一種控制衰減器膜厚的方法
2023-05-15 02:32:46
專利名稱：一種控制衰減器膜厚的方法
專利說明一種控制衰減器膜厚的方法 技術領域：
本發明屬於真空鍍膜這個技術領域，特別屬於一種控制行波管衰減器的真空鍍膜厚度的方法。
背景技術：
當前，行波管已成為雷達、電子對抗、中繼通信、衛星通信、電視直播衛星、導航、遙感、遙控、遙測等電子設備的重要微波電子器件。行波管的特點是頻帶寬、增益高、動態範圍大和噪聲低。行波管頻帶寬度(頻帶高低兩端頻率之差/中心頻率)可達100％以上，增益在25～70分貝範圍內，低噪聲行波管的噪聲係數最低可達1～2分貝。
行波管常用的慢波電路有兩類螺旋線型電路和耦合腔型電路。螺旋線型慢波電路包括螺旋線、環杆線、環圈線等。螺旋線結構簡單、色散弱，因而頻帶寬，缺點是散熱能力差，工作電壓高時易產生返波振湯。螺旋線多用於寬頻帶、中小功率行波管，行波管是一種寬頻帶、高增益器件，容易產生自激振蕩，破壞行波管的正常工作，特別在高增益狀態下，管內微小的反射就能引起自激振蕩，而行波管的輸入端和輸出端的反射一般很難完全消除。為了提高行波管的穩定性，充分發揮行波管高增益的優點，需在管內設置集中衰減器來切斷反饋的途徑。集中衰減器輸入、輸出能量耦合器與慢波電路之間和慢波電路各部分之間，都應有良好的阻抗匹配。匹配不佳會造成電磁波反射。反射波引起反饋，會導致行波管內出現寄生振湯。為避免這種振湯，須在慢波電路的一定位置上設置集中衰減器。
集中衰減器由損耗塗層或損耗陶瓷片構成。在集中衰減器處，反射波被吸收，可達到消除反饋抑制振湯的目的。雖然在集中衰減器中工作模式的微波場同樣也受到衰減，但電子注內業已形成的密度調製將在下一段電路中重新建立起微波場。目前行波管的增益能達到60分貝左右。如能進一步改進衰減器的質量，特別是衰減器漸變段的衰減膜厚度的控制，才能提高衰減器漸變段的匹配性能，進一步提高行波管增益。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是在夾持杆上真空鍍金屬衰減膜時，可以根據設計要求在衰減器的相應位置上得到所需厚度的衰減膜。
本發明是通過以下技術方案解決上述技術問題的本發明解決技術問題的技術方案一種控制衰減器膜厚的方法，包括以下步驟 a.在真空鍍膜機鍍膜室的隔板縫處同時放置衰減器和標準試樣，所述標準試樣與所述衰減器等長，底部設有氧化鈹陶瓷底座和導電膜，所述導電膜通過導線與真空鍍膜室外的萬用表相連； b.將真空鍍膜機擋板的起始位置設在所述衰減器左側21.5mm處，然後開始進行真空鍍膜，當萬用表顯示阻值顯示為1.05KΩ時，相應地控制所述擋板向右移動0.5mm距離；重複上述步驟，當萬用表顯示阻值分別顯示為1.0、0.95、0.85、0.75、0.7、0.65、0.56、0.48、0.42、0.35、0.30、0.28、0.26、0.23、0.18、0.16、0.14、0.12、0.10、0.08、0.07、0.06、0.05、0.034KΩ時，所述萬用表阻值每達到一個相應數值，就相應地控制所述擋板向右移動0.5mm距離，直至所述擋板移至距離所述衰減器左側8.5mm的位置停止。
本發明原理是衰減器的衰減膜厚與衰減膜的阻值呈反比衰減膜層是導電材料，膜層越厚阻值就越小。衰減器在真空鍍膜室內鍍衰減膜時，在衰減器旁邊放置標準試樣一起鍍膜，通過測量標準試樣導電膜的阻值來間接反映衰減膜的阻值，衰減膜的阻值是用間距為1±0.03mm的兩個探針以1mm的步長測量的，控制衰減器質量就是要求膜層的阻值按照圖3曲線分布。當標準試樣導電膜阻值每下降到一個相應數值，意味著衰減膜已達到所需厚度，此時便精確調節擋板的位置，由於擋板處於衰減器下方，隔斷了蒸發源的蒸發路徑，在移動過程中被擋板擋住的部分就沒有膜料蒸發上去，因而這部分的膜厚比沒有被擋住的地方薄，從而能控制不同位置的衰減膜厚變化程度，使加工出來的衰減膜達到所需的厚度。
本發明的優點在於本發明與現有技術相比，在真空鍍衰減膜時，通過萬用表顯示標準試樣的阻值變化和通過移動衰減器的擋板位置，實現了對衰減器的衰減膜厚特別是衰減器漸變段的膜厚的控制，改善了衰減器漸變段的匹配性能，提高行波管的增益。
下面參照附圖結合實施例對本發明作進一步的描述。
圖1為本發明真空鍍膜室結構示意圖， 圖2為本發明標準試樣的結構示意圖， 圖3為衰減器表面衰減膜阻值分布圖。
圖中，1導線，2蒸發源，3真空鍍膜室隔板，4標準試樣，5衰減器，6真空鍍膜室擋板，7真空鍍膜室，8導電膜，9氧化鈹陶瓷底座，10擋板轉盤。
具體實施方式
如圖1-3所示，下面通過實例來說明這種控制衰減器膜厚的技術。
在真空鍍膜室隔板3縫處同時放置衰減器5和標準試樣4，標準試樣4與衰減器5等長，底部設有氧化鈹陶瓷底座9和導電膜8，導電膜8通過導線1與真空鍍膜室7外的萬用表相連； 將真空鍍膜室擋板6的起始位置設在衰減器5左側21.5mm處，然後開始進行真空鍍膜，當萬用表顯示阻值顯示為1.05KΩ時，相應地控制擋板向右移動0.5mm距離；同理，當萬用表顯示阻值分別顯示為1.0、0.95、0.85、0.75、0.7、0.65、0.56、0.48、0.42、0.35、0.30、0.28、0.26、0.23、0.18、0.16、0.14、0.12、0.10、0.08、0.07、0.06、0.05、0.034KΩ時，萬用表阻值每達到一個相應數值，就相應地控制擋板向右移動0.5mm距離，直至擋板移至距離衰減器左側8.5mm的位置停止。阻值和擋板移動距離對應關係見下表
當萬用表顯示1.05KΩ時，轉動擋板轉盤10，然後隨著萬用表顯示阻值的變化，通過不停地轉動轉盤10來移動擋板6的位置，轉盤10轉一圈，擋板6就前進1mm，轉盤10轉半圈就前進0.5mm。當擋板6位置移至衰減器5左側8.5mm處停止，此時，萬用表顯示的電阻為0.034KΩ。
衰減器5表面衰減膜的理想電阻阻值分布如圖3所示。圖3中的阻值是製作結束後取出放在另一夾具上，在衰減膜表面用間距為1±0.03mm的兩個探針以1mm的步長測量的。衰減器的表面上的衰減膜在圖3中CD段的電阻值單調改變，在CD段超過1mm的範圍內，測量電阻應該為無窮大。
以上實例說明，只需要在真空鍍衰減膜時，觀察標準試樣的電阻變化，並通過轉動真空鍍膜室外的轉盤來調節衰減膜擋板的位置，就可以得到在衰減器不同位置上的不同衰減膜厚度。
儘管已經示出和描述了本發明的實施例，對於本領域的普通技術人員而言，可以理解在不脫離本發明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發明的範圍由所附權利要求及其等同物限定。
權利要求
1.一種控制衰減器膜厚的方法，其特徵在於包括以下步驟
a.在真空鍍膜機鍍膜室的隔板縫處同時放置衰減器和標準試樣，所述標準試樣與所述衰減器等長，底部設有氧化鈹陶瓷底座和導電膜，所述導電膜通過導線與真空鍍膜室外的萬用表相連；
b.將真空鍍膜機擋板的起始位置設在所述衰減器左側21.5mm處，然後開始進行真空鍍膜，當萬用表顯示阻值顯示為1.05KΩ時，相應地控制所述擋板向右移動0.5mm距離；重複上述步驟，當萬用表顯示阻值分別顯示為1.0、0.95、0.85、0.75、0.7、0.65、0.56、0.48、0.42、0.35、0.30、0.28、0.26、0.23、0.18、0.16、0.14、0.12、0.10、0.08、0.07、0.06、0.05、0.034KΩ時，所述萬用表阻值每達到一個相應數值，就相應地控制所述擋板向右移動0.5mm距離，直至所述擋板移至距離所述衰減器左側8.5mm的位置停止。
全文摘要
本發明屬於真空鍍膜這個技術領域，特別屬於一種控制行波管衰減器的真空鍍膜厚度的方法，在真空鍍膜機鍍膜室的隔板縫處同時放置衰減器和標準試樣，所述標準試樣與所述衰減器等長，底部設有氧化鈹陶瓷底座和導電膜，所述導電膜通過導線與真空鍍膜室外的萬用表相連。本發明與現有技術相比，在真空鍍衰減膜時，通過萬用表顯示標準試樣的阻值變化和通過在真空鍍膜室外轉動擋板轉盤，來精確移動擋板位置，隔斷蒸發源的蒸發路徑，在移動過程中被擋板擋住部分的膜厚比沒有被擋住的地方薄，從而能控制不同位置的衰減膜厚變化程度，使加工出來的衰減膜達到所需的厚度，改善了衰減器漸變段的匹配性能。
文檔編號C23C14/24GK101775582SQ20101010908
公開日2010年7月14日 申請日期2010年2月5日 優先權日2010年2月5日
發明者吳華夏, 賀兆昌, 周秋俊, 殷園華, 張文丙, 朱剛, 劉偉, 邵海根 申請人:安徽華東光電技術研究所