用於均勻加熱襯底的腔室的製作方法

2023-04-24 10:15:16

專利名稱：用於均勻加熱襯底的腔室的製作方法
本申請的相關交叉申請本申請要求2000年12月29日提交的美國臨時專利申請第60/259,035號的權益，在此結合該申請作為參考資料，
相關技術背景在平板顯示器(FPD)、薄膜電晶體(TFT)和液晶單元的製造中，通過沉積和並從玻璃襯底除去導電、半導電和絕緣的多層材料而形成金屬互連和其它特徵結構。所形成的各種特徵結構被集成為一個系統，共同用於形成例如有源矩陣顯示螢光屏，其中在FPD上的各個像素中以電子方式產生顯示狀態。用於產生FPD的處理技術包括等離子體增強化學汽相沉積(PECVD)、物理汽相沉積(PVD)、刻蝕等。等離子體處理特別適合於製造平板顯示器，因為沉積膜所需要的處理溫度相對較低並且由等離子體工藝產生的膜質量好。
在FPD處理期間，對於使FPD適當地工作來說，對襯底的整個表面進行適當的膜熱處理是關鍵。所需要的加熱溫度根據所處理的膜的類型和所進行的工藝而改變。例如，在FPD的結構中使用的平板顯示器的一個示例性類型是低溫多晶矽(LTPS)。LTPS膜處理的部件要要求LTPS膜被加熱到約600℃，以便從膜上除去氫，而對於非晶矽(α-Si)膜來說，相同的熱處理需要直至約450℃的大致較低的溫度。
一般情況下，膜的熱處理是對溫度高度敏感的，因為溫度不均勻將導致不能充分除去不希望的汙染物，導致膜剝離和脫落。為了補償溫度非均勻性熱處理，必須延長時間。不幸的是，延長熱處理時間將增加製造成本，而如果處理不完全則經常會產生不能使用的膜。
常規熱處理室通過氣體傳導和熱輻射結合來加熱一個或多個襯底從而提供熱處理。不幸的是，室壁和其它室內部件在腔室內提供了熱傳導路徑，導致熱傳導損失。熱傳導損失產生恆定波動的襯底熱處理環境。隨著溫度增高，熱傳導損失變得更顯著，使襯底熱處理環境內的熱非均勻性惡化。而且，常規的熱處理室通常非常大以容納襯底周界，由於增加了要加熱的面積和體積而進一步使得保溫問題惡化。例如，隨著更大計算機顯示器、監視器、平面螢光屏電視等的需求的增加，典型襯底可以是620mm×750mm或更大，例如，設想了1米×1米的襯底。通常，為了補償更大襯底、更大的室體積以及熱損失的連續增加，使用了更多加熱部件，由此增加了設備成本、能量耗用以及溫度非均勻性。隨著溫度增高，通常使用銅加熱元件來抵銷能量成本和提供有效加熱。銅加熱器一般比其它類型的加熱元件更為能量有效。不幸的是，隨著溫度增高，銅原子經常從銅加熱器上逸出而進入加熱室並汙染膜。因此，傳統的加熱室和加熱工藝不能提供可接受的均勻且無汙染的襯底加熱，用於有效的和節約成本的襯底加熱工藝。
因此，需要提供一種方法和設備，用於在有效的無汙染熱處理系統中均勻地熱處理多個襯底。
發明概述本發明的實施例一般提供用於在襯底處理系統中均勻加熱處於加熱室內的襯底。在本發明的一個方案中，在具有主體、底部和蓋子的絕緣室內均勻地加熱襯底。該室還包括設置在室內的熱反射器、設置在與熱反射器相鄰的室內的加熱器以及多個加熱支架，多個加熱支架可移動地設置在室內以便支撐室內的至少兩個襯底。
在本發明的另一方案中，提供一種用於均勻加熱襯底的方法，包括在室內的多個加熱支架上支撐多個襯底，其中該室稍微更大並成形為與襯底支架的形狀相符；提供介於約450℃和約600℃之間的處理溫度；提供在該室內的真空；以及將襯底均勻加熱到均勻溫度。
附圖簡要說明因此可以之實現本發明所述及實施例的方式以及可從細節上理解的方式、本發明更詳細說明和上述簡要說明都可以參照以附圖所例示的各實施例。
然而，應當注意附圖只是表示本發明的典型實施例，因此不應被認為限制了本發明的範圍，因為本發明應當包括其它等效的實施例。


圖1是包括本發明的加熱室的處理系統的平面圖。
圖2是圖1的加熱室的一個實施例的立體圖。
圖3是表示上部和下部鐘形罩結構的圖1的加熱室的部分剖視圖。
圖4是表示圖1的加熱室和傳送室的部分剖視圖。
圖5是圖1的加熱室的部分剖視圖，展示出主體、熱反射器和加熱器。
圖6是圖5的加熱室的頂部剖視圖。
圖7是與圖5的加熱室一起使用的加熱器的側視圖。
圖8是與圖5的加熱室一起使用的加熱器的部分剖視圖。
圖9是與圖5的加熱室一起使用的加熱襯底支座的透視圖。
圖10是與圖5的加熱室一起使用的加熱襯底支座的俯視圖。
圖11是在圖5的加熱室內進行熱處理的襯底的等溫線。
優選實施例的詳細說明本發明的實施例在公知為成組工具(cluster tool)的多室處理系統中具有特別的優點，該系統通常用在半導體工業中並適於支持這裡所述的襯底加熱室。成組工具是一種模塊化系統，其包括執行包括襯底加熱、中心搜索和定向、退火、沉積和/或刻蝕等各種功能的多個室。多個室安裝到一中心傳送室上，該中心傳送室容納有自動裝置，適合於在各室之間往返運動襯底。傳送室通常保持在真空條件下並設置中間工作檯，用於從一個室將襯底傳送到另一個室和/或傳送到設置在成組工具的前端的負載鎖定室。
圖1是用於半導體處理的典型處理系統100的平面圖，其中有利地利用了本發明。該處理系統100一般包括多個室和自動裝置並優選配備有處理系統控制器102，該控制器102被編程用以執行在處理系統100中完成的各種工藝方法。所示前端設備104設置成與一對負載鎖定室106選擇性地連通。設置在前端設備104中的吊艙裝載機108A-B能線性地、旋轉地和垂直地移動，從而在負載鎖定室106和安裝在前端設備104上的多個吊艙105之間往復運送襯底。
負載鎖定室106提供在前端設備104和傳送室110之間的第一真空界面。設置了兩個負載鎖定室106，以通過交替地與傳送室110和前端設備104連通而增加生產量。因此，當一個負載鎖定室106與傳送室110連通時，第二個負載鎖定室106與前端設備104連通。
自動裝置113設置在傳送室110中心，以便從負載鎖定室106將襯底傳送到各個處理室114的其中之一或固定室116。處理室114適於進行任何數量的處理，如膜沉積、退火、刻蝕等，而固定室116適於進行定向、冷卻等。在熱處理如除氫期間用來加熱襯底的加熱室140設置在處理系統100中。加熱室140通常位於處理系統100內最有效的處理位置上，但可以位於處理系統100內的任何位置上。例如，加熱處理步驟可以在沉積處理步驟之後進行。因此，為了最小化自動裝置113的運動，加熱室140可與用於沉積處理步驟的其中一個處理室114相鄰設置。
圖2是加熱室140的立體圖，包括上部部件215(例如上部鐘形罩)和下部部件217(例如下部鐘形罩)，其中上部部件215與下部部件217由具有裝載窗口235的連接體230分開。上部部件215和下部部件217密封地固定到連接體230上並相對於連接體230大體對稱且同軸。可使用摩擦配合(frictional fit)、使用密封材料如適於承受高溫的填料或膩子、或通過使用如壓敏粘接劑、陶瓷粘接劑、膠等作為耐處理以及沒有如銅這樣的汙染物的粘接劑，將上部部件215和下部部件217密封到連接體230。可通過常規手段如焊接、或通過使用螺栓、卡箍或本領域公知的其它緊固件將上部部件215和下部部件217連接到連接體230。
加熱室140安裝在安裝框架255上以提供對上部部件215和下部部件217的支撐。在一個方案中，安裝框架255可包括可旋轉地安裝於下端的腳輪245、246和247，用於移動加熱室140。安裝框架255可通過常規手段如螺栓、卡箍或本領域中公知的其它緊固件固定到加熱室140和連接體230上。儘管加熱室140優選安裝在安裝框架255上，但加熱室140也可採用緊固件如螺釘、螺栓、卡箍等安裝到傳送室110上並由傳送室110支撐。
用於加熱室140內的襯底運送的電機285可使用緊固件如螺釘、螺栓、卡箍等固定到加熱室140上。電機285與絲槓288旋轉配合。絲槓288與平臺287旋轉配合，平臺287與安裝框架255滑動配合。當絲槓288由電機285旋轉時，平臺287就被垂直地升高或降下。
在一個實施例中，可使用熱絕緣層(未示出)封閉或包封加熱室140，以便使來自加熱室140的熱損失最小化。熱絕緣層可包括絕緣體如纖維玻璃、陶瓷纖維、石棉、或適於提供熱損失絕緣的其它材料。在一個實施例中，絕緣層包括柔性絕緣陶瓷纖維防護層，其具有低於約0.035瓦/m°K的熱傳導率並穩定於約30℃的表面溫度。
圖3是適於襯底熱處理的本發明的加熱室140的一個實施例的剖視圖。加熱室140包括主體305、蓋子335、和設置在主體305上並限定了腔307的底部316，腔307用於在其中加熱多個襯底328。在一個方案中，主體305由耐處理材料如鋁、鋼、鎳等適於承受處理溫度的材料構成，並且一般不受例如銅的汙染。主體305可包括延伸到腔307內的氣體入口360，用於將加熱室140連接到生產氣體(process gas)供給源(未示出)從而通過它來輸送生產氣體。在另一方案中，真空泵390可通過真空埠392連接到腔307以便保持腔307內的真空。
襯底盒310可移動地設置在腔307中並連接到可移動部件330的上端。可移動部件330由適於承受處理溫度並且一般無銅之類汙染物的耐處理材料構成，如鋁、鋼、鎳等材料。可移動部件330經由底部316進入腔307。可移動部件330被可滑動地並且可密封地設置穿過底部316並由平臺287提高和降下。平臺287支撐可移動部件330的下端，從而隨平臺287的升高或下降，可移動部件330連帶著垂直上升或下降。可移動部件330垂直升高和降低腔307內的襯底盒310，以穿過延展通過窗口235的襯底傳送平面332而移動襯底328。襯底傳送平面332由藉助自動裝置113將襯底移進和移出襯底盒310的路徑限定。
襯底盒310包括由安裝框架325支撐的多個襯底加熱架336。雖然在一個方案中，圖3示出了在襯底盒310內的十二個襯底加熱架336，但是可以設想使用任何數量的加熱架。每個襯底加熱架336包括由託架317連接到框架325的加熱襯底支座340(例如加熱板)。託架317將加熱襯底支座340的邊緣連接到框架325上，並且可使用如壓敏粘接劑、陶瓷粘接劑、膠之類的粘接劑，或如螺釘、螺栓、卡箍之類耐處理且沒有銅這樣的汙染物的緊固件，連接到框架325和加熱襯底支座340上。框架325和託架317由耐處理材料構成，如陶瓷、鋁、鋼、鎳等，以及耐處理並且一般沒有銅之類汙染物的其它材料。儘管框架325和託架317可以是分開的部件，也可設想將託架317與框架325集成為一體，以便形成用於加熱襯底支座340的支撐部件。儘管在一個方案中，加熱襯底支座340與襯底328形狀一致而比其稍大，以便通過向襯底328施加最大熱量而使得加熱效率最大化，但是應考慮到，加熱支架340可以具有適合於提供所需的襯底加熱的任何形狀。例如，在一個實施例中，加熱支架340可以比襯底328大很多，用以確保襯底328完全暴露於來自支架340的熱量。或者，加熱支架340可形成為用以容納各種尺寸的襯底328。
襯底加熱架336在襯底盒310內垂直分隔開並且平行設置，以便限定多個襯底加熱空間322。每個襯底加熱空間322適於在其中加熱被支承於多個支銷342上的至少一個襯底328。每個襯底328上面和下面的襯底加熱架336形成襯底加熱空間322的上邊界和下邊界，使得襯底328的頂側和底側暴露於熱量。在一個實施例中，上邊界和下邊界距離襯底328是等距離的，以便確保襯底328的兩側的均勻加熱。為保證在襯底盒310內加熱頂部的襯底328，由空的加熱襯底支座340來形成頂部加熱空間322的上邊界。在另一實施例中，間隔和襯底位置可以調整以適應不同處理如退火、除氫等不同的加熱要求。加熱空間322的上邊界和下邊界之間的間隔可以調整，以增加或降低加熱速度以及施加於每個襯底側的熱量。例如，加熱空間322的上邊界和下邊界之間的間隔可以變窄以增加來自加熱襯底支座340的輻射能量，由此增高溫度和加熱速度，或者該間隔可變大以減少入射的輻射能量，由此降低襯底溫度和減慢襯底328的加熱。而且，襯底328可設置得更靠近上邊界或下邊界，以便向襯底328的任一側提供不同的熱量。在一個方案中，為了提高生產效率，可調整加熱空間322的上、下邊界之間的間隔，以便在所需的速度和溫度下加熱襯底328，同時允許襯底盒310保持儘可能多的襯底加熱架336。在一個方案中，上邊界和下邊界之間的間隔約為45mm。本發明人相信，對於容納襯底328、均勻襯底加熱、和室307內有效空間利用而使襯底加熱架336的數量達到最大來說，上邊界和下邊界之間約45mm的間隔提供了合適的間隙，。
圖4展示加熱室140和傳送室110的剖視圖。加熱室140設置成窗口235與形成於傳送室110的側壁中的開口109對齊。在這種設置中，傳送室開口109和窗口235限定襯底傳送口372，通過襯底傳送口372可通過自動裝置113輸送襯底328。襯底傳送口372由密封裝置如閘閥或槽閥(未示出)選擇性地加以密封。在工作期間，自動裝置113在支撐於臂111上的葉片118上從處理系統100經傳送室110通過襯底傳送口372接收襯底328。葉片118設置成通過襯底傳送口372向加熱室140輸送襯底328。襯底盒310可向上或向下垂直移動，以便設置與襯底傳送平面332處於一線的空的加熱空間322，由此接收襯底328。臂111延伸穿過襯底傳送口372以將襯底328放置在加熱室140中，然後將襯底328放置在襯底盒310中。臂111使襯底328伸入加熱空間322內且將襯底328設置在銷342上。在一個實施例中，襯底盒310垂直移動，直到銷342接觸襯底表面為止，使襯底328抬高離開葉片118。然後，臂111和葉片118返回傳送室110。在另一實施例中，臂111和葉片118垂直向下移動，直到襯底328接觸銷342為止。臂111和葉片118繼續向下移動，直到襯底328完全被銷342支撐為止。
圖5是表示本發明的一個實施例的加熱室140的頂部剖視圖。由於腔307固定多個襯底328，腔307的體積通常比各室如處理室114和通常只固定一個襯底328的固定室116更大。由於腔307的體積增大，在真空下的室140上的外部大氣壓力可能相當大。為提供結構強度並使腔體積最小化，腔307優選為半圓形並與襯底盒310的形狀一致而比其稍大。在另一實施例中，腔307的形狀可以是圓形、方形、或適於容納襯底328並具有足夠結構完整性以承受外部大氣壓力的任何形狀。
圖6是加熱室140的部分剖視圖。熱反射器320設置在腔307內並與主體305的相鄰的內表面311間隔開，形成腔307內的反射表面。由於提供了腔307和內表面311之間的輻射熱絕緣，熱反射器320適於使通過主體305的傳導熱損失最小化。熱反射器320使反射腔307內的輻射熱反射，離開表面311而朝向腔307的中心。熱反射器320可包括單層。作為選擇，熱反射器320可包括多層，或組合形成一體的幾個部件。熱反射器320通常含有熱導體，如耐處理和一般無銅之類汙染物的鋁、鎳、鋼等。當希望在腔307和內表面311之間有附加絕緣時，熱反射器320包含有絕緣體，如金屬鍍覆陶瓷、玻璃，以及耐處理和無銅之類汙染物的類似材料。熱反射器320包括用鋁、鎳、金鍍覆的內部熱反射表面327，或適合於反射熱且耐處理而一般無銅之類汙染物的其它表面。熱反射器320可採用幾種方法固定導內表面311上，如採用壓敏粘接劑、陶瓷粘接劑、膠等，或通過耐處理且一般無銅之類汙染物的緊固件如螺釘、螺栓、卡箍等粘接到內表面311上。另外，熱反射器320可採用如電鍍、濺射、陽極氧化等技術附著在內表面311上。在一個實施例中，採用絕緣的緊固件如絕緣螺釘、螺栓、卡箍等使熱反射器320與內表面311隔開，在內表面311和熱反射器320之間形成間隙。
加熱器315設置在腔307內，處於熱反射器320和襯底盒310之間。加熱器315適於形成與襯底盒310相合併包圍它的加熱部件。加熱器315包括一個或多個加熱元件，如電阻加熱器、加熱燈等，其設置在一層或多層導熱且輻射熱的材料內，該材料例如為鎳、鋼、鋁等。雖然加熱器315的內表面331優選經過噴沙(bead blast)或陽極氧化以提供更高的熱輻射性能從而提高腔307內的輻射熱的傳遞，也可運用適於提供更高表面發射性的其它類型的表面處理。加熱器315的外表面333受到拋光以達到低發射性，由此使得輻射熱對室主體305的傳遞最小。在襯底熱處理期間，加熱器315由電源(未示出)激勵，並加熱到所需溫度。雖然在一個方案中，在加熱器315和熱反射器320之間形成間隙以使得通過傳導而到達熱反射器320的熱傳遞最小，加熱器315也可與熱反射器320直接接觸。
圖7和8表示可有利地使用的加熱器315的一個實施例。加熱器315包括外殼319，外殼319由導熱材料構成，如鋁、鎳、鋼等適於均勻輻射腔307內的熱並耐處理且一般無銅之類汙染物的材料。連續加熱元件317設置在形成於外殼319內的狹槽內。連續加熱元件317適於在外殼319內輻射熱量。可通過摩擦配合，通過焊接，使用一般無銅和/或銀之類汙染物的填充材料313，或通過採用如壓敏粘接劑、陶瓷粘接劑、膠等粘接劑，或如螺釘、螺栓、卡箍等耐處理而一般無銅之類汙染物的緊固件，將連續加熱元件317固定在狹槽314內。在一個實施例中，為提供外殼319和連續加熱元件317之間更緊密的配合，連續加熱元件317具有比外殼319更高的熱膨脹係數。雖然在一個方案中，連續加熱元件317的熱膨脹係數約為α＝17，而外殼319的熱膨脹係數約為α＝13，有利的是也可以採用其它熱膨脹係數。
一對連接器318連接到電源(未示出)如外部電源，以便給連續加熱元件317供電。雖然連續加熱元件317優選形成為一體化的和均勻的加熱部件以對整個外殼319提供均勻加熱，但是如電阻加熱器、燈等多個獨立的加熱元件也可連接在一起形成連續加熱元件317。此外，外殼319可由分散設置並在整個外殼319上分立連接的多個單獨加熱器加熱。
加熱器315可採用幾種方法中的任何一種方法固定在腔307內。例如，可採用固定方法如採用壓敏粘接劑、陶瓷粘接劑、膠等粘接劑的粘合，或是像螺釘、螺栓、卡箍等耐處理而一般無銅之類汙染物的緊固件，將加熱器315固定到內表面311上。在特殊實施例中，加熱器315包括具有安裝凸緣312的上部，用於將加熱器315安裝到主體305上。雖然優選使安裝凸緣312與加熱器315一體成形，但是安裝凸緣312可以是分離部件。可採用如壓敏粘接劑、陶瓷粘接劑、膠等粘接劑，或如螺釘、螺栓、卡箍等耐處理和一般無銅之類汙染物的緊固件，將安裝凸緣312固定到主體305上。
圖9展示本發明的一個實施例，其中加熱襯底支座340和支銷342間隔開，並在其上支撐襯底328，從而形成加熱空間322的下部。雖然如圖5所示，在一個方案中，支銷342的數量至少為六個，使四個支銷342在襯底外周邊上基本均勻間隔開以充分支撐邊緣，兩個支銷342靠近襯底328的中間。或者，也可在適於支撐襯底328的任何結構中採用任何數量的支銷342。支銷342優選由絕緣體構成，如聚合物、陶瓷以及類似物，其具有適於使與襯底328的接觸最小和防止加熱襯底支座340和襯底328之間傳導的橫截面。至於附加的支撐強度，支銷342還可包含導體，如鋼、鋁、鎳以及類似物，其具有足夠小表面積以使傳導最小，且其耐處理並一般無銅之類汙染物。儘管在一個方案中，支銷342包括尖端以使與襯底328的接觸最小，支銷342可具有適於支撐襯底328的任何端部橫截面和外形，如圓形端、方形端、平端以及適於使得對加熱襯底支座340的熱傳導最小的類似端部。
圖10是加熱襯底支座340的俯視圖，其包括設置在一層熱絕緣且電絕緣的材料內的多個板式加熱器347，該材料例如為玻璃纖維、玻璃、陶瓷、石棉等。板式加熱器347可以是電阻加熱器、輻射燈等。板式加熱器347可由電源(未示出)所提供的功率激勵，該電源例如是通過連接器345連接的外部電源。通常，整個襯底表面上的溫度作為襯底主體熱遷移的函數而變化，這是由於在室140內靠近加熱襯底支座340、支銷342、加熱器315、和腔307內總體熱結構的對流和傳導所導致的。在一個實施例中，板式加熱器347經模式化處理以提供匹配和補償襯底熱損失——即襯底熱損失分布曲線——的輻射熱分布曲線。例如，圖10中所示的板式加熱器347在角部附近比在加熱襯底支座340的中間更加彼此靠近，以便向襯底328的角部和邊緣——在此產生大量的傳導和/或輻射熱損失——提供更集中的熱量。雖然，熱量通常趨於從襯底邊緣輻射，但是經模式化處理的加熱分布曲線可適於包括襯底熱損失分布曲線中的任何改變。例如，通過改變它們的尺寸、間隔、電阻率、照明度、輸入功率等以更緊密地適應襯底熱損失分布曲線，板式加熱器347可適用於提供可變熱量輸出。而且，加熱襯底支座340通過支銷342與襯底328隔開，如圖3、4、和6所示，從而允許襯底328的下表面和加熱支架的上表面之間的輻射熱混合。雖然，在一個方案中，加熱襯底支座340和襯底328之間的間隔約為20mm，也可設想有其它間隔。雖然認為在加熱襯底328之前混合來自加熱襯底支座340的輻射熱，由此使由板式加熱器結構限定的熱點最少，襯底328還可以設想為直接放置在具有適於與襯底熱損失分布曲線基本上匹配的板式加熱器的加熱襯底支座340上。
在工作中，通過自動裝置113將襯底328經窗口235放在加熱襯底支座340上的腔307內，而起動加熱室140的加熱處理。惰性生產氣體如氮氣通過氣體入口360流入腔307內，並由真空泵390保持在所需要的室壓力。或者，生產氣體可以是適於特殊處理的活性氣體，如氟。腔307被加熱器315和加熱襯底支座340的輻射熱，或者加熱器315獨自的輻射熱，與熱反射器320協作而加熱到所需的環境水平，從而足以提供均勻的襯底加熱分布曲線。單獨的襯底328被均勻加熱到介於約350℃至約600℃之間的襯底主體溫度。對於襯底主體上的溫度的參考溫度變化(即標準溫度變化)在約+/-5℃和約+/-10℃之間。
例如，在根據本發明的一種操作方法中，由自動裝置113經過窗口235將襯底328放在加熱襯支架340上的腔307內而起動加熱室140的熱處理。腔307內的真空由真空泵390保持為約0到約0.5乇。生產氣體如氮氣通過氣體入口360流入腔307內，由真空泵390保持在約0.0到0.5乇的室壓力下。熱量經過加熱器315和加熱支架340施加於襯底，以便將每個襯底均勻地加熱到約450℃到約600℃的溫度。每個襯底保持在標準化加熱分布曲線上，該標準化加熱分布曲線在約450℃的襯底主體溫度下約為+/-5℃，到在約600℃的襯底主體溫度下約為+/-10℃。例如，圖11是襯底328的示意性等溫線圖，表示在約500℃的熱處理期間，用邊界溫度作為標準值，穿過襯底328的主體的標準化溫度變化。區域350A是參考區域，因此具有零溫度變化。區域350B具有約+/-1℃的標準化溫度變化。區域350C具有約+/-2℃標準化溫度變化。區域350D具有約+/-3℃標準化溫度變化。區域350E具有約+/-5℃標準化溫度變化。因此，穿過襯底328的標準化溫度變化約為+/-5℃。
儘管前面已經對本發明的實施例進行了說明，在不脫離本發明的基本範圍的情況下可以實施本發明的其它和進一步的實施例，並且本發明的範圍由所附權利要求書限定。
權利要求
1.一種用於加熱襯底的設備，包括具有主體、底部和蓋子的絕緣室；設置在該室內的熱反射器；設置在該室內並與該熱反射器相鄰的加熱器；和可移動地設置在該室內以在其上支撐至少兩個襯底的多個加熱支架。
2.根據權利要求1的設備，其中所述的絕緣室、熱反射器和加熱支架含有鎳。
3.根據權利要求1的設備，其中所述室的壁比所述加熱支架稍大並與其形狀一致。
4.根據權利要求1的設備，其中所述加熱器基本上包圍所述加熱支架。
5.根據權利要求1的設備，進一步包括用以保持其中真空的泵。
6.根據權利要求1的設備，其中所述加熱器包括內表面和外表面，其中該內表面的熱發射率值大於該外表面的熱發射率值。
7.根據權利要求1的設備，進一步包括設置在所述加熱器內的多個加熱元件。
8.根據權利要求1的設備，其中所述加熱元件選自以下一組電阻加熱器、輻射燈、及它們的組合。
9.根據權利要求1的設備，其中所述熱反射器包括在其上的熱反射表面。
10.根據權利要求9的設備，其中所述熱反射器包含選自以下一組的材料玻璃、陶瓷、及它們的組合。
11.根據權利要求9的設備，其中所述熱反射器包含選自以下一組的材料鋁、鎳、鋼、及它們的組合。
12.根據權利要求9的設備，其中所述熱反射表面選自以下一組鋁、鎳、金、及它們的組合。
13.根據權利要求1的設備，包括圍繞所述絕緣室設置的至少一個絕緣層。
14.根據權利要求13的設備，其中所述絕緣層是具有小於約0.053瓦/m°K的導熱性的柔性陶瓷纖維防護層。
15.根據權利要求1的設備，其中所述加熱支架包括多個加熱元件。
16.根據權利要求15的設備，其中所述加熱元件選自以下一組電阻加熱器、輻射燈、及它們的組合。
17.一種用於均勻加熱襯底的方法，包括在一室內的多個加熱支架上支撐多個襯底，其中所述室稍大於所述襯底的支架並與其形狀一致；提供介於約450℃和約600℃之間的處理溫度；提供所述室內的真空；和均勻加熱所述襯底。
18.根據權利要求17的方法，進一步包括在所述加熱支架上和所述室內設置鎳表面。
19.根據權利要求17的方法，其中均勻加熱所述襯底包括以匹配所述襯底的熱損失分布曲線的加熱模式來加熱所述襯底的步驟。
20.根據權利要求17的方法，進一步包括在高於約450℃的處理溫度下保持約+/-5℃的在所述室內的溫度分布曲線。
21.根據權利要求17的方法，進一步包括在約450℃到約600℃之間的處理溫度下保持約+/-10℃的在所述室內的溫度分布曲線。
22.根據權利要求17的方法，其中進一步包括設置輻射熱反射表面以反射在所述室內的輻射熱。
23.根據權利要求17的方法，進一步包括在所述室內設置基本上環繞該室的加熱器。
24.根據權利要求17的方法，進一步包括在約高於450℃的襯底處理溫度下提供小於約+/-5℃的標準化襯底等溫線。
25.根據權利要求17的方法，進一步包括在約450℃到約600℃之間的襯底處理溫度下提供小於約+/-10℃的標準化襯底等溫線。
26.根據權利要求17的方法，進一步包括在所述室內提供約0和約0.5乇之間壓力下的生產氣體。
27.根據權利要求26的方法，其中所述生產氣體是氮氣。
28.一種加熱襯底的設備，包括具有一腔的室，該腔用於在其中固定多個所述襯底；具有多個加熱支架的至少一個盒，該加熱支架可移動地設置在所述腔內以支撐多個所述襯底；設置在該腔內並設置成向所述至少一個盒提供輻射熱的加熱層；和熱反射器，其設置在所述腔內並圍繞至少一部分所述加熱支架，以形成導入所述腔內的反射表面。
29.根據權利要求28的設備，其中所述的加熱室、加熱支架、熱反射器和加熱層基本上是無銅的。
30.根據權利要求28的設備，其中所述腔與所述加熱支架基本上形狀一致。
31.根據權利要求28的設備，其中所述加熱層基本上圍繞所述加熱支架。
32.根據權利要求28的設備，其中所述熱反射器包括在其上的熱反射表面。
33.根據權利要求28的設備，其中所述加熱層包括內表面和外表面，其中該內表面的熱反發射率值高於該外表面的熱發射率值。
34.根據權利要求28的設備，進一步包括用以保持其中真空的泵。
35.根據權利要求28的設備，其中所述加熱支架適於給所述襯底提供基本均勻的加熱。
36.根據權利要求35的設備，其中所述加熱支架包括設置在其上的多個加熱元件，以便形成基本上符合被加熱的多個所述襯底的一個或多個熱損失分布曲線的加熱分布曲線。
全文摘要
本發明的實施例大致提供了一種在熱處理期間向多個襯底提供均勻熱分布曲線的設備和方法。在一個實施例中，含有一個或多個加熱襯底支座的盒子可移動地設置在具有基本均勻熱分布曲線的加熱室內，以便更均勻地加熱襯底。
文檔編號H01L21/02GK1483218SQ01821316
公開日2004年3月17日 申請日期2001年12月20日 優先權日2000年12月29日
發明者Q·尚, J·卡爾多庫斯, A·細川, Q 尚, 囁饉 申請人:應用材料有限公司