用於特徵化光學系統的偏振特性的布置及方法

2023-05-05 04:02:46 1

專利名稱：：用於特徵化光學系統的偏振特性的布置及方法
技術領域：
：本發明涉及特徵化光學系統的偏振特性的布置及方法。
背景技術：
：微光刻技術用於生產諸如集成電路或IXD的微結構化組件。微光刻工藝在具有照明系統及投射物鏡的所謂投射曝光設備中執行。在該情況下，利用投射物鏡將利用照明系統照明的掩模(=掩模母版)的像投射至塗布有光敏層(光刻膠)且布置在投射物鏡的像平面中的基板(例如矽晶片)上，以將掩模結構轉印至基板上的光敏塗層上。已知在尤其具有高數值孔徑的高解析度成像系統(例如上述的微光刻投射曝光設備)中，無法再忽視成像系統對在操作中通過成像系統的輻射的偏振狀態的影響。這是由於成像對比度因偏振影響效應(例如諸如透鏡或反射鏡的光學組件材料的由保持組件導致的應力雙折射、介電質層的偏振影響效應等)而改變。因此希望儘可能可靠地確定此類成像系統(尤其是大孔徑的成像系統)的偏振特性，以便一方面得到關於依賴於偏振的成像質量的適當結論，及另一方面能夠採取可行的合適方法來操控偏振特性。US7286245B2公開了確定光學成像系統對光學福射偏振狀態的影響的方法及設備等，其中在成像系統物平面中提供限定的入射偏振狀態，及其中在成像系統的預定光瞳區域內以光瞳分辨關係測量從成像系統發出的輻射的出射偏振狀態。成像系統例如可以是設計用于波長範圍約248nm或193nm的投射曝光設備的投射物鏡。由於缺少可用的合適透明折射材料，反射鏡被用作設計用於EUV範圍(也就是說，例如約13nm或約7nm的波長)的投射物鏡中的成像過程的光學組件。在該情況下，有關上述特徵化偏振特性所引起的問題在於使用反射光學組件實施如上所述的測量結構將引起許多關於所需結構空間、甚至缺乏耐久性的問題。
發明內容在了解上述背景後，本發明的目的在於提供特徵化光學系統的偏振特性的布置及方法，其即使在EUV工作波長處也允許可靠地特徵化偏振特性，且同時具有緊湊的結構。此目的可通過根據獨立權利要求I的特徵的布置及根據權利要求21的方法獲得。一種用於特徵化光學系統(尤其是微光刻投射曝光設備的光學系統)的偏振特性的布置，包含-至少一個偏振態產生器，其設定入射於光學系統上的福射的限定的偏振狀態；及-偏振態檢測器，其適配於測量從光學系統發出的輻射的出射偏振狀態；-其中光學系統被設計用於小於15nm的工作波長；以及-其中偏振態產生器和/或偏振態檢測器被設計成其對入射光束的偏振光學作用在所述光束的至少10°的角譜(anglespectrum)上基本固定。偏振態產生器和/或偏振態檢測器對入射光束的「偏振光學作用」為固定的標準表示偏振態產生器或偏振態檢測器在所述角譜上產生相同的偏振狀態，其進而可被確定為對於從偏振態產生器和/或偏振態檢測器發出的光，如果所謂的IPS值(=「優選狀態中的強度」)對於入射在偏振態產生器或偏振態檢測器中的光是固定的，則IPS值在所述角譜中為固定的。就這點而言，措辭「基本固定」的用意也包含IPS值的波動達10%，尤其達5%。此外，所要的偏振狀態未必是線偏振，而是也可以是任何其他偏振狀態，例如橢圓或圓偏振。在根據本發明的布置下，本發明尤其追求設計用於特徵化偏振狀態的組件、偏振態產生器及偏振態檢測器的構思，它們在EUV範圍的工作波長下分別以透射方式工作。根據另一方法，偏振態產生器和/或偏振態檢測器具有至少一個以透射方式工作的光學兀件。以此方式，再一次地，尤其是在工作波長約13.5nm的光學系統中，由於避免了具有相對較複雜光束路徑和比較繁複及昂貴致動器的反射偏振光學組件，可實現明顯更緊湊的結構。就此而言，尤其應注意，在根據本發明所包含的EUV範圍中，無法再提供DUV波長範圍(也就是說，例如約248nm或約193nm的波長)中存在的能夠以平行光束幾何形狀(也就是說，光束的互相平行的光束部分穿過各自組件)操作偏振光學組件的選擇，因為適合在DUV範圍中使用的透鏡系統形式的光學組件現在都不能用於將發散或會聚光束路徑轉變成平行光束路徑。根據本發明的構造的另一個優點是，以透射方式工作的組件可相對容易地在各個適當位置處併入光束路徑中，而不需要為此目的明顯變更光束路徑。此外，根據本發明，無論上述發散光束路徑或會聚光束路徑，均可對光學系統所發出的輻射的出射偏振狀態實施同時或並行測量。這意味著「全部立即」測量系統的出射光瞳，也就是說，光束同時以較大孔徑角通過各自的偏振光學組件或被在布置末端的探測器元件(例如CCD相機)所探測。這對於出射光瞳的掃描很有利，出射光瞳的掃描在對EUV偏振特性的傳統測量操作中很常見，且其中可以省略必須連續地在整個角範圍中「偏移」相對較窄的平行光束以執行連續單獨測量。除了因同時測量而導致的時間優點外，還提供避免定位問題及漂移誤差的優點。儘管本發明的有利用途是測量投射物鏡的偏振特性，但本發明並不限於此。相反，根據本發明特徵化其偏振特性的術語「光學系統」也包含任何其他光學系統，尤其還包含例如反射鏡的單獨光學元件。在實施例中，偏振態產生器和/或偏振態檢測器被設計成其對入射光束的偏振光學作用在該光束的至少15°、尤其是至少20°的角譜上，以及更特別地在所述光束的整個角譜上，為基本固定。在實施例中，偏振態產生器被適配用於出射偏振狀態的光瞳分辨(pupil-resolve)測量。就此而言,實施用於光瞳解析度的值在光瞳半徑上例如可以是至少30像素，尤其是至少40像素，另外尤其是至少50像素。在實施例中，偏振態產生器和/或偏振態檢測器具有可旋轉偏振器。此外，偏振態產生器和/或偏振態檢測器可具有可旋轉延遲器(rotatableretarder)。在實施例中，偏振器和/或延遲器具有至少一個具有多個單獨層的多層系。就此而言，多層系優選地具有為至少按區域(region-wise)彎曲的光入射表面。根據本發明，多層系尤其可由具有變化厚度的多層系實施。在另一實施例中，多個單獨層也可配置在為至少按區域彎曲的基板上。在實施例中，多個單獨層以自立(free-standing)或無基板(substrate-less)關係布置，或布置在厚度最大為400nm、優選地最大為lOOnm、以及進一步優選地最大為50nm的基板上，以實現足夠大比例的透射光。要考慮的合適基板材料尤其是具有相對較低透射率的基板材料，例如矽(Si)、石英玻璃(=熔融石英，SiO2)、氮化矽(Si3N4)、碳化矽(SiC)、聚合物、石英(SiO2)、錯(Zr)、金剛石、銀(Nb)及鑰(Mo)。在實施例中，偏振器和/或延遲器也可具有多個各設有多層系的基板。就此而言，這些基板中的至少兩個(尤其這些基板的全部)可布置為相對於彼此傾斜，以提供由分別設有多層系的基板構成的布置，其在角譜中具有偏振影響作用的期望均勻性。在實施例中，各個偏振器對從偏振器發出的輻射產生的線性出射偏振度至少為95%，尤其至少為97%，另外尤其至少為99%。就此而言，使用措辭「線性出射偏振度」來表示線性偏振光成分的強度與總光強度的比率，此比率適用於從各個偏振器發出的光。在實施例中，此布置還具有也優選適配於從(測量)布置中的光源的波長頻譜濾出預定波長帶的波長濾波器。這就以下事實而言很有利在設計用於EUV的投射曝光設備中，投射物鏡的透射頻寬相對較大，約13.5±0.3nm，且被用作照明系統的光源的等離子體光源的頻寬所超過。如果測量操作中所用的等離子體光源的頻譜及實際光刻過程中所用的等離子體光源的頻譜不相同，則涉及在這些相對寬頻波長範圍上綜合的測量不能立即轉成投射物鏡的實際操作特性。相反地，通過使用波長濾波器(其為充分窄頻，例如涉及頻寬最多為投射物鏡透射頻寬的1/20)，可以規定波長分辨測量，以便能夠預測投射物鏡在相應入射頻譜中的偏振特性。在實施例中，光學系統被設計用於數值孔徑至少為0.3，尤其至少為0.5，進一步尤其至少為0.7。在增加孔徑的情況下，本發明尤其有利，因為克服出射光瞳中所發生的涉及較大孔徑角的問題尤其有用。本發明還涉及用於EUV微光刻的設備，該設備包含設計用於在EUV中工作的投射物鏡；以及用於特徵化所述投射物鏡的偏振特性的布置，其中該布置設計為類似上述用於特徵化光學系統的偏振特性的布置。此外，本發明涉及特徵化光學系統(尤其是微光刻投射曝光設備的光學系統)的偏振特性的方法，其中該方法包含以下步驟-利用偏振態產生器設定入射於光學系統上的輻射的限定的偏振狀態；及-利用偏振態檢測器測量從光學系統發出的輻射的出射偏振狀態；-其中光學系統被設計用於小於15nm的工作波長；及-其中偏振態產生器和/或偏振態檢測器具有至少一個以透射方式工作的光學兀件。本發明的其他構造參見說明及隨附權利要求書。下文將參考附圖，以範例方式利用優選實施例更詳細地說明本發明。圖中圖I為第一實施例中根據本發明的用於特徵化偏振特性的布置的結構的圖解視圖；圖2-3顯示關於圖I簡化的、本發明的其他實施例的圖解視圖；圖4a_c顯示用於通過示例圖示在圖1_3中所示的布置中使用的多層系的實施例的圖解視圖；圖5-6顯示用於圖示根據本發明的多層系的其他實施例的圖解視圖；及圖7-11顯示用於特徵化根據本發明所用的多層系的各種實施例的曲線圖。具體實施例方式圖I首先顯示使用根據本發明的布置的可行測量結構的圖解視圖。此布置用於特徵化投射物鏡120的偏振特性，投射物鏡120設計用於在EUV範圍中工作，並且其與也設計用於EUV的照明系統110—起形成微光刻投射曝光設備。使用圖I所示的測量結構實施的方法如用於DUV範圍的波長(例如約193nm或約248nm)的US7286245B2中公開的一樣。但本申請的主題是在EUV範圍(也就是說，低於15nm的波長)中使用該方法，其中考慮在該使用中產生的問題，如以下利用偏振光學組件的合適設計構造所解釋的。更準確地，根據本發明的方法的區別特徵在於使用關于波長頻譜且也關於角譜的寬帶偏振光學組件。就此而言，本發明尤其追求以透射方式使用偏振光學組件(儘管在EUV範圍中使用)、且因此避免具有相對較複雜光束路徑和比較繁複且昂貴的致動器的反射偏振光學組件的構思。如圖I所示，根據本發明的布置包括在光傳播方向中在照明系統110下遊的偏振態產生器130，其在光傳播方向中連續具有可旋轉偏振器131及可旋轉延遲器132。以下參考圖4-6更詳細地說明偏振器131及延遲器132的構造。偏振器131優選地設計成其產生至少在很好的近似程度上為線性的偏振態，其中可通過可旋轉偏振器131改變優選偏振方向。利用偏振器131產生儘可能完全線性偏振的光也將光對確定偏振態的操作的貢獻發揮到最大，確定偏振態的操作發生在偏振態檢測器140的進一步過程中(而從偏振器131發出的非偏振光成分對根據本發明的測量過程沒有貢獻)。延遲器132優選地具有系統的工作波長入的1/4(也就是說，例如(13.5/4)nm)的有效延遲，在此情況中，偏振態產生器130可以設定任何(包括圓形)偏振態。因此，偏振態產生器130可以在投射物鏡120的入射光瞳中設定不同的橢圓偏振態。在光傳播方向中，布置在偏振態產生器130下遊的是具有孔徑的遮罩150(=針孔)，其在投射物鏡120的(入射)場平面中大致形成點光源。來自針孔150的光接著通過投射物鏡120，其中來自由針孔150形成的點光源的光束部分的角度對應於投射物鏡120的光瞳平面(未顯示)中的位置坐標，其繼而以一角度成像在投射物鏡120的出射光瞳中。在出射光瞳上的偏振分布(也就是說，從投射物鏡120發出的光的出射偏振態)米用偏振態檢測器140以光瞳分辨關係確定。在出射光瞳上，按基本上也為已知的方式，同時進行確定出射偏振態的操作(也就是說，「全部立即」測量系統的出射光瞳)，只要光束也以相對較大的孔徑角通過各個偏振光學組件，或者被在布置末端的探測器元件(例如CCD相機)所探測。為了該目的，偏振態檢測器140繼而具有可旋轉延遲器141，以及在光傳播方向中在可旋轉延遲器141下遊的偏振器142(優選也為可旋轉)以及例如形式為CCD相機的探測器元件143。因此，CXD相機測量投射物鏡120的出射光瞳的扭曲投射像。延遲器141優選地也具有對應於1/4工作波長(=X/4)的延遲。如此在測量操作中提供最佳信號噪聲比，於是取決於延遲器141的旋轉位置及投射物鏡120的偏振特性，在測量操作期間發生在探測器元件143或CCD相機上的強度變化變為最大值。現在，圖示布置的一個核心特性是光以不同入射角入射在偏振態檢測器140以及偏振態產生器130中的偏振光學組件上，因為，如同本說明書在開頭部分中已經解釋的，在DUV範圍中常見的透鏡系統不可用於將發散光束路徑轉換成平行光束路徑。根據本發明，利用關於偏振光學組件的合適設計，解決因光在偏振態產生器130的部分上以及在偏振態檢測器140的部分上的傾斜通過所產生的問題，如下文參考圖4-6的詳細說明。上述參考圖I的測量結構可以確定任何光學系統的偏振特性。以下參考圖2及圖3，說明用於特徵化具有更多特定偏振特性的光學系統的簡化測量結構。圖2顯示圖I中的測量結構的替代的實施例，其中彼此對應的組件或功能基本相同的組件以加上「100」的參考數字表示。圖2中的測量結構與圖I的不同之處在於，偏振態產生器230或偏振態檢測器240分別各僅有可旋轉偏振器231和241，而沒有延遲器。比圖I的結構簡化的這種結構適用於確定投射物鏡220的偏振特性，其光瞳瓊斯矩陣在很好的近似上具有非常線性偏振的本徵偏振。偏振器231及241可以互相交叉地取向(以產生暗場偏光計)，或互相平行地取向(以產生光場偏光計)，並且彼此同步地繞著投射物鏡220的光軸旋轉。在此旋轉期間，利用探測器元件243或CCD相機測量強度變化，進而由此計算投影物鏡的偏振特性，即延遲(也就是說，兩個正交偏振狀態之間的相位差)及衰減(也就是說，兩個正交偏振狀態之間的振幅比)。圖3顯示另一簡化的測量結構，其中再一次地，與圖2相似或涉及基本相同功能的組件以加上「100」的參考數字表示。圖3中的測量結構與圖2的不同之處在於只在偏振態產生器330內提供可旋轉偏振器331,因此偏振態產生器330中的偏振器331表不圖3中測量結構的唯一偏振光學兀件。相對比的，偏振態檢測器340僅包括具有CCD相機的測量頭，其可以記錄出射光瞳的強度分布以及出射波前的度量(例如利用幹涉測量方法)。在圖3所示布置的操作中，偏振器331繞著投射物鏡320的光軸或光傳播方向旋轉。在該情況下，依賴於偏振器331的旋轉位置(也就是說，依賴於線性入射偏振的方向)，確定出射光瞳的強度和波前的結果變化。可以本身已知的方式，從強度變化的振幅及相位確定延遲和衰減(在每個情況中，都關於大小和軸方向)。現在參考圖4a及4b，通過示例描述在圖1_3所示的布置中使用的用於體現所使用的偏振光學組件的多層系的實施例。在這些實施例中，在根據本發明使用的偏振光學元件(偏振器和/或延遲器)中使用的多層系被分別設計為考慮以下事實對比於工作在DUV範圍的波長(例如約193nm或約248nm)處的投射曝光設備，在當前情況中(也就是說，在EUV範圍中)，沒有適於提供仍可接受的結構空間的折射光學元件可用來產生平行於光軸的光束路徑。根據本發明，在關於投射物鏡320的入射側和出射側處解決此問題，儘管圖4a_b的各圖顯示的是發散光束路徑，但在入射光瞳和出射光瞳二者中的角譜中都實現了多層系產生的偏振光學效應的均勻性。圖4a_b所示實施例的共同之處是在各個情況中，多層系460及470被分別設計成其具有至少按區域彎曲的光入射表面。如圖4a所示，該彎曲光入射表面實施為在彎曲基板461上施加多個單獨層(以參考數字462表示)，使得光束部分SpS2及S3的每一個，在已經考慮了系統的孔徑的情況下，以幾乎相同的入射角Y入射在多層系460上。在多層系中出現入射輻射的多個反射，其中考慮最後透射通過多層系並因此要儘可能大的比例。為了此目的，基板461優選地具有相對較小的厚度，例如不超過400nm。合適的基板材料例如是矽(Si)、氮化矽(Si3N4)或碳化矽(SiC)。多層系460及470分別交替地包含相對高折射率及低折射率層(例如一連串的鑰(Mo)和矽(Si))。圖4b顯示多層系的替代構造470，在此情況中，在平坦的基板471上提供具有變化的層厚度(圖4b中以誇大比例顯示)的產生多層系470的多個單獨層(以參考數字472表示)。多層系470由光學各向異性的層材料構成，就此而言，利用以下事實由於各向異性及可變層厚度，再一次，在已經考慮系統的孔徑的情況下，所有光束部分SpS2及S3經歷相同的偏振作用或相同的延遲。圖4c顯示與圖4b具變化厚度分布的實施例相似的多層系480，其具有多個單獨層(以參考數字482表示)，這些單獨層以與系統的光束路徑或光軸的傾斜關係布置平坦基板481上，以在考慮了系統的孔徑的情況下，實現角譜中偏振影響作用的期望均勻性。圖5a及5b顯示實施上述偏振光學元件的其他實施例。在這些實施例中，假設根據圖4a_c中所示的構造，即使有彎曲的光入射表面，也無法在充分大的入射角範圍上實現分別期望的偏振光學作用。對於此情況，如圖5a所示，有利的是提供具有相應多層系的多個基板，基板在此範例中為平面平板的形式且在圖5a中僅舉例顯示五個基板561至565;以及在光束路徑中不同位置處以合適的傾斜關係布置基板。基板561至565也優選地包括相對較小的厚度，例如最大為400nm,優選地最大為IOOnm及更優選地最大為50nm。圖5a中所不的布置560包含多個基板561至565用於在平行光束幾何形狀中使用，單獨基板561至565相對於光傳播方向具有相同的相應角度，而根據圖5b中所示的非平行光束幾何形狀，布置570的單獨基板571至575以相對於光軸的不同角度傾斜。因此，在圖5a及5b的兩個實施例中，在考慮了系統的孔徑的情況下，仍然實現角譜中偏振影響作用的期望均勻性。在圖6中圖解地顯示的用於實施波長濾波器的另一實施例中，例如使用可位移的孔口(orifice)板部件,在基板681上施加折射率不同於I的材料(例如鑰(Mo)或釕(Ru))的楔形塗層682，從而最後實現的效應對應於多個單獨稜鏡的效應並且經由傾斜是「可調的」。在該情況下，利用了稜鏡中由於折射率的色散而導致的偏轉角的波長相依性。現在參考圖7-11及表1-4，通過示例，說明適用於在根據本發明使用的偏振光學組件中使用的多層系的實施例。表I首先顯示適於例如在偏振態產生器130、230或330中或在偏振態檢測器140、240或340中實施偏振器的多層系的設計。表I的層設計僅使用鑰(Mo)及矽(Si)作為層材料。在透射方式中針對43°的角度優化此層設計，該角度接近偽布魯斯特角(接近45°)。關於該層設計，利用了以下事實s-偏振光在Mo-Si界面呈現明顯比P-偏振光大的菲涅耳反射。此層設計與設計用於對應入射角的反射鏡的層設計相當，典型單獨層厚度為大約四分之一工作波長。一般而言，在針對偏振器以及波長濾波器二者的層設計的構造中，關注以下事實總厚度不變得太大，否則光的透射比例會變得太小。如從圖7a中所示的、分別依賴於S-偏振光及P-偏振光的入射角的透射特性所見，S-偏振光在約43°附近的相關角度範圍中被大幅反射，而P-偏振光主要被透射。圖8針對表I的層設計顯示S-偏振光或P-偏振光的透射率分別在不同波長(圖8a)及不同層厚度(圖Sb)中對入射角的依賴性。從圖8a可見，多層系在各情況中僅適於在限制的波長及角範圍中才具有期望的作用，從而在波長在較大範圍中變化的情況中，將以相對傾斜的關係布置多層系。圖8b進一步顯示可通過改變總層厚度(其中所有單獨厚度以相同因子改變)而改變多層系呈現期望作用的入射角。表2及圖9a_9b顯不與表I及圖7a_7b的實施例類似的多層系的另一實施例的視圖，其中，除了鑰(Mo)及矽(Si)之外，還使用釕(Ru)作為另一層材料。使用釕(Ru)作為另一層材料在此例中僅是舉例，並且也可以採用具有不同或偏離的折射率n以及相對微小衰減的其他合適材料，例如矽(Si)、鉀(K)、碳化矽(SiC)、釔(Y)、錯(Zr)、碳化硼(B4C)Jf(B)、碳(C)、氮化矽(Si3N4)、氮化硼(BN)、銀(Nb)、碳化鑰(MoC)、鑰(Mo)或銠(Rh)。表3及圖10a-b描述例如用於在偏振態產生器130、230或330或偏振態檢測器140,240或340中使用的延遲器層的實施例。針對約55°的入射角優化該層系，其中類似於表I中的實施例，再次僅使用鑰(Mo)及矽(Si)作為層材料，並且單獨層厚度仍然為大約工作波長的四分之一。表4及圖11顯示適於實施上述測量布置中的波長濾波器或「單色器層」的層設計的實施例。雖然在此實施例中使用鑰(Mo)、矽(Si)及釕(Ru)作為層材料，但這並非決對必要的，而是類似於上述實施例，也可以僅使用兩個不同層材料(例如鑰及矽)實施層設計。如圖11通過入射角(由圖例指定)所示的，表4的層系的、僅透射特定波長的入射光的特性是「可調的」，也就是說，可利用基板的傾斜角，預定或選擇要透射的波長。尤其是，也可以利用幾乎垂直的光入射進行操作。儘管已參考特定實施例說明了本發明，但許多變化及替代實施例對本領域的技術人員而言是顯而易見的，例如通過組合和/或調換單獨實施例的特徵。因此，本領域的技術人員應明白，本發明也涵蓋此類變化及替代實施例，並且本發明的範圍僅受隨附權利要求及其等效物的限制。表I:圖7-8的層設計權利要求1.一種用於特徵化光學系統、尤其是微光刻投射曝光設備的光學系統的偏振特性的布置，包含至少ー個偏振態產生器(130、230、330),其設定入射於所述光學系統上的福射的限定的偏振狀態；以及偏振態檢測器(140、240、340)，其適配於測量從所述光學系統發出的輻射的出射偏振態；其中所述光學系統被設計用於小於15nm的工作波長；並且其中所述偏振態產生器(130、230、330)和/或所述偏振態檢測器(140、240、340)被設計成其對入射光束的偏振光學作用在所述光束的至少10°的角譜上基本固定。2.如權利要求I所述的布置，其特徵在於所述偏振態產生器(I30、230、330)和/或所述偏振態檢測器(140、240、340)被設計成其對入射光束的偏振光學作用在所述光束的至少15°、尤其是至少20°的角譜上，進ー步尤其在所述光束的整個角譜上基本固定。3.如權利要求I或2所述的布置，其特徵在於所述偏振態產生器(I30、230、330)和/或所述偏振態檢測器(140、240、340)具有至少ー個以透射方式工作的光學元件。4.如權利要求I至3中任一項所述的布置，其特徵在於所述偏振態產生器(130、230、330)被適配用於所述出射偏振態的光瞳分辨測量。5.如前述權利要求中任一項所述的布置，其特徵在幹所述偏振態產生器(130、230、330)和/或所述偏振態檢測器(140,240,340)具有可旋轉偏振器(131、141、231、241、331)。6.如前述權利要求中任一項所述的布置，其特徵在幹所述偏振態產生器(130、230、330)和/或所述偏振態檢測器(140、240、340)具有可旋轉延遲器(132、142)。7.如前述權利要求中任一項所述的布置，其特徵在幹所述偏振器(131、141、231、241.331)和/或所述延遲器(132、142)具有至少ー個具有多個單獨層的多層系(460、470、480)。8.如權利要求7所述的布置，其特徵在幹所述多層系(460、470、480)具有至少按區域彎曲的光入射表面。9.如權利要求7或8所述的布置，其特徵在幹所述多層系(470、480)具有變化的厚度。10.如權利要求7至9中任一項所述的布置，其特徵在於所述多個單獨層施加於至少按區域彎曲的基板(461)上。11.如權利要求7至10中任一項所述的布置，其特徵在幹以自立或無基板方式布置所述多個單獨層，或所述多個單獨層布置在厚度最大為400nm、優選地最大為IOOnm且更優選地最大為50nm的基板(461、471、481)上。12.如前述權利要求中任一項所述的布置，其特徵在幹所述偏振器(131、141、231、241.331)和/或所述延遲器(132、142)具有多個各自設有相應的多層系的基板(561-565、571-575)。13.如權利要求12所述的布置，其特徵在於所述基板(571-575)中的至少兩個布置為相對於彼此傾斜。14.如權利要求5至13中任一項所述的布置，其特徵在於各個偏振器(131、141、231、·241,331)對所述偏振器發出的輻射產生的線性出射偏振度至少為95%，尤其至少為97%，進一步尤其至少為99%。15.如權利要求6至14中任一項所述的布置，其特徵在於各個延遲器(132、142)對通過所述延遲器的輻射產生的延遲為入/4±40%，進一步尤其為入/4±20%，以及進一步尤其為入/4±10%，其中\是所述光學系統的工作波長。16.如前述權利要求中任一項所述的布置，其特徵在於所述布置還具有波長濾波器，該波長濾波器適配於從所述布置中的光源的波長頻譜之中濾出預定波長帶。17.如前述權利要求中任一項所述的布置，其特徵在於所述光學系統被設計用於至少為0.3，尤其至少為0.5，進一步尤其至少為0.7的數值孔徑。18.如前述權利要求中任一項所述的布置，其特徵在於所述偏振態檢測器(140、240、·340)被適配用於在從所述光學系統發出的輻射的至少50%的角譜上，尤其是至少75%的角譜上，進一步尤其是100%的角譜上，同時測量所述輻射的出射偏振態。19.如前述權利要求中任一項所述的布置，其特徵在於所述光學系統具有至少一個反射鏡。20.一種用於EUV微光刻的設備，包含投射物鏡，其被適配用於EUV中的操作；以及用於特徵化所述投射物鏡的偏振特性的布置；其中所述布置根據前述權利要求中的任一項來設計。21.一種特徵化光學系統、尤其是微光刻投射曝光設備的光學系統的偏振特性的方法，其中所述方法包含以下步驟使用偏振態產生器(130、230、330)設定入射於所述光學系統上的輻射的限定的偏振狀態；以及使用偏振態檢測器(140、240、340)，以光瞳分辨關係測量從所述光學系統發出的輻射的出射偏振態；其中所述光學系統設計用於小於15nm的工作波長；並且其中所述偏振態產生器(130、230、330)和/或所述偏振態檢測器(140、240、340)具有至少一個以透射方式工作的光學元件。22.如權利要求21所述的方法，其特徵在於在所述光學系統的整個出瞳上同時進行所述出射偏振態的測量。全文摘要本發明涉及一種用於特徵化光學系統(尤其是微光刻投射曝光設備的光學系統)的偏振特性的布置及方法，該布置包含至少一個偏振態產生器(130、230、330)，其設定入射於光學系統上的輻射的限定的偏振狀態；以及偏振態檢測器(140、240、340)，其適配於測量從該光學系統發出的輻射的出射偏振狀態；其中該光學系統被設計用於小於15nm的工作波長；並且其中該偏振態產生器和/或該偏振態檢測器被設計成其對入射光束的偏振光學作用在所述光束的至少10°的角譜上基本固定。文檔編號G03F7/20GK102713761SQ201080061827公開日2012年10月3日申請日期2010年12月2日優先權日2010年1月28日發明者M.門格爾,P.休伯,U.海姆佩爾曼申請人:卡爾蔡司Smt有限責任公司