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一種半透半反式液晶面板的製備方法

2023-05-11 13:05:56 1

一種半透半反式液晶面板的製備方法
【專利摘要】本發明公開了一種半透半反式液晶面板的製備方法,包括:在所述第二基板上塗覆第二取向層;利用所述反射層作為掩膜版,從第二基板的下方對所述第二取向層進行光取向;從第二基板的上方對所述第二取向層進行光取向。運用該方法可在省略掩膜工藝的情況下生成多疇液晶取向方式的半透半反的液晶面板,工藝簡單,且降低生產成本。
【專利說明】一種半透半反式液晶面板的製備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及液晶顯示【技術領域】,尤其涉及一種半透半反式液晶面板的製備方法。【背景技術】
[0002]由於液晶顯示器為非自發光的顯示器,因此液晶顯示面板必須搭配光源,如:背光源、前光源或外界光源,方可進行影像的顯示。根據光源的利用方式不同,可將液晶顯示器分為:穿透式液晶顯示器、反射式液晶顯示器和半透半反式液晶顯示器三種。目前,由於半透半反式液晶顯示器能同時運用外界光源和背光源所提供的光線,且有利於應用在可攜式產品上,因此已經逐漸受到關注。
[0003]圖1為現有技術中雙盒厚的半透半反式液晶面板的基本結構示意圖,如圖1所示,半透半反式液晶面板具有上基板和下基板(圖1中未示出),上、下個偏光片I分別位於上基板上表面和下基板的下表面;上下基板之間設有液晶層3。上下基板上設有多個像素,每個像素具有多個子像素,每個子像素中包括透射區8 (虛線右側區域)和反射區9 (虛線左側區域),在反射區9對應的下基板上,設置有反射層2,也就是Mirror或稱為反射電極,所述反射層2通常由金屬濺射而成,用來反射射入到反射區9的光。
[0004]圖2 為面內開關(In-Plane Switching, IPS)、邊緣場開關(FringeFieldSwitching, FFS)和先進的三維開關(Advanced Super Dimension Switch, ADS)模式液晶面板的基本原理結構示意圖,如圖2所示,液晶分子具有偏振軸,包括長軸4和短軸5 ;在無電場的情況下,如圖2 Ca)所示,長軸4的方向和顯示方向是平行的,短軸5的方向和顯示方向是垂直的;而在加入電場後,如圖2 (b)所示,液晶分子會發生偏轉,因此,液晶的長軸4和顯示方向具有夾角Φ,經過液晶分子的偏振光發生延遲,從而液晶面板的透過率T和sin220存在正比關係。
[0005]圖3為IPS、FFS和ADS模式液晶面板透射區和反射區採取相同液晶取向情況下的顯示方式示意圖,如圖3 (a)所示,在不加電壓的情況下,液晶分子不產生延遲,由於上、下偏光片的偏振方向垂直,所以在反射區9,光能夠全部射出,為常白模式;在透射區8,光不能射出,為常黑模式,這樣,在同一個子像素中,既有常白模式,也有常黑模式,液晶面板不能實現顯示;如圖3 (b)所示,在加電壓的情況下,液晶分子偏轉45°,因此,能夠實現半透半反的顯示。可以看出,透射區8和反射區9採取相同液晶取向時,液晶面板會在不加電壓的情況下存在不能顯示的問題。
[0006]目前,IPS、FFS和ADS模式的半透半反式液晶面板的一種典型結構就是採用多疇液晶取向的方式,在透射區和反射區採用不同的液晶取向。
[0007]圖4為IPS、FFS和ADS模式液晶面板透射區和反射區採取不同液晶取向情況下的顯示方式示意圖,如圖4 (a)所示,在不加電壓的情況下,在反射區9,液晶分子的預傾角Φ為45° ,光經過反射後的偏振方向和上偏光片的偏振軸方向垂直,光不能出射,為常黑模式;在透射區8,光不能射出,同樣為常黑模式,這樣在同一個像素中,反射區和透射區的顯示效果相同。如圖4 (b)所示,在加電壓的情況下,液晶分子發生偏轉,在反射區9,液晶分子偏轉45°後,液晶分子不產生延遲,光能夠射出;在透射區,液晶分子產生延遲,光能夠射出,因此液晶面板可實現顯示。
[0008]為實現上述多疇液晶取向的結構,現有通常採取配合掩膜版進行選擇性的曝光方式。但現有的選擇曝光方法需要複雜的掩膜版,不僅工藝複雜,且掩膜版的生產成本很高。

【發明內容】

[0009]有鑑於此,本發明的主要目的在於提供一種半透半反式液晶面板的製備方法,能在省略掩膜工藝的情況下生成多疇液晶取向方式的半透半反式液晶面板。
[0010]為達到上述目的,本發明的技術方案是這樣實現的:
[0011]一種半透半反式液晶面板的製備方法,所述液晶面板包括:第一基板、第二基板以及位於第一基板和第二基板之間的由多個液晶分子組成的液晶層;所述第一基板和所述第二基板上設置有多個像素,每個像素包括至少一個子像素,每個子像素包括反射區和透射區,所述第二基板對應於反射區的區域上設置有反射層;其特徵在於,所述製備方法包括:
[0012]在所述第二基板上塗覆第二取向層;
[0013]利用所述反射層作為掩膜版,從第二基板的下方對所述第二取向層進行光取向;
[0014]從第二基板的上方對所述第二取向層進行光取向。
[0015]其中,所述從第二基板的下方對所述第二取向層進行光取向,為:
[0016]對所述第二取向層對應透射區的區域進行光取向。
[0017]其中,所述從第二基板的上方對所述第二取向層進行光取向,為:
[0018]對所述第一取向層和所述第二取向層對應反射區的區域進行光取向。
[0019]其中,還包括:在所述第一基板上塗覆第一取向層;對所述第一取向層進行光取向。
[0020]上述方案中,所述第一取向層對應於反射區的區域與所述第二取向層對應於反射區的區域的取向不同。
[0021]上述方案中,所述第一取向層對應於透射區的區域與所述第二取向層對應於透射區的區域的取向相同。
[0022]上述方案中,所述第二取向層對應於反射區的區域和所述第二取向層對應於透射區的區域的取向不同。
[0023]本發明提供的半透半反式液晶面板的製備方法,在液晶面板的下基板上分別塗覆取向層;利用反射層作為掩膜版,從下基板的下方對下基板上的取向層進行光取向;從下基板的上方對下基板上的取向層進行光取向。本發明不需要額外的掩膜版,藉助原有的反射層即可進行取向層的光取向,以實現多疇液晶取向結構,不僅實現工藝簡單,而且節約成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1為現有技術中雙盒厚的半透半反式液晶面板的基本結構示意圖;
[0025]圖2為IPS、FFS和ADS模式液晶面板的基本原理結構示意圖;
[0026]圖3為IPS、FFS和ADS模式液晶面板透射區和反射區採取相同液晶取向情況下的顯示方式示意圖;[0027]圖4為IPS、FFS和ADS模式液晶面板透射區和反射區採取不同液晶取向情況下的顯示方式示意圖;
[0028]圖5為本發明半透半反式液晶面板的製備方法中第二取向層的實現流程示意圖;
[0029]圖6為本發明單盒厚的半透半反式液晶面板中從第二基板的下方對第二取向層進行光取向的工藝示意圖;
[0030]圖7為本發明單盒厚的半透半反式液晶面板中從第二基板的上方對第二取向層進行光取向的工藝示意圖。
[0031]附圖標記說明:
[0032]1、偏光片;2、反射層;3、液晶層;4、長軸;5、短軸;6、第二基板;7、第二取向層;8、
透射區;9、反射區;10、絕緣層。
【具體實施方式】
[0033]本發明的基本思想是:在液晶面板的上下基板上分別塗覆取向層;上基板正常光取向;利用反射層作為掩膜版,從下基板的下方對下基板上的取向層進行光取向;從下基板的上方對下基板上的取向層進行光取向。
[0034]這裡,可將上基板稱為第一基板,將下基板稱為第二基板;相應的,所述第一基板上塗覆的取向層稱為第一取向層,所述第二基板上塗覆的取向層稱為第二取向層。
[0035]下面結合附圖及具體實施例對本發明作進一步詳細說明。
[0036]為了便於理解,首先再結合圖1對半透半反式液晶面板的結構進行簡單描述。
[0037]本發明中,所述半透半反式液晶面板的結構與現有技術相同,包括:第一基板(圖1中未示出)、第二基板(圖1中未示出)、以及位於第一基板和第二基板之間的由多個液晶分子組成的液晶層3,所述第一基板和所述第二基板上設置有多個像素,每個像素包括至少一個子像素,每個子像素包括反射區和透射區,所述第二基板對應於反射區的區域上設置有反射層;所述第一基板上設置有第一取向層,所述第二基板上設置有第二取向層。
[0038]其中,為了實現多疇取向,所述第一取向層對應於反射區的區域與所述第二取向層對應於反射區的區域的取向不同,所述第一取向層對應於透射區的區域與所述第二取向層對應於透射區的區域的取向相同,所述第二取向層對應於反射區的區域和所述第二取向層對應於透射區的區域的取向不同。
[0039]圖5為本發明半透半反式液晶面板的製備方法中的第二取向層實現流程示意圖,如圖5所示,包括如下步驟:
[0040]步驟501:在液晶面板的第二基板上分別塗覆取向層;
[0041]具體為:在液晶面板的在第二基板上塗覆取向液,形成第二取向層。
[0042]步驟502:利用反射層作為掩膜版,從第二基板的下方對第二取向層進行光取向;
[0043]圖6為本發明單盒厚的半透半反式液晶面板中從第二基板的下方對第二取向層進行光取向的工藝示意圖。如圖6所示,第二基板6的上方設置有絕緣層10,在絕緣層10對應於反射區的區域的部分內設置反射層2,即使得液晶面板具有單盒厚結構。利用反射層2作為掩膜版,從第二基板6的下方對所述第二取向層7進行光取向。由於反射層2的遮擋,反射區9對應區域的第二取向層7沒有進行光取向,只有透射區8對應區域的第二取向層7具有了光取向。[0044]這樣,該步驟即為:利用所述反射層作為掩膜版,從第二基板的下方對第二取向層對應透射區的區域進行光取向。
[0045]步驟503:從第二基板的上方對第二取向層進行光取向;
[0046]圖7為本發明單盒厚的半透半反式液晶面板中從第二基板的上方對第二取向層進行光取向的工藝示意圖。如圖7所示,從第二基板6的上方對所述第二取向層7進行光取向。由於透射區8對應區域的第二取向層7已經具有了光取向,其取向不會再由於受到光照而被改變。因此,只有反射區9對應的的第二取向層7被光取向。這樣,第二取向層7的透射區和反射區對應的區域就具有了不同的光取向。
[0047]這樣,該步驟即為:從第二基板的上方對所述第二取向層對應反射區的區域進行光取向。
[0048]其中,對第一基板的取向處理為:在第一基板上塗覆取向液形成第一取向層;對第一取向層進行光取向。這樣處理後,使得所述第一取向層對應於反射區的區域與所述第二取向層對應於反射區的區域的取向不同,所述第一取向層對應於透射區的區域與所述第二取向層對應於透射區的區域的取向相同,所述第二取向層對應於反射區的區域和所述第二取向層對應於透射區的區域的取向不同。
[0049]具體地,在第一基板和第二基板取向完成後,對第一基板和第二基板進行對盒處理,再封入液晶,然後再進行切割、貼附光學膜和模組組裝,最終形成液晶面板。
[0050]另外,本發明也可以採用雙盒厚的半透半反式液晶面板結構,在此不作限定。
[0051]以上實施方式僅用於說明本發明,而並非對本發明的限制,有關【技術領域】的普通技術人員,在不脫離本發明的精神和範圍的情況下,還可以做出各種變化和變型,因此所有等同的技術方案也屬於本發明的範疇,本發明的專利保護範圍應由權利要求限定。
【權利要求】
1.一種半透半反式液晶面板的製備方法,所述液晶面板包括:第一基板、第二基板以及位於第一基板和第二基板之間的由多個液晶分子組成的液晶層;所述第一基板和所述第二基板上設置有多個像素,每個像素包括至少一個子像素,每個子像素包括反射區和透射區,所述第二基板對應於反射區的區域上設置有反射層;其特徵在於,所述製備方法包括: 在所述第二基板上塗覆第二取向層; 利用所述反射層作為掩膜版,從第二基板的下方對所述第二取向層進行光取向; 從第二基板的上方對所述第二取向層進行光取向。
2.根據權利要求1所述的製備方法,其特徵在於,所述從第二基板的下方對所述第二取向層進行光取向,為: 對所述第二取向層對應透射區的區域進行光取向。
3.根據權利要求1所述的製備方法,其特徵在於,所述從第二基板的上方對所述第二取向層進行光取向,為: 對所述第一取向層和所述第二取向層對應反射區的區域進行光取向。
4.根據權利要求1所述的製備方法,其特徵在於,還包括: 在所述第一基板上塗覆第一取向層;對所述第一取向層進行光取向。
5.根據權利要求1-4任一項所述的製備方法,其特徵在於,所述第一取向層對應於反射區的區域與所述第二取向層對應於反射區的區域的取向不同。
6.根據權利要求1-4任一項所述的製備方法,其特徵在於,所述第一取向層對應於透射區的區域與所述第二取向層對應於透射區的區域的取向相同。
7.根據權利要求1-4任一項所述的製備方法,其特徵在於,所述第二取向層對應於反射區的區域和所述第二取向層對應於透射區的區域的取向不同。
【文檔編號】G02F1/1337GK103869542SQ201210533379
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2012年12月11日 優先權日:2012年12月11日
【發明者】鈴木照晃 申請人:京東方科技集團股份有限公司

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