發光裝置封裝及其製造方法
2023-05-20 10:04:41
專利名稱：發光裝置封裝及其製造方法
技術領域：
本發明涉及發光裝置封裝及其製造方法。
背景技術：
發光裝置晶片，例如發光二極體(LED)，是指通過構成穿過化合物半導體PN結的發光源而發出各種顏色光的半導體裝置。LED具有的優勢在於它使用壽命長、體積小、重量輕、光的方向性強以及驅動電壓低。另外，LED可應用於各種領域，因為它們非常抗衝擊和震動、不需要預熱、驅動方式簡單並且可以各種形式封裝。發光裝置晶片(諸如LED)在安裝於模架和由金屬製成的引線框上之後通過封裝工藝而製造成為發光裝置封裝。
發明內容
本發明提供包括具有高耐久性的接合線的發光裝置封裝以及該發光裝置封裝的製造方法。其他方面會在下文的描述中部分地加以闡明，並且部分地從描述中顯而易見，或者可通過實施所提出的實施方式而獲知。根據本發明的一方面，發光裝置封裝包括封裝本體，其上設置有安裝部和端子部；發光裝置晶片，其安裝在安裝部上；以及接合線，其電連接發光裝置晶片的電極和端子部，其中接合線包括從發光裝置晶片上升至環峰(loop peak)的上升部以及連接環峰和端子部的延伸部，其中，上升部上設置有沿著與上升部上升的方向相交的方向彎曲的第一彎折(kink)部。延伸部可包括跨接部，其從環峰朝著端子部延伸；以及下降部，其從跨接部朝著端子部下降並且具有接合至端子部的端部，其中，跨接部上設置有向下彎曲的第二彎折部。接合線和發光裝置晶片可以被透明封裝層覆蓋。封裝本體可包括形成空腔的上框以及在空腔下方形成一結構並允許安裝部和端子部設置於其上的引線框，其中接合線和發光裝置晶片被填充在空腔內的透明封裝層覆
至 Jhl o根據本發明的另一方面，提供一種發光裝置封裝，包括發光裝置晶片；端子部； 電連接發光裝置晶片和端子部的接合線；以及覆蓋發光裝置晶片和接合線的透明封裝層， 其中接合線包括沿著與接合線延伸的方向相交的方向彎曲的彎折部。接合線可形成連接發光裝置晶片和端子部的導線環，並且彎折部可朝著導線環的內側彎曲。接合線可包括從發光裝置晶片上升至環峰的上升部、從環峰朝著端子部延伸的跨接部、以及從跨接部朝著端子部下降的下降部，其中彎折部設置在上升部和跨接部中的至少一個上。根據本發明的另一方面，發光裝置封裝的製造方法包括將發光裝置晶片安裝在封裝本體的安裝部上；通過降低供應導線的細管(capillary)並將導線的端部接合至發光裝置晶片的電極焊盤而形成第一連接部；沿著上升路徑升高細管，以便形成接合線的形狀； 通過朝著封裝本體的端子部降低細管並將導線的另一端部接合至端子部而形成第二連接部；以及切斷接合線，其中上升路徑包括從穿過第一連接部的豎直基準線朝著端子部彎曲的至少一個突出路徑。接合線可包括從第一連接部朝著環峰向上延伸的上升部以及連接環峰和端子部的延伸部，其中上升路徑包括分別對應於上升部和延伸部的第一上升路徑和第二上升路徑，其中突出路徑設置在第一和第二上升路徑中的至少一個上。延伸部可包括跨接部，其從環峰朝著端子部延伸；以及下降部，其從跨接部朝著端子部下降並且具有接合至端子部的端部，其中第二上升路徑包括分別對應於跨接部和下降部的第三上升路徑和第四上升路徑，其中突出路徑包括設置在第一上升路徑上的第一突出路徑和設置在第三上升路徑上的第二突出路徑。第一上升路徑的對應於環峰的端部可設置在關於豎直基準線與端子部相對的一側。
從以下結合附圖對實施方式的描述，這些和/或其它方面將變得顯而易見且更容易理解，附圖中圖I是根據本發明實施方式的發光裝置封裝的橫截面圖；圖2是示出圖I中發光裝置封裝的接合線的詳細橫截面圖；圖3是示出施加壓縮應力時第一彎折部的運動的視圖；圖4是示出施加膨脹應力時第一彎折部的運動的視圖；圖5是示出施加膨脹應力時第二彎折部的運動的視圖；圖6是示出施加壓縮應力時第二彎折部的運動的視圖；圖7是用於說明根據本發明實施方式的發光裝置封裝的製造方法的橫截面圖，示出了通過將導線接合至發光裝置晶片的電極焊盤而形成第一連接部的情況；圖8是用於說明圖7的方法的橫截面圖，示出了用於形成接合線形狀的細管的上升路徑；圖9是用於說明圖7的方法的橫截面圖，示出了通過將導線接合至引線框的端子部而形成第二連接部的情況；以及圖10是用於說明圖7的方法的橫截面圖，示出了形成第二連接部之後將導線切斷的情況。
具體實施例方式下文將參照
本發明的實施方式。在附圖中，相同的參考標號表示相同的元件，並且為了清楚起見，可以擴大元件的尺寸或厚度。圖I是根據本發明實施方式的發光裝置封裝I的橫截面圖。參照圖1，發光裝置封裝I可包括封裝本體2，其中形成有安裝發光裝置晶片300的空腔3。發光裝置晶片300可以為發光二極體(LED)晶片。根據用於形成LED晶片的化合物半導體的材料，LED晶片可發出藍光、綠光和紅光。例如，藍色LED晶片可包括有源層，該有源層包括通過交替設置GaN和InGaN而形成的多個量子阱層，並且由AlxGayNz化合物半導體形成的P型覆蓋層和N型覆蓋層可形成在有源層下方和上方。另外，LED晶片可發射沒有顏色的紫外線(UV)光。雖然發光裝置晶片300為圖I所示的LED晶片，但本發明的實施方式不限於此。例如，發光裝置晶片300可以為UV光電二極體晶片、雷射二極體晶片、有機發光二極體晶片。封裝本體2可包括導電引線框200以及上框100。引線框200可包括其上安裝有發光裝置晶片300的安裝部210以及通過利用導線接合電連接至發光裝置晶片300的第一端子部220和第二端子部230。例如，第一和第二端子部220和230可分別通過接合線401 和402連接至發光裝置晶片300的陽極和陰極。第一和第二端子部220和230可超出上框 100而部分地暴露以用作向發光裝置晶片300供應電流的端子。引線框200可通過壓制或蝕刻諸如鋁或銅的導電金屬板材料而製成。上框100可以為通過例如嵌入成型(insert molding) I禹接至引線框200的模架。 上框100可以由例如電絕緣聚合物形成。上框100形成為凹形，通過該凹形露出安裝部210 以及第一和第二端子部220和230。因此，空腔3是形成在封裝本體2中的。安裝部210以及第一和第二端子部220和230構成位於空腔3下面的結構。空腔3的內表面101可以為反射從發光裝置晶片300發出的光的反射表面，以使光從發光裝置封裝I發出。為此，可將具有高光反射性的材料，例如，銀(Ag)、鋁(Al)、鉬 (Pt)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或銅(Cu)，塗覆或沉積在內表面101上。可替換地，可以接合由上述材料形成的板。可替換地，內表面101的至少一部分可以由引線框200形成。因此，發光裝置封裝I被構造成使得發光裝置晶片300設置在基本上為凹形的空腔3的底面上，並且封裝本體2的內表面101用作用於反射光的反射部，以將光發射到發光裝置封裝I的外部。引線框200的安裝部210以及第一和第二端子部220和230可在上框 100下面露出，以用作發熱表面。由諸如矽的透明樹脂形成的封裝層500形成在空腔3內，以便保護髮光裝置晶片 300以及接合線401和402不受外界影響。封裝層500中可包含用於將發光裝置晶片300 發出的光轉換成具有期望顏色的光的螢光材料。螢光材料可以由單一成分或者兩種或多種成分的混合物構成。圖2是示出連接圖I中的發光裝置封裝I的發光裝置晶片300和第一端子部220 的接合線401的詳細橫截面圖。參照圖2，接合線401包括上升部410，其從發光裝置晶片 300朝著環峰412上升；以及延伸部440，其從環峰412朝著第一端子部220延伸且具有接合至第一端子部220的端部。上升部410的第一連接部411，即上升部410的與環峰412相對的端部，接合至發光裝置晶片300，具體地接合至發光裝置晶片300的陽極焊盤301。第二連接部431，即延伸部440的端部，接合至第一端子部220。雖然在圖2中延伸部440包括從環峰412朝著第一端子部220延伸的跨接部420以及從跨接部420下降至第一端子部 220的下降部430，但本實施方式不限於此。只要可以形成第二彎折部421，則第二彎折部 421和第二連接部431之間的區域可具有一條或多條直線或曲線。如果封裝層500形成在整個空腔3內，則接合線401被埋置在封裝層500中。一旦發光裝置晶片300開始操作，接合線401和封裝層500由於發光裝置晶片300中產生熱量而發生熱膨脹。在這種情況下，由於接合線401和封裝層500之間的熱膨脹係數的差異， 有應力施加於接合線401。這在發光裝置晶片300停止操作和冷卻時也會發生。如果由於接合線401和封裝層500之間的熱膨脹係數的差異而重複地施加膨脹應力和壓縮應力，則第一和第二連接部411和431被迫分別與電極焊盤301和第一端子部220分離。另外，由於接合線401和封裝層500之間的熱膨脹係數的差異產生的應力，接合線401可能斷裂。為了降低由於施加於接合線401的應力而產生的導線斷裂風險，發光裝置封裝I 包括用於減小施加於接合線401的應力的彎折部。術語「彎折」表示彎曲的形狀。彎折部沿著與接合線401延伸的方向相交的方向彎曲。彎折部可設置在接合線401的多個位置處。參照圖2，彎折部可包括設置在上升部410上的第一彎折部413。第一彎折部413 沿著與上升部410上升的方向相交的方向彎曲。第一彎折部413在延伸部440延伸的方向上(即，朝著第一端子部220)彎曲。第一彎折部413朝著由接合線401形成的導線環的內側彎曲。如果發光裝置晶片300重複地啟動和停止操作，則膨脹應力和壓縮應力重複地施加於接合線401。圖3是示出施加壓縮應力時第一彎折部413的運動的橫截面圖。參照圖 3，當壓縮應力施加於接合線401時，第一彎折部413通過如虛線所示地收縮來吸收該壓縮應力。圖4是示出施加膨脹應力時第一彎折部413的運動的橫截面圖。參照圖4，當膨脹應力施加於接合線401時，第一彎折部413通過如虛線所示地膨脹來吸收該膨脹應力。在圖 3和圖4中，為了便於說明，壓縮應力和膨脹應力簡單地豎直施加於接合線401。然而，因為壓縮應力和膨脹應力施加於整個接合線401，本領域技術人員應該理解，接合線401實際上可能以與圖3和圖4所示不同的形狀變形。例如，雖然未示出，如果施加壓縮應力，則第一彎折部413可以收縮，使得第一彎折部413和環峰412之間的區域在延伸部440延伸的方向上(即，朝著第一端子部220)傾斜。如果施加膨脹應力，則第一彎折部413可以膨脹，使得第一彎折部413和環峰412之間的區域在與延伸部440延伸的方向相反的方向上傾斜。如上所述，由於第一彎折部413用作可以響應膨脹應力和壓縮應力並幫助接合線 401適當變形的緩衝部，所以可以降低接合線401本身斷裂的風險。另外，由於膨脹應力和壓縮應力被吸收，所以可以降低第一和第二連接部411和431分別與發光裝置晶片300和第一端子部220分離的風險。彎折部還可包括設置在延伸部440上的第二彎折部421。在圖2中，第二彎折部 421設置在跨接部420上。第二彎折部421沿著與延伸部440延伸的方向相交的方向彎曲。 在圖2中，第二彎折部421向下彎曲，即朝著由接合線401形成的導線環的內側彎曲。當施加膨脹應力時，第二彎折部421如圖5的虛線所示地膨脹，並且當施加壓縮應力時，第二彎折部421如圖6的虛線所示地收縮。同樣，由於第二彎折部421用作可以響應壓縮應力和膨脹應力並幫助接合線401適當變形的緩衝部，所以可以降低接合線401本身斷裂的風險。 另外，可以降低第一和第二連接部411和431分別與發光裝置晶片300和第一端子部220 分離的風險。在圖5和圖6中，為了便於說明，壓縮應力和膨脹應力簡單地水平施加於接合線 401。然而，本領域技術人員應該理解，接合線401實際上可能以與圖5和圖6所示不同的形狀的變形。例如，當壓縮應力施加於整個接合線401時，第一彎折部413可以收縮，使得第一彎折部413和環峰412之間的區域在延伸部440延伸的方向上傾斜。在這種情況下，第二彎折部421可以如圖6的虛線所示地收縮。另外，當施加膨脹應力時，第一彎折部413可以膨脹，使得第一彎折部413和環峰412之間的區域在與延伸部440延伸的方向相反的方向上傾斜。在這種情況下，第二彎折部421可以如圖5的虛線所示地膨脹。同樣，由於第一彎折部413和第二彎折部421響應壓縮應力或膨脹應力並且收縮或膨脹來吸收所述應力， 所以可以降低接合線401本身斷裂的風險或者第一和第二連接部411和431分別與發光裝置晶片300和第一端子部220分離的風險。彎折部可具有朝著導線環的內側彎曲的形狀，以便使接合線401形成的導線環佔據的空間最小，但本實施方式不限於此。彎折部可具有朝著導線環的外側彎曲或朝著導線環的內側和外側兩側彎曲的形狀。雖然在圖2中一個第一彎折部413和一個第二彎折部 421設置在接合線401上，但本實施方式不限於此。如果必要，可設置兩個或多個第一和第二彎折部413和421。當弧高(即，從發光裝置晶片300到環峰412的高度)等於或大於約 200 u m時,彎折部的緩衝操作會非常有效。雖然在上述實施方式中通過利用彎折部降低了膨脹應力和壓縮應力，但本發明不限於此。膨脹應力和壓縮應力還可能由於施加於發光裝置封裝I的外部衝擊而產生，並且通過利用上述操作來降低由於外部衝擊產生的應力，彎折部可以降低接合線401斷裂的風險以及第一和第二連接部411和431分離的風險。雖然以上說明了連接至第一端子部220的接合線401，但同樣的說明適用於連接至第二端子部230的接合線402。現在將說明發光裝置封裝I的製造方法。首先，通過壓制或蝕刻諸如鋁或銅的金屬板材料來形成其上設置有安裝部210以及第一和第二端子部220和230的引線框200。可以執行清潔，以便在稍後說明的注射成型之前去除引線框200上的雜質。還可執行鍍覆，以便改變引線框200的表面。將上框100 耦接至引線框200。可通過使用諸如聚鄰苯二甲醯鄰苯二胺(PPA)或液晶聚合物(LCP)的聚合物利用嵌入成型等技術在引線框200上形成上框100。因此，如圖I所示，獲得其中形成有空腔3的封裝本體2。引線框200構成位於空腔3下面的結構。將發光裝置晶片300 安裝在安裝部210上。可通過利用例如粘接劑將發光裝置晶片300附接至安裝部210。圖7是用於說明包括具有圖2所示形狀的接合線401的發光裝置封裝I的製造方法的橫截面圖。參照圖7，通過細管501供應導線502形式的諸如金或銅的導電材料。夾鉗505選擇性地允許或阻止導線502的供應。如圖7中的虛線所示，通過將放電電極503或加熱單元移至靠近通過細管501供應的導線502的端部，導線502的端部熔化。於是，在導線502的端部上形成球504。然後， 在夾鉗505打開以便允許供應導線502的情況下，細管501降低以使球504接觸電極焊盤 301。在這種情況下，通過施加適當的負荷和超聲波振動使球504接合電極焊盤301而形成第一連接部411。接下來，升高細管501，以便形成接合線401的形狀。圖8是用於說明發光裝置封裝I的製造方法的橫截面圖，示出了細管501的上升路徑600。如圖8所示，升高細管501以形成接合線401的形狀。在細管501升高的同時， 夾鉗505保持打開以允許供應導線502。
細管501的上升路徑600可包括第一上升路徑610和第二上升路徑620。第一和第二上升路徑610和620可以分別為用於形成上升部410和延伸部440的路徑。第二上升路徑620可包括分別對應於跨接部420和下降部430的第三上升路徑630和第四上升路徑 640。細管501的上升路徑600包括從穿過第一連接部411的豎直基準線L朝著第一端子部220突出的至少一個突出路徑。參照圖8，從豎直基準線L朝著第一端子部220突出的第一突出路徑611設置在第一上升路徑610上。第一突出路徑611用於形成第一彎折部413。第一突出路徑611可以由從豎直基準線L朝著第一端子部220延伸的路徑613和從路徑613向上延伸的路徑614 形成。路徑614不必與豎直基準線L平行。第一上升路徑610的端部612對應於環峰412。 在完成接合之後，如果環峰412朝著第一端子部220傾斜，可將接合線401向下彎曲以接觸引線框200。因此，為了防止完成接合之後環峰412朝著第一端子部220傾斜，將第一上升路徑610的端部612設置在關於豎直基準線L與第一端子部220相對的一側。再次參照圖8，從豎直基準線L朝著第一端子部220突出的第二突出路徑621設置在第二上升路徑620上，具體地設置在第三上升路徑630上。第二突出路徑621用於形成第二彎折部421。第二突出路徑621可包括從對應於環峰412的端部612朝著第一端子部 220傾斜上升的路徑623以及在與第一端子部220相反的方向上從路徑623傾斜上升的路徑624。第三上升路徑630的端部622成為跨接部420和下降部430之間的連接部。如果細管501不再升高，則沿著圖8中箭頭A所示的曲線軌跡朝著第一端子部220 降低細管501。在細管501降低的同時，夾鉗505保持關閉以阻止導線502的供應。當細管 501降低時，第一和第二上升路徑610和620的導線502的一部分擴展，並且當導線502接觸第一端子部220時，形成如圖9所示的包括第一和第二彎折部413和421的接合線401 形狀。在這種情況下，通過施加適當的負荷和超聲波振動使導線502接合至第一端子部220 而形成第二連接部431。接下來，如圖10所示，當細管501上升同時被夾緊時，導線502被切斷，從而完成連接接合線401的接合工藝。以與以上所述相同的方式執行將接合線402連接至第二端子部230以及發光裝置晶片300的陰極焊盤302的接合工藝。當兩個接合工藝都完成時，可執行在空腔3內形成封裝層500的工藝。可通過向空腔3內注射透明樹脂(例如，透明矽)並乾燥和固化該透明樹脂來形成封裝層500。可在封裝層500中分散用於將發光裝置晶片300發出的光轉換成期望顏色的光的螢光材料。可通過在空腔3內填充其中分散有螢光材料的透明樹脂並乾燥和固化該透明樹脂來形成封裝層500。可利用上述方法製造包括接合線401和402的發光裝置封裝1，其中所述接合線上設置有至少一個彎折部。雖然上述實施方式中說明了包括其中形成有空腔3的封裝本體2的發光裝置封裝以及發光裝置封裝I的製造方法，但本發明不限於圖I至圖10所示的發光裝置封裝I以及發光裝置封裝I的製造方法的實施方式。例如，發光裝置晶片300的陽極焊盤301和陰極焊盤302之一(例如，陰極焊盤302)可設置在發光裝置晶片300的下面，以便直接電連接至安裝部210。即，安裝部210還可用作第二端子部230。在這種情況下，發光裝置晶片300的陽極焊盤301和第一端子部220可利用接合線401彼此電連接。另外，例如，發光裝置封裝I不必包括空腔3。發光裝置封裝I可構造成使得發光裝置晶片300安裝在引線框200 的安裝部210上，發光裝置晶片300以及端子部220和230利用接合線401和402而連接， 並且形成覆蓋發光裝置晶片300以及接合線401和402的透明封裝層500。在這種情況下， 封裝本體2可以由引線框200形成，並且可省去上框100。另外，封裝本體2可以由引線框 200以及支撐引線框200的上框100兩者形成。即，只要封裝本體包括其上安裝有發光裝置晶片的安裝部以及至少一個端子部即可，本發明不限制封裝本體的類型和結構。儘管已經參照本發明的示例性實施方式示出並描述了本發明，但本領域技術人員應該理解，只要不背離所附權利要求所限定的本發明的精神和範圍，可以在形式和細節方面做出各種修改。
權利要求
1.一種發光裝置封裝，包括封裝本體，其上設置有安裝部和端子部；發光裝置晶片，其安裝在所述安裝部上；以及接合線，其電連接所述發光裝置晶片的電極和所述端子部，其中，所述接合線包括從所述發光裝置晶片上升至環峰的上升部以及連接所述環峰和所述端子部的延伸部，其中，所述上升部上設置有沿著與所述上升部上升的方向相交的方向彎曲的第一彎折部。
2.根據權利要求I所述的發光裝置封裝，其中，所述接合線和所述發光裝置晶片被透明封裝層覆蓋。
3.根據權利要求I所述的發光裝置封裝，其中，所述封裝本體包括形成空腔的上框以及在所述空腔下方形成一結構並允許所述安裝部和所述端子部設置於其上的引線框，其中，所述接合線和所述發光裝置晶片被填充在所述空腔內的透明封裝層覆蓋。
4.根據權利要求I所述的發光裝置封裝，其中，所述延伸部包括跨接部，其從所述環峰朝著所述端子部延伸；以及下降部，其從所述跨接部朝著所述端子部下降並且具有接合至所述端子部的端部，其中，所述跨接部上設置有向下彎曲的第二彎折部。
5.根據權利要求4所述的發光裝置封裝，其中，所述接合線和所述發光裝置晶片被透明封裝層覆蓋。
6.根據權利要求4所述的發光裝置封裝，其中，所述封裝本體包括形成空腔的上框以及在所述空腔下方形成一結構並允許所述安裝部和所述端子部設置於其上的引線框，其中，所述接合線和所述發光裝置晶片被填充在所述空腔內的透明封裝層覆蓋。
7.一種發光裝置封裝，包括發光裝置晶片；端子部；接合線，其電連接所述發光裝置晶片和所述端子部；以及透明封裝層，其覆蓋所述發光裝置晶片和所述接合線，其中，所述接合線包括沿著與所述接合線延伸的方向相交的方向彎曲的彎折部。
8.根據權利要求7所述的發光裝置封裝，其中，所述接合線形成連接所述發光裝置晶片和所述端子部的導線環，並且所述彎折部朝著所述導線環的內側彎曲。
9.根據權利要求6所述的發光裝置封裝，其中，所述接合線包括從所述發光裝置晶片上升至環峰的上升部、從所述環峰朝著所述端子部延伸的跨接部、以及從所述跨接部朝著所述端子部下降的下降部，其中，所述彎折部設置在所述上升部和所述跨接部中的至少一個上。
10.一種發光裝置封裝的製造方法，所述方法包括將發光裝置晶片安裝在封裝本體的安裝部上；通過降低供應導線的細管並將所述導線的端部接合至所述發光裝置晶片的電極焊盤而形成第一連接部；沿著上升路徑升高所述細管，以便形成接合線的形狀；通過朝著所述封裝本體的端子部降低所述細管並將所述導線的另一端部接合至所述端子部而形成第二連接部；以及切斷所述導線，其中，所述上升路徑包括從穿過所述第一連接部的豎直基準線朝著所述端子部彎曲的至少一個突出路徑。
11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述接合線包括從所述第一連接部朝著環峰向上延伸的上升部以及連接所述環峰和所述端子部的延伸部，其中，所述上升路徑包括分別對應於所述上升部和所述延伸部的第一上升路徑和第二上升路徑，其中，所述突出路徑設置在所述第一和第二上升路徑中的至少一個上。
12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述第一上升路徑的對應於所述環峰的端部設置在關於所述豎直基準線與所述端子部相對的一側。
13.根據權利要求11所述的方法，其中，所述延伸部包括跨接部，其從所述環峰朝著所述端子部延伸；以及下降部，其從所述跨接部朝著所述端子部下降並且具有接合至所述端子部的端部，其中，所述第二上升路徑包括分別對應於所述跨接部和所述下降部的第三上升路徑和第四上升路徑，其中，所述突出路徑包括設置在所述第一上升路徑上的第一突出路徑以及設置在所述第三上升路徑上的第二突出路徑。
14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述第一上升路徑的對應於所述環峰的端部設置在關於所述豎直基準線與所述端子部相對的一側。
全文摘要
本發明公開一種發光裝置封裝及其製造方法，該發光裝置封裝包括其上設置有安裝部和端子部的封裝本體；安裝在安裝部上的發光裝置晶片；電連接發光裝置晶片的電極和端子部的接合線。該接合線包括從發光裝置晶片上升至環峰的上升部以及連接環峰和端子部的延伸部。上升部上設置有沿著與上升部上升的方向相交的方向彎曲的第一彎折部。
文檔編號H01L33/62GK102593333SQ201110348598
公開日2012年7月18日 申請日期2011年11月7日 優先權日2011年1月7日
發明者吳國珍, 李峻吉, 林栽允 申請人:三星Led株式會社