一種mosfet器件溝槽和保護環的製造方法

2023-04-23 22:28:51 3

專利名稱：一種mosfet器件溝槽和保護環的製造方法
技術領域：
本發明涉及半導體製造領域，特別是涉及ー種MOSFET器件溝槽和保護環的製造方法。
背景技術：
傳統的溝槽和保護環エ藝實現方法包括生長熱氧化膜，經曝光，氧化膜刻蝕和去光阻後形成元胞區，剰餘的氧化膜作為場氧；沉積ー層氧化膜作為溝槽刻蝕硬模板，經曝光和硬模板刻蝕後形成溝槽圖形；去除光阻和幹刻蝕後形成溝槽；溼刻去除硬模板，得到場氧和溝槽結構；阱注入後形成阱和保護環；製作過程總共需要兩次曝光，四次刻蝕和一次注入。

發明內容
本發明要解決的技術問題是提供ー種MOSFET器件溝槽和保護環的製造方法能減少MOSFET器件溝槽和保護環的製作步驟，降低製作成本。為解決上述技術問題，本發明的製作方法，包括(I)晶片上生長氧化膜，作為溝槽刻蝕的硬模板；(2)進行曝光，氧化 膜刻蝕，去除光阻；(3)進行溝槽刻蝕，形成溝槽；(4)進行溼刻，去除元胞區氧化膜，保留場氧；(5)阱注入，形成阱和保護環。步驟⑷中，保留場氧厚度(a)、原始氧化膜厚度(h)和元胞區溝槽間隔距離(d)之間關係為a く h-l/2d。本發明的製作方法利用氧化矽在元胞區內部去除速度遠大於元胞區外圍的性質，選擇合適厚度的氧化矽，通過一次溼刻，在去除元胞區內氧化膜的同時在元胞區外圍保留一定厚度的氧化矽作為場氧，只需要一次曝光，三次刻蝕，一次注入即能完成MOSFET器件溝槽和保護環的製作，降低了 MOSFET器件溝槽和保護環的製作成本。


下面結合附圖與具體實施方式
對本發明作進ー步詳細的說明圖1是本發明製造方法的流程圖。圖2是本發明一實施例的示意圖一，顯示步驟(I)在晶片上生長氧化膜厚度為h。圖3是本發明一實施例的示意圖ニ，顯示步驟(3)對溝槽的刻蝕。圖4是本發明一實施例的示意圖三，顯示步驟⑷溼刻的方向。圖5是本發明一實施例的示意圖四，顯示步驟(4)溼刻後保留場氧。圖6是本發明一實施例的示意圖四，顯示步驟(5)阱注入，形成阱和保護環。附圖標記說明
I是晶片2是氧化膜3是溝槽4是場氧5是阱6是保護環
具體實施例方式本發明ー實施例，包括以下步驟(I)如圖2所示，在晶片上生長氧化膜厚度為h，作為溝槽刻蝕的硬模板；(2)進行曝光，氧化膜刻蝕，去除光阻；(3)如圖3所示，進行溝槽刻蝕，形成溝槽間隔距離為d ；(4)如圖4所示，進行溼刻，去除元胞區氧化膜；如圖5所示保留場氧厚度為a，其中 a く h-l/2d ；(5)如圖6所示，阱注入，形成阱和保護環。以上通過具體實施方式
和實施例對本發明進行了詳細的說明，但這些並非構成對本發明的限制。在不脫離本發明原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改迸，這些也應視為本發明的保護範圍`。
權利要求
1.一種MOSFET器件溝槽和保護環的製造方法，其特徵是，包括以下步驟 (1)晶片上生長氧化膜，作為溝槽刻蝕的硬模板； (2)進行曝光，氧化膜刻蝕，去除光阻； (3)進行溝槽刻蝕,形成溝槽； (4)進行溼刻，去除元胞區氧化膜，保留場氧； (5)阱注入，形成阱和保護環。
2.如權利要求1所述的製造方法，其特徵是步驟(4)中，保留場氧厚度(a)、原始氧化膜厚度(h)和元胞區溝槽間隔距離⑷之間關係為a < h-l/2d。
全文摘要
本發明公開了一種MOSFET器件溝槽和保護環的製造方法，包括晶片上生長氧化膜，作為溝槽刻蝕的硬模板；進行曝光，氧化膜刻蝕，去除光阻；進行溝槽刻蝕，形成溝槽；進行溼刻，去除元胞區氧化膜，保留場氧；阱注入，形成阱和保護環。本發明利用氧化矽在元胞區內部去除速度遠大於元胞區外圍的性質，選擇合適厚度的氧化矽，通過一次溼刻，在去除元胞區內氧化膜的同時在元胞區外圍保留一定厚度的氧化矽作為場氧，只需要一次曝光，三次刻蝕，一次注入即能完成MOSFET器件溝槽和保護環的製作，降低了MOSFET器件溝槽和保護環的製作成本。
文檔編號H01L21/265GK103050404SQ20111031242
公開日2013年4月17日 申請日期2011年10月14日 優先權日2011年10月14日
發明者柯行飛, 張朝陽 申請人:上海華虹Nec電子有限公司