一種超寬帶光纖光源系統以及光纖光源實現方法
2023-05-13 00:32:31
一種超寬帶光纖光源系統以及光纖光源實現方法
【專利摘要】本發明公開了一種超寬帶光纖光源系統，該超寬帶光纖光源系統包括鉺離子摻雜光纖、鉍離子摻雜光纖、半導體泵浦雷射器以及寬帶光纖耦合器，所述半導體泵浦雷射器與所述寬帶光纖耦合器分別通過所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖連接所述寬帶光纖耦合器，且所述寬帶光纖耦合器連接一輸出端；所述半導體泵浦雷射器泵浦後產生泵浦光，所述泵浦光分別泵浦所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖，從而分別形成鉺離子摻雜光纖超螢光和鉍離子摻雜光纖超螢光，且所述鉺離子摻雜光纖超螢光和所述鉍離子摻雜光纖超螢光通過所述寬帶光纖耦合器耦合，得到發射範圍在1100nm-1600nm超寬帶光纖光源，並從所述輸出端輸出，以供使用。
【專利說明】一種超寬帶光纖光源系統以及光纖光源實現方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及光纖通信中的光纖光源，尤其涉及一種適用於光纖通信系統、光纖傳感技術以及醫學成像中的鉺離子摻雜光纖和鉍離子摻雜光纖的超寬帶光纖光源。
[0002]
【背景技術】
[0003]寬帶光源在光譜分析、光器件測試和光纖傳感等方面都具有重要的應用，獲得寬帶、高穩定的光源至關重要，寬帶光源可以由「拼合多個波段發光二極體(又稱超輻射發光二極體)」、「基於摻鉺光纖放大自發輻射」等技術手段實現。
由於稀土摻雜玻璃光纖具有較寬的增益譜，已被廣泛應用於構建光纖放大器與雷射器等有源光器件，摻鉺離子(Er3+)光纖的發射譜在1550nm通信窗口波段，並且它可以減少系統的相干背向散射噪聲、光纖瑞利散射引起的相位噪聲以及光學克爾效應引起的相位零漂移，從而使其成為本領域最活躍的研究方向之一；基於摻鉺光纖產生放大自發輻射(ASE,Amplified Spontaneous Emission)寬帶光源因具有功率密度高、體積小、重量輕、穩定性好等優點，是一種重要優良的寬帶光源，受到人們廣泛關注。
[0004]與目前商用的寬帶超輻射發光二極體相比，摻鉺光纖光源的主要優點如下:
(1)輸出功率高:與拼合多波段發光二極體比較，稀土摻雜光纖放大自發輻射通過一段摻鉺光纖提供了很高的放大增益，不僅可以得到高功率的寬帶輻射，而且還能與輸出光纖有效耦合；
(2)波長穩定性好:由於稀土離子的能級比半導體二極體的能級穩定，因此稀土摻雜光纖有較好的光譜穩定性；實驗表明，稀土摻雜光纖平均波長的溫度穩定性比超輻射二極體至少大一個數量級；
(3)偏振無關性:稀土摻雜光纖出射的是非偏振光，這有利於減少雙折射引起的偏振非互異性，所以對於光纖陀螺儀的耦合器，人們可以採用一般的單模光纖耦合器，對於在摻鉺光纖放大器或光纖拉曼放大器增益測量中保持了信號源的偏振獨立性；
(4)使用壽命長:摻鉺光纖放大自發福射光源比超福射發光二極體的壽命要長。
[0005]近十幾年來，光源的研究主要集中在兩個方面:一是中心波長穩定且帶寬較大的超螢光光源的研究，二是光譜平坦的且帶寬能覆蓋光通信C波段和L波段的寬帶平坦超螢光光源的研究；到目前為止，摻鉺光纖超螢光帶寬只有81nm左右，還不能滿足寬帶接入和寬帶醫學層析等更多領域應用的要求。
[0006]由於不同稀土離子有不同的發射譜，如摻Er3+光纖發射譜在1530nm波段，摻Bi+光纖發射譜在1310nm波段等，因此通過選擇不同的稀土組合摻雜可以獲得全波段的超螢光輸出，以滿足各種不同的應用需要；然而，由於交叉弛豫的存在，三種離子共同摻雜可能會使三個波段的電子躍遷相互影響，導致光譜效率的降低。
[0007]因此，有必要提出一種鉺離子和鉍離子摻雜光纖並聯結構的超寬帶光纖光源，以解決現有技術中因發光離子交叉弛豫造成的一系列影響。[0008]
【發明內容】
[0009]為了克服現有技術的缺陷，本發明旨在提供一種製作工藝簡單，成本較低的超寬帶光纖光源。
[0010]為了實現上述目的，本發明提供了一種超寬帶光纖光源系統，該超寬帶光纖光源系統包括鉺離子摻雜光纖、鉍離子摻雜光纖、半導體泵浦雷射器以及寬帶光纖耦合器，所述半導體泵浦雷射器與所述寬帶光纖耦合器分別通過所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖連接所述寬帶光纖耦合器，且所述寬帶光纖耦合器連接一輸出端；
其中，所述半導體泵浦雷射器泵浦後產生泵浦光，所述泵浦光分別泵浦所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖，從而分別形成鉺離子摻雜光纖超螢光和鉍離子摻雜光纖超螢光，且所述鉺離子摻雜光纖超螢光和所述鉍離子摻雜光纖超螢光通過所述寬帶光纖耦合器耦合，得到超寬帶光纖光源，並從所述輸出端輸出，以供使用。
[0011]較佳地，所述半導體泵浦雷射器包括兩個半導體泵浦雷射器，所述其中一個半導體泵浦雷射器連接所述鉺離子摻雜光纖，所述另一個半導體泵浦雷射器連接所述鉍離子摻雜光纖，且所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖分別與所述寬帶光纖耦合器連接；
其中，所述兩個半導體泵浦雷射器泵浦後分別產生泵浦光，並分別泵浦所述鉺離子摻雜光纖和所述秘離子摻雜光纖，形成鉺離子摻雜光纖超螢光和秘離子摻雜光纖超螢光，且所述鉺離子摻雜光纖超螢光和所述鉍離子摻雜光纖超螢光通過所述寬帶光纖耦合器耦合，得到超寬帶光纖光源，並從所述輸出端輸出，以供使用。
[0012]較佳地，所述超寬帶光纖光源系統還包括一分為二的光纖分路器，所述半導體泵浦雷射器的數量為一個，所述半導體泵浦雷射器和所述鉺離子摻雜光纖、所述鉍離子摻雜光纖之間通過所述一分為二的光纖分路器連接；
其中，通過所述半導體泵浦雷射器泵浦後產生泵浦光，所述泵浦光通過所述光纖分路器分開為兩路泵浦光，所述兩路泵浦光分別泵浦所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖，從而分別形成鉺離子摻雜光纖超螢光和鉍離子摻雜光纖超螢光，且所述鉺離子摻雜光纖超螢光和所述鉍離子摻雜光纖超螢光通過所述寬帶光纖耦合器耦合，得到超寬帶光纖光源，並從所述輸出端輸出。
[0013]較佳地，所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖採用並聯結構，能夠實現500nm帶寬的超寬帶光纖光源。
[0014]較佳地，所述泵浦光分別通過一光纖熔接點與所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖連接，通過所述光纖熔接點將所述泵浦光耦合到所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖。
[0015]較佳地，所述半導體泵浦雷射器的泵浦波長為793nm或800nm或808nm或980nm ;當所述半導體泵浦雷射器為兩個時:所述兩個半導體泵浦雷射器的泵浦波長均相同，或其中一個半導體泵浦雷射器的泵浦波長為793nm或800nm或808nm，另一個半導體泵浦雷射器的泵浦波長為980nm。
[0016]較佳地，所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖在泵浦光的抽運下，分別形成中心波長為1310nm左右的鉺離子摻雜光纖超螢光和中心波長為1530nm左右的鉍離子摻雜光纖超螢光；所述鉺離子摻雜光纖超螢光和所述鉍離子摻雜光纖超螢光通過所述寬帶光纖耦合器耦合，得到發射範圍在1100nm-1600nm的超寬帶光纖光源。
[0017]本發明還提供一種超寬帶光纖光源的實現方法，包括如下步驟:
(O由所述半導體泵浦雷射器泵浦後產生泵浦光；
(2)所述泵浦光分別泵浦所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖，從而分別形成鉺離子摻雜光纖超螢光和秘離子摻雜光纖超螢光；
(3)所述鉺離子摻雜光纖超螢光和所述鉍離子摻雜光纖超螢光通過所述寬帶光纖耦合器進行耦合，從而得到超寬帶光纖光源。
[0018]較佳地，當所述半導體泵浦雷射器的數量為兩個時，所述兩個半導體泵浦雷射器分別與所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖連接；當所述半導體泵浦雷射器的數量為一個時，所述半導體泵浦雷射器與所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖之間通過一個一分為二的光纖分路器連接，使所述半導體泵浦雷射器產生的泵浦光通過所述一分為二的光纖分路器分為兩路泵浦光，所述兩路泵浦光分別泵浦所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖。
[0019]較佳地，所述泵浦光分別通過一光纖熔接點與所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖連接，通過所述光纖熔接點將所述泵浦光耦合到所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖，並使所述泵浦光泵浦。
[0020]與現有技術相比，本發明的有益效果如下:
1、本發明通過鉺離子摻雜光纖和鉍離子摻雜光纖在泵浦光的泵浦下，並通過寬帶光纖耦合器耦合形成超寬帶光纖光源，從而避免了多種離子共同摻雜造成的交叉弛豫的一系列影響，導致光譜頻率的降低，並大大提高超寬帶光纖光源的偏振獨立性和較高的輸出功率。
[0021]2、本發明的鉺離子摻雜光纖和鉍離子摻雜光纖採用並聯結構，更大限度的產生帶寬為500nm的超寬帶光纖光源，同時也增大了超寬帶光纖光源的波長的穩定性。
[0022]
【專利附圖】
【附圖說明】
[0023]圖1為本發明超寬帶光纖光源系統的結構示意圖；
圖2為本發明鉺離子摻雜光纖超螢光發射光譜圖；
圖3為本發明鉍離子摻雜光纖超螢光發射光譜圖；
圖4為本發明鉺離子和鉍離子摻雜光纖發射譜並聯結構輸出的超螢光光譜圖。
[0024]符號列表:
1-鉍離子摻雜光纖，2-鉺離子摻雜光纖，3-半導體泵浦雷射器，4-光纖熔接點，5-光纖熔接點，6-寬帶光纖稱合器,7-光纖分路器,8-輸出端。
[0025]【具體實施方式】:
參見本發明實施例的附圖，下文將更詳細的描述本發明。然而，本發明可以以不同形式、規格等實現，並且不應解釋為受在此提出之實施例的限制。相反，提出這些實施例是為了達成充分及完整公開，並且使更多的有關本【技術領域】的人員完全了解本發明的範圍。這些附圖中，為清楚可見，可能放大或縮小了相對尺寸。
[0026]實施例1 如圖1所示，本發明提供的一個超寬帶光纖光源系統，該超寬帶光纖光源系統包括鉺離子摻雜光纖2、鉍離子摻雜光纖1、半導體泵浦雷射器3、光纖熔接點4和光纖熔接點5、一分為二的光纖分路器7以及寬帶光纖耦合器6 ;該半導體泵浦雷射器3連接光纖分路器7，且光纖分路器7分別連接光纖熔接點4和光纖熔接點5，寬帶光纖耦合器6分別連接光纖熔接點4、光纖熔接點5以及一輸出端8，寬帶光纖耦合器6與光纖熔接點4和光纖熔接點5之間分別通過鉍離子摻雜光纖I和鉺離子摻雜光纖2連接；其中，該超寬帶光纖光源系統通過半導體泵浦雷射器3泵浦後產生泵浦光，該泵浦光通過一分為二的光纖分路器7分開為兩路泵浦光，該兩路泵浦光分別通過光纖熔接點4和光纖熔接點5耦合到鉺離子摻雜光纖2和鉍離子摻雜光纖1，並泵浦鉺離子摻雜光纖2和鉍離子摻雜光纖1，從而分別形成鉺離子摻雜光纖超螢光和秘離子摻雜光纖超螢光，且鉺離子摻雜光纖超螢光和秘離子摻雜光纖超螢光通過寬帶光纖耦合器6進行耦合，從而得到超寬帶光纖光源，並從輸出端8輸出，以供使用。
[0027]其中，鉺離子摻雜光纖2和鉍離子摻雜光纖I採用並聯結構，兩者可分別通過光纖熔接點4和光纖熔接點5與泵浦光耦合，有利於產生帶寬為500nm的超寬帶光纖光源；且半導體泵浦雷射器3的泵浦波長為800nm或980nm。
[0028]並且，鉺離子摻雜光纖2和鉍離子摻雜光纖I在泵浦光的抽運下，分別形成中心波長為1310nm左右的鉺離子摻雜光纖超螢光和中心波長為1530nm左右的鉍離子摻雜光纖超螢光；其中，鉺離子摻雜光纖超螢光和鉍離子摻雜光纖超螢光通過寬帶光纖耦合器6耦合，從而得到帶寬為500nm、發射範圍在1100nm_1600nm的超寬帶光纖光源。
[0029]根據上述的超寬帶光纖光源系統，實現鉺離子和鉍離子摻雜光纖的超寬帶光纖光源的方法的具體步驟包括:
(1)由半導體泵浦雷射器3泵浦後產生泵浦光，該泵浦光通過光纖分路器7分開為兩路泵浦光；
(2)兩路泵浦光分別經過光纖熔接點4和光纖熔接點5，並泵浦鉺離子摻雜光纖2和鉍離子摻雜光纖1，從而分別形成鉺離子摻雜光纖超螢光和秘離子摻雜光纖超螢光；
(3)鉺離子摻雜光纖超螢光和鉍離子摻雜光纖超螢光通過寬帶光纖耦合器6進行耦合，從而得到超寬帶光纖光源。
[0030]該鉺離子和鉍離子摻雜光纖的超寬帶光纖光源通過輸出端8輸出，以供使用；其中，光纖熔接點4和光纖熔接點5的插入損耗為1.0dB，經過數值計算得到，當鉺離子摻雜光纖2和鉍離子摻雜光纖I的長度分別為20米，半導體泵浦雷射器3的功率為1W，一分為二的光纖分路器7的輸出各為50%，則在鉺離子摻雜光纖2和鉍離子摻雜光纖I在泵浦光抽運下形成的鉺離子摻雜光纖超螢光光譜和鉍離子摻雜光纖超螢光光譜如圖2和圖3所示，且鉺離子摻雜光纖超螢光光譜和鉍離子摻雜光纖超螢光光譜通過寬帶光纖耦合器6耦合得到的超寬帶光纖光源的超螢光光譜如圖4所示，從而實現鉺離子和鉍離子的摻雜光纖的超寬帶光纖光源。
[0031]實施例2
本發明提供的另一個超寬帶光纖光源系統(未在附圖中示出)，該超寬帶光纖光源系統包括鉺離子摻雜光纖2、鉍離子摻雜光纖1、兩個半導體泵浦雷射器3、光纖熔接點4和光纖熔接點5以及寬帶光纖耦合器6 ;兩個半導體泵浦雷射器3分別連接光纖熔接點4和光纖熔接點5，寬帶光纖耦合器6分別連接光纖熔接點4、光纖熔接點5以及一輸出端8，寬帶光纖耦合器6與光纖熔接點4和光纖熔接點5之間分別通過鉍離子摻雜光纖I和鉺離子摻雜光纖2連接；其中，一個半導體泵浦雷射器3泵浦後產生泵浦光通過光纖熔接點4與鉺離子摻雜光纖2實現耦合，並通過鉺離子摻雜光纖2泵浦形成鉺離子摻雜光纖超螢光，另一個半導體泵浦雷射器3泵浦後產生泵浦光通過光纖熔接點5與鉍離子摻雜光纖I耦合，並通過秘離子摻雜光纖2泵浦形成秘離子摻雜光纖超螢光；且鉺離子摻雜光纖超螢光和秘離子摻雜光纖超螢光通過寬帶光纖耦合器6進行耦合，從而得到超寬帶光纖光源，並從輸出端8輸出，以供使用。
[0032]其中，鉺離子摻雜光纖2和鉍離子摻雜光纖I採用並聯結構，兩者可分別與泵浦光通過光纖熔接點4和光纖熔接點5熔接，有利於產生帶寬為500nm的超寬帶光纖光源；且兩個半導體泵浦雷射器3的泵浦波長可相同為793nm或800nm或808nm或980nm ;也可以使其中一個半導體泵浦雷射器3的泵浦波長為793nm或800nm或808nm，另一個半導體泵浦雷射器3的泵浦波長為980nm。
[0033]並且，鉺離子摻雜光纖2和鉍離子摻雜光纖I在泵浦光的抽運下，分別形成中心波長為1310nm左右的鉺離子摻雜光纖超螢光和中心波長為1530nm左右的鉍離子摻雜光纖超螢光；其中，鉺離子摻雜光纖超螢光和鉍離子摻雜光纖超螢光通過寬帶光纖耦合器6耦合，從而得到帶寬為500nm、發射範圍在1100nm_1600nm的超寬帶光纖光源。
[0034]根據上述的超寬帶光纖光源系統，實現鉺離子和鉍離子摻雜光纖的超寬帶光纖光源，在本實施例中，通過兩個半導體泵浦雷射器分別產生泵浦光並分別泵浦鉺離子摻雜光纖和秘離子摻雜光纖，形成鉺離子摻雜光纖超螢光和秘離子摻雜光纖超螢光；從而在寬帶光纖耦合器的耦合下產生超寬帶光纖光源；該形成光纖光源的具體步驟和產生的超螢光光譜與實施例1中相同，可參看實施例1部分，在此不再詳細描述。
[0035]此外，我們還應該認識到，本發明並不以此實施例為限，本發明涉及的半導體泵浦雷射器並不以此為限，還可以包括其他波長範圍的半導體泵浦雷射器，從而產生泵浦光泵浦摻雜光纖，且該半導體泵浦雷射器的數目並不以此一個為限，還可以為兩個半導體泵浦雷射器泵浦產生泵浦光，從而直接通過光纖熔接點與鉺離子摻雜光纖或鉍離子摻雜光纖耦合，產生鉺離子摻雜光纖超螢光或秘離子摻雜光纖超螢光；且光纖熔接點為泵浦光和鉺離子摻雜光纖或鉍離子摻雜光纖的耦合器，該光纖熔接點並不僅限於本實施例提出的插入損耗為IOdB的耦合器，還可以通過其他的耦合器實現泵浦光與摻雜光纖的熔接耦合。
[0036]顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變形而不脫離本發明的精神和範圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變形屬於本發明權利要求及其等同技術的範圍內，則本發明也意圖包含這些改動在內。
【權利要求】
1.一種超寬帶光纖光源系統,其特徵在於,包括鉺離子摻雜光纖、秘離子摻雜光纖、半導體泵浦雷射器以及寬帶光纖耦合器，所述半導體泵浦雷射器與所述寬帶光纖耦合器分別通過所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖連接所述寬帶光纖耦合器，且所述寬帶光纖耦合器連接一輸出端； 其中，所述半導體泵浦雷射器泵浦後產生泵浦光，所述泵浦光分別泵浦所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖，從而分別形成鉺離子摻雜光纖超螢光和鉍離子摻雜光纖超螢光，且所述鉺離子摻雜光纖超螢光和所述鉍離子摻雜光纖超螢光通過所述寬帶光纖耦合器耦合，得到超寬帶光纖光源，並從所述輸出端輸出。
2.根據權利要求1所述的超寬帶光纖光源系統，其特徵在於，所述半導體泵浦雷射器包括兩個半導體泵浦雷射器，所述其中一個半導體泵浦雷射器連接所述鉺離子摻雜光纖，所述另一個半導體泵浦雷射器連接所述鉍離子摻雜光纖，且所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖分別與所述寬帶光纖耦合器連接； 其中，所述兩個半導體泵浦雷射器泵浦後分別產生泵浦光，並分別通過所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖泵浦，形成鉺離子摻雜光纖超螢光和鉍離子摻雜光纖超螢光，且所述鉺離子摻雜光纖超螢光和所述鉍離子摻雜光纖超螢光通過所述寬帶光纖耦合器耦合，得到超寬帶光纖光源，並從所述輸出端輸出。
3.根據權利要求1所述的超寬帶光纖光源系統，其特徵在於，所述超寬帶光纖光源系統還包括一分為二的光纖分路器，所述半導體泵浦雷射器的數量為一個，所述半導體泵浦雷射器和所述鉺離子摻雜光纖、所述鉍離子摻雜光纖之間通過所述一分為二的光纖分路器連接； 其中，通過所述半導體泵浦雷射器泵浦後產生泵浦光，所述泵浦光通過所述光纖分路器分開為兩路泵浦光，所述兩路泵浦光分別泵浦所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖，從而分別形成鉺離子摻雜光纖超螢光和鉍離子摻雜光纖超螢光，且所述鉺離子摻雜光纖超螢光和所述鉍離子摻雜光纖超螢光通過所述寬帶光纖耦合器耦合，得到超寬帶光纖光源，並從所述輸出端輸出。
4.根據權利要求1至3任一項所述的超寬帶光纖光源系統，其特徵在於，所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖採用並聯結構。
5.根據權利要求1至3任一項所述的超寬帶光纖光源系統，其特徵在於，所述泵浦光分別通過一光纖熔接點與所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖連接，通過所述光纖熔接點將所述泵浦光耦合到所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖。
6.根據權利要求5所述的超寬帶光纖光源系統，其特徵在於，所述半導體泵浦雷射器的泵浦波長為793nm或800nm或808nm或980nm ;當所述半導體泵浦雷射器為兩個時:所述兩個半導體泵浦雷射器的泵浦波長均相同，或其中一個半導體泵浦雷射器的泵浦波長為793nm或800nm或808nm，另一個半導體泵浦雷射器的泵浦波長為980nm。
7.根據權利要求6所述的超寬帶光纖光源系統，其特徵在於，所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖在泵浦光的抽運下，分別形成中心波長為1530nm左右的鉺離子摻雜光纖超螢光和中心波長為1310nm左右的鉍離子摻雜光纖超螢光；所述鉺離子摻雜光纖超螢光和所述鉍離子摻雜光纖超螢光通過所述寬帶光纖耦合器耦合，得到發射範圍在1100nm-1600nm的超寬帶光纖光源。
8.一種超寬帶光纖光源的實現方法，利用如權利要求1所述的超寬帶光纖光源系統進行實現，其特徵在於，包括如下步驟: (O由所述半導體泵浦雷射器泵浦後產生泵浦光； (2)所述泵浦光分別泵浦所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖，從而分別形成鉺離子摻雜光纖超螢光和秘離子摻雜光纖超螢光； (3)所述鉺離子摻雜光纖超螢光和所述鉍離子摻雜光纖超螢光通過所述寬帶光纖耦合器進行耦合，從而得到超寬帶光纖光源。
9.根據權利要求8所述的超寬帶光纖光源的實現方法，其特徵在於，當所述半導體泵浦雷射器的數量為兩個時，所述兩個半導體泵浦雷射器分別與所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖連接；當所述半導體泵浦雷射器的數量為一個時，所述半導體泵浦雷射器與所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖之間通過一個一分為二的光纖分路器連接，使所述半導體泵浦雷射器產生的泵浦光通過所述一分為二的光纖分路器分為兩路泵浦光，所述兩路泵浦光分別泵浦所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖。
10.根據權利要求9所述的超寬帶光纖光源的實現方法，其特徵在於，所述泵浦光分別通過一光纖熔接點與所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖連接，通過所述光纖熔接點將所述泵浦光耦合到所述鉺離子摻雜光纖和所述鉍離子摻雜光纖，並使所述泵浦光泵浦。`
【文檔編號】H01S3/0941GK103682961SQ201310560649
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年11月12日 優先權日:2013年11月12日
【發明者】張瑤晶, 孫璐, 姜淳 申請人:上海交通大學