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晶圓對位方法

2023-05-12 22:38:11

專利名稱:晶圓對位方法
技術領域:
本發明涉及半導體製造領域,尤其涉及一種晶圓對位方法。
背景技術:
半導體組件的製造過程通常可分為晶圓製程、晶圓測試、封裝及最後的測試。晶圓製程是在矽晶圓上製作電子電路組件,製作完成之後,晶圓上形成格狀排列的晶片(die)。晶圓測試步驟針對晶片作電性測試,將不合格的晶片淘汰。之後將晶圓切割成若干個晶片。封裝是將合格的晶片經過包裝等步驟,使晶片成為集成電路。最後要再經過電性測試確保集成電路的質量。因此,晶圓測試是非常重要且必不可少的一個過程,而在晶圓測試中首先需要準確對位晶圓,然後才可以利用測試模塊來測試晶圓。因此對於本領域技術人員而言,如何對位晶圓成為非常重要的問題。

發明內容
有鑑於此,本發明提供一種晶圓對位方法,對晶圓進行對位。本發明提供以下技術方案:
1、一種晶圓對位方法,其特徵在於,所述晶圓對位方法包括以下步驟: a根據晶片的大小將晶圓劃分成多個塊; b初步定位晶圓;
c確定基準塊,其中所述基準塊為所述多個塊中位於晶圓中心的塊; d在低倍顯微鏡下在基準塊中確定低倍圖形; e根據低倍圖形來調整 晶圓角度從而對位晶圓; f在高倍顯微鏡下在基準塊中確定高倍圖形; g根據高倍圖形來調整晶圓角度從而進一步對位晶圓。2、如技術方案I所述的晶圓對位方法,其特徵在於,步驟b包括以下步驟:
確定晶圓邊緣左上角、右上角和右下角三個位置;
根據所述三個位置和缺角來初步定位晶圓。3、如技術方案I所述的晶圓對位方法,其特徵在於,所述低倍圖形為輪廓清晰、黑白分明、在晶片的四分之一範圍內無相同圖形的圖形。4、如技術方案I所述的晶圓對位方法,其特徵在於,所述低倍對位圖形位於測試弓I腳定位在晶圓的位置之外的位置。5、如技術方案I所述的晶圓對位方法,其特徵在於,在基準塊的上下左右中位置處確定低倍圖形。6、如技術方案I所述的晶圓對位方法,其特徵在於,所述高倍對位圖形為輪廓清晰、黑白分明、在高倍顯微鏡顯示範圍內無相同圖形的圖形。7、如技術方案I至6之一所述的晶圓對位方法,其特徵在於,步驟e包括以下步驟:
el移動至目標塊之一,所述目標塊為以基準塊為中心的四個塊;e2在低倍顯微鏡下確定在目標塊中是否存在低倍圖形或近似低倍圖形,其中近似低倍圖形與低倍圖形的不同之處不超過5% ;
e3如果有,則不調整晶圓的角度,否則調整晶圓的角度直至確認存在低倍圖形或近似低倍圖形;
e4重複步驟el至e3,直至測試完所有目標塊。8、如技術方案I至6之一所述的晶圓對位方法,其特徵在於,步驟g包括以下步驟:
gl移動至目標塊之一,所述目標塊為以基準塊為中心的四個塊;g2在高倍顯微鏡下確定在目標塊中是否存在高倍圖形或近似低倍圖形,其中近似高倍圖形與高倍圖形的不同之處不超過5% ;
g3如果有,則不調整晶圓的角度,否則調整晶圓的角度直至確認存在高倍圖形或近似高倍圖形;
g4重複步驟gl至g3,直至測試完所有目標塊。9、如技術方案I至6之一所述的晶圓對位方法,其特徵在於,所述方法還包括定位測試模塊的測試引腳。10、如技術方案9所述的晶圓對位方法,其特徵在於,所述方法還包括核對晶圓對位信息,所述晶圓對位信息包括至少一個以下項:晶圓的邊緣定位、低倍圖形、高倍圖形、測試模塊的定義、晶圓厚度、扎針深度、塊尺寸,其中
核對晶圓對位信息包括根據所述晶圓對位信息再次定位晶圓並返回定位結果。利用本發明可以較好地定位晶圓。


圖1為根據本發明的實施例的晶圓對位方法的流程圖。
具體實施例方式下面將結合附圖詳細描述本發明的優選實施例,在附圖中相同的參考標號表示相同的元件。圖1為根據本發明的晶圓對位方法的流程圖。如圖1所示,在步驟100處,根據晶片的大小將晶圓劃分成多個塊,其中每個塊的大小和形狀與晶片的大小和形狀相同。在步驟101處,初步定位晶圓。具體而言,首先確定晶圓邊緣左上角、右上角和右下角三個位置;然後根據所述三個位置和缺角來初步定位晶圓。在步驟102處,確定基準塊,其中所述基準塊為所述多個塊中位於晶圓中心的塊。在步驟103處,在低倍顯微鏡下在基準塊中確定低倍圖形。優選地,分別在基準塊的上下左右中5個位置處確定低倍圖形。但本發明並不局限於此,本領域的技術人員可以根據實際需要來確定低倍圖形的數量和在基準塊中的位置。優選地,低倍圖形為輪廓清晰、黑白分明、在晶片的四分之一範圍內無相同圖形的圖形。優選地,所述低倍對位圖形位於測試引腳定位在晶圓的位置之外的位置,從而可以避免在步驟S104中由於測試引腳的針跡所帶來的錯誤,提高對位精度。優選地,所述低倍顯微鏡的放大倍率為7倍。在步驟104處,根據低倍圖形來調整晶圓角度從而對位晶圓。優選地,步驟104包括以下步驟:
移動至目標塊之一,所述目標塊為以基準塊為中心的四個塊;
在低倍顯微鏡下確定在目標塊中是否存在低倍圖形或近似低倍圖形,其中近似低倍圖形與低倍圖形的不同之處不超過5% ;
如果有,則不調整晶圓的角度,否則調整晶圓的角度直至確認存在低倍圖形或近似低倍圖形;在該步驟中以nm級別調整晶圓的角度。重複上述三個步驟,直至測試完所有目標塊。在步驟105處,在高倍顯微鏡下在基準塊中確定高倍圖形。優選地,高倍圖形的數量為5個。但是本發明並不局限於此,本領域的技術人員可以根據實際需要來確定高倍圖形的數量。優選地,所述高倍對位圖形為輪廓清晰、黑白分明、在高倍顯微鏡顯示範圍內無相同圖形的圖形。優選地,所述高倍顯微鏡的放大倍率為300倍。在步驟106處,根據高倍圖形來調整晶圓角度從而進一步對位晶圓。優選地,步驟106包括以下步驟:
步驟gl,移動至目標塊之一,所述目標塊為以基準塊為中心的四個塊;
步驟g2,在高倍顯微鏡下確定在目標塊中是否存在高倍圖形或近似低倍圖形,其中近似高倍圖形與高倍圖形的不同之處不超過5% ;
步驟g3,如果有,則不調整晶圓的角度,否則調整晶圓的角度直至確認存在高倍圖形或近似高倍圖形;在該步驟中以微米級別調整晶圓的角度。重複上述三個步驟gl至g3,直至測試完所有目標塊。可選地,本發明的方法還包括步驟107和108。在步驟107處,定位測試模塊的測試引腳。在步驟108處,核對晶圓對位信息。所述晶圓對位信息包括至少一個以下項:晶圓的邊緣定位、低倍圖形、高倍圖形、測試模塊的定義、晶圓厚度、扎針深度、塊尺寸。優選地,在步驟108中,根據所述晶圓對位信息再次定位晶圓並返回定位結果。利用本發明可以較好地定位晶圓。同時,本發明可以手動對位晶圓邊緣、縮小了塊對位尺寸、縮短了晶圓對位時間。鑑於這些教導,熟悉本領域的技術人員將容易想到本發明的其它實施例、組合和修改。因此,當結合上述說明和附圖進行閱讀時,本發明僅僅由權利要求限定。
權利要求
1.一種晶圓對位方法,其特徵在於,所述晶圓對位方法包括以下步驟: a根據晶片的大小將晶圓劃分成多個塊; b初步定位晶圓; c確定基準塊,其中所述基準塊為所述多個塊中位於晶圓中心的塊; d在低倍顯微鏡下在基準塊中確定低倍圖形; e根據低倍圖形來調整晶圓角度從而對位晶圓; f在高倍顯微鏡下在基準塊中確定高倍圖形; g根據高倍圖形來調整晶圓角度從而進一步對位晶圓。
2.如權利要求1所述的晶圓對位方法,其特徵在於,步驟b包括以下步驟: 確定晶圓邊緣左上角、右上角和右下角三個位置; 根據所述三個位置和缺角來初步定位晶圓。
3.如權利要求1所述的晶圓對位方法,其特徵在於,所述低倍圖形為輪廓清晰、黑白分明、在晶片的四分之一範圍內無相同圖形的圖形。
4.如權利要求1所述的晶圓對位方法,其特徵在於,所述低倍對位圖形位於測試引腳定位在晶圓的位置之外的位置。
5.如權利要求1所述的晶圓對位方法,其特徵在於,在基準塊的上下左右中位置處確定低倍圖形。
6.如權利要求1所述的晶圓對位方法,其特徵在於,所述高倍對位圖形為輪廓清晰、黑白分明、在高倍顯微鏡顯示範圍內無相同圖形的圖形。
7.如權利要求1至6之一所述的晶圓對位方法,其特徵在於,步驟e包括以下步驟: el移動至目標塊之一,所述目標塊為以基準塊為中心的四個塊; e2在低倍顯微鏡下確定在目標塊中是否存在低倍圖形或近似低倍圖形,其中近似低倍圖形與低倍圖形的不同之處不超過5% ; e3如果有,則不調整晶圓的角度,否則調整晶圓的角度直至確認存在低倍圖形或近似低倍圖形; e4重複步驟el至e3,直至測試完所有目標塊。
8.如權利要求1至6之一所述的晶圓對位方法,其特徵在於,步驟g包括以下步驟: gl移動至目標塊之一,所述目標塊為以基準塊為中心的四個塊; g2在高倍顯微鏡下確定在目標塊中是否存在高倍圖形或近似低倍圖形,其中近似高倍圖形與高倍圖形的不同之處不超過5% ; g3如果有,則不調整晶圓的角度,否則調整晶圓的角度直至確認存在高倍圖形或近似高倍圖形; g4重複步驟gl至g3,直至測試完所有目標塊。
9.如權利要求1至6之一所述的晶圓對位方法,其特徵在於,所述方法還包括定位測試模塊的測試引腳。
10.如權利要求9所述的晶圓對位方法,其特徵在於,所述方法還包括核對晶圓對位信息,所述晶圓對位信息包括至少一個以下項:晶圓的邊緣定位、低倍圖形、高倍圖形、測試模塊的定義、晶圓厚度、扎針深度、塊尺寸,其中 核對晶圓對位信息包括根據所述晶圓對位信息再次定位晶圓並返回定位結果。
全文摘要
本發明提供一種晶圓對位方法。所述方法包括以下步驟a根據晶片的大小將晶圓劃分成多個塊;b初步定位晶圓;c確定基準塊,其中所述基準塊為所述多個塊中位於晶圓中心的塊;d在低倍顯微鏡下在基準塊中確定低倍圖形;e根據低倍圖形來調整晶圓角度從而對位晶圓;f在高倍顯微鏡下在基準塊中確定高倍圖形;g根據高倍圖形來調整晶圓角度從而進一步對位晶圓。利用本發明可以較好地定位晶圓。
文檔編號H01L21/02GK103137531SQ20111039465
公開日2013年6月5日 申請日期2011年12月2日 優先權日2011年12月2日
發明者連曉謙, 凌耀君 申請人:無錫華潤上華科技有限公司

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