大功率的橫向結構led晶片的製作方法

2023-05-14 10:25:51

專利名稱：大功率的橫向結構led晶片的製作方法
技術領域：
本實用新型揭示大功率的橫向結構LED晶片，屬於光電子技術領域。
背景技術：
半導體照明正快速的進入通用照明，目前的主要障礙是高成本，另外，擴展產 能需要巨額資金。傳統的橫向結構半導體晶片的不足之處之一在於，不易向晶片輸入大 電流，產生電流擁塞(current crowding)。 電流擁塞一方面降低晶片壽命，一方面降低 晶片發光效率。然而，向晶片輸入大電流是快速降低晶片成本、減少巨額投資的重要方 法，需要能引入大電流的晶片。本實用新型公開大功率的橫向結構LED晶片。

實用新型內容本實用新型公開的大功率的橫向結構LED晶片，包括生長襯底、半導體外延 層、透明電極、鈍化層、電極。其中，半導體外延層包括，N-類型限制層、活化層、 P-類型限制層N-類型限制層形成在生長襯底上，活化層形成在N-類型限制層上， P-類型限制層形成在活化層上。透明電極形成在P-類型限制層上。半導體外延層的預定 的位置上形成至少一個半導體外延層半通槽，半導體外延層半通槽穿過透明電極、P-類 型限制層和活化層，半導體外延層半通槽的底部是N-類型限制層。鈍化層形成在透明 電極上並且覆蓋半導體外延層半通槽的側面和底面。在鈍化層的覆蓋半導體外延層半通 槽的底面的部分的預定的位置上形成至少一個N-半通槽，使得N-類型限制層在N-半通 槽中暴露。在鈍化層的預定的位置上形成至少一個P-半通槽，P-半通槽穿過鈍化層， P-半通槽的底部是透明電極，使得透明電極在P-半通槽中暴露。電極包括，至少一個 N-打線焊盤、至少一個P-打線焊盤、至少一個N-非有效條形電極、至少一個N-混合 條形電極；至少一個P-非有效條形電極、至少一個P-混合條形電極。N-打線焊盤和 P-打線焊盤分別形成在鈍化層預定的位置上。N-非有效條形電極和P-非有效條形電極 分別形成在鈍化層預定的位置上。N-混合條形電極包括N-有效電極部分和N-非有效 電極部分，N-非有效電極部分形成在鈍化層上而不直接與N-類型限制層接觸，電流不 能通過N-非有效條形電極直接流向N-類型限制層。N-有效電極部分形成在N-半通槽 中的暴露的N-類型限制層上。電流通過N-非有效電極部分流向N-有效電極部分，通 過N-有效電極部分直接流向N-類型限制層。P-混合條形電極包括P-有效電極部分和 P-非有效電極部分，P-非有效電極部分形成在鈍化層上而不直接與透明電極接觸，電流 不能通過P-非有效條形電極直接流向透明電極和P-類型限制層，P-有效電極部分形成 在P-半通槽的底部的暴露的透明電極上。電流通過P-非有效電極部分流向P-有效電極 部分，通過P-有效電極部分直接流向透明電極和P-類型限制層。其特徵在於(1)鈍化層使得電流不能從N-和P-打線焊盤直接流向半導體外延 層，不會在N-和P-打線焊盤的下方形成電流擁塞(current crowding)。 (2)鈍化層使得電流不能從N-和P-非有效條形電極與N-和P-混合條形電極的N-和P-非有效電極部 分分別直接流向N-類型限制層和透明電極。(3)分別與N-和P-打線焊盤連接的N-和 P-非有效條形電極在鈍化層上延伸一段預定的距離後，分別與N-和P-混合條形電極的 N-和P-非有效條形電極相連接，避免電流在打線焊盤附近形成電流擁塞。(4)電流從 至少一個端點流入N-混合條形電極的N-有效電極部分，該端點稱為N-有效電極部分的 N-電流引入點。電流從N-電流引入點開始，向下流入N-類型限制層。電流從至少一 個端點流入P-有效電極部分，該端點稱為P-有效電極部分的P-電流引入點。電流從 P-電流引入點開始，向下流入透明電極和P-類型限制層。每個N-和P-混合條形電極 分別有至少一個電流引入點。(5)電極的設置是從一組設置中選出，該組設置包括，互相 平行的多個N-有效電極部分和P-有效電極部分。 優選實施例相鄰的N-和P-混合條形電極基本上互相平行。優選實施例半導體外延層和透明電極之間形成反射層，反射層的位置、形狀 和尺寸分別與N-打線焊盤和P-打線焊盤相對應。優選實施例鈍化層和透明電極之間形成反射層；反射層的位置、形狀和尺寸 分別與N-打線焊盤和P-打線焊盤相對應。優選實施例半導體外延層和透明電極之間形成反射層；反射層的位置、形狀 與尺寸分別與N-非有效條形電極和P-非有效條形電極相對應。優選實施例鈍化層和透明電極之間形成反射層；反射層的位置、形狀與尺寸 分別與N-非有效條形電極和P-非有效條形電極相對應。優選實施例半導體外延層和透明電極之間形成反射層；反射層的位置、形狀 與尺寸分別與N-混合條形電極的N-非有效電極部分和P-混合條形電極的P-非有效電 極部分相對應。優選實施例鈍化層和透明電極之間形成反射層；反射層的位置、形狀與尺寸 分別與N-混合條形電極的N-非有效電極部分和P-混合條形電極的P-非有效電極部分 相對應。半導體外延層包括，氮化鎵基、磷化鎵基、鎵氮磷基、氧化鋅基外延層，艮口， 發紅光/黃、綠光、藍光，等的半導體外延層。本實用新型的目的和能達到的各項效果如下(1)本實用新型提供大功率的橫向結構LED晶片，解決了向晶片輸入大電流的 問題，使得每個晶片發出的光通量(流明(Im)/晶片)增加。(2)本實用新型提供的大功率的橫向結構LED晶片，降低了流明(Im)成本(元 /lm)，使得LED可以很快地進入普通照明。(3)本實用新型提供的大功率的橫向結構LED晶片，在相同的晶片產能的條件 下，提高了流明(Im)產能，其中，流明(Im)產能=晶片產能χ流明(Im)/晶片。節省 了巨額的設備投資。(4)本實用新型提供的大功率的橫向結構LED晶片，在相同的流明(Im)產能的 條件下，節省了外延生長和晶片工藝的原材料。(5)本實用新型提供的大功率的橫向結構LED晶片，製造工藝適於批量生產。 本實用新型和它的特徵及效益將在下面的詳細描述中更好的展示。
圖Ia展示本實用新型的製造大功率的橫向結構LED晶片的工藝的一個實施例的 第一個工藝步驟的頂視圖。圖Ib展示圖Ia展示的第一個工藝步驟的A-A截面圖。圖Ic展示本實用新型的製造大功率的橫向結構LED晶片的工藝的一個實施例的 第二個工藝步驟的頂視圖。圖Id展示圖Ic展示的第二個工藝步驟的A-A截面圖。圖Ie展示本實用新型的製造大功率的橫向結構LED晶片的工藝的一個實施例的 第三個工藝步驟的頂視圖。圖If展示圖Ie展示的第三個工藝步驟的A-A截面圖。圖Ig展示本實用新型的製造大功率的橫向結構LED晶片的工藝的一個實施例的 第四個工藝步驟的頂視圖。圖Ih展示圖Ig展示的第四個工藝步驟的A-A截面圖。圖Ij展示本實用新型的製造大功率的橫向結構LED晶片的工藝的一個實施例的 第五個工藝步驟的頂視圖。圖Ik展示圖Ij展示的第五個工藝步驟的A-A截面圖。圖Im展示本實用新型的大功率的帶有反射層的橫向結構LED晶片的反射層的結 構的一個實施例的截面圖。圖In展示本實用新型的大功率的帶有反射層的橫向結構LED晶片的反射層的結 構的一個實施例的截面圖。圖Ip展示本實用新型的大功率的帶有反射層的橫向結構LED晶片的反射層的結 構的一個實施例的截面圖。
具體實施例雖然本實用新型的具體實施例將會在下面被描述，但下列各項描述只是說明本 實用新型的原理，而不是局限本實用新型於下列各項具體化實施實例的描述。注意下列各項適用於本實用新型的大功率的橫向結構LED晶片的所有實施 例(1)圖中各部分的比例不代表真實產品的比例。(2)外延層的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，氮化鎵基、磷化鎵基、 鎵氮磷基、和氧化鋅基材料，即，發紅光/黃、綠光、藍光，等的半導體外延層。其 中，氮化鎵基材料包括鎵、鋁、銦、氮的二元系、三元系、四元系材料。鎵、鋁、 銦、氮的二元系、三元系、四元系材料包括，GaN、GalnN、AlGalnN、AlGaInN,等。 磷化鎵基材料包括鎵 、鋁、銦、磷的二元系、三元系、四元系材料。鎵、鋁、銦、 磷的二元系、三元系、四元系材料包括，GaP、GaInP> AlGaInP> InP,等。鎵氮磷基 材料包括鎵、鋁、銦、氮、磷的二元系、三元系、四元系和五元系材料。鎵、鋁、 銦、氮、磷的二元系、三元系、四元系和五元系材料包括，GaNP、AlGaNP> GaInNP> AlGaInNP,等。氧化鋅基材料包括，ZnO，等。氮化鎵基外延層的晶體平面是從一組晶體平面中選出， 該組晶體平面包括C-平面、a-平面、m-平面。(3)橫向結構LED晶片包括生長襯底、半導體外延層、透明電極、鈍化層、 電極。其中，半導體外延層包括，N-類型限制層、活化層、P-類型限制層N-類型限 制層形成在生長襯底上，活化層形成在N-類型限制層上，P-類型限制層形成在活化層 上。透明電極形成在P-類型限制層上。(4)半導體外延層的預定的位置上形成至少一個半導體外延層半通槽，半導體外 延層半通槽穿過透明電極、P-類型限制層和活化層，半導體外延層半通槽的底部是N-類 型限制層。(5)鈍化層形成在透明電極上並且覆蓋半導體外延層半通槽的側面和底面。(6)在鈍化層的覆蓋半導體外延層半通槽的底面的部分的預定的位置上形成至少 一個N-半通槽，使得N-類型限制層在N-半通槽中暴露。(7)在鈍化層的預定的位置上形成至少一個P-半通槽，P-半通槽穿過鈍化層， P"半通槽的底部是透明電極，使得透明電極在P-半通槽中暴露。(8)電極包括，至少一個N-打線焊盤、至少一個P-打線焊盤、至少一個N-非 有效條形電極、至少一個N-混合條形電極；至少一個P-非有效條形電極、至少一個 P-混合條形電極。(9)N-打線焊盤和P-打線焊盤分別形成在鈍化層預定的位置上。鈍化層使得電 流不能從N-和P-打線焊盤直接流向半導體外延層，不會在N-和P-打線焊盤的下方形 成電流擁塞(current crowding)。(IO)N-非有效條形電極和P-非有效條形電極分別形成在鈍化層預定的位置上。 鈍化層使得電流不能從N-和P-非有效條形電極分別直接流向N-類型限制層和透明電 極。(Il)N-混合條形電極包括N-有效電極部分和N-非有效電極部分，N-非有效 電極部分形成在鈍化層上而不直接與N-類型限制層接觸，電流不能通過N-非有效條形 電極直接流向N-類型限制層。N-有效電極部分形成在N-半通槽中的暴露的N-類型限 制層上。電流通過N-非有效電極部分流向N-有效電極部分，通過N-有效電極部分直 接流向N-類型限制層。(12)P-混合條形電極包括P-有效電極部分和P-非有效電極部分，P-非有效電 極部分形成在鈍化層上而不直接與透明電極接觸，電流不能通過P-非有效條形電極直接 流向透明電極和P-類型限制層，P-有效電極部分形成在P-半通槽的底部的暴露的透明 電極上。電流通過P-非有效電極部分流向P-有效電極部分，通過P-有效電極部分直接 流向透明電極和P-類型限制層。(13)電流從至少一個端點流入N-混合條形電極的N-有效電極部分，該端點稱 為N-有效電極部分的N-電流引入點。電流從N-電流引入點開始，向下流入N-類型 限制層。(14)電流從至少一個端點流入P-有效電極部分，該端點稱為P-有效電極部分 的P-電流引入點。電流從P-電流引入點開始，向下流入透明電極和P-類型限制層。(15)每個N-和P-混合條形電極分別有至少一個電流引入點。(16)電流通過至少一個端點從N-非有效電極部分流向N-有效電極部分，該端點稱為N-電流引入點，電流從N-電流引入點開始向下流入N-類型限制層。(17)電流通過至少一個端點從P-非有效電極部分流向P-有效電極部分，該端點稱為P-電流引入點，電流從P-電流引入點開始向下流入P-類型限制層。(18)每個N-和P-混合條形電極分別有至少一個電流引入點。(19)兩個相鄰的N-和P-混合條形電極的N-和P_有效電極部分基本上互相平 行。(20)兩個相鄰的N-和P-混合條形電極基本上互相平行。(21)優選實施例半導體外延層和透明電極之間形成反射層，反射層的位置、 形狀和尺寸分別與N-打線焊盤和P-打線焊盤相對應。(22)優選實施例鈍化層和透明電極之間形成反射層；反射層的位置、形狀和 尺寸分別與N-打線焊盤和P-打線焊盤相對應。(23)優選實施例半導體外延層和透明電極之間形成反射層；反射層的位置、 形狀與尺寸分別與N-非有效條形電極和P-非有效條形電極相對應。(24)優選實施例鈍化層和透明電極之間形成反射層；反射層的位置、形狀與 尺寸分別與N-非有效條形電極和P-非有效條形電極相對應。(25)優選實施例半導體外延層和透明電極之間形成反射層；反射層的位置、 形狀與尺寸分別與N-混合條形電極的N-非有效電極部分和P-混合條形電極的P-非有 效電極部分相對應。(26)優選實施例鈍化層和透明電極之間形成反射層；反射層的位置、形狀與 尺寸分別與N-混合條形電極的N-非有效電極部分和P-混合條形電極的P-非有效電極 部分相對應。(27) 一個LED晶片的電極包括至少一個N-打線焊盤和至少一個P-打線焊盤。 對於具有多個N-和P-打線焊盤的電極，打線焊盤的位置的設置使得多個N-和P-混合 條形電極的有效電極部分基本上互相平行。(28)至少一個N-非有效條形電極與N-打線焊盤連接，N_非有效條形電極在 鈍化層上延伸一段預定的距離後，與N-混合條形電極的N-非有效電極部分相連接，避 免電流在N-打線焊盤附近形成電流擁塞。(29)至少一個P-非有效條形電極與P-打線焊盤連接，P-非有效條形電極在鈍 化層上延伸一段預定的距離後，與P-混合條形電極的P-非有效電極部分相連接，避免電 流在N-打線焊盤附近形成電流擁塞。(30)鈍化層的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，氧化矽(Si02)、氮化 矽(SiN)、玻璃上矽(SOG)，等。(31)在半導體外延層的表面上，形成粗化結構或光子晶體結構。(32)在透明電極的表面上，形成粗化結構。(33)在透明電極表面上形成絕緣的鈍化層。鈍化層的表面上，形成粗化結構。圖Ia和圖Ib分別展示本實用新型的製造大功率的橫向結構LED晶片的工藝的 一個實施例的第一個工藝步驟的頂視圖和A-A截面圖。橫向結構LED晶片100包括生長襯底105、半導體外延層和透明電極101。半 導體外延層包括，N-類型限制層104、活化層103、P-類型限制層102，其中，N_類型限制層104形成在襯底生長襯底105上，活化層103形成在N-類型限制層104上，P-類 型限制層102形成在活化層103上，透明電極101形成在P-類型限制層102上。圖Ic和 圖Id分別展示本實用新型的製造大功率的橫向結構LED晶片的工藝的 一個實施例的第二個工藝步驟的頂視圖和A-A截面圖。通過光刻和蝕刻的方法，在大功率的橫向結構LED晶片的表面上形成至少一個 半導體外延層半通槽(mesa) 106，半導體外延層半通槽106通過透明電極101、P-類型限 制層102、活化層103，半導體外延層半通槽106的底部106a形成在N-類型限制層104中。圖Ie和圖If分別展示本實用新型的製造大功率的橫向結構LED晶片的工藝的一 個實施例的第三個工藝步驟的頂視圖和A-A截面圖。在大功率的橫向結構LED晶片100的表面上形成鈍化層(passivition)。鈍化層 包括幾個同時形成且互相連接的部分形成在透明電極101表面的鈍化層107a、形成在 半導體外延層半通槽106的底部106a上暴露的N-類型限制層104的表面的鈍化層107b 和形成在半導體外延層半通槽106的側面的鈍化層。形成在半導體外延層半通槽106的 側面的鈍化層覆蓋半導體外延層半通槽106中暴露的透明電極101、P-類型限制層102、 活化層103和N-類型限制層104的側面。圖Ie中，鈍化層覆蓋了半導體外延層半通槽106，半導體外延層半通槽106採用 虛線表示。圖Ig和圖Ih分別展示本實用新型的製造大功率的橫向結構LED晶片的工藝的 一個實施例的第四個工藝步驟的頂視圖和A-A截面圖。通過光刻和蝕刻的方法，在鈍化層107a和107b上的預定位置分別形成P_半通 槽107c和N-半通槽107d。P-半通槽107c穿過鈍化層，P-半通槽107c的底部是透明 電極101，使得透明電極101的部分表面在P-半通槽107c中暴露。N-半通槽107d中， N-類型限制層104的部分表面暴露。圖Ij和圖Ik分別展示本實用新型的製造大功率的橫向結構LED晶片的工藝的一 個實施例的第五個工藝步驟的頂視圖和A-A截面圖。通過金屬沉積的方法，在P-半通槽107c中的預定位置分別形成P-混合條形電 極的P-有效電極部分110b，使得P-有效電極部分IlOb與透明電極101的暴露的表面部 分相電連接；在N-半通槽107d中的預定位置分別形成N-混合條形電極的N-有效電極 部分108b，使得N-有效電極部分108b與N-類型限制層104的暴露的表面部分相電連 接。在鈍化層107a上的預定位置分別形成N-打線焊盤112a和112b、P_打線焊盤113a 和113b、N-非有效條形電極109、P-非有效條形電極111a、Illb和111c、P_混合條形 電極的P-非有效電極部分110a、N-混合條形電極的N-非有效電極部分108a。N-打線焊盤112a和112b分別與N-非有效條形電極109電連接。N_非有效條 形電極109與N-混合條形電極的N-非有效電極部分108a電連接。N-混合條形電極的 N-非有效電極部分108a和相對應的N-有效電極部分108b相互連接從而構成N_混合條 形電極。P-打線焊盤113a和113b分別與P-非有效條形電極111a、Illb和Illc電連接。 P-非有效條形電極111a、11 Ib和11 Ic分別與P-混合條形電極的P-非有效電極部分1 IOa電連接。P-混合條形電極的P-非有效電極部分Iioa和相對應的P-有效電極部分IlOb相互連接從而構成P-混合條形電極。混合條形電極的非有效電極部分和有效電極部分的接觸點稱為電流引入點，每 個混合條形電極具有至少一個電流弓丨入點。圖Ij和圖Ik分別展示本實用新型的大功率的橫向結構LED晶片的一個實施例的 頂視圖和A-A截面圖。注意，圖Ia至圖Ik中的LED晶片100的電極包括，至少一個N_打線焊盤、至 少一個P-打線焊盤、至少一個N-混合條形電極、至少一個N-非有效條形電極、至少一 個P-混合條形電極和至少一個P-非有效條形電極。N-打線焊盤和N-非有效條形電極 形成電連接，N-混合條形電極和N-非有效條形電極形成電連接。P-打線焊盤和P-非 有效條形電極形成電連接，P-混合條形電極和P-非有效條形電極形成電連接。實施例多個N-有效電極部分和多個P-有效電極部分基本互相平行。實施例多個N-混合條形電極和多個P-混合條形電極基本上互相平行，使得 沒有電流擁塞，可以採用較大的驅動電流。實施例相鄰的N-有效電極部分和P-有效電極部分基本互相平行。圖Im展示本實用新型的大功率的帶有反射層的橫向結構LED晶片的反射層的結 構的一個實施例的截面圖。在透明電極101的預定位置形成反射層121，反射層121的形狀、位置、尺寸與 部件120 (部件120代表N-和P-打線焊盤、N-和P-非有效條形電極、N_混合條形電 極的N-非有效電極部分和P-混合條形電極的P-非有效電極部分)相對應。鈍化層107a 形成在透明電極101上，並覆蓋在部件120上。部件120形成在鈍化層107a上。橫向 結構LED晶片的其他部分沒有在圖Im中展出。圖In展示本實用新型的大功率的帶有反射層的橫向結構LED晶片的反射層的結 構的一個實施例的截面圖。在透明電極101上形成鈍化層107a。在鈍化層107a的預定位置形成反射層121， 反射層121的形狀、位置、尺寸與部件120(部件120代表N-和P-打線焊盤、N_和P-非 有效條形電極、N-混合條形電極的N-非有效電極部分和P-混合條形電極的P-非有效 電極部分)相對應。部件120形成在反射層121上。橫向結構LED晶片的其他部分沒 有在圖In中展出。圖Ip展示本實用新型的大功率的帶有反射層的橫向結構LED晶片的反射層的結 構的一個實施例的截面圖。在N-類型限制層102的預定位置形成反射層121，反射層121的形狀、位置、 尺寸與部件120 (部件120代表N-和P-打線焊盤、N-和P-非有效條形電極、N_混合 條形電極的N-非有效電極部分和P-混合條形電極的P-非有效電極部分)相對應。透 明電極101形成在N-類型限制層102上，並覆蓋在部件120上。部件120形成在鈍化層 107a上。橫向結構LED晶片的其他部分沒有在圖Ip中展出。一個優選的實施例是在P-類型限制層的暴露的表面上形成粗化結構或光子晶 體(未在圖中展示)。一個優化的實施例是在透明電極的表面上形成粗化結構(未在圖中展示)。[0095] 一個優化的實施例鈍化層的表面具有粗化結構(未在圖中展示)。上面的具體的描述並不限制本實用新型的範圍，而只是提供一些本實用新型的 具體化的例證。因此本實用新型的涵蓋範圍應該由權利要求和它們的合法等同物決定， 而不是由上述具體化的詳細描述和實施實例決定。
權利要求1.一種大功率的橫向結構LED晶片，包括生長襯底、半導體外延層、透明電極、 鈍化層、電極；其中，所述的半導體外延層包括，N-類型限制層、活化層、P-類型限制 層；其中，所述的N-類型限制層形成在所述的生長襯底上，所述的活化層形成在所述的 N-類型限制層上，所述的P-類型限制層形成在所述的活化層上；所述的透明電極形成 在所述的P-類型限制層上；所述的半導體外延層的預定的位置上形成至少一個半導體外 延層半通槽，所述的半導體外延層半通槽穿過所述的透明電極、所述的P-類型限制層和 所述的活化層，所述的半導體外延層半通槽的底部是所述的N-類型限制層；所述的鈍化 層形成在所述的透明電極上並且覆蓋所述的半導體外延層半通槽的側面和底面；在所述 的鈍化層的覆蓋所述的半導體外延層半通槽的底面的部分的預定的位置上形成至少一個 N-半通槽，使得所述的N-類型限制層在所述的N-半通槽中暴露；在所述的鈍化層的預 定的位置上形成至少一個P-半通槽，所述的P-半通槽穿過所述的鈍化層，所述的P-半 通槽的底部是所述的透明電極，使得所述的透明電極在所述的P-半通槽中暴露；所述的 電極包括，至少一個N-打線焊盤、至少一個P-打線焊盤、至少一個N-非有效條形電 極、至少一個N-混合條形電極；至少一個P-非有效條形電極、至少一個P-混合條形電 極；所述的N-打線焊盤和所述的P-打線焊盤分別形成在所述的鈍化層預定的位置上； 所述的N-非有效條形電極和所述的P-非有效條形電極分別形成在所述的鈍化層預定的 位置上；所述的N-混合條形電極包括N-有效電極部分和N-非有效電極部分，所述的 N-非有效電極部分形成在所述的鈍化層上，所述的N-有效電極部分形成在所述的N-半 通槽中的暴露的N-類型限制層上；所述的P-混合條形電極包括P-有效電極部分和P-非 有效電極部分，所述的P-非有效電極部分形成在所述的鈍化層上，所述的P-有效電極部 分形成在所述的P-半通槽的底部的暴露的透明電極上。
2.權利要求1的橫向結構LED晶片，其特徵在於，多個所述的N-有效電極部分基本 互相平行。
3.權利要求1的橫向結構LED晶片，其特徵在於，多個所述的P-有效電極部分基本 互相平行。
4.權利要求1的橫向結構LED晶片，其特徵在於，相鄰的所述的N-有效電極部分和 所述的P-有效電極部分基本互相平行。
5.權利要求1的橫向結構LED晶片，其特徵在於，所述的半導體外延層和所述的透 明電極之間形成反射層；所述的反射層的位置、形狀和尺寸分別與所述的N-打線焊盤和 P-打線焊盤相對應。
6.權利要求1的橫向結構LED晶片，其特徵在於，所述的鈍化層和所述的透明電極 之間形成反射層；所述的反射層的位置、形狀和尺寸分別與所述的N-打線焊盤和P-打 線焊盤相對應。
7.權利要求1的橫向結構LED晶片，其特徵在於，所述的半導體外延層和所述的透 明電極之間形成反射層；所述的反射層的位置、形狀與尺寸分別與所述的N-非有效條形 電極和P-非有效條形電極相對應。
8.權利要求1的橫向結構LED晶片，其特徵在於，所述的鈍化層和所述的透明電極 之間形成反射層；所述的反射層的位置、形狀與尺寸分別與所述的N-非有效條形電極和 P-非有效條形電極相對應。
9.權利要求1的橫向結構LED晶片，其特徵在於，所述的半導體外延層和所述的透 明電極之間形成反射層；所述的反射層的位置、形狀與尺寸分別與所述的N-非有效電極 部分和所述的P-非有效電極部分相對應。
10.權利要求1的橫向結構LED晶片，其特徵在於，所述的鈍化層和所述的透明電極 之間形成反射層；所述的反射層的位置、形狀與尺寸分別與所述的N-非有效電極部分和 所述的P-非有效電極部分相對應。
專利摘要橫向結構LED晶片，包括生長襯底、半導體外延層、透明電極、鈍化層、電極。半導體外延層內部有半通槽，其底部是N-類型限制層。鈍化層形成在透明電極上並且覆蓋半導體外延層半通槽的側面和底面。N-類型限制層在N-半通槽中暴露。透明電極在P-半通槽中暴露。電極包括，N-和P-打線焊盤、N-和P-非有效條形電極、N-和P-混合條形電極。N-打線焊盤、P-打線焊盤和N-和P-非有效條形電極分別形成在鈍化層預定的位置上。N-和P-混合條形電極分別包括N-和P-有效電極部分和N-和P-非有效電極部分，N-有效電極部分形成在N-半通槽中的暴露的N-類型限制層上，P-有效電極部分形成在P-半通槽的底部的暴露的透明電極上。相鄰的N-有效電極部分和P-有效電極部分基本互相平行。
文檔編號H01L33/36GK201796941SQ20102016804
公開日2011年4月13日 申請日期2010年4月23日 優先權日2010年4月23日
發明者彭暉 申請人:彭暉, 金芃