一種雙電晶體的單片機上電復位電路的製作方法

2023-05-13 04:03:11

一種雙電晶體的單片機上電復位電路的製作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種雙電晶體的單片機上電復位電路，包括電阻R1~R3、三極體Q1~Q2、電容C1~C2和二極體D1；R1的一端和R2的一端連接在一起後接到VCC上，R1的另一端和C1的一端連接後接到Q1的基極，C1的另一端接地，R2的另一端接到Q1的集電極，Q1的發射極接到地，Q2的基極接到Q1的集電極，Q2的發射極接到地，R3和D1並聯，D1的陽極接到Q2的集電極，D1的陰極接到VDD上，C2並聯在Q2的發射極和集電極之間，D1的陽極接單片機的復位腳。本實用新型電路結構簡單，穩定性高，可靠性高，成本低等優點，是一種適合應用於小家電控制器上的單片機上電復位電路。
【專利說明】—種雙電晶體的單片機上電復位電路
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及單片機控制電路【技術領域】，更具體地，涉及一種雙電晶體的單片機上電復位電路。
【背景技術】
[0002]復位是單片機的初始化操作，其主要功能是把單片機中的程序計數器PC初始化為初始值，使單片機從內存的起始地址單元開始執行程序。除了進入系統的正常初始化之夕卜，當由於程序運行出錯或操作錯誤使系統處於死鎖狀態時，為了擺脫這種情況，也需要按復位鍵以重新啟動。另外復位操作還會對一些特殊功能寄存器進行初始化，使單片機內有關功能部件回到初始化狀態。
[0003]單片機的復位方式分很多種，有外部復位電路復位，內部低電壓復位等方式。
[0004]
【發明內容】
:
[0005]本實用新型的目的在於提供一種穩定性高，實用性強，成本低，可靠性高的雙電晶體的單片機外部上電復位電路。
[0006]本實用新型的目的可以通過採用以下技術方案達到:
[0007]一種雙電晶體的單片機上電復位電路，其特徵在於，包括電阻Rf R3、晶體三極體Qf Q2、電容Cf C2和二極體Dl ；
[0008]電阻Rl的一端和電阻R2的一端連接在一起後接到VCC上，電阻Rl的另一端和電容Cl的一端連接後接到三極體Ql的基極，電容Cl的另一端接地，電阻R2的另一端接到三極體Ql的集電極，三極體Ql的發射極接到地，三極體Q2的基極接到三極體Ql的集電極，三極體Q2的發射極接到地，電阻R3和二極體Dl並聯，二極體Dl的陽極接到三極體Q2的集電極，二極體Dl的陰極接到VDD上，電容C2並聯在三極體Q2的發射極和集電極之間，二極體Dl的陽極接單片機的復位腳。
[0009]當外部上電時，由於電容Cl兩端的電壓不能夠突變，從而使三極體Ql的基極和發射極之間的電壓低於三極體Ql的開啟電壓Ubel，故三極體Ql截止，三極體Q2的基極通過電阻R2連接到VCC，使得三極體的Q2基極和發射極之間的電壓高於三極體Q2的開啟電壓Ube2，故三極體Q2導通，三極體Q2的集電極的電位被拉低，單片機獲得低電平，處於復位狀態。經過Tl時間後，當電容Cl被充滿電後，三極體Ql的基極電位被拉高，三極體Ql導通，從而使得三極體Q2的基極被拉低，三極體Q2截止，又由於C2兩端的電壓不能夠突變，故三極體Q2的集電極的電位仍然為低電平，經過T2時間後，VDD將電容C2充滿電後，三極體Q2的集電極的電位被拉高，此時，單片機獲得高電平，復位結束，整個過程持續的時間為T1+T2，這就保證了單片機能夠很好的復位，其中的電阻R3和二極體Dl是上拉和放電的作用，斷電時將電容C2倆端的電荷放完，為下一次單片機更好的復位做好準備。
[0010]本實用新型具有如下突出的有益效果:
[0011]1、該復位電路採用倆級電容充放電產生復位信號，穩定性高，可靠性高；
[0012]2、該復位電路適合在小家電控制器的應用場合，實用性強，成本低。【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0014]下面結合附圖對本實用新型做進一步的描述，但本實用新型的實施方式並不限於此。
[0015]參照圖1，本實施例中，所述的雙電晶體上電復位電路由3個電阻RfR3，2個晶體三極體Qf Q2，2個電容Cf C2，一個二極體Dl和單片機MCU組成。電阻Rl的一端和電阻R2的一端連接在一起後接到VCC上，電阻Rl的另一端和電容Cl的一端連接後接到三極體Ql的基極，電容Cl的另一端接地，電阻R2的另一端接到三極體Ql的集電極，三極體Ql的發射極接到地，三極體Q2的基極接到三極體Ql的集電極，三極體Q2的發射極接到地，電阻R3和二極體Dl並聯，二極體Dl的陽極接到三極體Q2的集電極，二極體Dl的陰極接到VDD上，電容C2並聯在三極體Q2的發射極和集電極之間，單片機MCU的復位腳接到二極體Dl的陽極。
[0016]本實施例的工作原理:
[0017]參照圖1，當外部上電時，由於電容Cl的倆端電壓不能夠突變，從而使三極體Ql的基極和發射極之間的電壓低於Ql的開啟電壓Ubel，故Ql截止，三極體Q2的基極通過電阻R2連接到VCC，使得Q2基極和發射極之間的電壓高於Q2的開啟電壓Ube2，故三極體Q2導通，A點電位被拉低，單片機獲得低電平，處於復位狀態。經過Tl時間後，當電容Cl被充滿電後，三極體Ql的基極電位被拉高，Ql導通，從而使得三極體Q2的基極被拉低，Q2截止，又由於C2倆端電壓不能夠突變，故A電電位仍然為低電平，經過T2時間後，VDD將電容C2充滿電後，A點電位被拉高，此時，單片機獲得高電平，復位結束，整個過程持續的時間為T1+T2，這就保證了單片機能夠很好的復位，其中的電阻R3和二極體Dl是上拉和放電的作用，斷電時將電容C2倆端的電荷放完，為下一次單片機更好的復位做好準備。
[0018]以上所述，僅為本實用新型較佳的具體實施例，但本實用新型的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本實用新型揭露的範圍內，根據本實用新型的技術方案及其實用新型構思加以等同替換或改變，都屬於本實用新型的保護範圍。
【權利要求】
1.一種雙電晶體的單片機上電復位電路，其特徵在於，包括電阻Rf R3、晶體三極體Qf Q2、電容Cf C2和二極體Dl ； 電阻Rl的一端和電阻R2的一端連接在一起後接到VCC上，電阻Rl的另一端和電容Cl的一端連接後接到三極體Ql的基極，電容Cl的另一端接地，電阻R2的另一端接到三極體Ql的集電極，三極體Ql的發射極接到地，三極體Q2的基極接到三極體Ql的集電極，三極體Q2的發射極接到地，電阻R3和二極體Dl並聯，二極體Dl的陽極接到三極體Q2的集電極，二極體Dl的陰極接到VDD上，電容C2並聯在三極體Q2的發射極和集電極之間，二極體Dl的陽極接單片機的復位腳。
【文檔編號】H03K17/22GK203616717SQ201320880275
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年12月30日 優先權日:2013年12月30日
【發明者】汪軍, 錢文斌 申請人:廣東瑞德智能科技股份有限公司