影像感測單元及其應用的cmos影像感測裝置與陣列的製作方法
2023-05-05 00:47:46
專利名稱：影像感測單元及其應用的cmos影像感測裝置與陣列的製作方法
技術領域：
本發明是有關於一種集成電路設計，且特別是有關於一種互補型金屬氧化物半導體(complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS)影像感測裝置(image sensor device)及其影像感測陣列。
背景技術：
當今彩色的互補型金屬氧化物半導體影像感測裝置(CMOSimage sensor device)已廣為應用以提供真實的色彩影像，且已廣為應用於如數字相機的電子產品中。彩色CMOS影像感測裝置可產生代表影像中的各像素的一數字/模擬輸出，並較已知電荷耦合元件(CCD)消耗較少電量，因而增加了今日消費電子產品的電池壽命。
通常，彩色CMOS影像感應裝置包括至少一微透鏡、彩色濾光片、至少一感光二極體、耦合於感光二極體的一轉移電晶體以及用於放大由感光二極體所產生的一感測信號的一感測放大器。結合多個彩色感光二極體與彩色濾光片一起作用則使得影像感測器顯現出一真實的彩色影像。
當今影像感測單元陣列應用了多種布局圖案，其中已知影像感測單元陣列較常應用的布局圖案的一為拜爾圖案(Bayerpattern)。拜爾圖案影像感測單元包括四個方形像素，其依照2×2的形式設置在一起，其中兩綠色像素是對角地設置，而一紅色像素以及一藍色像素則設置於其他兩角落以顯現出一真實色彩。
圖1A顯示了已知的拜爾圖案的影像感測單元陣列的示意圖100。在此，拜爾圖案的影像感測單元陣列是依照3×3方式設置，具有三行與三列的影像感測單元。其中各個拜爾圖案影像感測單元，例如各影像感測單元102，需要四個設置在一起的方形像素區，藉以顯現出一真實色彩。於各拜爾圖案影像感測單元中，包括了一藍色像素區、一紅色像素區以及兩綠色像素區。於此些像素區內則設置有一或多個如感光二極體與電晶體的電子元件藉以針對感光信號而產生感不同色彩的感測信號。於此拜爾圖案影像感測單元102中，綠色像素區104是設置於左上邊角，而另一綠色像素區106則設置於右下方邊角。紅色像素區108則設置於右上邊角，而藍色像素區110則設置於左下方邊角。依照如此的安排，示意圖100內的具有拜爾圖案影像感應單元對於一寬廣影像可顯現出真實的色彩感應能力。
上述已知的影像感測單元具有如顏色失真(color distortion)與串音噪音(cross-talk noise)等缺點。如拜爾圖案影像感應單元102所示，真實色彩通過包括兩個綠色像素區104、106以及一個紅色像素區108以及一個藍色像素區110四個色彩像素所顯現出。如此將造成色彩分布的不平衡，因而導致了顏色失真與不同的串音噪聲程度。
此外，如此方形外型的拜爾圖案影像感測裝置需要方形外型的微透鏡(micro-lens)。圖1B顯示了用於影像感測單元陣列的由微透鏡層所組成的一組微透鏡的一示意圖112。當圖1A內所示的各像素區域具有一極佳90度邊角時，真實環境中用於像素區的此方形微透鏡於其邊角處已為圓滑化。區域114顯示出於四個相鄰的微透鏡間的區域損失情形。於微透鏡區的如此損失則劣化了上述的已知影像感測單元的感光度。
通常，於像素區內包括用於感測光信號的一感光二極體與用於控制及放大由感光二極體所產生的一感測信號的數個電子元件。填充係數是由感光二極體的區域除上像素區所定義得到，代表了用於量測影像感測單元的有效度的一參數。當影像感測單元的尺寸隨著新技術而持續縮減時，於像素區電子元件的尺寸內很難更進一步的縮減，而只有感光二極體的尺寸可更為縮減。對於各已知的拜爾圖案影像感測單元而言，由於像素區數量較多，因而像素區的尺寸相對為小。由於電子裝置的尺寸難以更為縮減，小的像素區代表了一更小的感光二極體區以及填充係數，其正比於感光度。因此，已知影像感測單元於進一步的尺寸縮減時感到更為不利。
然而，對於色譜分析法而言，如此的已知的拜爾圖案影像感測單元並非最佳的布局，且遭遇了如不良的填充係數(fill actor)、顏色失真(color distortion)、串音噪聲(cross-talk noise)、不良的量子效率(quantum efficiency)以及微透鏡邊角圓滑化等問題。
因此，為了克服上述問題，便需要一種較佳的影像感測單元。
發明內容
有鑑於此，本發明的主要目的就是提供一種影像感測單元，適用於CMOS影像感測裝置與陣列。
發明提供一種影像感測單元(image sensor cell)，包括一第一像素區，其內設置有至少一第一感光二極體(photodiode)，該第一感光二極體是針對一第一色彩的一光信號(photo-signal)而產生一第一感測信號；一第二像素區，相鄰於該第一像素區，其內設置有至少一第二感光二極體，該第二感光二極體是針對一第二色彩的一光信號而產生一第二感測信號；一第三像素區相鄰於該第一與第二像素區，其內設置有至少一第三感光二極體，該第三感光二極體是針對一第三色彩的一光信號而產生一第三感測信號；至少一感測放大器(sense amplifier)大體設置於該第一、第二與第三像素區內，以放大該第一、第二與第三感測信號，其中該第一、第二、第三像素區大體上具有相同的尺寸並佔據該影像感測單元的整體區域。
本發明所述的影像感測單元，該第一像素區、第二像素區與第三像素區具有大體六角形(hexagonal)的一外型。
本發明所述的影像感測單元，該第一像素區與第二像素區共用一共通邊界線(boundary line)，而該第二像素區與第三像素區共用一共通邊界線，而該第三像素區與第一像素區共用一共通邊界線。
本發明所述的影像感測單元，該第一色彩為紅色，該第二色彩為綠色，而該第三色彩為藍色。
本發明所述的影像感測單元，更包括一第一電晶體，設置於該第一像素區內並耦接該第一感光二極體，以選擇性地傳輸該第一感測信號；一第二電晶體，設置於該第二像素區內並耦接於該第二感光二極體，以選擇性地傳輸該第二感測信號；以及一第三電晶體，設置於該第三像素區內並耦接於該第三感光二極體，以選擇性地傳輸該第三感測信號。
本發明所述的影像感測單元，該感測放大器包括一源跟隨器電晶體，該源跟隨器電晶體具有耦接於一操作電壓的一漏極與耦接於該第一電晶體、第二電晶體與第三電晶體的輸出的一柵極，用以針對該第一電晶體、第二電晶體與第三電晶體的輸出而分別傳輸該操作電壓至其源極。
本發明所述的影像感測單元，該感測放大器包括一重設電晶體，該重設電晶體具有耦接於一操作電壓的一漏極、耦接於該源跟隨器電晶體的柵極與該第一電晶體、第二電晶體與第三電晶體的輸出的一源極，以選擇地傳輸該操作電壓至該源跟隨器電晶體的該柵極；以及一選擇(select)電晶體，耦接於該源跟隨器電晶體的源極與一源極電流間。
本發明所述的影像感測單元，該第一像素區、第二像素區與第三像素區具有大體圓形的外型且彼此相接觸。
本發明還提供一種互補型金屬氧化物半導體影像感測裝置，具有多個可感應光信號的感測單元的一陣列，其中各影像感測單元包括一第一六角形像素區，其內設置有至少一第一感光二極體，該第一感光二極體是針對一第一色彩的一光信號而產生一第一感測信號；一第二六角形像素區相鄰於該第一六角形像素區，其內設置有至少一第二感光二極體，該第二感光二極體是針對一第二色彩的一光信號而產生一第二感測信號；一第三六角形像素區相鄰於該第一六角形像素區與該第二六角形像素區，其內設置有至少一第三感光二極體，該第三感光二極體是針對一第三色彩的一光信號而產生一第三感測信號；以及至少一感測放大器，大體設置於該第一六角形像素區、第二六角形像素區與第三六角形像素區內，以放大該第一感測信號、第二感測信號與第三感測信號，其中該第一六角形像素區、第二六角形像素區、第三六角形像素區大體上具有相同的尺寸並佔據該影像感測單元的整個區域。
本發明所述的互補型金屬氧化物半導體影像感測裝置，該第一六角形像素區與第二六角形像素區共用一共通邊界線，該第二六角形像素區與第三六角形像素區共用一共通邊界線，而該第三六角形像素區與第一六角形像素區共用一共通邊界線。
本發明所述的互補型金屬氧化物半導體影像感測裝置，更包括一第一電晶體，設置於該第一六角形像素區內並耦接於該第一感光二極體，以選擇性地傳輸該第一感測信號；一第二電晶體，設置於該第二六角形像素區內並耦接於該第二感光二極體，以選擇性地傳輸該第二感測信號；以及一第三電晶體，設置於該第三六角形像素區內並耦接於該第三感光二極體，以選擇性地傳輸該第三感測信號。
本發明所述的互補型金屬氧化物半導體影像感測裝置，該感測放大器包括一源跟隨器電晶體，該源跟隨器電晶體具有耦接於一操作電壓的一漏極以及耦接於該第一電晶體、第二電晶體與第三電晶體的輸出的一柵極，以針對該第一電晶體、第二電晶體與第三電晶體的輸出而分別傳輸該操作電壓至其源極。
本發明又提供一種互補型金屬氧化物半導體影像感測陣列，適用於感應光信號，所述互補型金屬氧化物半導體影像感測陣列包括多個影像感測單元，各影像感測單元包括一第一像素、一第二像素以及一第三像素，其中該第二像素與第三像素相鄰於該第一像素，該第一像素與第三像素相鄰於該第二像素，而該第一像素與第二像素相鄰於該第三像素。
本發明所述的互補型金屬氧化物半導體影像感測陣列，其特徵在於，該第一像素表現出紅光、該第二像素表現出綠光，而該第三像素表現出藍光。
本發明所述影像感測單元及其應用的CMOS影像感測裝置與陣列，較已知的影像感測單元具有較高的填充係數、量子效率和微透鏡有效區域比例。
圖1A顯示了已知的拜爾圖案影像感測單元陣列；圖1B顯示了已知的拜爾圖案影像感測單元陣列中的微透鏡邊角圓滑化效應；圖2A顯示了依據本發明一實施例的一蜂巢(beehive)型影像感測單元陣列；圖2B顯示了依據本發明一實施例的一蜂巢型影像感測單元陣列的電路圖；
圖3A為一圖表，顯示了已知拜爾圖案影像感測單元與本發明的蜂巢型影像感測單元間的填充係數(fill factor)的比較情形；圖3B為一圖表，顯示了已知拜爾圖案影像感測單元與本發明的蜂巢型影像感測單元間的量子效率(quantum efficiency)的比較情形；圖3C為一圖表，顯示了已知拜爾圖案影像感測單元與本發明的蜂巢型影像感測單元間的微透鏡的有效開口率(microlenseffective area ratio)的比較情形。
具體實施例方式
為了讓本發明的上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖示，作詳細說明如下圖2A則顯示了依據本發明一實施例的一蜂巢型的影像感測陣列200。圖2A顯示了依照3×3方式排列的九個影像感測單元。其中如影像感測單元202的一影像感測單元分別包括一完整且設置在一起的三個六角形像素區，藉以顯現出一真實色彩。紅色像素區208設置於影像感測單元的右側並鄰近藍色像素區204與綠色像素區206。藍色與綠色像素區204、206則分享了一共通邊界線，而綠色與紅色像素區206、208分享了一共通邊界線，另外紅色與藍色像素區208、204則分享了一共通邊界線。紅色、綠色與藍色像素區208、206、204則大體具有相同尺寸，且大體佔據了影像感測單元202的整個區域。此影像感測單元陣列200包括了依據特定布局安排的多個影像感測單元。舉例來說，鄰近第一像素為第二像素與第三像素，鄰近第二像素的是第一像素與第三像素，而鄰近第三像素的是第一像素與第二像素。
值得注意的是，依據本發明的另一實施例，像素區204、206與208具有一圓形外觀且相互接觸。本領域技術人員當能理解CMOS影像感測技術即為搭配一多層半導體結構的一像素區，其中該多層半導體結構中可設置有微透鏡層、彩色濾光層、感光二極體以及控制元件等。
圖2B顯示了依據本發明的一實施例的影像感測單元的一電路圖210。在此，電路圖210包括三個感光二極體212、214與216，其分別針對一既定色彩的一光信號而產生一感測信號。舉例來說，感光二極體212可針對一紅色光而提供一第一感測信號，而感光二極體214、216則分別針對一綠色光及一藍色光而提供一第二與一第三感測信號。各感光二極體的陰極是耦接於對應的一MOS轉移電晶體(transfer transistor)的一源極，例如應用於對應的像素區的轉移電晶體218、220或222。各轉移電晶體218、220與222則通過一選擇信號控制，該選擇信號是施加於上述電晶體的柵極。該轉移電晶體通過該選擇信號而開啟時，其將傳輸由其對應的感光二極體所產生感測信號。
另外，亦包括一影像放大器，在此大略顯示為一重設(reset)電晶體224、一源跟隨器(source follower)電晶體228、一列選擇(row select)電晶體232與一源極電流230。影像放大器是應用於紅、綠、藍像素區內，以放大來自轉移電晶體218、220與222的輸出信號。重設電晶體224其漏極是耦合於一操作電壓VDD，而其源極是經過節點226而耦接於轉移電晶體218、220與222的輸出。源跟隨器電晶體228的柵極則耦接於節點226，而其漏極則耦接於操作電壓VDD，而其源極則透過一列選擇電晶體232耦接於源極電流230，並應用於提供上述電路一源極電流230。當源跟隨器電晶體228因於節點226施加電壓而開啟時，且當列選擇電晶體232開啟時，源極電流230可抵達供應電壓VDD。源極電流230可作為此擴大電流的一參考電流。
相較於已知拜爾圖案的影像感測單元陣列，前述的蜂巢型影像感測單元陣列具有許多優點。舉例來說，由僅設置一紅色像素區、一綠色像素區與一藍色像素區且依照一蜂巢外型排列，故其可達成具有平衡色彩分布的較佳影像。此外，可避免因微透鏡邊角圓滑化效應的區域損失。此外，由於各彩色像素區是對稱地環繞其他彩色像素區，因此串音可依照共同模組噪聲型態形成，因而較已知拜爾圖案影像感應單元的不同模式串音噪聲提供了較佳的色彩純度。
具有蜂巢型圖案影像感測單元亦較已知拜爾圖案影像感測單元具有較佳的填充係數(fill factor)。當影像感測單元的尺寸隨著新技術演進而繼續縮減時，填充係數縮減速率快於影像感測單元的縮減速率。此外，對於前述的影像感測單元與同樣尺寸的已知影像感測單元而言，由於前述的影像感測單元僅包括三彩色像素而傳統單元包括四個彩色像素，因此前述影像感測單元的各像素區皆大於已知的影像感測單元的像素區。所以，前述影像感測單元較已知的影像感測單元於面對尺寸縮減時，可遭遇較少的填充係數縮減問題。
前述的對於填充係數較為不敏感的優點，使得前述影像感測陣列適用於一CMOS影像感測裝置電荷耦合元件感測單元的各像素區通常僅包括一感光二極體以及一電晶體，而CMOS影像感測單元的各像素區則通常包括一感光二極體與多個電晶體。換句話說，隨著尺寸持續縮減，CMOS影像感測裝置對於填充係數問題為較敏感的。然而，由於填充係數對於CCD裝置並不是個大問題，因此具有前述優點的影像單元陣列適用於CMOS影像感測裝置。
圖3A顯示了如圖1A所示的已知拜爾圖案影像感測單元與圖2A所示的蜂巢型影像感測單元的填充係數(fill factor)的一比較圖表300。曲線302代表了已知拜爾圖案影像感測單元的填充係數的百分比，而曲線304則代表了蜂巢型影像感測單元的填充係數的百分比。曲線302與304顯示了已知影像感測單元與採用CMOS技術所製造出的前述影像感測單元於0.1～0.5微米的技術時代的填充係數表現。如圖表所示，曲線302、304中的填充係數隨著技術時代的縮減而縮減。然而，很明顯的可發現於相同的技術時代時，前述影像感測單元較已知的影像感測單元具有較高的填充係數。
圖3B顯示了如圖1A所示的已知拜爾圖案影像感測單元與圖2A所示的蜂巢型影像感測單元的量子效率(quantum efficiencies)的一比較圖表308，量子效率是定義為輸出信號(電子)除上輸入信號(光子)。曲線310代表了已知拜爾圖案影像感測單元的量子效率的百分比，而曲線312則代表了蜂巢型影像感測單元的量子效率的百分比。曲線310與312顯示了採用CMOS技術所製造出的已知影像感測單元與前述影像感測單元於0.1～0.5微米的技術時代的量子效率表現。如圖表所示，曲線310、312中的量子效率隨著技術時代的縮減而縮減。然而，很明顯的可發現於相同的技術時代時，前述影像感測單元較已知的影像感測單元具有較高的量子效率。
圖3C顯示了如圖1A所示的已知拜爾圖案影像感測單元與圖2A所示的蜂巢型影像感測單元的微透鏡有效區域比例(micro-lens effective area ratios)的一比較圖表314，微透鏡有效區域比例是定義為像素內實際區域比上像素區的布局區域。曲線316代表了已知拜爾圖案影像感測單元的微透鏡有效區域比例，而曲線318則代表了蜂巢型影像感測單元的微透鏡有效區域比例。曲線316與318顯示了採用CMOS技術所製造出的已知影像感測單元與前述影像感測單元於0.1～0.5微米的技術時代的微透鏡有效區域比例。如圖表所示，曲線316、318中的量子效率隨著技術時代的縮減而縮減。然而，很明顯的可發現於相同的技術時代時，前述影像感測單元較已知的影像感測單元具有較高的微透鏡有效區域比例。
雖然本發明已通過較佳實施例說明如上，但該較佳實施例並非用以限定本發明。本領域的技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，應有能力對該較佳實施例做出各種更改和補充，因此本發明的保護範圍以權利要求書的範圍為準。
附圖中符號的簡單說明如下102拜爾圖案影像感應單元104、106綠色像素區108紅色像素區110藍色像素區114四個相鄰的微透鏡間的區域200蜂巢型的影像感測陣列200202影像感測單元204藍色像素區206綠色像素區208紅色像素區210電路圖212、214、216感光二極體218、220、222轉移電晶體224重設電晶體228源跟隨器電晶體232選擇電晶體226節點230源極電流
權利要求
1.一種影像感測單元，適用於一互補型金屬氧化物半導體影像感測裝置，其特徵在於，所述影像感測單元包括一第一像素區，其內設置有至少一第一感光二極體，該第一感光二極體是針對一第一色彩的一光信號而產生一第一感測信號；一第二像素區，相鄰於該第一像素區，其內設置有至少一第二感光二極體，該第二感光二極體是針對一第二色彩的一光信號而產生一第二感測信號；一第三像素區相鄰於該第一像素區與第二像素區，其內設置有至少一第三感光二極體，該第三感光二極體是針對一第三色彩的一光信號而產生一第三感測信號；以及至少一感測放大器設置於該第一像素區、第二像素區與第三像素區內，以放大該第一感測信號、第二感測信號與第三感測信號，其中該第一像素區、第二像素區、第三像素區佔據該影像感測單元的整體區域。
2.根據權利要求1所述的影像感測單元，其特徵在於，該第一像素區、第二像素區與第三像素區具有六角形的一外型。
3.根據權利要求2所述的影像感測單元，其特徵在於，該第一像素區與第二像素區共用一共通邊界線，而該第二像素區與第三像素區共用一共通邊界線，而該第三像素區與第一像素區共用一共通邊界線。
4.根據權利要求2所述的影像感測單元，其特徵在於，該第一色彩為紅色，該第二色彩為綠色，而該第三色彩為藍色。
5.根據權利要求1所述的影像感測單元，其特徵在於，更包括一第一電晶體，設置於該第一像素區內並耦接該第一感光二極體，以選擇性地傳輸該第一感測信號；一第二電晶體，設置於該第二像素區內並耦接於該第二感光二極體，以選擇性地傳輸該第二感測信號；以及一第三電晶體，設置於該第三像素區內並耦接於該第三感光二極體，以選擇性地傳輸該第三感測信號。
6.根據權利要求5所述的影像感測單元，其特徵在於，該感測放大器包括一源跟隨器電晶體，該源跟隨器電晶體具有耦接於一操作電壓的一漏極與耦接於該第一電晶體、第二電晶體與第三電晶體的輸出的一柵極，用以針對該第一電晶體、第二電晶體與第三電晶體的輸出而分別傳輸該操作電壓至其源極。
7.根據權利要求6所述的影像感測單元，其特徵在於，該感測放大器包括一重設電晶體，該重設電晶體具有耦接於一操作電壓的一漏極、耦接於該源跟隨器電晶體的柵極與該第一電晶體、第二電晶體與第三電晶體的輸出的一源極，以選擇地傳輸該操作電壓至該源跟隨器電晶體的該柵極；以及一選擇電晶體，耦接於該源跟隨器電晶體的源極與一源極電流間。
8.根據權利要求1所述的影像感測單元，其特徵在於，該第一像素區、第二像素區與第三像素區具有圓形的外型且彼此相接觸。
9.一種互補型金屬氧化物半導體影像感測裝置，其特徵在於，具有多個可感應光信號的感測單元的一陣列，其中各影像感測單元包括一第一六角形像素區，其內設置有至少一第一感光二極體，該第一感光二極體是針對一第一色彩的一光信號而產生一第一感測信號；一第二六角形像素區相鄰於該第一六角形像素區，其內設置有至少一第二感光二極體，該第二感光二極體是針對一第二色彩的一光信號而產生一第二感測信號；一第三六角形像素區相鄰於該第一六角形像素區與該第二六角形像素區，其內設置有至少一第三感光二極體，該第三感光二極體是針對一第三色彩的一光信號而產生一第三感測信號；以及至少一感測放大器，設置於該第一六角形像素區、第二六角形像素區與第三六角形像素區內，以放大該第一感測信號、第二感測信號與第三感測信號，其中該第一六角形像素區、第二六角形像素區、第三六角形像素區具有相同的尺寸並佔據該影像感測單元的整個區域。
10.根據權利要求9所述的互補型金屬氧化物半導體影像感測裝置，其特徵在於，該第一六角形像素區與第二六角形像素區共用一共通邊界線，該第二六角形像素區與第三六角形像素區共用一共通邊界線，而該第三六角形像素區與第一六角形像素區共用一共通邊界線。
11.根據權利要求9所述的互補型金屬氧化物半導體影像感測裝置，其特徵在於，更包括一第一電晶體，設置於該第一六角形像素區內並耦接於該第一感光二極體，以選擇性地傳輸該第一感測信號；一第二電晶體，設置於該第二六角形像素區內並耦接於該第二感光二極體，以選擇性地傳輸該第二感測信號；以及一第三電晶體，設置於該第三六角形像素區內並耦接於該第三感光二極體，以選擇性地傳輸該第三感測信號。
12.根據權利要求11所述的互補型金屬氧化物半導體影像感測裝置，其特徵在於，該感測放大器包括一源跟隨器電晶體，該源跟隨器電晶體具有耦接於一操作電壓的一漏極以及耦接於該第一電晶體、第二電晶體與第三電晶體的輸出的一柵極，以針對該第一電晶體、第二電晶體與第三電晶體的輸出而分別傳輸該操作電壓至其源極。
13.一種互補型金屬氧化物半導體影像感測陣列，適用於感應光信號，其特徵在於，所述互補型金屬氧化物半導體影像感測陣列包括多個影像感測單元，各影像感測單元包括一第一像素、一第二像素以及一第三像素，其中該第二像素與第三像素相鄰於該第一像素，該第一像素與第三像素相鄰於該第二像素，而該第一像素與第二像素相鄰於該第三像素。
14.根據權利要求13所述的互補型金屬氧化物半導體影像感測陣列，其特徵在於，該第一像素表現出紅光、該第二像素表現出綠光，而該第三像素表現出藍光。
全文摘要
本發明關於一種影像感測單元及其應用的CMOS影像感測裝置與陣列，該影像感測單元包括一第一像素區，其內設置有至少一第一感光二極體，第一感光二極體是針對一第一色彩的一光信號而產生一第一感測信號；一第二像素區，鄰近第一像素區，其內設置有至少一第二感光二極體，第二感光二極體是針對一第二色彩的一光信號而產生一第二感測信號；一第三像素區鄰近第一與第二像素區，其內設置有至少一第三感光二極體，第三感光二極體是針對一第三色彩的一光信號而產生一第三感測信號；至少一感測放大器大體設置於第一、第二與第三像素區內，以放大第一、第二與第三感測信號，第一、第二、第三像素區大體上具有相同的尺寸並佔據影像感測單元的整體區域。
文檔編號H04N5/335GK1901630SQ20061010354
公開日2007年1月24日 申請日期2006年7月21日 優先權日2005年7月22日
發明者許慈軒, 楊敦年, 張志光 申請人:臺灣積體電路製造股份有限公司