高透型低輻射鍍膜玻璃的製作方法
2023-05-05 02:03:06
專利名稱：高透型低輻射鍍膜玻璃的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及玻璃領域，特別涉及一種高透型低輻射鍍膜玻璃。
背景技術：
中國專利CN2721633公開了一種特殊膜系的低輻射鍍膜玻璃，包括有玻璃基片， 在玻璃基片上複合有五個膜層，第一膜層即底層為金屬氧化物膜層；第二膜層為金屬或合金阻擋層；第三膜層為金屬銀；第四膜層為金屬或合金阻擋層；第五膜層即表面層為金屬氧化物膜層。該結構可確保銀層不受氧氣影響，避免銀層被氧化，使得低輻射鍍膜玻璃的功能膜層之一即銀層能很好地起到作用，獲得穩定的低輻射功能。該低輻射鍍膜玻璃具有一定的抗氧化性能，膜層耐磨性能好，耐鹼性能好，但是還存在耐酸性能略差的缺陷。
實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種光線透過率高、抗氧化性能好、膜層牢固度好、耐磨與耐酸鹼性能好的高透型低輻射鍍膜玻璃。為了解決上述技術問題，本實用新型提供一種高透型低輻射鍍膜玻璃，在玻璃基片的表面從下至上依次設置電介質層I、鎳鉻合金層I、銀層、鎳鉻合金層II和電介質層II ； 電介質層I與玻璃基片的表面相連；電介質層I和電介質層II均為氧化鋅的錫酸鹽層(即 SnZnO3層)ο作為本實用新型的高透型低輻射鍍膜玻璃的改進玻璃基片的厚度為4 12mm。作為本實用新型的高透型低輻射鍍膜玻璃的進一步改進電介質層I、鎳鉻合金層I、銀層、鎳鉻合金層II和電介質層II的厚度依次為42 46nm、0. 7 0. 9nm、8 10nm、 0. 7 0. 9nm 和 30 34nm。SiSnO3在申請號為200910089738. 9的專利中有相應告知。本實用新型的高透型低輻射鍍膜玻璃具有以下優點1、本實用新型的高透型低輻射鍍膜玻璃，在膜層厚度相同的情況下，其具有較低的光線吸收率，可得到較高的光線透過率。2、本實用新型的高透型低輻射鍍膜玻璃，可見光透過率控制在80% -83%，具有較高的遮陽係數(遮陽係數在0.6以上)。玻璃面和膜面的光學參數均控制在自然色(中性)顏色範圍內。3、本實用新型的高透型低輻射鍍膜玻璃，反射率小於8%。4、本實用新型的高透型低輻射鍍膜玻璃，以6mm透明玻璃作為玻璃基片，具體性能參數如下鍍膜面L 34. 42a -O. 79b :1. 90 玻璃面 L :33. 80a -l. 33b :-3. 80。此光學性能按GB/T 2680進行檢測，採取的儀器是分光光度計=Gradner TCSH ；手提式測色差儀Cheek 。5、本實用新型的高透型低輻射鍍膜玻璃符合GB/T 18915.2-2002中對低輻射鍍膜玻璃的性能要求，具體如下耐磨性試驗前後試樣的可見光透視比值的絕對值小於3%; 膜層牢固度好；耐鹼性好試驗前後試樣的可見光透視比值的絕對值小於4% ；耐酸性略差試驗前後試樣的可見光透視比值的絕對值小於7%。6、本實用新型的高透型低輻射鍍膜玻璃，抗氧化性能較好。在自然環境、無貼膜單片情況下能放置2個月左右。2個月後，膜面僅出現少量的小白點。
以下結合附圖對本實用新型的具體實施方式
作進一步詳細說明。
圖1是本實用新型的高透型低輻射鍍膜玻璃的主視結構示意圖；圖2是
圖1的A-A剖的剖視放大示意圖。
具體實施方式
實施例1、
圖1和圖2結合給出了一種高透型低輻射鍍膜玻璃，在玻璃基片1的表面從下至上依次設置電介質層12、鎳鉻合金層13、銀層4、鎳鉻合金層115和電介質層116 ； 電介質層12與玻璃基片1的表面相連；電介質層12和電介質層116均為氧化鋅的錫酸鹽層。玻璃基片1的厚度為6mm，電介質層12、鎳鉻合金層13、銀層4、鎳鉻合金層115和電介質層 116 的厚度依次為 44nm、0. 8nm、9nm、0. 8nm 和 32nm。其製備方法為依次進行如下步驟1、配製鍍層材料電介質層12和電介質層116採用錫和鋅混合的澆鑄圓柱型靶作為靶材，Zn Sn 的重量比為=50 50;鎳鉻合金層13和鎳鉻合金層115採用鎳鉻合金作為靶材，鎳鉻的重量比為 80 20 ；銀層4採用銀作為靶材。2、在平面磁控鍍膜機中，使本體真空壓力低於1. OX 10_5Torr (例如為 0. 8 X I(T5Torr)，鍍膜室I 鍍膜室V內的濺射壓力為2 X l(T3Torr-2· 5 X KT3Torr ；以6匪透明玻璃作為玻璃基片1。例如可選用美國AIRCO公司生產的平面磁控鍍膜機，本體真空壓力是指鍍膜機抽真空達到工藝要求的真空度。將玻璃基片1分別依次進行以下操作①、將玻璃基片1送入鍍膜室I內，在鍍膜室I內設置錫和鋅混合的澆鑄圓柱型靶，採用旋轉靶(轉速為15rpm)的方式，控制方式採用中頻電源濺射，濺射功率是44-45KW， 電源頻率是30KHZ-40KHZ ；使氧氬比為400sccm 200sccm，即O2 Ar = 2 1的流量比通入鍍膜室I內；從而在玻璃基片1上形成膜層厚度為44nm的SnaiO3層作為電介質層12 ；②、將步驟①的所得物送入鍍膜室II內，在鍍膜室II內設置鎳鉻合金作為靶材， 控制方式採用直流電源(直流電壓為^OV)的恆電流控制濺射；使250SCCm的Ar通入鍍膜室II內；從而在電介質層12上形成膜層厚度為0. Snm的鎳鉻合金層13 ；③、將步驟②的所得物送入鍍膜室III內，在鍍膜室III內設置銀作為靶材，控制方式採用直流電源(直流電壓為280V)的恆電流控制濺射；使250sCCm的Ar通入鍍膜室III內；從而在鎳鉻合金層13上形成膜層厚度為9nm的銀層4 ；④、將步驟③的所得物送入鍍膜室IV內，在鍍膜室IV內設置鎳鉻合金作為靶材， 控制方式採用直流電源(直流電壓為^OV)的恆電流控制濺射；使250SCCm的Ar通入鍍膜室IV內；從而在銀層4上形成膜層厚度為0. Snm的鎳鉻合金層115 ；上述②、③、④均是平面靶的方式；濺射功率分別是步驟②為0. 9KW、步驟③為 3KW、步驟④為0. 9KW。⑤、將步驟④的所得物送入鍍膜室V內，在鍍膜室V內設置錫和鋅混合的澆鑄圓柱型靶，採用旋轉靶(轉速為15rpm)的方式，控制方式採用中頻電源濺射，濺射功率是 37-38KW，電源頻率是 30KHZ-40KHZ ；使氧氬比為 400sccm 200sccm，即 O2 Ar = 2 1 的流量比通入鍍膜室V內；從而在鎳鉻合金層115上形成膜層厚度為32nm的SnaiO3層作為電介質層116。上述步驟① ⑤的鍍膜速度均為200Cm/min。上述步驟① ⑤中膜層的厚度可通過膜層均勻性(又稱為DDR)軟體(德國)進行測量計算，此為常規技術。經檢測該高透型低輻射鍍膜玻璃的可見光透過率為82%，遮陽係數為0.62，反射率為7. 50%。具體性能參數如下鍍膜面L 34. 42，a :-0. 79，b :1. 90 ；玻璃面L :33. 80， a -l. 33，b :-3. 80。說明該高透型低輻射鍍膜玻璃的玻璃面和膜面的光學參數均控制在自然色(中性)顏色範圍內。耐磨性試驗前後試樣的可見光透視比值的絕對值小於3% ；耐鹼性試驗前後試樣的可見光透視比值的絕對值小於4%;耐酸性試驗前後試樣的可見光透視比值的絕對值不大於7%。在自然環境、無貼膜單片情況下能放置2個月左右。耐磨性與耐鹼性均符合 GB/T18915. 2-2002低輻射鍍膜玻璃的相應標準。對比實施例1、對中國專利CN2721633所得的低輻射鍍膜玻璃進行檢測其可見光透過率為80%，遮陽係數為0.62，反射率為10%。具體性能參數如下 鍍膜面 L 35. 1，a -l. 0，b :-1. 0 ；玻璃面 L :34. 30，a :-2. 3，b :-5. 0。耐磨性試驗前後試樣的可見光透視比值的絕對值大於4% ；酸鹼性試驗前後試樣的可見光透視比值的絕對值大於4%;耐酸性試驗前後試樣的可見光透視比值的絕對值小於10%。在自然環境、無貼膜單片情況下能放置1個月左右。最後，還需要注意的是，以上列舉的僅是本實用新型的若干個具體實施例。顯然， 本實用新型不限於以上實施例，還可以有許多變形。本領域的普通技術人員能從本實用新型公開的內容直接導出或聯想到的所有變形，均應認為是本實用新型的保護範圍。
權利要求1.高透型低輻射鍍膜玻璃，其特徵是在玻璃基片(1)的表面從下至上依次設置電介質層I ( 、鎳鉻合金層I C3)、銀層(4)、鎳鉻合金層II (5)和電介質層II (6)；所述電介質層 1(2)與玻璃基片(1)的表面相連；所述電介質層1(2)和電介質層11(6)均為氧化鋅的錫酸鹽層。
2.根據權利要求1所述的高透型低輻射鍍膜玻璃，其特徵是所述玻璃基片(1)的厚度為4 12mm。
3.根據權利要求1或2所述的高透型低輻射鍍膜玻璃，其特徵是所述電介質層I(2)、 鎳鉻合金層I (3)、銀層(4)、鎳鉻合金層II (5)和電介質層II (6)的厚度依次為42 46nm、 0. 7 0. 9nm、8 10nm、0. 7 0. 9nm 和 30 34nm。
專利摘要本實用新型公開了一種高透型低輻射鍍膜玻璃，在玻璃基片(1)的表面從下至上依次設置電介質層I(2)、鎳鉻合金層I(3)、銀層(4)、鎳鉻合金層II(5)和電介質層II(6)；所述電介質層I(2)與玻璃基片(1)的表面相連；電介質層I(2)和電介質層II(6)均為氧化鋅的錫酸鹽層。該高透型低輻射鍍膜玻璃具有光線透過率高、抗氧化性能好、膜層牢固度好等特點。
文檔編號C03C17/36GK202081019SQ20112006547
公開日2011年12月21日 申請日期2011年3月13日 優先權日2011年3月13日
發明者蔡焱森, 路海泉 申請人:杭州春水鍍膜玻璃有限公司