信息結構中的天線和波導管的製作方法

2023-05-13 01:44:56

本發明總體涉及半導體領域，更具體地，涉及無源器件。

背景技術：

諸如電感器、變壓器、天線、傳輸線、波導管等的無源器件通常用於射頻(RF)應用中。可將無源器件嵌入在片上系統(SoC)應用中。然而，由於在矽襯底附近產生的渦流，無源器件中諸如Q因子的性能較低。當封裝器件管芯時，還可在器件管芯的玻璃襯底上或者扇出結構中形成無源器件。然而，結果仍不令人滿意。

技術實現要素：

根據本發明的一個方面，提供了一種方法，包括：形成第一金屬板；形成與所述第一金屬板的外圍區域對齊的金屬環；放置與所述金屬環齊平的器件管芯；用密封材料密封所述器件管芯和所述金屬環；將介電材料填充至由所述金屬環包圍的空間中；形成覆蓋所述介電材料和所述金屬環的第二金屬板，其中，在所述第二金屬板中形成第一開口；以及形成第一多個再分布線，其中，所述第一多個再分布線中的第一再分布線覆蓋所述第一開口的部分，其中，所述第一金屬板、所述金屬環、所述第二金屬板和所述介電材料結合在一起形成選自天線和波導管的無源器件，並且所述第一再分布線形成所述無源器件的信號連線。

優選地，該方法還包括：當形成所述金屬環時，同時形成通孔，所述密封材料密封所述通孔，其中，所述第一多個再分布線中的第二再分布線電連接至所述通孔。

優選地，該方法還包括：在形成所述第一金屬板之前，形成第二多個再分布線和在所述第二多個再分布線上方的介電層，其中，所述通孔電連接至所述第二多個再分布線中的一個再分布線。

優選地，所述無源器件包括所述天線。

優選地，所述天線被配置為產生具有高於約50GHz頻率的信號。

優選地，所述無源器件包括波導管，並且所述第二金屬板包括第二開口，所述第一多個再分布線包括覆蓋所述第二開口的部分的額外的再分布線。

優選地，形成所述第一金屬板包括在所述第一金屬板中形成第三開口。

根據本發明的另一方面，提供了一種方法，包括：形成第一介電層；在所述第一介電層中形成第一金屬板；形成與所述第一金屬板的邊緣對齊的金屬環；放置與所述金屬環齊平的器件管芯；用密封材料密封所述器件管芯和所述金屬環；蝕刻所述金屬環以在所述密封材料中形成空隙；將介電材料填充至所述空隙；在所述介電材料、所述器件管芯和所述密封材料上方形成第二介電層；以及形成第一多個再分布線，包括：第一再分布線，覆蓋所述介電材料的部分，其中，通過所述第二介電層，將所述第一再分布線與所述介電材料間隔開，並且所述介電材料形成天線，所述第一再分布線形成所述天線的信號連線；和第二再分布線，延伸至所述第二介電層中以電連接至所述器件管芯。

優選地，所述天線被配置為產生具有高於約50GHz頻率的信號。

優選地，該方法還包括：當形成所述金屬環時，同時形成通孔，所述第一多個再分布線中的第三再分布線電連接至所述通孔。

優選地，通過所述第一介電層的部分將所述第一金屬板和所述金屬環彼此隔開。

優選地，當完成蝕刻所述金屬環時，所述第一介電層被暴露以形成所述空隙的底部。

優選地，所述介電材料具有小於約0.01的損耗因數。

優選地，填充所述介電材料包括填充苯並環丁烯(BCB)、聚四氟乙烯(PTFE)或芳香族聚合物。

根據本發明的又一方面，提供了一種封裝件，包括：無源器件，選自由天線和波導管組成的組，所述無源器件包括：第一金屬板；金屬環，與所述第一金屬板的外圍區域對齊；介電材料，由所述金屬環包圍，其中，所述介電材料的底面接觸所述第一金屬板的頂面；和第二金屬板，覆蓋所述介電材料和所述金屬環，其中在所述第二金屬板中形成第一開口；器件管芯，與所述無源器件齊平；密封材料，密封其中的所述器件管芯和所述無源器件；第一介電層，位於所述器件管芯、所述無源器件和所述密封材料上方；以及第一多個再分布線，包括：第一再分布線，覆蓋所述第一開口的部分，其中，所述第一再分布線通過所述第一介電層與所述第二金屬板間隔開；和第二再分布線，延伸至所述第一介電層中以電連接至所述器件管芯。

優選地，所述無源器件是被配置為產生具有高於約50GHz頻率的信號的天線。

優選地，所述無源器件是被配置為傳輸具有高於約50GHz頻率的信號的波導管。

優選地，該封裝件還包括：第二多個再分布線，在所述器件管芯和所述密封材料下方；以及通孔，穿透所述密封材料，其中，所述通孔將所述第一多個再分布線中的一個再分布線電連接至所述第二多個再分布線中的一個再分布線。

優選地，所述介電材料具有小於約0.01的損耗因數。

優選地，所述無源器件為波導管，並且所述第二金屬板包括第二開口，所述第一多個再分布線包括覆蓋所述第二開口的部分的第三再分布線。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，根據下面詳細的描述可以更好地理解本發明。應該強調的是，根據工業中的標準實踐，各種部件沒有被按比例繪製並且僅僅用於說明的目的。實際上，為了清楚的討論，各種部件的數量和尺寸可以被任意增加或減少。

圖1至圖16示出了根據一些實施例的形成包括天線或波導管的封裝件的中間階段的截面圖。

圖17示出了根據一些實施例的包括波導管的封裝件的截面圖。

圖18A和圖18B分別示出了根據一些實施例的波導管的立體圖和中間部分。

圖19示出了根據一些實施例的其中沒有形成通孔的包括天線的封裝件的截面圖。

圖20示出了根據一些實施例的其中沒有形成通孔的包括波導管的封裝件的截面圖。

圖21示出了根據一些實施例的波導管的截面圖。

圖22A和圖22B分別示出了根據一些實施例的天線和波導管的頂視圖。

圖23至圖33示出了根據一些實施例的形成包括天線的封裝件的中間階段的截面圖。

圖34示出了根據一些實施例的其中沒有形成通孔的包括天線的封裝件的截面圖。

圖35示出了根據一些實施例的流程圖。

具體實施方式

以下公開提供了多種不同實施例或實例，用於實現本發明的不同特徵。以下將描述組件和布置的特定實例以簡化本發明。當然，這些僅是實例並且不旨在限制本發明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實施例，也可以包括其他部件可以形成在第一部件和第二部件之間使得第一部件和第二部件不直接接觸的實施例。另外，本發明可以在多個實例中重複參考符號和/或字符。這種重複用於簡化和清楚，並且其本身不表示所述多個實施例和/或配置之間的關係。

此外，在此可使用諸如「在…之下」、「在…下面」、「下面的」、「在…上面」、以及「上面的」等的空間關係術語，以容易地描述如圖中所示的一個元件或部件與另一元件或部件的關係。應當理解，除圖中所示的方位之外，空間關係術語將包括使用或操作中的裝置的各種不同的方位。例如，如果翻轉圖中所示的裝置，則被描述為在其他元件或部件「下面」或「之下」的元件將被定位為在其他元件或部件的「上面」。因此，示例性術語「在…下面」包括在上面和在下面的方位。裝置可以以其它方式定位(旋轉90度或在其他方位)，並且通過在此使用的空間關係描述符進行相應地解釋。

根據各個示例性實施例提供了包括天線或波導管的封裝件及其形成方法。示出了形成封裝件的中間階段。討論了一些實施例的變型。在各個視圖和示出的實施例中，相同的參考符號用於指示相同的元件。

圖1至圖16示出了根據一些實施例，在集成扇出式(InFO)結構中形成天線(或波導管)的中間階段的截面圖。圖1至圖16中所示的步驟還示意性地示出了圖35所示的流程圖300。在隨後的討論中，參考圖35中的工藝步驟討論圖1至圖16所示的工藝步驟。

圖1示出了載體20和在載體20上形成的釋放層22。載體20可為玻璃載體、陶瓷載體等。載體20可具有圓形頂視圖形狀並且可為矽晶圓尺寸。例如，載體20可具有8英寸直徑、12英寸直徑等。釋放層22可由聚合物基材料(諸如光熱轉換(LTHC)材料)形成，可將所述釋放層22連同載體20從將在隨後的步驟中形成的上層結構處去除。根據本發明的一些實施例，釋放層22由環氧基熱釋放材料形成。可以液態形式分布釋放層22然後將其固化。根據可選的實施例，釋放層22為層壓膜並且被層壓在載體20上。釋放層22的頂面呈水平並且釋放層22的頂面具有高度的共平面性。

在釋放層22上形成介電層24。根據本發明的一些實施例，介電層24由聚合物形成，所述聚合物還可為可通過曝光和顯影來圖案化的諸如聚苯並噁唑(PBO)、聚醯亞胺、苯並環丁烯(BCB)等的感光材料。根據可選的實施例，介電層24由諸如氮化矽的氮化物、諸如氧化矽的氧化物、磷矽酸鹽玻璃(PSG)、硼矽酸鹽玻璃(BSG)、硼摻雜的磷矽酸鹽玻璃(BPSG)等形成。

參考圖2，在介電層24上方形成再分布線(RDL)26。相應的步驟被示為圖35所示的工藝中的步驟302。由於RDL 26位於器件管芯44(圖16)的背面上，因此還將它們稱為背面RDL。RDL 26的形成可包括在介電層24上方形成晶種層(未示出)，在晶種層上方形成諸如光刻膠的圖案化的掩模(未示出)，然後對暴露的晶種層實施鍍金。然後，去除圖案化的掩模和晶種層中被圖案化的掩模覆蓋的的部分，從而留下如圖2所示的RDL 26。根據本發明的一些實施例，晶種層包括鈦層和在鈦層上方的銅層。例如，可使用物理汽相沉積(PVD)來形成晶種層。例如，使用無電鍍(electro-less)來實施鍍。

在形成RDL 26的同時，同時形成金屬板32。金屬板32可以是其中沒有開口的實心板，或者可包括一個或多個通口(through-opening)35，使用虛線示出所述開口以指示可能形成或可能未形成開口35。通口35的示例性布局在圖22A和圖22B中示出。

參考圖3，在RDL 26和金屬板32上形成介電層28。相應的步驟被示為圖35所示的工藝中的步驟304。介電層28的底面與RDL 26、金屬板32和介電層24的頂面接觸。根據本發明的一些實施例，介電層28由聚合物形成，所述聚合物還可為諸如PBO、聚醯亞胺和BCB等的感光材料。根據可選的實施例，介電層28由諸如氮化矽的氮化物、諸如氧化矽的氧化物、PSG、BSG、BPSG等形成。然後，將介電層28圖案化以在其中形成開口30。儘管在示出的平面中顯示有一個開口30，但可能有多個開口30同時形成。通過介電層28中的開口30暴露了RDL 26和金屬板32的一些部分。

參考圖4，例如，通過物理汽相沉積(PVD)或金屬箔層壓在介電層28上方形成晶種層37。晶種層37可包括銅、鋁、鈦或它們的多層。根據一些實施例，晶種層37包括鈦層(未示出)和在鈦層上方的銅層(未示出)。根據可選的實施例，晶種層37包括單個銅層。當形成開口35時，晶種層也延伸至開口35內。

參考圖5，根據一些實施例，在晶種層37上方施加光刻膠34，然後將光刻膠34圖案化。因此，在光刻膠34中形成開口36(包括36A和36B)，並且暴露出晶種層37的一些部分。當從示出的結構的頂部觀察時，開口36A形成滿環，並且可具有矩形形狀。通過開口36A暴露金屬板32的外圍區域。開口36B可為與開口36A隔開的獨立開口。

如圖6所示，形成金屬部件38、40和41(下文統稱為38/40/41)。相應的步驟被示為圖35所示的工藝中的步驟308。通過可為電鍍或無電鍍的鍍法在開口36中形成金屬部件38/40/41。金屬部件38/40/41鍍在晶種層37的暴露部分上。金屬部件38/40/41可包括銅、鋁、鎢、鎳或它們的合金。下文將金屬部件40稱為通孔40。通孔40的頂視圖形狀包括但不局限於矩形、正方形、圓形等。晶種層37的材料可與上覆的金屬部件38/40/41相同或不同，並且可與下面的金屬板32相同或不同。

在鍍上金屬部件38/40/41之後，去除光刻膠34。然後，實施蝕刻步驟以去除晶種層37的暴露的部分，其中，蝕刻可為各向異性或各向同性蝕刻。另一方面，晶種層37中被金屬部件38/40/41覆蓋的部分仍未被蝕刻。形成的結構在圖7中示出。在圖7中未示出晶種層37的剩餘的部分，因為它們變成金屬部件38/40/41的集成的部分。根據一些實施例(其中晶種層37由與各個上覆的金屬部件38/40/41類似或相同的材料形成)，可將晶種層37與金屬部件38/40/41中的上覆部分合併而在晶種層37與金屬部件38/40/41之間沒有可區分的界面。根據可選的實施例，在晶種層37和金屬部件38/40/41中的上覆部分之間存在可區分的界面。

如圖7所示(還參考圖22A和圖22B)，金屬部件38形成完全包圍空間43的滿環(當從頂部觀察時)。金屬部件41可為在空間43中的獨立的金屬樁。

圖8示出器件管芯44的布置。相應的步驟被示為圖35中所示的工藝中的步驟310。通過管芯-附接膜(DAF)45將器件管芯44附接至介電層28，所述管芯-附接膜為粘合膜。器件管芯44可為其中包括邏輯電晶體的邏輯器件管芯。根據一些示例性實施例，將器件管芯44設計用於行動裝置，並且可為電源管理集成電路(PMIC)管芯、收發器(TRX)管芯等。儘管示出一個器件管芯44，但可在介電層28上方放置更多器件管芯。

根據一些示例性實施例，預先形成金屬柱(多個金屬柱)48(諸如銅柱)以作為器件管芯44的最頂端部分，其中，金屬柱48電連接至器件管芯44中的諸如電晶體(未示出)的集成電路器件。根據本發明的一些實施例中，聚合物填充相鄰的金屬柱48之間的間隙以形成頂部介電層47，其中，頂部介電層47還可在鈍化層46的頂部上並且接觸鈍化層46。根據一些實施例，聚合物層47可由PBO形成。鈍化層46可包括氮化矽、氮氧化矽、氧化矽或它們的多層。

接下來，如圖9所示，在器件管芯44上密封(模製)密封材料50。相應的步驟被示為圖35所示的工藝中的步驟312。密封材料50填充相鄰的金屬部件38/40/41之間的間隙以及金屬部件38/40/41與器件管芯44之間的間隙。密封材料50可包括模塑料、模製底部填充物、環氧樹脂或樹脂。通過傳遞模塑來實施密封，其中，在模塑期間頂部模具(top mold)和釋放膜(未示出)覆蓋器件管芯44和金屬部件38/40/41。由於空間/空隙43由金屬部件38完全包圍，並且由釋放膜覆蓋，因此密封材料50不填充空間/空隙43。

然後，將低損耗介電材料52填充至空間/空隙43，產生圖10所示的結構。相應的步驟被示為圖35所示的工藝中的步驟314。當相應的天線或波導管工作在高頻時，低損耗介電材料52可具有小於約0.01的損耗因數(loss tangent)，所述高頻率可高於約50GHz。根據一些示例性實施例，低損耗介電材料52包括BCB或聚醯亞胺。當形成開口35時，低損耗介電材料52還包括填充開口35的一些部分，這些部分也與介電層28的頂面接觸。

接下來，實施諸如化學機械拋光(CMP)步驟的平坦化以使密封材料50、金屬部件38/40/41和介電材料52的頂面彼此齊平。相應的步驟被示為圖35所示的工藝中的步驟316。產生的結構在圖11中示出。取決於介電材料52的性質，介電材料52的形成可包括分配和固化或其他方法。

在隨後的步驟中，如圖12所示，在金屬部件40和介電材料52的頂面上形成金屬板54。相應的步驟被示為在圖35所示的工藝中的步驟318。金屬板54的材料和形成可與用於形成金屬板32的材料和形成類似。在金屬板54中形成開口56，並且通過開口56暴露介電材料52。根據一些示例性實施例，當形成金屬板54時，同時在通孔40和金屬柱48上方形成金屬焊盤58並且與通孔40和金屬柱48接觸。根據可選的實施例，當形成金屬板54時，未形成金屬焊盤58。

參考圖13，形成介電層60。根據本發明的一些實施例，介電層60由諸如PBO、聚醯亞胺等的聚合物形成。根據可選的實施例，介電層60由諸如氮化矽、氧化矽等的無機材料形成。在介電層60中形成開口62以暴露金屬焊盤58。可通過光刻工藝來實施開口62的形成。

接下來，參考圖14，形成再分布線(RDL)64(其還包括64A)以連接至金屬柱48和通孔40。相應的步驟被示為圖35所示的工藝中的步驟320。RDL 64還可電互連金屬柱48和通孔40。RDL 64包括在介電層60上方的金屬跡線(金屬線)以及延伸至開口62中的通孔(圖13)以電連接至通孔40和金屬柱48。根據本發明的一些實施例，在鍍工藝中形成RDL 64，其中，每個RDL 64均包括晶種層(未示出)和在晶種層上方所鍍的金屬材料。晶種層和所鍍材料可包括相同材料或不同材料。RDL64可包括包括鋁、銅、鎢或它們的合金的金屬或金屬合金。

RDL 64包括在金屬板54的開口56正上方延伸的信號連線64A。金屬部件32、38和54以及介電材料52結合在一起形成天線66，該天線用於產生具有例如高於1GHz頻率的高頻信號。可通過RDL 26和RDL 64中的一個將天線66電接地，其中，未示出接地連接。可選地，天線66未接地。取決於天線66的尺寸和材料，頻率可高於50GHz或更高。信號連線64A將天線66中的高頻信號從天線66處連接。如圖14所示，根據一些示例性實施例，信號連線64A連接高頻信號至器件管芯44。

參考圖15，在RDL 64和介電層60上方形成介電層68。可使用聚合物形成介電層68，所述聚合物可選自與用於形成介電層60的那些候選材料相同的候選材料。例如，介電層68可包括PBO、聚醯亞胺、BCB等。

圖15還示出電連接至RDL 64的電連接件70的形成。相應的步驟被示為圖35所示的工藝中的步驟322。根據一些示例性實施例，電連接件70可包括凸塊下金屬化層(UBM，未示出)和焊料區域。UBM的形成可包括沉積和圖案化。可將焊料球放置在UBM上，然後將焊料球回流。根據可選的實施例，形成電連接件70包括實施鍍步驟以在RDL 64上方形成焊料區，然後回流焊料區。電連接件70還可包括金屬柱，以及可能的焊料蓋，所述電連接件70也可通過鍍法形成。在整個說明書中，將包括器件管芯44、天線66、通孔40、密封材料50和相應的RDL以及在密封材料50的上部和底部的介電層的組合結構稱為封裝件100，其可為頂視圖形狀為圓形的複合晶圓。

接下來，從載體20處分離封裝件100。還從封裝件100中清除粘合層22。可通過在粘合層22上投射諸如UV光或雷射的光以分解粘合層22來實施分離。產生的結構在圖16中示出。根據本發明的一些實施例，將封裝件100進一步附接至另一個載體(未示出)，所述載體位於封裝件100中與載體20相對的側面上，以便可形成連接至RDL 26的電連接件72。

圖17示出封裝件200的截面圖，其中形成有(微波)波導管166。形成工藝與圖1至圖16所示的形成工藝基本相同，除了改變一些部件的形狀和尺寸之外。根據一些實施例，金屬焊盤54具有兩個開口56和56』，各自在波導管166的末端。金屬跡線64A和164A分別在開口56和56』正上方延伸。因此，金屬跡線64A和164A分別用作信號輸入線和信號輸出線。例如，可通過信號連線164A將高頻信號連接至波導管166中，通過波導管166傳輸，並且連接輸出至信號連線64A。根據一些實施例，可將信號連線164A連接至器件管芯44。

圖18A示出波導管166以及開口56和56』的立體圖。波導管166的相對兩端通過金屬阻塞。圖18B示出波導管166的中間部分，該中間部分顯示為圖18A中的18B。

圖19示出根據一些實施例的封裝件100。封裝件100與圖16所示的封裝件100類似，除了沒有形成將封裝件100頂側上的導電部件連接至底側的通孔之外。因此，也沒有形成穿透介電層28的導電部件。根據這些實施例，封裝件100的形成可能與圖1至圖16所示的工藝類似，除了省略圖2、圖3和圖16所示的步驟之外。

圖20示出了根據可選的實施例的封裝件200。封裝件200與圖17所示的封裝件200類似，除了沒有形成將封裝件200頂側上的導電部件連接至底側的通孔之外。因此，也沒有形成穿透介電層28的導電部件。可從本發明的示例性實施例中提供的教導獲悉形成工藝。

圖21示出波導管166的截面圖，其中，示出波導管166的內部空間的寬度W1和高度H1。實驗結果表明當寬度W1為100μm，並且高度H1為200μm時，可在波導管中傳輸具有等於或高於約95GHz的頻率的信號，並且損失較低。例如，當傳輸具有95GHz的頻率的信號時，損失為1.5db。當傳輸具有110GHz的頻率的信號時，損失為1.0db。因此，由於損失較低，根據本發明的實施例的波導管166可滿足設計規範。

還如圖21所示，由於在與用於形成金屬部件/環38的工藝不同的工藝中形成金屬板54，因此金屬板54的邊緣可延伸超出金屬部件/環38的外部邊緣。可選地，如由虛線所示的金屬板54的外部邊緣可能與金屬部件/環38的外部邊緣對齊，或者可覆蓋金屬部件/環38。

圖22A示出天線66的頂視圖。示出將金屬部件41形成為由介電材料52包圍的獨立部件。信號連線64A覆蓋開口56的中間部分，並且可延伸超出開口56。可在金屬板32中形成開口35，或者可不形成開口35。

圖22B示出波導管166的頂視圖。信號連線64A覆蓋開口56的中間部分，並且可延伸超出開口56。信號連線164覆蓋開口56』的中間部分，並且可延伸超出開口56』。

圖23至圖34示出根據本發明的一些實施例，形成天線的中間階段的截面圖。除非另外規定，這些實施例中的部件的材料和形成方法與用圖1至圖21以及圖22A和圖22B所示實施例的相似參考符號標示的相似部件實質相同。因此，關於圖23至圖34所示的部件的形成工藝和材料的細節可在圖1至圖21以及圖22A和圖22B所示的實施例的討論中獲悉，因此此處不重複。

這些實施例的初始步驟與圖1所示的基本相同。接下來，如圖23所示，形成RDL 26和金屬板126。然後，形成介電層28以覆蓋RDL 26和金屬板126，其中在介電層28中形成開口30以暴露RDL 26，如圖24所示。

參考圖25，在隨後的步驟中，形成晶種層(未示出)，並且形成光刻膠34以及將光刻膠34圖案化。圖26示出通過鍍法形成通孔40和金屬部件38，隨後去除光刻膠34和暴露的晶種層。

接下來，參考圖27，在介電層28上方放置器件管芯44，隨後如圖28所示分配和固化密封材料50。在產生的結構中，金屬部件38顯示為限定在其中的空間/空隙43。

圖28示出光刻膠74的形成和圖案化，光刻膠74覆蓋器件管芯44和通孔40。金屬部件38未被光刻膠74覆蓋。接下來，如圖29所示，蝕刻圖28所示的金屬部件38，因此空間43擴大。可使用溼蝕刻或幹蝕刻實施蝕刻。然後，將光刻膠74蝕刻。

圖30示出根據一些實施例，將介電材料52填充至空間43，隨後實施平坦化步驟。因此，介電材料52的頂面與通孔40和器件管芯44的頂面齊平。根據一些實施例，介電材料52包括BCB、聚四氟乙烯(PTFE)(還稱為Teflon(DuPont Inc.的註冊商標))、芳香族聚合物等。

參考圖31，形成介電層60和RDL 64。RDL 64包括在介電區52正上方延伸的64A。可形成或者可不形成金屬焊盤58。因此，使用虛線示出金屬焊盤58。當不形成金屬焊盤58時，RDL 64與通孔40和金屬柱48物理接觸。

介電區52和下層金屬焊盤126結合在一起形成天線66。可將金屬焊盤126接地(其中，未示出接地連接)。作為RDL 64的部分的金屬跡線64A充當將天線66中產生的高頻信號連接至器件管芯44的信號連線。

圖32示出介電層68和電連接件70的形成，並且圖33示出連接至RDL 26的電連接件72的形成。因此，完成封裝件100的形成。

圖34示出根據一些實施例的封裝件100，其中，沒有形成將封裝件100頂側上的導電部件連接至底側的通孔。從實施例中提供的教導本領域一般技術人員可獲悉形成工藝。

本發明的實施例具有一些有利的特徵。使用與InFO工藝兼容的工藝形成諸如天線和波導管的無源器件，並且添加非常少的額外的步驟來形成天線和波導管。這些器件的工作頻率範圍和損失滿足器件的規範。

根據本發明的一些實施例，一種方法包括形成第一金屬板，形成與第一金屬板的周圍區域對齊的金屬環，以及放置與金屬環齊平的器件管芯，用密封材料密封器件管芯和金屬環。該方法還包括將介電材料填充至由金屬環包圍的空間中，以及形成覆蓋介電材料和金屬環的第二金屬板，其中，在第二金屬板中形成開口。形成第一多個再分布線，其中，再分布線中的一個覆蓋開口的部分。第一金屬板、金屬環、第二金屬板和介電材料結合在一起形成天線和波導管。再分布線形成無源器件的信號連接線。

根據本發明的一些實施例，一種方法包括形成第一介電層，在第一介電層上方形成第一金屬板，形成與第一金屬板的邊緣對齊的金屬環，放置與金屬環齊平的器件管芯，用密封材料中密封器件管芯和金屬環，蝕刻金屬環以在密封材料中形成空隙。將介電材料填充至空隙。在介電材料、器件管芯和密封材料上方形成第二介電層。然後形成多個再分布線，並且包括第一再分布線覆蓋介電材料的部分。通過第二介電層將第一再分布線與介電材料間隔開。介電材料形成天線，並且第一再分布線形成天線的信號連線。多個再分布線還包括延伸至第二介電層中以電連接至器件管芯的第二再分布線。

根據本發明的一些實施例，封裝件包括選自由天線和波導管組成的組中的無源器件。無源器件包括第一金屬板，與第一金屬板的外圍區域對齊的金屬環，由金屬環包圍的介電材料，其中，介電材料的底面接觸第一金屬板的頂面，以及第二金屬板覆蓋介電材料和金屬環，其中在第二金屬板中形成第一開口。器件管芯與無源器件齊平。密封材料密封在其中器件管芯和無源器件。介電層位於器件管芯、無源器件和密封材料上方。多個再分布線包括覆蓋第一開口的部分的第一再分布線。第一再分布線通過第一介電層與第二金屬板間隔開。多個再分布線還包括延伸至第一介電層中以電連接至器件管芯的第二再分布線。

上面論述了若干實施例的部件，使得本領域普通技術人員可以更好地理解本發明的各個方面。本領域普通技術人員應該理解，可以很容易地使用本發明作為基礎來設計或更改其他用於達到與這裡所介紹實施例相同的目的和/或實現相同優點的處理和結構。本領域普通技術人員也應該意識到，這種等效構造並不背離本發明的精神和範圍，並且在不背離本發明的精神和範圍的情況下，可以進行多種變化、替換以及改變。