高屏效夾絲網屏蔽視窗的製作方法

2023-05-22 13:18:16

專利名稱：高屏效夾絲網屏蔽視窗的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種電磁屏蔽視窗，具體地說，涉及一種高屏效夾絲網屏蔽視窗。
背景技術：
夾絲網屏蔽視窗是各類電磁屏蔽設備和屏蔽工程的重要組成部分，在國內外電磁屏蔽與電磁兼容行業普遍應用。夾絲網屏蔽視窗是各類電磁屏蔽設備和屏蔽工程的重要組成部分，一般結構形式為金屬絲網夾於兩層普通玻璃之間，它對電磁波具有較高的屏蔽性能，同時具有一定的透光率。其中玻璃可用亞克力、PET、PC等多種透明高分子材料代替，而金屬絲網國內外普遍採用的是不鏽鋼網、銅網兩種，在絲網表面加鍍層然後黑化而成。也有產品採用普通非金屬纖維絲，然後鍍金屬黑化處理。目前這類視窗通常存在一個缺點，即高 頻段具有良好的屏效，但在低頻段屏效較差。現有夾絲網屏蔽視窗在低頻段屏效較低，一般14kHz時屏效在IOdB左右，200kHz時屏效在20dB左右。這在一定程度上限制了其使用，尤其是新軍標B級、C級對低頻段提出了更高的屏效要求。

發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種高屏效夾絲網屏蔽視窗，不僅高頻段屏效良好，而且低頻段的屏蔽效能也大幅提高。本發明的技術方案如下一種高屏效夾絲網屏蔽視窗，包括上下夾層和設於上下夾層中間的絲網，所述絲網採用金屬絲，所述金屬絲外圍鍍有三層鍍層，最內層鍍層和最外層鍍層為高磁導率層，中間層鍍層為高電導率層。進一步所述三層鍍層的最內層鍍層、中間層鍍層和最外層鍍層依次為鎳層、銀層和鎳層。進一步所述三層鍍層的最內層鍍層、中間層鍍層和最外層鍍層依次為鐵層、銀層和鎳層。進一步所述三層鍍層的最內層鍍層、中間層鍍層和最外層鍍層依次為鎳層、鑰層和鎳層。進一步所述絲網的目數為250目。進一步所述金屬絲為不鏽鋼或者銅。進一步所述三層鍍層的厚度分別為5 μ m。進一步所述上下夾層的厚度分別為2mm。進一步所述上下夾層為玻璃或透明高分子材料。進一步所述透明高分子材料為亞克力、聚碳酸酯或聚對苯二甲酸乙二醇酯。本發明的技術效果如下I、本發明的高屏效夾絲網屏蔽視窗不僅在高頻段具有高的屏效，而且在低頻段也具有較高的屏效。
2、本發明的高屏效夾絲網屏蔽視窗保持了較高的透光率，可作為電磁屏蔽視窗，用於低輻射計算機、屏蔽機櫃以及各類屏蔽工程。


圖I為本發明的實施例I的鍍三層鍍層後絲網的示意圖；圖2為本發明的實施例I的鍍三層鍍層後絲網的單根絲的截面圖。
具體實施例方式下面結合實施例對本發明的具體實施方式
進行說明。實施例I 本實施例的高屏效夾絲網屏蔽視窗選用250目不鏽鋼絲網。在該不鏽鋼絲網上採用化學鍍工藝從內到外依次鍍鎳、銀和鎳。鎳具有高磁導率，銀具有高電導率。不鏽鋼絲網鍍三層鍍層前直徑為25 μ m。為了保證透光率，兩層鍍鎳層和鍍銀層的厚度分別為5 μ m，使透光率在25%以上。如圖I所示，是本發明的實施例I的鍍三層鍍層後絲網的示意圖。當完整絲網成型後，單根絲直徑為45 μ m,網孔邊長為70 μ m。上下夾層採用單塊厚度為2mm的兩塊玻璃與絲網壓制，最終形成夾絲網屏蔽視窗，整個樣品厚度為4. Γ4. 6mm。如圖2所示，是本發明的實施例I的鍍三層鍍層後絲網的單根絲的截面圖。單根絲和其上的三層鍍層清晰可見，並且鎳一銀一鎳三層鍍層相互依附，結合力較強。如表I所示為本發明實施例I的高屏效夾絲網屏蔽視窗的屏效。該屏效採用GB/T5792-2006《軍用涉密信息系統電磁屏蔽體等級劃分和測量方法》中的屏蔽室測試方法測試。實施例I的高屏效夾絲網屏蔽視窗在低頻14kHz時屏效可達30dB以上，200kHz時屏效達到40dB以上。在高頻450MHz、950Hz頻點可達90dB以上，3GHz、6GHz頻段可達80dB以上。實施例2本實施例的高屏效夾絲網屏蔽視窗選用250目不鏽鋼絲網。在該不鏽鋼絲網上採用電鍍工藝從內到外依次鍍鐵、銀和鎳。鐵和鎳具有高磁導率，銀具有高電導率。不鏽鋼絲網鍍三層鍍層前直徑為25μπι。為了保證透光率，鍍鐵層、鍍鎳層和鍍銀層的厚度分別為5 μ m,使透光率在25%以上。上下夾層採用單塊厚度為2mm的兩塊亞克力與絲網壓制，最終形成夾絲網屏蔽視窗，整個樣品厚度為4. 1^4. 6_。如表2所示為本發明實施例2的高屏效夾絲網屏蔽視窗的屏效。該屏效採用GB/T 5792-2006《軍用涉密信息系統電磁屏蔽體等級劃分和測量方法》中的屏蔽室測試方法測試。實施例2的高屏效夾絲網屏蔽視窗在低頻14kHz時屏效可達20dB以上，200kHz時屏效達到40dB以上。在高頻450MHz、950Hz頻點可達70dB以上，3GHz、6GHz頻段可達60dB以上。實施例3本實施例的高屏效夾絲網屏蔽視窗選用250目不鏽鋼絲網。在該不鏽鋼絲網上採用化學鍍工藝從內到外依次鍍鎳、鑰和鎳。鎳具有高磁導率，鑰具有高電導率。不鏽鋼絲網鍍三層鍍層前直徑為25 μ m。為了保證透光率，兩層鍍鎳層和鍍鑰層的厚度分別為5 μ m，使透光率在25%以上。上下夾層採用單塊厚度為2mm的兩塊聚碳酸酯(PC)樹脂與絲網壓制，最終形成夾絲網屏蔽視窗，整個樣品厚度為4. Γ4. 6_。如表3所示為本發明實施例3的高屏效夾絲網屏蔽視窗的屏效。該屏效採用GB/T 5792-2006《軍用涉密信息系統電磁屏蔽體等級劃分和測量方法》中的屏蔽室測試方法測試。實施例3的高屏效夾絲網屏蔽視窗在低頻14kHz時屏效可達20dB，200kHz時屏效達到40dB。在高頻450MHz、950Hz頻點可達70dB以上，3GHz、6GHz頻段可達60dB以上。實施例4本實施例的高屏效夾絲網屏蔽視窗選用250目銅絲網。在該銅絲網上採用化學鍍工藝從內到外依次鍍鎳、銀和鎳。鎳具有高磁導率，銀具有高電導率。銅絲網鍍三層鍍層前直徑為25 μ m。為了保證透光率，兩層鍍鎳層和鍍銀層的厚度分別為5 μ m,使透光率在25%以上。上下夾層採用單塊厚度為2mm的兩塊聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料與絲網壓制，最終形成夾絲網屏蔽視窗，整個樣品厚度為4. Γ4. 6_。如表4所示為本發明實施例4的高屏效夾絲網屏蔽視窗的屏效。該屏效採用GB/ T 5792-2006《軍用涉密信息系統電磁屏蔽體等級劃分和測量方法》中的屏蔽室測試方法測試。實施例4的高屏效夾絲網屏蔽視窗在低頻14kHz時屏效可達30dB，200kHz時屏效達到42dB。在高頻450MHz、950Hz頻點可達88dB以上，3GHz、6GHz頻段可達80dB以上。以上所述，僅為發明的具體實施方式
。本發明的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術範圍內，可輕易想到的變化或替換，都應當涵蓋在本發明的保護範圍之內。表I本發明實施例I的高屏效夾絲網屏蔽視窗的屏效
~14KHz 200KHz 450MHz 950MHz ~3GHz~ 5.8GHz
~屏蔽前~ 90 76 113 106 117 110 ( Βμν)_______
屏蔽後
58j211IS3226
( Βμν)
屏效(dB)Λ44102918584表2本發明實施例2的高屏效夾絲網屏蔽視窗的屏效
^Wi~14KHz~ 200KHz 450MHz 950MHz ~3GHz~ 5.8GHz
屏蔽前 110 108 120 118 117 110 ( Βμν)_______
屏蔽後
886430394445
( Βμν)
屏效(dB) 224490797365表3本發明實施例3的高屏效夾絲網屏蔽視窗的屏效^~HKHz~ 200KHz 450MHz 950MHz 3GHz~ 5.8GHz
屏蔽前HO108120118117HO
( Βμν)_______
蔽後
906835434747
( Βμν)
屏效(dB) 2040857570表4本發明實施例4的高屏效夾絲網屏蔽視窗的屏效
^~14KHz~ 200KHz 450MHz 950MHz ~3GHz5.8GHz
屏蔽前9076113106117110
( Βμν)_______
屏蔽後
603420183530
( Βμν)
屏效(dB) 304293888280
權利要求
1.一種高屏效夾絲網屏蔽視窗，包括上下夾層和設於上下夾層中間的絲網，其特徵在於所述絲網採用金屬絲，所述金屬絲外圍鍍有三層鍍層，最內層鍍層和最外層鍍層為高磁導率層，中間層鍍層為高電導率層。
2.如權利要求I所述的高屏效夾絲網屏蔽視窗，其特徵在於所述三層鍍層的最內層鍍層、中間層鍍層和最外層鍍層依次為鎳層、銀層和鎳層。
3.如權利要求I所述的高屏效夾絲網屏蔽視窗，其特徵在於所述三層鍍層的最內層鍍層、中間層鍍層和最外層鍍層依次為鐵層、銀層和鎳層。
4.如權利要求I所述的高屏效夾絲網屏蔽視窗，其特徵在於所述三層鍍層的最內層鍍層、中間層鍍層和最外層鍍層依次為鎳層、鑰層和鎳層。
5.如權利要求I所述的高屏效夾絲網屏蔽視窗，其特徵在於所述絲網的目數為250目。
6.如權利要求I所述的高屏效夾絲網屏蔽視窗，其特徵在於所述金屬絲為不鏽鋼或者銅。
7.如權利要求I所述的高屏效夾絲網屏蔽視窗，其特徵在於所述三層鍍層的厚度分別為5 μ m。
8.如權利要求I所述的高屏效夾絲網屏蔽視窗，其特徵在於所述上下夾層的厚度分別為2mm。
9.如權利要求I所述的高屏效夾絲網屏蔽視窗，其特徵在於所述上下夾層為玻璃或透明高分子材料。
10.如權利要求9所述的高屏效夾絲網屏蔽視窗，其特徵在於所述透明高分子材料為亞克力、聚碳酸酯或聚對苯二甲酸乙二醇酯。
全文摘要
本發明公開了一種高屏效夾絲網屏蔽視窗，包括上下夾層和設於上下夾層中間的絲網，所述絲網採用金屬絲，所述金屬絲外圍鍍有三層鍍層，最內層鍍層和最外層鍍層為高磁導率層，中間層鍍層為高電導率層。本發明的高屏效夾絲網屏蔽視窗不僅在高頻段具有高的屏效，而且在低頻段也具有較高的屏效；保持了較高的透光率，可作為電磁屏蔽視窗，用於低輻射計算機、屏蔽機櫃以及各類屏蔽工程。
文檔編號H05K9/00GK102843901SQ201210305449
公開日2012年12月26日 申請日期2012年8月24日 優先權日2012年8月24日
發明者張素偉, 於天榮, 郭林 申請人:安方高科電磁安全技術(北京)有限公司