基板處理設備的製造方法
2023-04-25 02:52:26 1
基板處理設備的製造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種基板處理設備，包括刻蝕區間，其特徵在於，所述設備包括被布置在刻蝕區間的基板入口外的一個或多個氣霧吸收裝置，所述氣霧吸收裝置包括一個或多個噴淋管。該氣霧吸收裝置能夠吸收來自刻蝕區間的刻蝕液氣霧，從而降低該氣霧對其餘基板處理部件的傷害。
【專利說明】
基板處理設備
技術領域
[0001]本實用新型涉及基板處理的技術領域，尤其涉及包括氣霧吸收裝置的基板處理設備。【背景技術】
[0002]隨著九十年代TFT_LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜場效應電晶體-液晶顯示器)技術的成熟，液晶顯示面板因在亮度、對比度、功耗、壽命、體積和重量等綜合性能的優勢，得到了飛速的發展。為保證產品的合格率，各步工藝的均一性面臨更大挑戰。該工藝包括溼法刻蝕。
[0003]溼法刻蝕是利用刻蝕液將玻璃基板上未被光刻膠覆蓋的部分刻蝕掉，從而形成所需的金屬圖案。溼法刻蝕所用的刻蝕液因待刻蝕的金屬不同而有所差異。如用於IT0金屬的刻蝕液主要為硝酸和硫酸，用於A1金屬的刻蝕液主要為硝酸、磷酸和醋酸，用於Cu金屬的刻蝕液主要為雙氧水的酸性溶液。
[0004]參考圖1，圖1為目前溼法刻蝕設備的典型結構示意圖。該設備主要包括APP (Atmospheric Pressure Plasma，大氣壓等離子)區間(在刻蝕前將大氣壓等離子電離出氧等活性離子，對有機物進行去除)、緩衝區間、刻蝕區間、清洗區間、緩衝區間和乾燥區間(在圖中從右至左示出)。刻蝕設備主要通過滾輪3傳動基板，在刻蝕和清洗區間中分布著一定數量的噴管2，噴管上有噴嘴可以噴灑藥液。
[0005]因為刻蝕液中有揮發性的酸存在，揮發的酸氣(或氣霧)經過緩衝區間到達APP區間，對APP電極5進行腐蝕，減小APP電極5的使用壽命，增加發生不良的風險。在銅金屬溼法刻蝕中，刻蝕液的酸氣在緩衝區間出口凝結成結晶顆粒6,這增加斷線不良發生風險。同時， 發現，酸氣和APP的交互作用導致銅金屬發生氧化無法被刻蝕，造成金屬殘留的不良。
[0006]目前的刻蝕設備為了減少酸氣(或氣霧)流向緩衝區間，在緩衝區間的前端安裝有一個罩子4,罩子上有排氣管道用於排出流過來的酸氣，同時要求刻蝕區間的排氣(或抽氣) 壓力大於緩衝區間的排氣壓力。但是在實際使用中，排氣壓力容易發生波動，並且緩衝單元的排氣壓力大小不好把握，在排氣壓力太大的情況下容易把刻蝕區間的酸氣吸收過來;在排氣壓力太小的情況下，刻蝕區間流過來的酸氣不能及時被排出。因此，期望能有更好的酸氣(或氣霧)處理裝置。【實用新型內容】
[0007]鑑於以上問題，本實用新型提出了一種基板處理設備，其能夠更好地對氣霧進行處理，以減小刻蝕液氣霧對刻蝕區間外的部件的影響。
[0008]根據一方面，提出了一種基板處理設備，包括刻蝕區間，其特徵在於，所述設備包括被布置在刻蝕區間的基板入口外的一個或多個氣霧吸收裝置，所述氣霧吸收裝置包括一個或多個噴淋管。通過該氣霧吸收裝置實現對擴展到刻蝕區間外的氣霧進行吸收，以減小氣霧對刻蝕區間外的部件的影響。
[0009]在一些所述中，所述噴淋管被布置為噴淋吸收液以使吸收液與氣霧接觸。
[0010]在一些實施例中，所述氣霧吸收裝置包括供液管、排液裝置和布置在所述噴淋管上的多個噴液嘴。
[0011]在一些實施例中，被布置在同一個噴淋管上的多個噴液嘴之間的間距在10-50mm 的範圍內。
[0012]在一些實施例中，所述噴嘴的出射方向是在相對於水平面向下15到向下45度之間可調的。
[0013]在一些實施例中，所述氣霧吸收裝置還包括具有傾斜坡道的傾斜槽，所述吸收液被噴出之後經過所述傾斜坡道到達所述排液裝置。該傾斜槽可以提供穩定的吸收液與氣霧的接觸面積，並且減小吸收液的濺出。
[0014]在一些實施例中，所述傾斜槽的開口朝向所述刻蝕區間的基板入口。使吸收液的水簾直接衝向刻蝕區間的基板入口，以增大吸收效率。
[0015]在一些實施例中，所述傾斜坡道由平面坡道或波浪形坡道形成。波浪形坡道能夠進一步增大接觸面積。
[0016]在一些實施例中，所述基板處理設備還包括用於傳送待處理基板的傳送裝置，所述氣霧吸收裝置被布置在所述傳送裝置下方。
[0017]在一些實施例中，該設備還包括大氣壓等離子(APP)表面處理區間，所述氣霧吸收裝置進一步位於用於連接所述大氣壓等離子表面處理區間和所述刻蝕區間的緩衝區間處。
[0018]在一些實施例中，該設備還包括排氣罩，所述排氣罩被布置在所述傳送裝置的上方並且在所述氣霧吸收裝置的上方。兩者相互配合可實現更佳的阻隔效果。
[0019]在一些實施例中，所述吸收液為水或醇類液體或鹼性溶液。對應於不同的刻蝕液氣霧，需要使用不同的吸收液。
[0020]在一些實施例中，所述供液管經由閥門多個供液源，所述多個供液源分別容納不同種類的吸收液。
[0021]在一些實施例中，所述基板處理設備還包括清洗區間，而所述排液裝置經由閥門連接到所述清洗區間中的管道。這可實現對使用過後的吸收液的回收利用。[〇〇22]在一些實施例中，該設備還包括被布置在所述大氣壓等離子表面處理區間的出口處的多個氣刀。該多個氣刀能夠形成用於阻隔的氣簾，該氣簾與氣霧吸收裝置的組合使用能夠進一步增強阻隔效果，儘可能保護APP電極。
[0023]在一些實施例中，所述氣刀供有壓力大小可調的清潔乾燥氣體(CDA)。
[0024]在一些實施例中，所述緩衝區間的底部設置有排氣裝置，並且氣霧吸收裝置位於所述排氣裝置和刻蝕區間的基板入口之間。
[0025]根據本實用新型的實施例的基板處理設備能夠將流向緩衝區間的刻蝕液氣霧進行吸收，還可進一步利用氣簾阻隔氣霧，一方面可以降低因氣霧在緩衝區間出口結晶導致的斷線不良，另一方面防止氣霧對APP電極的腐蝕。此外，特別在銅刻蝕時避免了氣霧和APP 的交互作用導致銅的氧化，避免了因此導致的金屬殘留不良的發生。【附圖說明】
[〇〇26]包括附圖以提供對實施例的進一步理解並且附圖被併入本說明書中並且構成本說明書的一部分。附圖圖示了實施例並且與描述一起用於解釋本實用新型的原理。將容易認識到其它實施例和實施例的很多預期優點，因為通過引用以下詳細描述，它們變得被更好地理解。附圖的元件不一定是相互按照比例的。同樣的附圖標記指代對應的類似部件。
[0027]圖1示出了現有技術中的溼法刻蝕設備的典型結構示意圖。
[0028]圖2示出了根據本實用新型的實施例的基板處理設備的結構示意圖。
[0029]圖3示出了根據本實用新型的另一實施例的基板處理設備的結構示意圖。
[0030]圖4示出了根據本實用新型的實施例的氣霧吸收裝置的結構示意圖。
[0031]圖5示出了根據本實用新型的另一實施例的氣霧吸收裝置的結構示意圖。【具體實施方式】
[0032]在以下詳細描述中，參考附圖，該附圖形成詳細描述的一部分，並且通過其中可實踐本實用新型的說明性具體實施例來示出。對此，參考描述的圖的取向來使用方向術語，例如「頂」、「底」、「左」、「右」、「上」、「下」等。因為實施例的部件可被定位於若干不同取向中，為了圖示的目的使用方向術語並且方向術語絕非限制。應當理解的是，可以利用其他實施例或可以做出邏輯改變，而不背離本實用新型的範圍。因此以下詳細描述不應當在限制的意義上被採用，並且本實用新型的範圍由所附權利要求來限定。[〇〇33]應當理解的是，本文描述的各個示例性實施例的特徵可以相互組合，除非特別另外指出。
[0034]圖2中示出了根據本實用新型的實施例的基板處理設備。該設備主要用於對基板 (如玻璃基板)進行溼法蝕刻。在該實施例中，該基板處理設備中設置有依次連通的大氣壓等離子表面處理區間(APP表面處理區間，簡稱APP區間)、緩衝區間、蝕刻區間和清洗區間。 應當理解的是，該基板處理設備還可設置有別的處理區間，例如乾燥區間等。在每個區間中都設置有用於運送基板(在圖中未示出)的傳送裝置3。
[0035]緩衝區間用於連接鄰近的兩個區間(例如大氣壓等離子表面處理區間和刻蝕區間)，以起到流水線作業中的緩衝作用。大氣壓等離子表面處理區間(簡稱APP表面處理區間)中設置有APP電極，用於在刻蝕前提供活性離子，以對基板上的有機物進行去除。而刻蝕區間中設置有噴管2,用於對基板噴灑刻蝕液。圖2中的曲線箭頭表示在噴灑過程中，刻蝕液揮發所產生的酸霧或酸氣，其容易從刻蝕區間的基板入口 1處進入到緩衝區間，從而進入相鄰的APP表面處理區間。
[0036]因此在本實用新型的實施例中，在刻蝕區間的入口外設置了氣霧吸收裝置7。該氣霧吸收裝置7包括一個或多個噴淋管，噴淋管通過噴淋吸收液以使吸收液與從刻蝕區間的基板入口 1處逸出的氣霧接觸，從而實現對氣霧的吸收，進而實現對氣霧的吸收或阻隔。具體地，該氣霧吸收裝置7被布置在刻蝕區間和APP表面處理區間之間的緩衝區間中靠近刻蝕區間的基板出口處。在一些實施例中，該氣霧吸收裝置7被布置在傳送裝置3下方，以增大吸收氣霧的效果。並且優選地，在氣霧吸收裝置7的上方以及傳送裝置3的上方設置了排氣罩 4。兩者配合工作能夠實現更好的氣霧吸收效果。雖然在圖2中僅僅描繪出一個氣霧吸收裝置7,但是應當理解的是，該氣霧吸收裝置7的數量可以是多個，並且被均勻布置在緩衝區間中(圖3示例性示出了設置兩個氣霧吸收裝置7的布置)。另外，該氣霧吸收裝置7的尺寸不限於圖中所示那樣，其可以被製作地比圖中所顯示的尺寸更大。
[0037]另外在一些實施例中，在緩衝區間靠近APP表面處理區間的基板入口處設置進一步設置有氣簾8。該氣簾8用於進一步阻隔可能逃逸到緩衝區間中的氣霧，以防止其進入到 APP表面處理區間中。該氣簾8由氣刀形成，該氣刀被供有壓力大小可調的CDA(Clean Dry Air，清潔乾燥氣體)。而該氣簾8與氣霧吸收裝置7以及排氣罩4的組合可實現最好的氣霧阻隔效果。
[0038]本實用新型的實施例的基板處理設備一方面可以降低因氣霧在緩衝區間出口結晶導致的斷線不良，另一方面防止氣霧對APP電極的腐蝕。此外，特別在銅刻蝕時避免了氣霧和APP的交互作用導致銅的氧化，避免了因此導致的金屬殘留不良的發生。
[0039]圖4中示出了氣霧吸收裝置7的具體構造。在本實用新型的實施例中，該氣霧吸收裝置7包括供液管12、排液裝置11和被布置在噴淋管上的一個或多個噴嘴10。該供液管12優選設置有閥門13以調節吸收液的流量和流速。吸收液經由一個或多個噴嘴10噴出，並且與氣霧接觸以吸收氣霧，並且經由排液裝置11被回收。在一些實施例中，一個或多個噴嘴10被設置於噴淋管9上，並且相對於水平面傾斜噴淋吸收液。被布置在同一個噴淋管上的多個噴嘴10之間的間距可以在10_50mm的範圍內。而噴嘴10的出射角度優選是可調的，並且可以在相對於水平面向下15度到45度之間的範圍內。該可調例如通過旋轉噴淋管的方式來實現。
[0040]而在特定實施例中，該氣霧吸收裝置還包括具有傾斜坡道14的傾斜槽，並且噴淋管9形成在傾斜坡道14的坡頂，而經由噴嘴10噴淋的吸收液經由所述傾斜坡道14到達排液裝置11。排液裝置11優選在傾斜坡道的坡底處設置。傾斜坡道的設置增大了吸收液與氣霧接觸的面積和時間。應當認識到，該傾斜坡道14的形狀不限於圖中所示那樣，其也可以具有波浪形的截面形狀或其它增大該接觸面積的形狀。另外，該傾斜坡道的傾斜角度和面積不限於圖中所示那樣，而可以根據需要進行設置。另外，該傾斜槽的開口優選朝向刻蝕區間的基板入口(即緩衝區間的基板出口)，從而能夠更好地使氣霧更及時地被吸收液吸收。[0041 ]對於不同的刻蝕液，吸收液可能不同，比如對於雙氧水系的銅刻蝕液，吸收液可以是水或者醇類等易於吸收雙氧水的溶液;對於IT0或者A1的刻蝕液，吸收液可以是鹼性的溶液，如氫氧化鈉溶液等。
[0042]當然，傾斜坡道在該氣霧吸收裝置7中並不是必須的。在本實用新型的另外實施例中，如圖5所示，該氣霧吸收裝置7可以僅僅通過噴淋管9的噴淋(經由多個噴嘴10)在空中形成水簾，以實現對氣霧的阻隔作用。另外，在底部具有排液裝置10以將噴淋的液體排出。 [〇〇43]在可選的實施例中，該排液裝置11可連接到基板處理設備中的清洗區間中的清洗管道，以利用排出的吸收液(例如水)對基板進行清洗。這可更加經濟。
[0044]在一些實施例中，在緩衝區間的底部設置有排氣裝置15。而該氣霧吸收裝置7位於排氣裝置15和刻蝕區間的基板入口 1之間。這一布置可以吸引更多氣霧與氣霧吸收裝置7接觸，從而進一步增大氣霧吸收效果。
[0045]在另一些實施例中，該氣霧吸收裝置7中的供液管9可以連接到多個供液源，該多個供液源可以分別容納用於針對不同的刻蝕液氣霧的吸收液。由此可以根據當前基板處理設備正在使用的刻蝕液來調節供應給供液管9的吸收液種類，提高了基板處理設備的適應性。
[0046]以上描述了本申請的【具體實施方式】，但本申請的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本申請揭露的技術範圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本申請的保護範圍之內。因此，本申請的保護範圍應以所述權利要求的保護範圍為準。
[0047]在本申請的描述中，需要理解的是，術語「上」、「下」、「內」、「外」等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本申請和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。措詞『包括』並不排除在權利要求未列出的元件或步驟的存在。元件前面的措詞『一』或『一個』並不排除多個這樣的元件的存在。在相互不同從屬權利要求中記載某些措施的簡單事實不表明這些措施的組合不能被用於改進。在權利要求中的任何參考符號不應當被解釋為限制範圍。
【主權項】
1.一種基板處理設備，包括刻蝕區間，其特徵在於，所述設備包括被布置在刻蝕區間的 基板入口外的一個或多個氣霧吸收裝置，所述氣霧吸收裝置包括一個或多個噴淋管。2.根據權利要求1所述的設備，其中所述噴淋管被布置為噴淋吸收液以使吸收液與氣霧接觸。3.根據權利要求2所述的設備，其中所述氣霧吸收裝置還包括供液管、排液裝置和布置 在所述噴淋管上的多個噴嘴。4.根據權利要求3所述的設備，其中被布置在同一個噴淋管上的多個噴嘴之間的間距 在10_50mm的範圍內。5.根據權利要求3所述的設備，其中所述噴嘴的出射方向是在相對於水平面向下15到 向下45度之間可調的。6.根據權利要求3所述的設備，其中所述氣霧吸收裝置還包括具有傾斜坡道的傾斜槽， 所述吸收液被噴出之後經過所述傾斜坡道到達所述排液裝置。7.根據權利要求6所述的設備，其中所述傾斜槽的開口朝向所述刻蝕區間的基板入口。8.根據權利要求6所述的設備，其中所述傾斜坡道由平面坡道或波浪形坡道形成。9.根據權利要求1所述的設備，其中所述基板處理設備還包括用於傳送待處理基板的 傳送裝置，所述氣霧吸收裝置被布置在所述傳送裝置下方。10.根據權利要求1至9中的任一項所述的設備，還包括大氣壓等離子表面處理區間，所 述氣霧吸收裝置進一步位於用於連接所述大氣壓等離子表面處理區間和所述刻蝕區間的 緩衝區間處。11.根據權利要求9所述的設備，還包括排氣罩，所述排氣罩被布置在所述傳送裝置的 上方並且在所述氣霧吸收裝置的上方。12.根據權利要求2所述的設備，其中所述吸收液為水或醇類液體或鹼性溶液。13.根據權利要求4所述的設備，其中所述供液管經由閥門連接到多個供液源，所述多 個供液源分別容納不同種類的吸收液。14.根據權利要求4所述的設備，其中所述基板處理設備還包括清洗區間，並且所述排 液裝置經由閥門連接到所述清洗區間中的管道。15.根據權利要求10所述的設備，還包括被布置在所述大氣壓等離子表面處理區間的 出口處的多個氣刀。16.根據權利要求15所述的設備，其中所述氣刀供有壓力大小可調的清潔乾燥氣體。17.根據權利要求10所述的設備，其中所述緩衝區間的底部設置有排氣裝置，並且氣霧 吸收裝置位於所述排氣裝置和刻蝕區間的基板入口之間。
【文檔編號】H01L21/67GK205692805SQ201620409839
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年5月9日 公開號201620409839.5, CN 201620409839, CN 205692805 U, CN 205692805U, CN-U-205692805, CN201620409839, CN201620409839.5, CN205692805 U, CN205692805U
【發明人】劉小寧, 王世凱, 金童燮, 耿軍, 胡臻, 梁渲祺, 張灃, 黃騰飛, 潘洋, 蔣中任
【申請人】合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司