的用途使用所述裝載腔室100，以使沉積裝置內部在大氣狀態下轉換為真空環境。因此，雖未在圖面示出，但是所述裝載腔室100與真空泵連接。

基板S通過所述裝載腔室100被安裝到沉積裝置內之後進行後續工藝。具體地說，雖未在圖面示出，但是所述基板S被諸如移送滾輪或輸送帶等移送工具，依次以所述裝載腔室100、所述第一工藝腔室200、所述第二工藝腔室300及所述卸載腔室400順序移送。

所述第一閘閥150位於所述裝載腔室100與所述第一工藝腔室200之間。若所述第一閘閥150開啟，則所述基板S在所述裝載腔室100進入所述第一工藝腔室200。

所述第一工藝腔室200內配置有第一目標(Target)220與第一導波管255。

所述第一目標220通過第一電源線241連接於第一電力供應部240。所述第一目標220為在所述基板S上沉積的導電氧化層，例如可由ITO(Indium Tin Oxide)構成。所述第一目標220可起到用於濺射工藝的陰極(Cathode)功能，並且形成圓筒形可旋轉地設置所述第一目標220。另外，所述圓筒形的第一目標220的內部可設置磁鐵。所述第一電力供應部240可由DC、脈衝DC或MF等電源構成。

所述第一導波管255通過第一微波管251連接於第一微波生成部250。如圖所示，所述第一導波管255也可只有1個配置在所述第一目標220的一側，但是也可有總共2個所述第一導波管255個配置在所述第一目標220的一側及另一側。在所述第一導波管255配置有2個的情況下，各個第一導波管255可與一個第一微波生成部250連接。

另外，第一工藝腔室200內部通過第一氣體供應管261與第一氣體供應部260連接。所述第一氣體供應部260可包括諸如氬(Ar)的惰性氣體而構成。

在如上所述的第一工藝腔室200內執行上述圖2的對基板的表面處理及種子層形成工藝(10S)。

因此，在所述第一氣體供應部260包括如氬(Ar)的惰性氣體作為第一工藝氣體，並不包括氧氣。

另外，連接於所述第一目標(Target)220的所述第一電力供應部240施加DC或DC脈衝電壓，由所述第一電力供應部240施加的DC或DC脈衝電壓可設定在第一電壓範圍，該第一電壓範圍是在所述第一目標220與所述基板S之間形成電場的同時不向所述第一目標220引起放電。如上所述，所述第一電壓被設定為比能夠在所述第一目標220引起放電的最小電壓更低的電壓。

另外，連接於所述第一導波管255的所述第一微波生成部250構成為，施加能夠使所述第一工藝氣體等離子放電的功率。

在所述第二工藝腔室300內配置有第二目標320a、320b與第二導波板355a、355b。

所述第二目標320a、320b通過第二電源線341a、341b連接於第二電力供應部340a、340b。在圖面上示出了所述第二目標320a、320b、所述第二電源線341a、341b及所述第二電力供應部340a、340b中的各每2個在線(in-line)連接的圖面，但也可是分別每3個以上在線連接，也可各形成1個。所述第二目標320a、320b分別為在所述基板上S沉積的導電氧化層，例如可由ITO(Indium Tin Oxide)構成。所述第二目標320a、320b分別可起到陰極功能，並且形成圓筒形可旋轉地設置所述第二目標320a、320b，並且在內部可設置有磁鐵。所述第二電力供應部340a、340b分別可由DC、脈衝DC或MF等的電源構成。

所述第二導波管355a、355b分別通過第二微波管351a、351b連接於第二微波生成部350。在圖面示出了在一個第二微波生成部350連接2個第二導波管355a、355b，但是不必限定於此，而是2個第二導波管355a、355b也能夠分別連接於各個第二微波生成部350。如圖所示，所述第二導波管355a、355b可只配置有一個分別在所述第二目標320a、320b的各一側，但是也可配置有2個各配置在所述第二目標320a、320b的各一側及另一側。

另外，第二工藝腔室300內部通過第二氣體供應管361與第二氣體供應部360連接。所述第二氣體供應部360也可由包括諸如氬(Ar)的惰性氣體組成，也可包括諸如氬(Ar)的惰性氣體及氧氣而組成。

在如上所述的第二工藝腔室300內，執行在上述圖2的種子層上沉積導電氧化物的工藝(20S)。

因此，所述第二氣體供應部360可包括供應諸如氬(Ar)的惰性氣體的氣體供應部與供應氧氣的氣體供應部。

另外，連接於所述第二目標320a、320b的所述第二電力供應部340a、340b施加DC或DC脈衝電壓，在所述第二電力供應部340a、340b施加的DC或DC脈衝電壓設定為，在所述第二目標320a、320b引起放電的初期放電電壓、放電穩定化電壓及第二電壓範圍。如上所述，所述第二電壓在通過所第二導波管355a、355b施加微波之後可被調節至放電穩定化電壓的30％至80％的電壓。

另外，連接於所述第二導波管355a、355b的所述第二微波生成部350施加能夠使所述第二工藝氣體等離子放電的功率。

根據本發明一實施例，在所述第一工藝腔室200內執行對上述圖2的對基板的表面處理及種子層形成工藝(10S)，在所述第二工藝腔室300內執行在上述圖2的種子層上沉積導電氧化物的工藝(20S)。因此，為了分離所述第一工藝腔室200與所述第二工藝腔室300，在所述第一工藝腔室200與所述第二工藝腔室300之間形成隔壁450。在所述隔壁450形成間隙451，通過所述間隙451基板S可在第一工藝腔室200移動至第二工藝腔室300。

另外，需要防止所述第二工藝腔室300內部的氣體，尤其是氧氣進入所述第一工藝腔室200內部。為此，所述第二工藝腔室300內部可通過泵管路471與真空泵470連接。所述真空泵470吸入所述第二工藝腔室300內部的氣體，進而可防止所述第二工藝腔室300內部的氣體進入所述第一工藝腔室200內部。

另外，在由箭頭導出的擴大圖可以看出，在所述間隙451周圍的隔壁450設置吸氣結構490，可防止所述第二工藝腔室300內部的氣體進入所述第一工藝腔室200內部。

如右側擴大圖所示，所述吸氣結構490也可由在所述隔壁450的表面凸出的形狀構成，如左側擴大圖所示也可由插入所述隔壁450內部的形態構成。這時，所述隔壁450向所述第二工藝腔室300內部側形成，以吸入所述第二工藝腔室300內部的氣體。

圖4a及圖4b作為示出本發明的各種形態的吸氣結構490的圖面，是在第二工藝腔室300內部觀察形成所述間隙451的隔壁450方向的圖面。

在圖4a及4b可以看出，在隔壁450形成用於移動基板的間隙451，在所述間隙451周圍形成吸氣結構490。

所述間隙451較長且橫向形成，以使基板在水平方向可進入。

如圖4a所示，所述吸氣結構490可包括：形成在所述間隙451上側的第一吸氣結構490a；及形成在所間隙451下側的第二吸氣結構490b。所述第一吸氣結構490a及所述第二吸氣結構490b與所述間隙451並排橫向延長形成，並且形成比所述間隙451的長度長能夠更好地防止所述第二工藝腔室300內部的氣體進入所述第一工藝腔室200內部。

如圖4b所示，所述吸氣結構490可包括：形成在所述間隙451上側的第一吸氣結構490a；形成在所述間隙451下側的第二吸氣結構490b；及連接所述第一吸氣結構490a及第二吸氣結構490b的第三吸氣結構490c。所述第一吸氣結構490a及所述第二吸氣結構490b與上述圖4a相同。所述第三吸氣結構490c連接所述第一吸氣結構490a的一端及所述第二吸氣結構490b的一端，並且連接所述第一吸氣結構490a的另一端及所述第二吸氣結構490b的另一端。

如上所述，如圖4b所示所述吸氣結構490也可由圍繞所述間隙451周圍的密封型構造構成，如圖4a所示也可由形成在所述間隙451的上側與下側的開放型構造構成。

所述第二閘閥350位於所述卸載腔室400與所述第二工藝腔室300之間。若所述第二閘閥350開啟，則已完成工藝處理的基板S在所述第二工藝腔室300進入所述卸載腔室400。

所述卸載腔室400配置在沉積裝置的最後方，將完成工藝的基板S在所述卸載腔室400卸載之後移動至後續工藝裝置。

圖5是根據本發明其他實施例的導電氧化層的沉積裝置的概略圖。

在圖5可以看出，根據本發明其他實施例的導電氧化層的沉積裝置包括：安裝腔室100、第一閘閥150、第一工藝腔室200、第二工藝腔室300、第二閘閥350、卸載腔室400及第二閘閥480。

根據在圖5示出的本發明其他實施例的導電氧化層的沉積裝置，在去除隔壁450形成第三閘閥480的這一點上不同於上述圖3示出的沉積裝置。因此，對於與圖3相同的構造賦予相同圖面符號，在以下只說明不同的構成。

根據圖5，所述第一工藝腔室200與所述第二工藝腔室300之間形成有所述第三閘閥480。因此如上述圖3，為了分離所述第一工藝腔室200與所述第二工藝腔室300之間則無需隔壁450。

所述第一工藝腔室200與所述第二工藝腔室300之間形成有所述第三閘閥480，因此相比於根據上述圖3的沉積裝置，物理性地完全區分所述第一工藝腔室200與所述第二工藝腔室300之間。由於，不存在所述第二工藝腔室300內部的氣體進入所述第一工藝腔室200內部的可能性，因此不需要在根據圖3的沉積裝置中構成的泵管路471及真空泵470。

圖6是示出根據改變工藝條件而變化ITO薄膜的薄膜電阻的示意圖。具體地說，示出以如下表1的工藝條件沉積的ITO薄膜的薄膜電阻(Sheet resistance)。在以下表1中各個工藝全部是在常溫下執行的。

【表1】

第一實驗例(No.1)為，將Ar氣體供應於第一腔室內，之後照射1KW的微波(MW)，接著施加20V的DC執行表面處理工藝，在保持20V的DC的同時形成種子層，之後移動至第二腔室，之後將Ar與氧氣的混合氣體供應於第二腔室內，之後施加170V的DC並照射1KW的微波(MW)來沉積ITO薄膜。

第二實驗例(No.2)為，將Ar與氧氣的混合氣體供應於第一腔室內，之後照射1KW的微波(MW)，接著施加20V的DC執行表面處理工藝，在保持20V的DC的同時形成種子層，之後移動至第二腔室，之後將Ar與氧氣的混合氣體供應於第二腔室內，之後施加170V的DC並照射1KW的微波(MW)來沉積ITO薄膜。

第三實驗例(No.3)為，將Ar氣體供應於第一腔室內，之後照射1KW的微波(MW)執行表面處理工藝，之後移動至第二腔室，之後將Ar與氧氣的混合氣體供應於第二腔室內，之後施加170V的DC並照射1KW的微波(MW)來沉積ITO薄膜。

第四實驗例(No.4)為，不執行表面處理工藝與種子層形成工藝，而是將Ar與氧氣的混合氣體供應於第二腔室內，之後施加170V的DC並照射1KW的微波(MW)來沉積ITO薄膜。

在圖6可以看出，相比於未執行種子層形成工藝的第三實驗例(No.3)及表面處理工藝與種子層形成工藝都未執行的第四實驗例(No.4)，可得知第一實驗例(No.1)與第二實驗例(No.2)情況下的ITO薄膜的薄膜電阻更小。另外，可以知道相比於供應Ar與氧氣的混合氣體第二實驗例(No.2)，在表面處理工藝時只供應Ar氣體的第一實驗例(No.1)的ITO薄膜的薄膜電阻更小。

在以上說明的本發明並不被上述實施例及附圖限定，而是在不超出本發明的技術思想範圍內可進行各種替換、變形及改變，並且這對本發明所屬技術領域的技術人員是顯而易見的。因此，本發明的範圍由權利要求範圍體現，從權利要求範圍的意義及範圍還有等價概念導出的所有改變或變形的形態應該解釋為包括在本發明的範圍內。