轉接單元內置型真空互鎖室的製作方法

2023-04-23 19:13:41

專利名稱：轉接單元內置型真空互鎖室的製作方法
技術領域：
本發明涉及與對半導體晶片等被處理體實施規定處理的處理室鄰接並在處理室 之間進行處理前後的被處理體的交接的真空互鎖室，更詳細的說，能夠在短時間內切換被 處理體的非自動搬送(由操作者進行的晶片盒的搬送)和自動搬送的真空互鎖室。
背景技術：
在半導體製造工廠中，各種處理裝置配置在無塵室內。處理裝置，具備相互鄰接的 真空互鎖室和處理室，其以從真空互鎖室向處理室搬送被處理體，在處理室內對被處理體 實施規定處理後，再將處理後的被處理體從處理室返回真空互鎖室的方式構成。以下，以對 被處理體(以下，作為「半導體晶片」進行說明。)進行電特性檢查的檢查裝置作為處理裝 置為例進行說明。檢查裝置，例如如圖7(a)所示，具備相互鄰接的真空互鎖室1和探測室2，並構成 為將半導體晶片W從真空互鎖室1搬送到探測室2，在探測室2中對半導體晶片W進行電特 性檢查後，將半導體晶片W返回真空互鎖室1。該真空互鎖室1，具備載置收納了多個半導 體晶片W的晶片盒C的載置部3 ；搬送半導體晶片W的晶片搬送機構4 ；和對半導體晶片W 進行預校準的預校準機構(圖中沒有表示)。探測室2具備載置臺5，其載置預校準後的 半導體晶片W，可以在X，Y，Z方向和θ方向移動；配置在載置臺5的上方的探針卡6;和對 校準探針卡6的多個探針6Α和半導體晶片W上形成的多個電極焊盤進行校準的校準機構 7。在進行檢查時，在真空互鎖室1的載置部3上載置收納了多個半導體晶片W的晶 片盒。在真空互鎖室1中，晶片搬送機構4逐一搬送晶片盒C內的半導體晶片W，通過預校 準機構進行半導體晶片W的預校準後，晶片搬送機構4將此半導體晶片W載置在探測室2 內的載置臺5上。接著，在載置臺5向Χ，Υ，Ζ方向和θ方向移動的期間，通過校準機構7， 進行半導體晶片W的多個電極焊盤與探針卡6的多個探針6Α的校準後，通過驅動載置臺5， 使半導體晶片W的多個電極焊盤與探針卡6的多個探針6Α電接觸，進行規定的檢查。檢查 後，晶片搬送機構4接收載置臺5上的半導體晶片W，返回到晶片盒C內原來的位置。根據情況，不用以晶片盒為單位向真空互鎖室1搬送半導體晶片W，例如專利文獻 1、2所述，有時使用自動搬送裝置(Rail Guided Vehicle)(以下稱為「RGV」。)向真空互鎖 室內自動地搬送半導體晶片W。此時，如圖7(b)所示，在真空互鎖室1的載置部3中替代晶 片盒C設置轉接單元8，由RGV9向轉接單元8內逐一地搬入或一次多枚地搬入半導體晶片 I轉接單元8，如圖7 (b)所示，具備單元主體8A ；多個支持構件8B，其設置在該單 元主體8A內上下方向上，並用其中心支持半導體晶片W ；和校準機構，其在從這些支持構 件8B向探測室2搬送半導體晶片W時，用於修正晶片搬送機構4的位置偏移(圖中沒有表 示)，轉接單元8以相對於載置部3可以自由裝卸的方式構成。支持構件8B，以真空吸附半 導體晶片W的方式構成。另外，RGV9，例如，具備載置收納了多個半導體晶片W的晶片盒C的載置部9A，和在晶片盒C和轉接單元8之間搬送半導體晶片W的晶片搬送機構9B。然後，在對半導體晶片W進行檢查時，如圖7(b)所示，通過RGV9將半導體晶片W 搬送到檢查裝置的真空互鎖室1的側面後，通過RGV9的晶片搬送機構9B，如果一次在轉接 單元8內收納規定枚數的半導體晶片W，則半導體晶片W由支持構件8B真空吸附。在轉接 單元8和探測室2之間搬送半導體晶片W時，在解除由支持構件8B的真空吸附後，晶片搬 送機構4從支持構件8B搬出半導體晶片W，通過預校準機構預校準後，搬送到探測室2，因 此，在對半導體晶片進行電特性檢查後，將處理後的半導體晶片W從探測室2搬送到晶片盒 C內。專利文獻1 日本特開2007-042994號公報專利文獻2 日本特開2007-088286號公報可是，以往的真空互鎖室1，載置部3能夠切換晶片盒C和轉接單元8，但存在以下 問題在自動進行晶片的搬送時，操作人員來到檢查裝置之前，操作人員將載置部3的晶片 盒載置機構修改設置為轉接單元8，且操作人員切換轉接單元用程序，必須修改各種初始設 定，晶片盒C和轉接單元8的切換操作需要時間長。另外，由於轉接單元8變成真空吸附半 導體晶片W的結構，所以有可能對半導體晶片W產生吸附錯誤，對其的檢查也需要時間。

發明內容
本發明是為了解決上述課題而做出的，其目的在於提供不必象以往那樣進行晶片 盒等容器和轉接單元的切換工作，能夠應對被處理體的非自動搬送和自動搬送的轉接單元
內置型真空互鎖室。本發明技術方案1所述的轉接單元內置型真空互鎖室，具備載置收納了多個被 處理體的容器的載置部，和在載置於上述載置部的上述容器與處理室之間搬送上述被處理 體的搬送機構，其特徵在於，具備轉接單元，該轉接單元與將上述被處理體搬送到與上述載 置部不同的部位的自動搬送裝置對應地設置，保持多個在該轉接單元與上述自動搬送裝置 之間和該轉接單元與上述處理室之間被搬送的上述被處理體。另外，本發明技術方案2所述的轉接單元內置型真空互鎖室，其特徵在於，在技術 方案1所述的發明中，與上述載置部不同的部位是緩衝臺的配置部位，上述轉接單元兼作 上述緩衝臺。另外，本發明技術方案3所述的轉接單元內置型真空互鎖室，其特徵在於，在技術 方案1或者技術方案2所述的發明中，上述轉接單元，具有單元主體；和在上述單元主體 內在上下方向以多段設置且以其外邊緣部至少在三處支持上述被處理體的支持構件，上述 單元主體，具有上述搬送機構搬入、搬出上述被處理體的第1開口部和上述自動搬送裝置 搬入、搬出上述被處理體的第2開口部。另外，本發明技術方案4所述的轉接單元內置型真空互鎖室，其特徵在於，在技術 方案3所述的發明中，至少三處的上述支持構件，具有在上述被處理體中心方向延伸的第 1支持構件，和相對於上述被處理體在切線方向延伸的第2支持構件。另外，本發明技術方案5所述的轉接單元內置型真空互鎖室，其特徵在於，在技術 方案3或者技術方案4所述的發明中，上述轉接單元，具有在上述支持構件中檢測有無上述 被處理體的傳感器。
另外，本發明技術方案6所述的轉接單元內置型真空互鎖室，其特徵在於，在技術 方案1 技術方案5中任意一項所述的發明中，在上述轉接單元下方設置與上述搬送機構 協動，對上述被處理體進行定中心的定中心機構。另外，本發明技術方案7所述的轉接單元內置型真空互鎖室，其特徵在於，在技術 方案1 技術方案6中任意一項所述的發明中，其被用於對上述被處理體的電特性進行檢
查的檢查裝置。通過本發明，能夠提供一種不必象以往那樣進行晶片盒等容器和轉接單元切換工 作，能夠應對被檢查體的非自動搬送和自動搬送的轉接單元內置型真空互鎖室。


圖1 (a)、(b)分別是表示本發明真空互鎖室的一個實施方式構成的圖，(a)是表示 真空互鎖室的晶片搬送機構、轉接單元和探測室的關係的俯視圖，(b)是表示配置在(a)所 示的轉接單元下方的預校準機構和晶片搬送機構的關係的俯視圖。圖2是表示用於圖1所示的真空互鎖室的轉接單元的透視立體圖。圖3是(a)，(b)都是圖2所示的轉接單元的要部的側面圖。圖4是表示應用於圖2所示的轉接單元的光學傳感器的說明圖。圖5是表示圖1 (b)所示的預校準部的立體圖。圖6(a) (c)是分別表示圖5所示的預校準部中在預校準之前進行的半導體晶 片的定中心工序的工序圖。圖7(a)，(b)是表示以往的檢查裝置的俯視圖，(a)是表示使用晶片盒狀態的圖， (b)是表示使用以往的轉接單元的狀態的圖。圖中標號說明10 真空互鎖室；11 晶片盒載置部室；12 第1晶片搬送機構；13 緩衝臺載置部； 16 定中心機構；20 探測室；30 轉接單元；31 單元主體；32 支持構件；32A 第1支持構 件；32B 第2支持構件；34 光學傳感器；W 半導體晶片。
具體實施例方式以下，根據圖1 圖6所示的實施方式，對本發明的轉接單元內置型真空互鎖室進 行說明。在本實施方式中，對應用於對被處理體(例如，半導體晶片)進行電特性的檢查的 檢查裝置的轉接單元內置型真空互鎖室(以下，簡稱為「真空互鎖室」。)進行說明。本實施方式的真空互鎖室10，例如如圖1(a)所示，與檢查裝置100的處理室(探 測室)20鄰接地設置。該真空互鎖室10，具備載置收納了多個半導體晶片W的晶片盒C的 晶片盒載置部11 ；在晶片盒載置部11中載置的晶片盒C和探測室20之間搬送半導體晶片 W的第1晶片搬送機構12 ；配置緩衝臺(圖中沒有表示)的緩衝臺配置部13 ；和配置在緩 衝臺配置部13的下方的預校準部14(參照圖1 (b))，第1晶片搬送機構12位於晶片盒載置 部11和緩衝臺配置部13之間。並且，緩衝臺，是用於收納例如研磨探針卡的探針的針尖的 針研磨用晶片(圖中沒有表示)的收納體。晶片盒載置部11作為晶片盒專用的載置部使用，緩衝臺載置部13替代緩衝臺作 為後面所述的轉接單元30的專用空間使用。轉接單元30，是用於收納半導體晶片W的單
5元，但例如其下部成為收納針研磨用晶片(圖中沒有表示)的空間，兼作以往的緩衝臺。該 轉接單元30，是相對於檢查裝置100，應對自動搬送半導體晶片W的RGV40而設置的。因此， 在說明轉接單元30之前，對設置在真空互鎖室10內的第1晶片搬送機構12和RGV40進行 簡單的說明。第1晶片搬送機構12，如圖1(a)所示，具備保持半導體晶片W的臂12A，和配置 了使該臂12A在一方向上進退運動的直進驅動機構的旋轉體12B。臂12A，與真空排氣裝置 (圖中沒有表示)相連接，構成為真空吸附半導體晶片W，如該圖所示，構成為通過直進驅動 機構，在旋轉體12上直進。旋轉體12B，具有旋轉驅動機構和升降驅動機構，如該圖所示，構 成為正反旋轉的同時並在上下方向移動。因此，臂12A通過直進驅動機構在旋轉體12B上 直進的同時並通過旋轉體12B正反旋轉，在晶片盒C或者轉接單元30和探測室20之間搬 送半導體晶片W。另外，在預校準部14的大致中央，如圖1(b)和圖5所示，配置有預校準機構15。 該預校準機構15，具備真空吸附半導體晶片W的旋轉體15A ；和在由旋轉體15A使半導體 晶片W旋轉的期間檢測切口等記號的光學傳感器15B，在使用第1晶片搬送機構12將半導 體晶片W從晶片盒C或者轉接單元30向探測室20搬送的期間，使旋轉體15A旋轉，通過光 學傳感器15B對半導體晶片W進行預校準。另外，如該圖所示，在預校準機構15的內部(從 第1晶片搬送機構12側看的內部)設置校準機構16。另外，RGV40，如圖1(a)所示，具備RGV主體41 ；配置在RGV主體41上的端部(同 圖中左側端部)且收納多個(例如，25枚)晶片W的緩衝晶片盒42;與緩衝晶片盒42鄰 接的旋轉機構(圖中沒有表示)；在該旋轉機構中配置的具有可以伸縮的臂(圖中沒有表 示)的第2晶片搬送機構43 ；安裝在該晶片搬送機構43上的半導體晶片W的匹配傳感器 (圖中沒有表示)；和防止半導體晶片W從緩衝晶片盒42中飛出的防飛出構件(圖中沒有 表示)。臂的前端部安裝了例如上下多段(例如上下二段)的手部43A。這些手部43A，與 真空排氣裝置(圖中沒有表示)相連接，構成為真空吸附半導體晶片W。另外，臂例如通過 滾珠絲槓機構可以和旋轉機構一體升降來構成。緩衝晶片盒42，具有與用於搬送半導體晶 片W的FOBS晶片盒的狹縫相同結構的狹縫，上下二段臂43A，具有匹配FOBS晶片盒的狹縫 的間隔，安裝在臂的前端部。FOBS晶片盒的狹縫間距，例如設定為10mm。下面，對用於本實施方式的真空互鎖室10的轉接單元30進行說明。本實施方式 中的轉接單元30，如上所述，對應自動搬送半導體晶片W的RGV40而設置。該轉接單元30， 如圖1(a)和圖2所示，具有由配置在緩衝臺配置部13上的矩形框體構成的單元主體31 ； 單元主體31內在上下方向由各自的外邊緣部在三處水平支持多枚半導體晶片W和多枚針 研磨用半導體晶片(圖中沒有表示)的支持構件32。單元主體31，具有第1晶片搬送機構12的臂12A真空吸附半導體晶片W進行搬 入、搬出的第1開口部31A ；和RGV40的第2晶片搬送機構43的手部43A真空吸附半導體 晶片W進行搬入、搬出的第2開口部31B。因此，轉接單元30，通過第1晶片搬送機構12和 第2晶片搬送機構43，從相互垂直方向搬入、搬出半導體晶片W。配置於三處的支持構件32，如圖1 (a)、圖2所示，由配置在單元主體31的第2開 口部31B的左右兩側的一對第1支持構件32A，和配置在與第2開口部31B對置的面附近的 第2支持構件32B構成。一對第1支持構件32A，如圖2、圖3 (a)所示，具有豎立設置在單元主體31的底面的一對支柱32A1;和從這些支柱分別在上下方向隔開規定間隔形成 狹縫，向單元主體31的中心水平延伸的多個(例如，25枚)細長形狀的支持板32A2，任一 個支持板32A2都相對於支柱形成梳齒狀。一對支持構件32A，如圖1所示，與半導體 晶片W的外邊緣部交叉，向中心部放射狀地配置。第2支持構件32B，如圖2、圖3 (b)所示，具有豎立設置在單元主體31的底面，並 與第2開口部31B的對置面平行的矩形的板構件32Bi ；和在上下方向隔開規定間隔，從板構 件32Bi向單元主體31內側沿水平延伸的多個(例如，25枚)矩形的支持板32B2，這些支持 板32B2配置在半導體晶片W的切線方向上。這些矩形的支持板32B2，對應於第1支持構件 32A的多個支持板32A2而設置，由第1、第2支持構件32A、32B，在上下方向隔開規定間隔水 平地支持半導體晶片W。另外，如圖4所示，在第2支持構件32B的各支持板32B2之間，分別形成由第2晶 片搬送機構43的手部43A搬送的半導體晶片W進入的狹縫S。各狹縫S中分別設置有檢測 有無半導體晶片W或針研磨用晶片等的光學傳感器34，由這些光學傳感器34能夠分別確認 收納在各狹縫S中的半導體晶片W等。光學傳感器34由發光元件34A和受光元件34B構 成，通過各自的布線34C安裝在布線基板35上。在狹縫S的下側的支持板32B2上形成收納 發光元件34A的空間32C，在狹縫S的上側的支持板32B2上形成收納受光元件34B的空間 32D。各狹縫S的光學傳感器34分別在狹縫S的前後方向每隔一個交替地配置，以使鄰接 的上下光學傳感器34不重疊。發光元件34A的光線，通過位於空間32C上面的透過孔32E， 被受光元件34B檢測。由此，由該段的光學傳感器34檢測一個狹縫S中有無半導體晶片W等，由此不用 檢測上段狹縫S中有無半導體晶片W等。即，使上下光學傳感器34的光線互不幹涉。這樣 設置在各狹縫S中的光學傳感器34能夠可靠地檢測到各自狹縫S中的半導體晶片W等，也 能確定由此狹縫S保持的晶片種類。另外，單元主體31中設置了檢測半導體晶片W的飛出的光學傳感器(圖中沒有表 示)。由RGV40向轉接單元30內搬送半導體晶片W時，在搬送位置偏離時，由光學傳感器檢 測飛出的半導體晶片W，以發出警報。如圖1 (b)所示，預校準部14配置在緩衝臺配置部13的下側。該預校準部14，例 如如圖1(b)和圖5所示，具有預校準機構15 ；和由配置在預校準機構15附近的一對棒狀 定中心構件16A構成的定中心機構16。並且，在圖5中箭頭，表示半導體晶片W相對於預校 準部14的進入方向。一對定中心構件16A，如圖1(b)和圖5所示，從第1晶片搬送機構12側看，位於 預校準機構15的旋轉體15A的裡側，且以通過臂12A的中心和旋轉體15A的中心的延長線 為基準左右對稱地配置。這些定中心構件16A，也可以構成為匹配半導體晶片W的大小，以 旋轉體15A的中心為基準，在直徑方向上移動，另外，也可以固定。定中心構件16A被固定 時，匹配最大的半導體晶片W進行配置，在半導體晶片W小時，通過延伸第1晶片搬送機構 12的移動距離，即使是小的半導體晶片W也能夠進行定中心。在進行半導體晶片W的預校 準之前進行該定中心。下面，對使用RGV40向本實施方式的真空互鎖室10內自動搬送半導體晶片W並進 行檢查的情況進行說明。
在檢查裝置100之前，可以進行晶片盒C內的半導體晶片W的檢查，接著，切換到 轉接單元30，直接進行半導體晶片W的檢查。使用轉接單元30檢查時，首先RGV40如圖 1 (a)所示，接近真空互鎖室10的轉接單元30的某個位置後，驅動RGV40的第2晶片搬送 機構43。第2晶片搬送機構43通過旋轉機構使手部43A的前端朝向緩衝晶片盒42，使臂 與比半導體晶片W的高度稍低的位置一致之後，伸出臂，使臂稍微上升，上下的手部43A每 次裝上2枚緩衝晶片盒42內的半導體晶片W，收縮臂將半導體晶片W搬出到緩衝晶片盒42 的外側。接著，通過第2晶片搬送機構43的旋轉機構，將臂向逆時針方向旋轉90°，朝向真 空互鎖室10的轉接單元30方向後，伸出臂，使手部43A與在轉接單元30的左右一對第1 支持構件32各自的上下支持板32A2、32A2之間的狹縫的高度一致後，使手部43A進入該狹 縫內，將半導體晶片W搬入到單元主體31內，讓手部43A稍微下降，將半導體晶片W載置在 左右一對支持板32A2和內部的第2支持構件32B的支持板32B2上，由在三處水平地支持半 導體晶片W後，收縮臂，手部43A從單元主體31中退出。在第2支持構件32B中光學傳感 器34工作，檢測半導體晶片W。此時，如果半導體晶片W的搬送存在偏移，飛出傳感器檢測 位置偏移後的半導體晶片W，通知異常。第2晶片搬送機構43在轉接單元30被半導體晶片W填滿之前重複上述動作，在 轉接單元30內由半導體晶片W填滿後，RGV40準備下面的動作。如果半導體晶片W收納到轉接單元30內，則驅動檢查裝置100開始半導體晶片W 的檢查。即，在真空互鎖室10內驅動第1晶片搬送機構12，從轉接單元30搬出半導體晶片 W。使用第1晶片搬送機構12從轉接單元30搬出半導體晶片W。在轉接單元30中，由第1、第2支持構件32A、32B支持著半導體晶片W。驅動第1 晶片搬送機構12後，使臂12A的前端朝向轉接單元30側後，使臂12A的高度與目標半導體 晶片W的高度一致。S卩，使臂12A的高度與比支持目標半導體晶片W的支持板32A2的高度 稍低的高度一致後，臂12A進入單元主體31內，由臂12A吸附保持半導體晶片W。接著，臂 12A從單元主體31中後退，下降與預校準部14 一致後，進入預校準部14A內，在如圖6 (a) (c)所示的工序中，進行半導體晶片W的預校準。並且，圖6中省略了光學傳感器15B。如圖6(a)所示，臂12A，將半導體晶片W搬送到預校準部14內，半導體晶片W如 果到達預校準機構15的旋轉體15A上方，則臂12A暫時停止，解除半導體晶片W的真空吸 附。在該狀態下，臂12A上的半導體晶片W的中心O1相對於旋轉體15A的中心O2在X方向 和Y方向分別偏離了 ΔΧ、ΔΥ。因此，在臂12Α以解除半導體晶片W的真空吸附的狀態下， 以與進入時相比低速地進入到定中心機構16中，半導體晶片W與校準機構16的一對定中 心構件16Α、16Α抵接，進而如果臂12Α進入，則半導體晶片W在臂12Α上滑動，進行Y方向 的定中心，修正Ay的位置偏移。此時，如該圖(b)所示，臂12A保持半導體晶片W的中心 和半導體晶片W的中心O1偏離事先設定的尺寸ΔΧ』。因此，臂12Α再次真空吸附半導體晶 片W，以低速後退Δχ』，在下降的同時解除真空吸附，另一方面，旋轉體12Α吸附、固定半導 體晶片W。此時，半導體晶片的中心O1和旋轉體15Α的中心O2—致。在該狀態下，在旋轉 體15Α旋轉一次期間中通過光學傳感器15Β，結束對半導體晶片W的預校準。然後，在臂12Α上升期間，解除由旋轉體15Α的真空吸附的同時，臂12Α真空吸附 半導體晶片W，從旋轉體15Α接收半導體晶片W。接著，臂12Α以真空吸附半導體晶片W的狀態從預校準部14搬出半導體晶片W，通過旋轉體12B向逆時針方向旋轉90°，使臂12A 的前端朝向探測室20側後，臂12A向探測室20內的載置臺21提交半導體晶片W。在探測室20內，與以往一樣執行半導體晶片W的電特性檢查，在半導體晶片W的 檢查後，驅動第1晶片搬送機構12，由臂12A從載置臺21接收半導體晶片W。然後，臂12A 通過旋轉體12B向順時針方向旋轉90°，沿著與搬出半導體W時相反的路徑，從臂12A到轉 接單元30的原狹縫返回半導體晶片W。對於後續的半導體晶片W也重複上述一系列動作， 進行半導體晶片W的電特性檢查。如果結束了轉接單元30內的全部半導體晶片W的檢查，則驅動RGV40從轉接單元 30搬出半導體晶片W，返回到緩衝晶片盒42內。如以上說明，通過本實施方式，由於具備轉接單元，該轉接單元與將半導體晶片W 自動搬送到與晶片盒載置部11不同的緩衝臺配置部13的RGV40對應地設置，保持多個在 該轉接單元與RGV40之間和該轉接單元與探測室20之間被搬送的半導體晶片W，所以不必 象以往那樣進行晶片盒C和轉接單元30的切換操作，能夠應對半導體晶片W的非自動搬送 和自動搬送。另外，由於轉接單元30設置在緩衝臺配置部13中，所以也沒有必要擴大真空 互鎖室10。另外，通過本實施方式，由於轉接單元30，具有單元主體31 ；在單元主體31內 在上下方向以多段設置且由其外邊緣部三處支持半導體晶片W的第1、第2支持構件32A、 32B，單元主體31，具有第1晶片搬送機構搬入、搬出半導體晶片W的第1開口部31A，和 RGV40搬入、搬出半導體晶片W的第2開口部31B，支持半導體晶片W時，不必真空吸附，能 夠簡化結構，削減設置成本和維護成本。另外，根據本實施方式，由於轉接單元30，在第2支持構件32B中具有檢測有無半 導體晶片W的光學傳感器34，能夠可靠地把握轉接單元30內的半導體晶片W的收納狀況。另外，根據本實施方式，由於預校準機構15設置在轉接單元30下方，在該預校準 機構15的附近設置定中心機構16，所以在進行半導體晶片W的預校準之前，能夠由定中心 機構16對半導體晶片W進行定中心，能夠防止由預校準機構12C中的吸附錯誤和位置偏移 產生的半導體晶片W的損傷，能夠縮短預校準時間。並且，在上述實施方式中，對轉接單元30中由三處支持半導體晶片W的情況進行 了說明，也可以由三處以上保持。另外，定中心構件也並不局限於上述實施方式的構件。本 發明的真空互鎖室中設置的轉接單元，只要不脫離本發明的主旨，就包含在本發明中。本發明，能夠廣泛地應用於配置在半導體製造工廠的無塵室內的各種處理裝置。
權利要求
一種轉接單元內置型真空互鎖室，具備載置收納了多個被處理體的容器的載置部，和在載置於上述載置部的上述容器與處理室之間搬送上述被處理體的搬送機構，其特徵在於，具備轉接單元，該轉接單元與將上述被處理體搬送到與上述載置部不同的部位的自動搬送裝置對應地設置，保持多個在該轉接單元與上述自動搬送裝置之間和該轉接單元與上述處理室之間被搬送的上述被處理體。
2.根據權利要求1所述的轉接單元內置型真空互鎖室，其特徵在於，與上述載置部不同的部位是緩衝臺的配置部位，上述轉接單元兼作上述緩衝臺。
3.根據權利要求1或2所述的轉接單元內置型真空互鎖室，其特徵在於，上述轉接單元，具有單元主體；和在上述單元主體內在上下方向以多段設置且以其 外邊緣部至少在三處支持上述被處理體的支持構件，上述單元主體，具有上述搬送機構搬入、搬出上述被處理體的第1開口部和上述自動 搬送裝置搬入、搬出上述被處理體的第2開口部。
4.根據權利要求3所述的轉接單元內置型真空互鎖室，其特徵在於，至少三處的上述支持構件，具有在上述被處理體中心方向延伸的第1支持構件，和相 對於上述被處理體在切線方向延伸的第2支持構件。
5.根據權利要求3或者權利要求4所述的轉接單元內置型真空互鎖室，其特徵在於， 上述轉接單元，在上述支持構件中具有檢測有無上述被處理體的傳感器。
6.根據權利要求1 5中任意一項所述的轉接單元內置型真空互鎖室，其特徵在於， 在上述轉接單元下方設置與上述搬送機構協動，對上述被處理體進行定中心的定中心機構。
7.根據權利要求1 6中任意一項所述的轉接單元內置型真空互鎖室，其特徵在於， 其被用於對上述被處理體的電特性進行檢查的檢查裝置。
全文摘要
本發明提供一種轉接單元內置型真空互鎖室。真空互鎖室(10)，具備轉接單元，該轉接單元在與晶片盒載置部(11)不同的緩衝臺配置部(13)與自動搬送半導體晶片(W)的RGV(40)對應地設置，保持多個在RGV(40)和每個探測室(20)之間被搬送的半導體晶片(W)。從而，不必象以往那樣進行晶片盒等容器和轉接單元的切換操作，就能夠地應對被檢查體的非自動搬送和自動搬送。
文檔編號H01L21/00GK101930906SQ20101010539
公開日2010年12月29日 申請日期2010年1月28日 優先權日2009年6月23日
發明者保坂廣樹, 秋山收司 申請人:東京毅力科創株式會社