包括微透鏡的太陽能電池及其製造方法

2023-04-25 07:08:21

專利名稱：包括微透鏡的太陽能電池及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種太陽能電池，尤其涉及一種包括用於改善光捕獲特性的微透鏡的太陽能電池，以及製造該太陽能電池的方法。
背景技術：
一般地，太陽能電池是一種將太陽能轉換成電能的半導體器件，包括正(P)型半導體和負(N)型半導體的結，且具有與二極體相同的基本結構。大部分典型太陽能電池具有正-負(PN)結半導體層的結構，這裡P型半導體層和N型半導體層在相面對的兩個電極之間。為了改善光電效率的目的，太陽能電池包括聚光裝置，該聚光裝置聚集太陽光並將該光照射到太陽能電池表面上。例如，該聚光裝置是微透鏡。微透鏡通過各種方法製造，諸如使用雷射脈衝的蝕刻方法、使用光刻膠的回流方法，幹法蝕刻方法、使用二氧化碳(CO2)雷射的玻璃表面處理方法、使用液化玻璃表面張力的方法、用於通過雷射沉積的聚合物的離子束處理方法、噴墨方法、用於光刻膠的加熱方法、灰度級掩模方法以及壓印成型(embossing molding)方法。圖IA至IC是示出使用製造根據現有技術的微透鏡的光刻膠實施的回流方法的截面圖。在圖IA中，用於微透鏡的樹脂層20形成在基板10上，並且光掩模90設置在樹脂層 20之上。通過包括曝光和顯影步驟的光刻工藝對樹脂層20進行圖案化，從而成為對應於透鏡彎曲表面的樹脂圖案25，如圖IB中所示。在圖IC中，樹脂圖案25 (圖1B)在熱處理裝置中被加熱並回流以成為微透鏡30。但是，通過光刻工藝執行製造根據現有技術的微透鏡的方法，需要多個步驟諸如光刻膠塗覆步驟、曝光步驟和顯影步驟。具體地，曝光步驟需要昂貴的光掩模和昂貴的曝光裝置。結果，根據現有技術的微透鏡以高製造成本通過複雜步驟而製造。

發明內容
因此，本發明涉及一種包括微透鏡的太陽能電池以及製造該太陽能電池的方法， 基本上消除了由於現有技術的局限性和缺陷而導致的一個或多個問題。本發明的優勢在於提供一種製造包括微透鏡的太陽能電池的方法，這裡，可簡單且精確地形成微透鏡且減少了製造時間和製造成本。本發明的另一優勢在於提供一種包括微透鏡作為聚光裝置的太陽能電池，這裡， 聚光效率提高且製造成本降低。在以下描述中將列出本發明的其他特徵和優勢，且根據該描述其一部分是顯而易見的，或者可通過實踐本發明獲知。可通過在所撰寫的說明書及其權利要求書以及所附附圖中特別指出的結構理解和獲得本發明的這些和其他優勢。為了達到這些和其他優勢，並根據本發明的目的，如具體表達的和廣義描述的， 一種太陽能電池，包括基板；在基板上的第一透明電極；在第一透明電極上的第一正-本徵-負(PIN)結半導體層，其中第一 PIN結半導體層包括在第一透明電極上的負(N)型半導體層，在N型半導體層上的本徵半導體層和在本徵半導體層上的正(P)型半導體層，其中 N型和P型半導體層分別包括摻雜有N型和P型雜質的矽，以及本徵半導體層包括氫化矽 (hydrogenated silicon)；在第一 PIN結半導體層上的第二透明電極；和在第二透明電極上的聚光裝置，其中該聚光裝置包括具有強疏水性的自組裝單層和在該自組裝單層上的具有親水性的多個微透鏡。在另一方面，一種製造太陽能電池的方法，包括在第一基板上形成第一透明電極；在基板上形成具有強疏水性的第一自組裝單層；在第一透明電極上形成第一正-本徵-負(PIN)結半導體層，其中第一 PIN結半導體層包括在第一透明電極上的負(N)型半導體層，在N型半導體層上的本徵半導體層和在本徵半導體層上的正(P)型半導體層，其中 N型和P型半導體層分別包括摻雜有N型和P型雜質的矽，以及本徵半導體層包括氫化矽； 在第一 PIN結半導體層上形成第二透明電極；和在第二透明電極上形成聚光裝置，其中該聚光裝置包括第二基板、在第二基板上具有強疏水性的自組裝單層、和在該自組裝單層上具有親水性的多個微透鏡。在另一方面，一種製造微透鏡的方法包括在基板上形成具有強疏水性的自組裝單層；通過噴射具有親水性的透明墨在自組裝單層上形成多個墨滴(ink droplet)，該透明墨包括具有第一沸點的第一溶劑、具有低於第一沸點的第二沸點的第二溶劑、和分散在第一和第二溶劑中的矽氧化物(SiOx)固體材料；和乾燥該多個墨滴。應當理解，前述一般描述和以下具體描述都是示例性和說明性的，且意在提供如所要求保護的本發明的進一步說明。


包括的附圖，提供對本發明的進一步理解，且結合到說明書中並構成說明書的一部分，示出了本發明的實施方式且與說明書一起用於解釋本發明的原理。圖中圖IA至IC是示出使用製造根據現有技術的微透鏡的光刻膠的回流方法的截面圖；圖2A至2C是示出根據本發明實施方式製造微透鏡的方法的截面圖；圖3是示出根據本發明實施方式的用於微透鏡的自組裝單層的基本結構的圖；圖4是示出根據本發明實施方式的用於微透鏡的墨滴的圖片；圖5是示出根據本發明實施方式的用於微透鏡的墨滴乾燥步驟之後的截面形狀的圖，該墨滴包括分別具有相互不同的第一和第二沸點的第一和第二溶劑；圖6是示出根據本發明實施方式的多個微透鏡的圖片；和圖7是示出根據本發明實施方式的包括微透鏡作為聚光裝置的太陽能電池的截面圖。
具體實施例方式現在將詳細參考本發明的實施方式，在附圖中示出了其實例。在任何可能之處，將使用相似的參考數字表示相同和相似的部件。圖2A至2C是示出根據本發明實施方式的製造微透鏡方法的截面圖，圖3是示出根據本發明實施方式的用於微透鏡的自組裝單層的基本結構的圖。此外，圖4是示出根據本發明實施方式的用於微透鏡的墨滴的圖片，圖5是示出根據本發明實施方式的用於微透鏡的墨滴乾燥步驟之後的截面形狀的圖，該墨滴包括分別具有相互不同的第一和第二沸點的第一和第二溶劑。圖2A中，通過塗覆具有高疏水性的SAM前體(未示出)，在諸如玻璃基板這樣的整個透明基板110上形成具有高疏水性的自組裝單層(SAM) 120。例如，SAM前體可包括烷基娃氧燒(alkyl siloxane)材料，諸如十八燒基三氯娃燒(octa decyl trichloro silane, 0TS)、八-十二烷基三氯矽烷(octa dodecyl trichloro silane，0DTS)和十八烷基三甲氧基矽烷(octa decyl trimethoxy，0TMS)。此外，可通過塗覆方法來塗覆SAM前體，諸如旋塗、狹縫塗覆(slit coating)、浸塗(dip coating)、噴塗(spray coating)和接觸印刷。如圖3中所示，自組裝單層120包括頭基HG、主鏈基MCG和端基EG。頭基HG包括能夠與目標材料層表面結合的官能團，並且主鏈基MCG具有拉長結構。此外，連接到主鏈基 MCG端部的端基EG包括能夠提供功能性的官能團。例如，當基板110由玻璃構成時，頭基HG可包括矽烷基(-Si)，用於改善自組裝單層120和基板110之間的粘附性(adhesion)。此外，主鏈基MCG可包括碳(C)，並且端基EG 可包括具有疏水性的基團。結果，由於端基EG的疏水基而導致使用SAM前體所形成的自組裝單層120在其表面具有高疏水性。在圖2B中，通過使用噴墨裝置190單獨噴射具有親水性的透明墨125，在具有高疏水性的自組裝單層120上形成具有親水性的多個墨滴130。墨125的折射係數等於或大於基板100的折射係數。例如，玻璃基板110可具有約1. 5的折射係數，墨125具有等於或大於約1. 5的折射係數(η) (η >1.5)。此外，墨125可包括具有矽氧化物(SiOx)前體作為固體材料的溶液，並且該SiOx前體可包括作為主要成分的矽氧化物(SiOx)。用於墨125 的SiOx前體可具有納米顆粒形狀和分子形狀中的一種，並且分子形狀的SiOx前體可包括四乙氧基矽烷(TEOS)和四丁氧基矽烷(TBOS)中的一種。此外，具有親水性的透明墨125包括具有矽氧化物(SiOx)作為主要成分的SiOx 前體和分散在該SiOx前體中的溶劑，並且該溶劑可包括具有第一沸點的第一溶劑和具有低於第一沸點的第二沸點的第二溶劑。通過控制作為墨125分散劑的第一和第二溶劑的濃度來確定最終形成在基板110上的微透鏡140(圖2C)的輪廓(profile)。具有親水性的多個墨滴130形成在具有高疏水性的自組裝單層120上以具有相對大的接觸角度(即，相對大的潤溼角度)和相對小的接觸面積。如圖4中所示，當具有親水性的墨滴130形成在具有高疏水性的自組裝單層120 上並且比較例墨滴132形成在諸如玻璃這樣的基板110上時，墨滴130的第一接觸角度al 大於比較例墨滴132的第二接觸角度a2。結果，墨滴130具有類似球形的形狀以使得截面積自其底部到頂部增加和減少，而比較例墨滴132具有類似半球形的形狀以使得截面積自其底部到頂部減少。例如，墨滴130可具有除去小於整個球體一半體積的部分的截頂球形形狀(truncated spherical shape)，而比較例墨滴132可具有除去大於整個球體一半體積的部分的截頂球形形狀。第一墨滴130的尺寸可通過自噴墨裝置190的墨釋放量來確定。例如，可通過控制墨自其的釋放量而形成第一墨滴130以具有約幾百個納米至約幾十個微米的直徑(約 IOOnm 至約 99 μ m)。在圖2C中，在將具有多個墨滴130(圖2B)的基板110保持在室溫下達約幾分鐘至約幾十分鐘(約1分鐘至約99分鐘)以使得在多個墨滴130中的整個溶劑都可被蒸發 (自然乾燥步驟)之後，在約50°C至約350°C的溫度下在熱處理裝置192中加熱具有多個墨滴130的基板110達幾十秒至幾十分鐘(約10秒至約99分鐘)(硬化步驟)，使得多個墨滴130可被硬化成為多個微透鏡140。在另一實施方式中，可省去多個墨滴130的自然乾燥步驟，並可通過在熱處理裝置中加熱多個墨滴130執行乾燥和硬化步驟以形成多個微透鏡。在乾燥墨滴130時，溶劑蒸發量在墨滴130周界(perimeter)處最大且根據溫度梯度向著墨滴130中心降低。結果，在墨滴130中產生溶劑自中心向周界的流動以形成如咖啡漬(coffee stain) 一樣的環形，其被稱作咖啡環形效應(coffee ring effect)。在本發明的實施方式中，分別具有相互不同的第一和第二沸點的第一和第二溶劑被用作SiOx前體的分散劑，以使得墨滴130的輪廓可通過利用咖啡環形效應受控。如圖5中所示，當具有約的第一沸點(相對較高的沸點)的第一溶劑的第一濃度相對增加時，與液滴130的周界厚度相比液滴130的中心(圖2C)厚度增加，使得液滴 130可具有凸透鏡形狀。此外，當具有約200°C的第二沸點(相對較低的沸點)的第二溶劑的第二濃度相對增加時，與液滴130的周界厚度相比液滴130的中心(圖2C)厚度降低，使得液滴130能具有凹透鏡形狀。因此，可通過第一和第二溶劑的濃度比來控制墨滴130乾燥步驟之後的輪廓。例如，通過增加具有第一沸點(相對較高的沸點)的第一溶劑的濃度比，可形成墨滴130以具有凸透鏡形狀，這裡，關於自組裝單層120，在其中心的厚度大於其周界的厚度，而通過增加具有第二沸點(相對較低沸點)的第二溶劑的濃度比，可形成墨滴130以具有凸透鏡形狀， 這裡，關於自組裝單層120，其中心厚度小於其周界厚度。結果，可通過控制第一和第二溶劑的濃度比來選擇性獲得墨滴130的凸透鏡形狀和凹透鏡形狀中的一個。當液滴130具有包括理想的球形凹進部分的凹透鏡形狀或者具有包括理想的球形凸起部分的凸透鏡形狀時，由於內部總反射導致的聚光效率和光路長度被最大化。例如，當具有約的第一沸點的第一溶劑的第一濃度在約0%到約10%的範圍內(第一溶劑和第二溶劑的濃度比在100% 0% 90% 10%之間)或者具有約200°C的第二沸點的第二溶劑的第二濃度在約0%到10%的範圍內(第一溶劑和第二溶劑的濃度比在 0% 100% 10% 90%之間)時，可獲得具有優異聚光效率的液滴130。圖6是示出根據本發明實施方式的多個微透鏡的圖片。如圖6中所示，在硬化步驟之後具有彼此相同尺寸的多個微透鏡140其間相互間隔相同距離。圖7是示出根據本發明實施方式包括微透鏡作為聚光裝置的太陽能電池的截面圖。
圖7中，太陽能電池290包括反射層215、第一透明電極220、正-本徵-負(PIN) 結半導體層230、第二透明電極240和聚光裝置150。具有相對高反射率材料的反射層215 形成在第一基板210上。反射層215可包括金屬材料或者導電材料。儘管圖7中反射層 215形成在第一基板210的內表面上，在另一實施方式中反射層215也可形成在第一基板 210的外表面上。第一透明電極220形成在反射層215上，並且PIN結半導體層230形成在第一透明電極220上。第一透明電極220可包括透明導電氧化物諸如鎵鋅氧化物(GZ0)、鋁鋅氧化物(AZO)、氧化鋅(SiO)和氧化錫(SnO)。P/I/N結半導體層230包括在第一透明電極220 上的負(N)型半導體層223、在N型半導體層223上的本徵半導體層226、和在本徵半導體層2 上的正(P)型半導體層229。該N型和P型半導體層223和2 可分別包括摻雜有 N型和P型雜質的矽，並且本徵半導體層2 可包括氫化的非晶矽(a-Si :H)。儘管圖7中單個PIN結半導體層230形成在第一透明電極220上，但是在另一實施方式中，可在第一透明電極220上層疊(laminate)具有不同帶隙能量的多個PIN結半導體層，用於有效吸收具有不同波段的光。例如，多個PIN結半導體層可形成在第一透明電極 220上，使得多個PIN結半導體層的帶隙能量從最上部PIN結半導體層到最下部PIN結半導體層逐步增加。此外，當單個PIN結半導體層230形成在第一透明電極220上時，可省去本徵半導體層226，從而使用包括N型半導體層和P型半導體層的正-負(PN)結半導體層，而不是 PIN結半導體層230。第二透明電極240形成在PIN結半導體層230上，並且用於保護PIN結半導體層 230和第二透明電極MO的第二基板250形成在第二透明電極240上。第二透明電極240 可包括透明導電氧化物諸如鎵鋅氧化物(GZO)、鋁鋅氧化物(AZO)、氧化鋅(SiO)和氧化錫 (SnO)。第二基板250可包括透明材料。包括第三基板110、在第三基板110上的自組裝單層120和在自組裝單層120上的多個微透鏡140的聚光裝置150形成在第二基板250上。例如，聚光裝置150可形成在第二基板250上，使得多個微透鏡140接觸第二基板250。此外，可通過圖2A至2C中所示的工藝形成聚光裝置150。在另一實施方式中，可省去第二基板250使得聚光裝置250直接形成在第二透明電極240上並且多個微透鏡140接觸第二透明電極M0。在另一實施方式中，第一透明電極220和PIN結半導體層230中每一個的頂表面都可具有不均勻性以提高光吸收率。當第一透明電極220和PIN結半導體層230中的每一個都具有不均勻頂表面時，由於入射光在頂表面被散射，因此光路被延長。結果，PIN半導體層230吸收更多的光，提高了光電效率。在太陽能電池四0中，電子和空穴不對稱地存在於PIN結半導體層230或者PN結半導體層中用於光電能量轉換。在PIN結半導體層230或者PN結半導體層中，例如，N型半導體層223具有相對高的電子密度和相對低的空穴密度，P型半導體層2 具有相對低的電子密度和相對高的空穴密度。結果，由於載流子濃度梯度引起的擴散，導致在熱平衡狀態下，在PIN結半導體層230或者PN結半導體層中產生載流子的不平衡。此外，由載流子不平衡產生電場(內建電勢)且該電場制止了載流子擴散。當照射能量大於PIN結半導體層230或者PN結半導體層帶隙能量的光時，電子被從價帶激發到導帶，並且在價帶中產生對應於受激電子的空穴，其中帶隙能量是半導體材料的導帶能量和價帶能量之間的差。受激電子成為在導帶中自由移動的自由電子。自由電子和空穴被稱為過剩載流子(excess carrier)，並且由於濃度差而導致過剩載流子被擴散到價帶或者導帶。諸如在P型半導體層229中激發的電子和在N型半導體層223中產生的空穴這樣的過剩載流子可被限定為少數載流子(minority carrier)，而在成結之前的P型半導體層2 中的空穴和N型半導體層223中的電子被限定為多數載流子。 儘管由於電場導致多數載流子的流動受能量勢壘限制，但是作為P型半導體層229中少數載流子的電子移動至N型半導體層223。結果，由於少數載流子擴散導致在PIN結半導體層 230或者PN結半導體層的兩個相對端部之間產生電勢差即電動勢(emf)。當分別接觸PIN 結半導體層230或者PN結半導體層的兩個相對端的第一和第二透明電極220和240被連接到外部電路時，由於電動勢，太陽能電池290用作電池。通過聚集入射光而改善太陽能電池四0的光電轉換效率。因此，包括相互間隔設置的多個微透鏡140的聚光裝置150形成在第二透明電極240的外表面上。在包括聚光裝置150的太陽能電池四0中，因為不論光的入射角度如何，傳輸到PIN結半導體層230的光強度由於在聚光裝置150的多個微透鏡140處的散射而增加，因此提高了光能到電能的轉換效率。例如，當輸入到太陽能電池四0的光關於法線具有約70°的入射角度bl時，光被多個微透鏡140折射從而以小於入射角bl的折射角1^2輸出。結果，光以小於約70°的角度被輸入到PIN結半導體層230中，提高了在PIN結半導體層230中光的吸收率。而且，由於在多個微透鏡140處的折射，導致在沒有多個微透鏡的情況下不被輸入到太陽能電池中的PIN結半導體層230中的光可輸入到PIN結半導體層230中。因此，在根據本發明的包括微透鏡的太陽能電池以及製造該太陽能電池的方法中，由於通過簡化工藝製造微透鏡，該簡化工藝包括形成具有強疏水性的自組裝單層的步驟、在自組裝單層上形成具有親水性的墨滴的步驟和乾燥該墨滴的步驟，因此減少了製造時間和製造成本且提高了產率。此外，因為太陽能電池的聚光效率由於微透鏡而增加，因此經由根據本發明的方法製造的包括微透鏡的太陽能電池具有提高的光電效率。本領域技術人員將理解，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下在本發明中可作出各種修改和變化。由此，只要其落在所附權利要求及其等價物的範圍內，本發明意在覆蓋本發明的該修改和變化。
權利要求
1.一種太陽能電池，包括基板；在所述基板上的第一透明電極；在所述第一透明電極上的第一正-本徵-負(PIN)結半導體層，其中所述第一 PIN結半導體層包括在所述第一透明電極上的負(N)型半導體層，在所述N型半導體層上的本徵半導體層和在所述本徵半導體層上的正(P)型半導體層，並且其中N型和P型半導體層分別包括摻雜有N型和P型雜質的矽，以及所述本徵半導體層包括氫化矽；在所述第一 PIN結半導體層上的第二透明電極；和在所述第二透明電極上的聚光裝置，其中所述聚光裝置包括具有強疏水性的自組裝單層和在所述自組裝單層上的具有親水性的多個微透鏡。
2.如權利要求1所述的太陽能電池，還包括在所述第一PIN結半導體層下方的第二 PIN結半導體層和在所述第二 PIN結半導體層下方的第三PIN結半導體層，其中第一至第三 PIN結半導體層具有相互相同的結構。
3.如權利要求2所述的太陽能電池，其中所述第一至第三PIN結半導體層的帶隙能量從所述第一 PIN結半導體層至所述第三PIN結半導體層逐漸增加。
4.一種製造太陽能電池的方法，包括在第一基板上形成第一透明電極；在基板上形成具有強疏水性的第一自組裝單層；在所述第一透明電極上形成第一正-本徵-負(PIN)結半導體層，其中所述第一 PIN 結半導體層包括在所述第一透明電極上的負(N)型半導體層、在所述N型半導體層上的本徵半導體層和在所述本徵半導體層上的正(P)型半導體層，並且其中N型和P型半導體層分別包括摻雜有N型和P型雜質的矽，以及所述本徵半導體層包括氫化矽；在所述第一 PIN結半導體層上形成第二透明電極；和在所述第二透明電極上形成聚光裝置，其中所述聚光裝置包括第二基板、在所述第二基板上具有強疏水性的自組裝單層、和在所述自組裝單層上具有親水性的多個微透鏡。
5.如權利要求4所述的方法，其中在所述第二透明電極上形成聚光裝置包括在所述第二基板上形成自組裝單層；通過噴射透明墨在所述自組裝單層上形成多個墨滴，所述透明墨包括具有第一沸點的第一溶劑、具有低於第一沸點的第二沸點的第二溶劑和分散在所述第一和第二溶劑中的矽氧化物固體材料；乾燥所述多個墨滴以形成多個微透鏡；和將所述第二基板附接到所述第二透明電極以使所述多個微透鏡接觸所述第二透明電極。
6.如權利要求5所述的方法，其中所述透明墨具有親水性。
7.如權利要求5所述的方法，其中所述自組裝單層包括烷基矽氧烷材料。
8.如權利要求7所述的方法，其中所述烷基矽氧烷材料包括十八烷基三氯矽烷、 八-十二烷基三氯矽烷和十八烷基三甲氧基矽烷中的一種，數據線具有直線形狀。
9.如權利要求5所述的方法，其中通過旋塗方法、狹縫塗覆方法、浸塗方法、噴塗方法和接觸印刷方法中的一種，在所述第二基板的整個表面上形成自組裝單層。
10.如權利要求5所述的方法，其中所述矽氧化物固體材料具有納米顆粒形狀和分子形狀中的一種，並且其中分子形狀的矽氧化物固體材料包括四乙氧基矽烷和四丁氧基矽烷中的一種。
11.如權利要求5所述的方法，其中所述透明墨的折射係數等於或者大於所述第二基板的折射係數。
12.如權利要求5所述的方法，其中乾燥多個墨滴的步驟包括保持多個墨滴在室溫下的自然乾燥步驟和在熱處理裝置中在約50°C至約350°C的溫度下加熱多個墨滴的加熱步驟中的一種。
13.如權利要求5所述的方法，還包括通過在熱處理裝置中在約50°C至約350°C的溫度下加熱多個墨滴來硬化多個墨滴。
14.如權利要求5所述的方法，其中所述第一溶劑和所述第二溶劑的濃度比在 0% 100%和 10% 90%之間，且在 90% 10%至 100% 0%之間。
15.一種製造微透鏡的方法，包括在基板上形成具有強疏水性的自組裝單層；通過噴射具有親水性的透明墨在所述自組裝單層上形成多個墨滴，所述透明墨包括具有第一沸點的第一溶劑、具有低於第一沸點的第二沸點的第二溶劑、和具有分散在第一和第二溶劑中的矽氧化物固體材料；和乾燥多個墨滴。
16.如權利要求15所述的方法，其中自組裝單層包括十八烷基三氯矽烷、八-十二烷基三氯矽烷和十八烷基三甲氧基矽烷中的一種，數據線具有直線形狀，且其中矽氧化物固體材料具有納米顆粒形狀和分子形狀中的一種，並且其中分子形狀的矽氧化物固體材料包括四乙氧基矽烷和四丁氧基矽烷中的一種。
17.如權利要求15所述的方法，其中乾燥多個墨滴的步驟包括將多個墨滴保持在室溫下的自然乾燥步驟和在熱處理裝置中在約50°C至約350°C的溫度下加熱多個墨滴的加熱步驟中的一種。
18.如權利要求15的方法，其中所述第一溶劑和第二溶劑的濃度比在0% 100%和 10% 90%之間和在 90% 10%至 100% 0%之間。
全文摘要
本發明公開了一種包括微透鏡的太陽能電池及其製造方法。本製造微透鏡的方法包括在基板上形成具有強疏水性的自組裝單層；通過使用噴墨裝置噴射透明墨在自組裝單層上形成多個墨滴，該透明墨包括具有第一沸點的第一溶劑，具有低於第一沸點的第二沸點的第二溶劑，和分散在第一和第二溶劑中的矽氧化物(SiOx)固體材料；和乾燥該多個墨滴。
文檔編號H01L31/18GK102237429SQ20111011190
公開日2011年11月9日 申請日期2011年4月27日 優先權日2010年4月27日
發明者樸成基, 李泰榮, 林定植, 金在鉉, 金敏澈 申請人:樂金顯示有限公司