製備低電阻率摻雜氧化鋅塗層及由此製成的物件的方法

2023-05-19 17:02:51

專利名稱：：製備低電阻率摻雜氧化鋅塗層及由此製成的物件的方法製備低電阻率摻雜氧化鋅塗層及由此製成的物件的方法
背景技術：
：本發明涉及在透明襯底上沉積摻雜氧化鋅塗層的方法，更具體地，本發明涉及在玻璃襯底上沉積摻鎵或鋁氧化鋅塗層的化學氣相沉積法。摻雜氧化鋅塗層的沉積，已見報於專利文獻。例如，美國專利6,268,019公開了在例如玻璃的襯底上的高透光性且低電阻率的氧化鋅薄膜。該專利講授了以下方法在不同於薄膜形成空間的空間裡通過活化能活化起始原料氣體，從而形成有助於沉積薄膜形成的前體，在不同於薄膜形成空間和上述空間的空間裡通過活化能活化起始原料氣體，從而形成與前體發生化學反應的活性物質，將前體和活性物質引入薄膜形成空間，從而沉積薄膜，其中用於形成前體的起始原料氣體是烷基鋅化合物，而用於形成活性物質的起始原料是氧氣或臭氧。該參考文獻講授了光電裝置或高性能平板顯示器裝置的製造。指出鋁是增加ZnO薄膜傳導性的最優選摻雜劑。美國專利5,342,676講授了一種具有傳導性、低發射率透明功能性薄膜的玻璃襯底，該膜基於一種或多種金屬氧化物，其上沉積有"外部"塗層。摻鋁氧化鋅是這種薄膜的例子。美國專利6,569,548公開了通過將氧化鋅塗層用氮和鎵摻雜，而形成電阻率小於摻錫氧化銦(ITO)的透明傳導性氧化鋅薄膜。期望能夠在浮法玻璃生產工藝中，通過大氣壓力化學氣相沉積法，以高沉積速率製備摻鎵或鋁的氧化鋅薄膜，使用相對廉價的前體原料，生產出具有所需低電阻率特性的塗層玻璃物件。還期望通過大氣壓力化學氣相沉積法，以高沉積速率在聚合襯底上製備摻鎵或鋁的氧化鋅薄膜，使用相對廉價的前體原料，生產出具有所需低電阻率特性的塗層物件。發明概述本發明提供了用於在熱玻璃襯底上沉積摻鎵或鋁氧化鋅塗層的大氣壓力化學氣相沉積法。該方法提供了具有待沉積塗層的表面的熱玻璃襯底，表面溫度至少為400°C。將含鋅化合物、含氧化合物和含鋁或鎵化合物引到待沉積塗層的表面上。使含鋅化合物、含氧化合物和含鋁或鎵化合物一起混合足夠的時間，以大於5納米/秒的沉積速率在表面上形成摻鋁或鎵的氧化鋅塗層。附圖簡述附圖併入並構成本說明書的一部分，闡述了本發明的幾個方面，與本i兌明書一起，用於解釋本發明的主旨。圖1是本發明幾個實施例中氧化鋅薄膜的電子密度(n)對比鎵濃度(流速)的圖示。圖2是本發明幾個實施例中氧化鋅薄膜生長速率對比水濃度(waterconcentration)的圖示。圖3是本發明幾個實施例中氧化鋅薄膜的電子密度對比沉積溫度的圖示。圖4是本發明幾個實施例中還原氛圍下氧化鋅薄膜的電阻率對比襯底溫度的圖示。發明詳述雖然氧化鋅塗層和沉積方法是周知的，但是在浮法玻璃生產線上的玻璃製造工藝中，以商業化可行的生長速率製造熱解摻雜的氧化鋅塗層的成本有效方法，之前並不為人所知。本發明克服了以商業化可行的生長速率製造這種氧化鋅薄膜的先前障礙。雖然可以將任何適當的大氣壓力化學氣相沉積法用於本發明，但是優選AtofinaChemicals,Inc.的美國專利6,268,019中所公開的沉積方法。該'019專利通過其整體引用而併入本文。'019專利的方法顯示能夠以商業上有利的生長速率，例如大於5納米/秒，沉積各類金屬氧化物薄膜。'019專利的沉積方法還有一個優點是能夠改變反應物原料的混合時間，進而，在這種情況下可調整氧化鋅塗層的特性。特別地，本發明證實了使用鎵或鋁作為摻雜劑來生產摻雜氧化鋅層的好處。這種氧化鋅塗層玻璃產品可用作建築窗應用中的低發射率和/或太陽能控制層。這種透明傳導性氧化物的其它可能應用包括光電裝置、固態發光(solid-statelighting)(LED和OLED)、感應加熱、平板顯示器和觸摸板屏幕、可用於RFID標籤和集成電路中的透明薄膜電晶體(TFT)。適當的含鋅化合物包括，但不限於通式RI^Zn或R、2Zn-[R3R4N(CHR5)n(CH2)m(CHR6)nNR7R8]的化合物，其中R"s可以是相同或不同的烷基或芳基，例如曱基、乙基、異丙基、正丙基、正丁基、仲丁基、苯基或取代苯基，且可以包含一個或多個含氟的取代基，RS和RS可以是H或烷基或芳基，n可以是O或l,而且如果n是l,m可以是l至6,而且如果n是l,m可以是0至6。優選的含鋅化合物包括二乙基和二甲基鋅加合物(例如)二乙基鋅.TEEDA(TEEDA=N,N,N',N'-四乙基乙二胺)、二乙基鋅.TMEDA(TMEDA=N,N,N',N'-四甲基乙二胺)、二乙基鋅.TMPDA(TMPDA=N,N,N',N'畫四甲基-l,3-丙二胺)、二甲基鋅'TEEDA、二甲基鋅.TMEDA和二甲基鋅TMPDA。適當的含13族金屬的前體包括通式R9(3—n)M(R"C(0)CR"C(0)R,n或R93M(L)的那些，其中M=B,Al,Ga,In或Tl，R9為烷基或芳基或卣素(halide)或烴氧化物基(alkoxidegro叩)，R1W2可以相同或不同且為H、烷基或芳基(包括環狀以及部分和全氟化的衍生物)，11=0至3，且L-能與金屬配合的中性配體。優選的含鎵前體是六氟乙醯丙酮根合二甲基4象(常稱作Me2Ga(hfac))。其它適當的含鎵前體包括(六氟乙醯丙酮根合)二乙基鎵、三甲基鎵、三甲基鎵(四氫呋喃)、三乙基鎵(四氫呋喃)、(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮根合)二甲基鎵、(乙醯丙酮根合)二甲基鎵、三(乙醯丙酮根合)鎵、三(l，l,l-三氟乙醯丙酮根合)鎵、三(2,2,6,6-四曱基-3,5-庚二酮根合)鎵和三乙基鎵。其它含鎵化合物可適於用作本發明的前體。適當的含鋁前體包括R、nAlR、和R、Al(L)，其中W為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基或辛基，le是囟素或者取代或未取代的乙醯丙酮根衍生物，包括部分和全氟化的衍生物，n為0至3，且L是能與鋁配合的中性配體。優選的含鋁前體包括乙醯丙酮根合二乙基鋁(Et2Al(acac))、氯化二乙基鋁、(六氟乙醯丙酮根合)二乙基鋁、(l,l,l-三氟乙醯丙酮根合)二乙基鋁、(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮根合)二乙基鋁、三乙基鋁、三(正丁基)鋁和三乙基鋁(四氬呋喃)。其它含鋁化合物可適於用作本發明的前體。適當的含氧化合物包括，但不限於有機乙酸酯，例如乙酸乙酯(EtOAc)或乙酸叔丁西旨，醇(包括全氟化的衍生物)，氧和水，優選H20。惰性載氣，例如氮、氦等也可用作本發明氣體反應物流的組分。發現適於所需化學反應進行的溫度為>400匸，特別為500。C至700°C。依照本發明方法製成的ZnO:Ga薄膜可顯示電阻率低至3.0e-4ohm-cm，載流子遷移率達15cm2/(Vs)，電子密度達1.le21cm-3。依照本發明沉積的ZnO:Al薄膜可顯示電阻率低至5.59e-4ohm-cm，載流子遷移率達19cm2/(Vs)，電子密度達5.93e20cm-3。以下非限制實施例闡述本發明的某些方面。實施例現已發現，在氣體混合物中使用相對高比例的H20，可與適當的鋅前體原料發生迅速且有效的反應，以商業上有利的速率生產氧化鋅薄膜。實施例1至8中所用的APCVD儀器類似於美國專利6268019Bl中所述的儀器。該儀器的關鍵特徵是能夠通過分別向塗層噴嘴加蒸汽來控制氣體反應物的混合時間。在這些試驗中塗層噴嘴由同心管組成通過壓縮裝置(compressionfitting)將1/4"二級管》丈入3/4"初級管，可調整混合區的長度，外部的1.25"管與排風機相連，可移除副產物和未反應的蒸汽。由這個噴嘴構造所產生的薄膜為圓形，直徑約為7/8"。實施例9至11和13中所用的APCVD裝置由包括混合室的單槽塗布機組成，兩獨立的前體流在與襯底表面接觸之前可在混合室裡受控混合。混合室長度為1.25英寸。對於15升/分鐘的總氮載氣流，兩前體流的混合時間約為280毫秒。沉積副產物和未反應的前體蒸汽通過與排風才幾相連的兩個排料槽(與塗層槽相鄰)淨皮移除。由這個噴嘴所產生薄膜的寬度約為4英寸。加熱後的襯底可經噴嘴下方傳輸以塗成各種長度。實施例12中所用的APCVD裝置在動態塗布機上操作，3或4毫米厚的玻璃預熱襯底緊靠金屬塗布機頭的下方移動，引導氣體的化學混合物與60(TC下的熱玻璃襯底接觸，隨後立即取出。如下所述的氣體混合物在化學品傳輸車(deliverytrolley)內進行預混，再通過加熱的傳輸管被加到塗布機頭內。根據化學品流動條件和試驗實際尺寸，反應物混合時間經計算在到達加熱玻璃之前超過1秒鐘。塗層沉積時間，定義為玻璃在有效化學沉積區域下通過的時間，約為15秒。實施例1將Me2Ga(hfac)(hfac=六氟乙醯丙酮根，F3CC(0)CHC(0)CF3)溶於無水庚烷中，製成0.58M的溶液，以精密控制Ga前體的注入。將一組ZnO:Ga薄膜從160。C溫度下加到初級給料管中的12slpm氮載氣中的0.289摩爾％Et2Zn'TEEDA(TEEDA=N,N,N',N'-四乙基乙二胺)和0.012摩爾。/oMe2Ga(hfac)沉積。在二級給料管中，於160。C溫度下加入13.8摩爾％水在3slpm氮氣中的氣體混合物。插入二級噴嘴使混合區長度為18釐米，相當於初級和二級給料流之間的混合時間為97msec。用於沉積的襯底為厚度為1.1毫米的硼矽酸鹽浮法玻璃。在設於675。C的電阻加熱鎳塊上加熱襯底。紅外線高溫計記錄襯底溫度為650。C。薄膜的沉積時間為20秒，所得摻雜ZnO薄膜的厚度為566納米。該薄膜的Hall電阻率平均為4.5e-4ohm-cm，測得的遷移率為15.0cm2/(Vs)，測得的電子密度為9.22e20cnT3。實施例2將一組ZnO:Al薄膜從160。C溫度下加到初級給料管中的12slpm氮載氣中的0.289摩爾％Et2ZnTEEDA和0.025摩爾％Et2Al(acac)(acac-乙醯丙酮根，H3CC(0)CHC(0)CH3)沉積。在二級給料管中，於160。C溫度下加入6.92摩爾％水在3slpm氮氣中的氣體混合物。插入二級噴嘴使混合區長度為18釐米，相當於初級和二級給料流之間的混合時間約為97msec。用於沉積的村底為厚度為1.1毫米的硼矽酸鹽浮法玻璃。在設於375。C的電阻加熱鎳塊上加熱襯底。紅外線高溫計記錄襯底溫度為350°C。薄膜的沉積時間為20秒，所得摻雜ZnO薄膜的厚度為637納米。該薄膜的Hall電阻率平均為3.83e-2ohm-cm,測得的遷移率為0.43cm2/(Vs)，測得的電子密度為3.78e20cm—3。實施例3將一組ZnO:Al薄膜從160。C溫度下加到初級給料管中的12slpm氮載氣中的0.289摩爾％Et2ZnTEEDA和0.025摩爾％Et2Al(acac)沉積。在二級給料管中，於160。C溫度下加入6.92摩爾o/o水在3slpm氮氣中的氣體混合物。插入二級噴嘴使混合區長度為18釐米，相當於初級和二級給料流之間的混合時間約為97msec。用於沉積的襯底為厚度為1.1毫米的硼矽酸鹽浮法玻璃。在設於475。C的電阻加熱鎳塊上加熱襯底。紅外線高溫計記錄襯底溫度為450°C。薄膜的沉積時間為20秒，所得摻雜ZnO薄膜的厚度為616納米。該薄膜的Hall電阻率平均為1.32e-3ohm-cm，測得的遷移率為16.4cm2/(Vs)，測得的電子密度為2.89e20cm—3。實施例4將一組ZnO:Al薄膜從160。C溫度下加到初級給料管中的12slpm氮載氣中的0.289摩爾％Et2ZnTEEDA和0.025摩爾％Et2八l(acac)沉積。在二級給料管中，於160。C溫度下加入6.92摩爾y。水在3slpm氮氣中的氣體混合物。插入二級噴嘴使混合區長度為18釐米，相當於初級和二級給料流之間的混合時間約為97msec。用於沉積的襯底為厚度為1.1毫米的硼矽酸鹽浮法玻璃。在設於525。C的電阻加熱鎳塊上加熱襯底。紅外線高溫計記錄襯底溫度為500°C。薄膜的沉積時間為20秒，所得摻雜ZnO薄膜的厚度為646納米。該薄膜的Hall電阻率平均為5.59e-4ohm-cm，測得的遷移率為19.0cm2/(Vs)，測得的電子密度為5.93e20cm'3。實施例5將一組ZnO:Al薄膜從160。C溫度下加到初級給料管中的12slpm氮載氣中的0.289摩爾％Et2Zn.TEEDA和0.025摩爾％EWU(acac)沉積。在二級給料管中，於160。C溫度下加入6.92摩爾o/o水在3slpm氮氣中的氣體混合物。插入二級噴嘴使混合區長度為18釐米，相當於初級和二級給料流之間的混合時間約為97msec。用於沉積的襯底為厚度為1.1毫米的硼矽酸鹽浮法玻璃。在設於575。C的電阻加熱鎳塊上加熱襯底。紅外線高溫計記錄村底溫度為55(TC。薄膜的沉積時間為20秒，所得摻雜ZnO薄膜的厚度為453納米。該薄膜的Hall電阻率平均為1.43e-3ohm-cm,測得的遷移率為15.5cm2/(Vs),測得的電子密度為2.80e20cm—3。實施例6將一組ZnO:Al薄膜從160。C溫度下加到初級給料管中的12slpm氮載氣中的0.289摩爾％Et2ZnTEEDA和0.025摩爾％Et2Al(acac)沉積。在二級給料管中，於160°〇溫度下加入6.92摩爾％水在3slpm氮氣中的氣體混合物。插入二級噴嘴使混合區長度為18釐米，相當於初級和二級給料流之間的混合時間約為97msec。用於沉積的襯底為厚度為1.1毫米的硼矽酸鹽浮法玻璃。在設於675。C的電阻加熱鎳塊上加熱襯底。紅外線高溫計記錄襯底溫度為650°C。薄膜的沉積時間為20秒，所得ZnO薄膜的厚度為375納米。該薄膜的Hall電阻率平均為3.63e-3ohm-cm，測得的遷移率為6.9cm2/(Vs)，測得的電子密度為2.50e20cm人實施例7將一組ZnO薄膜從16(TC溫度下加到初級給料管中的12slpm氮載氣中的0.289摩爾％Et2Zn'TEEDA和0.025摩爾％Et2Al(acac)沉積。在二級給料管中，於160。C溫度下加入6.92摩爾o/。水在3slpm氮氣中的氣體混合物。插入二級噴嘴使混合區長度為18釐米，相當於初級和二級給料流之間的混合時間約為97msec。用於沉積的襯底為厚度為1.1毫米的硼矽酸鹽浮法玻璃。在設於725。C的電阻加熱鎳塊上加熱襯底。紅外線高溫計記錄村底溫度為700°C。薄膜的沉積時間為20秒，所得薄膜的厚度為4%納米。該薄膜的Hall電阻率平均為6.18ohm-cm,測得的遷移率為0.21cm2/(Vs)，測得的電子密度為4.80el8-3cm。實施例8將一組ZnO薄膜從160。C溫度下加到初級給料管中的12slpm氮載氣中的0.289摩爾％Et2Zn'TEEDA沉積。在二級給料管中，於160°C溫度下加入13.8摩爾％水在3slpm氮氣中的氣體混合物。插入二級噴嘴使混合區長度為18釐米，相當於初級和二級給料流之間的混合時間約為97msec。用於沉積的襯底為厚度為1.1毫米的硼矽酸鹽浮法玻璃。在設於675。C的電阻加熱鎳塊上加熱襯底。紅外線高溫計記錄襯底溫度為650。C。薄膜的沉積時間為20秒，所得ZnO薄膜的厚度為439納米。這些薄膜具有非常高的電阻率，大於10ohm-cm。實施例9在no。c下，將0.43摩爾％￡^211.丁，0八(丁膨0八=>^:^",:^-四甲基丙烷-l,3-二胺)在6slpm氮載氣中的氣體混合物，加到初級給料管中。將摻雜劑從不鏽鋼噴口(bubbler)引到初級給料管中。噴口含34.8。C下的Me2Ga(acac)。Ga-前體神皮預熱(60。C)氮氣吸收(pickup)，流速為410sccm。在二級給料管中，於170。C下加入0.26摩爾％H20和4.06摩爾％2-丁醇在4slpm氮氣中的氣體混合物。將二級給料與初級流共同加到混合室內。混合室的長度為11/4英寸，相當於初級和二級給料流之間的混合時間為417msec。用於沉積的襯底為厚度為0.7毫米的硼矽酸鹽玻璃。在設於500。C的電阻加熱鎳塊上加熱襯底。薄膜以動態;漠式進行沉積，得到厚度為694納米的ZnO薄膜，沉積速率為9.3納米/秒。這些薄膜用BYKHazeGuardPlus混濁度測量儀測得的混濁度(haze)平均為0.4%。電阻率、遷移率和電子密度分別為1.97e-4ohm-cm、23cm2/(Vs，1.36e21cnT3。實施例10在17(TC下，將0.48摩爾％Me2Zn'TMPDA在10slpm氮載氣中的氣體混合物，加到初級給料管中。將摻雜劑從不鏽鋼噴口(bubbler)引到初級給料管中。噴口含42,8。C下的Me2Ga(acac)。Ga-前體被預熱(60。C)氮氣吸收，流速為210sccm。在二級給料管中，於170。C下加入0.415摩爾％&0和3.26摩爾％2-丁醇在5slpm氮氣中的氣體混合物。將二級給料與初級流共同加到混合室內。混合室的長度為11/4英寸，相當於初級和二級給料流之間的混合時間為278msec。用於沉積的襯底為厚度為0.7毫米的硼矽酸鹽玻璃。在設於550。C的電阻加熱鎳塊上加熱襯底。這些薄膜以靜態模式進行沉積的時間為55秒，所得ZnO薄膜的厚度為725納米，沉積速率為13.2納米/秒。這些薄膜用BYKHazeGuardPlus混濁度測量儀測得的混濁度平均為2.6至2.7%。電阻率、遷移率和電子密度分別為2.1e-4ohm-cm、22.4cm2/(Vs)和1.32e21cnT3。實施例11在17(TC下，將0.43摩爾％Et2Zn'TMPDA在6slpm氮載氣中的氣體混合物，加到初級給料管中。將摻雜劑從不鏽鋼噴口(bubbler)引到初級給料管中。噴口含34.8。C下的Me2Ga(acac)。Ga-前體被預熱(6CTC)氮氣吸收，流速為410sccm。在二級給料管中，於170。C下加入0.26摩爾％H20和4.06摩爾％2-丁醇在4slpm氮氣中的氣體混合物。將二級給料與初級流共同加到混合室內。混合室的長度為11/4英寸，相當於初級和二級給一'+流之間的混合時間為417msec。用於沉積的襯底為厚度為0.7毫米的硼矽酸鹽玻璃。在設於500。C的電阻加熱鎳塊上加熱襯底。以動態模式沉積薄膜，所得ZnO薄膜的厚度為718納米，沉積速率為9.6納米/秒。這些薄膜用BYKHazeGuardPlus混濁度測量儀測得的混濁度平均為0.5%。電阻率、遷移率和電子密度分別為2.14e曙4ohm-cm、18.4cm2/(Vs)和1.58e21cm:實施例12將DEZ、IPA和N2的氣體混合物在化學品傳輸車中進行預混，並通過加熱的傳輸管加到塗布機頭。在0.025slpm的流速和5。C的噴口溫度下，三甲基鎵(TMGa)被N2氣以0.06slpm流速攜帶，並結合0.9slpmN2載氣中的DEZ(流速0.347slpm,噴口溫度85。C)和1slpmN2載氣中的IPA(流速0.508slpm，噴口溫度58°C)，餘量N2氣10slpm(塗布機頭上20cm)。塗層沉積時間，定義為玻璃在有效化學沉積區域下通過的時間，約為15秒。所得Ga摻雜氧化鋅的厚度約為280納米，4點探針(4pointprobe)測得的薄膜電阻為55ohm/sq。現已觀察到，添加TMGa會降低塗層沉積速率，同時改善塗層均勻度。實施例13在170。C下，將0.48摩爾％ofZnEt2-TMPDA在10slpm氮載氣中的氣體混合物，加到初級給料管中。將Al和Ga摻雜劑從不鏽鋼噴口(bubbler)引到初級給料管中。含AlEt2acac的噴口設定在90°C。Al-前體被預熱至95。C的氮氣以500sccm吸收。含GaMe2acac的噴口設定在50。C。Ga-前體被預熱至60。C的氮氣吸收，流速為150sccm。在二級給料管中，於170。C下加入0.21摩爾％H20和4.06摩爾％2-丁醇在4slpm氮氣中的氣體混合物。將二級給料與初級流共同加到混合室內。混合室的長度為11/4英寸，相當於初級和二級給料流之間的混合時間為417msec。用於沉積的襯底為厚度為0.7毫米的硼^s圭酸鹽玻璃。在設於52(TC的電阻加熱鎳塊上加熱襯底。以動態;漠式沉積薄膜，所得ZnO薄膜的厚度為734納米，沉積速率為13.8納米/秒。這些薄膜用BYKHazeGuardPlus混濁度測量儀測得的混濁度平均為0.6%。電阻率、遷移率和電子密度分別為1.07x10-3ohm-cm、6.5cm2/Vs和8.85xl02。cm-3。表1tableseeoriginaldocumentpage15tableseeoriginaldocumentpage16表1總結了實施例1至12中使用的沉積條件和所得的電阻率。實施例1和9至12描述了Ga-摻雜氧化鋅的沉積，實施例2至7描述了Al-摻雜氧化鋅的沉積。所有實施例都證明，電阻率明顯優於未摻雜ZnO塗層所得到的電阻率(實施例8)。實施例全都證明了大於5納米/秒的商業上可行生長速率，實施例2至4中獲得的生長速率大於30納米/秒。實施例2至7證明了襯底溫度在固定的鋁和鋅前體氣相濃度下的作用。在所有情況下都獲得顯著大於5納米/秒的生長速率，在350至700°C的寬溫度窗內驗證了沉積。實施例13描述了共摻雜Al-、Ga-氧化鋅的沉積，其也導致大於5納米/秒的塗層生長速率和合理低的電阻率。薄膜電阻率和生長速率，都取決於摻雜劑前體的沉積溫度和氣相濃度；這兩個變量都可被"調整，，以優化薄膜電阻率。摻雜ZnO沉積所選試驗條件和輸出變量之間的關係如圖1至4所示。圖1數據以繪圖證明Ga前體傳輸速率對電子密度的作用，以及溫度對電子密度的作用。圖2數據表明薄膜生長速率隨水量增加而顯著增大。圖3數據表明摻雜ZnO在約425。C時的電子密度最佳並恆定達至少600°C。圖4數據證明在還原氛圍下冷卻襯底會保持摻雜ZnO薄膜的低電阻率。儘管已參考各種具體實施例和實施方式對本發明進行了描述，但是應該明白，本發明不限於此，且可在下列權利要求書的範圍內變化性實施。權利要求1.一種低電阻率、摻雜氧化鋅塗層玻璃物件的製備方法，其包括提供具有待沉積塗層的表面的熱玻璃襯底，表面溫度至少為400℃；和將含鋅化合物、含氧化合物和含鋁或鎵化合物引到待沉積塗層的表面上，使含鋅化合物、氧源和含鋁或鎵化合物一起混合足夠時間，以大於5納米/秒的沉積速率在表面上形成摻鋁或鎵的氧化鋅塗層。2.權利要求1的方法，其中沉積是在化學氣相沉積過程中進行。3.權利要求2的方法，其中化學氣相沉積過程是在大氣壓力下進行。4.權利要求l的方法，其中含鋁或鎵化合物包括含鋁化合物。5.權利要求4的方法，其中含鋁化合物包括式R9(3—n)Al(R川C(0)CRHC(0)R'2)n或1193八1(1^)的鋁化合物，其中119為烷基或芳基或卣素或烴氧化物基，R""可以相同或不同且為H、烷基或芳基(包括環狀以及部分和全氟化的衍生物)，其中L為基於氧的、商品化的中性配體，例如甲基三氫呋喃、四氫呋喃、呋喃、二乙基或二丁基醚、二氧六環且11=0至3。6.權利要求5的方法，其中含鋁化合物包括乙醯丙酮根合二乙基鋁。7.權利要求1的方法，其中含鋁或鎵化合物包括含鎵化合物。8.權利要求7的方法，其中含鎵化合物包括式R9(3—n)Ga(R川C(0)CR"C(0)R'2)n或R93Ga(L)的鎵化合物，其中119為烷基或芳基或卣素或烴氧化物基，R1Q—12可以相同或不同且為H、烷基或芳基(包括環狀以及部分和全氟化的衍生物)，其中L為基於氧的、商品化的中性配體，例如甲基三氫呋喃，四氫呋喃、呋喃、二乙基或二丁基醚、二氧六環且n-0至3。9.權利要求8的方法，其中含鎵化合物包括六氟乙醯丙酮根合二甲基鎵或乙醯丙酮根合二甲基鎵。10.權利要求1的方法，其中含鋅化合物包括通式RJR"Zn或!^R2Zn[R3R4N(CHR5)n(CH2)m(CHR6)nNR7R8]的辨化合物，其中R1-8可以是相同或不同的烷基或芳基，例如甲基、乙基、異丙基、正丙基、正丁基、仲丁基、苯基或取代苯基，且可以包含一個或多個含氟的取代基，W和R6，可以是H或烷基或芳基，n可以是O或l,而且如果n是0，m可以是l至6，而且如果n是l，m可以是0至6。11.依照權利要求1方法製成的低電阻率塗層玻璃物件。12.—種製備低電阻率、摻雜氧化鋅塗層玻璃物件的大氣壓力化學氣相沉積法，其包括提供具有待沉積塗層的表面的熱玻璃襯底，表面溫度至少為40(TC;和將含鋅化合物，水或醇/水混合物，和含鋁或鎵化合物引到待沉積塗層的表面上，所述含鋅化合物，水或醇/水混合物，和含鋁或鎵化合物為蒸汽形式，一起混合足夠短的時間，以大於5納米/秒的沉積速率在表面上形成摻鋁或鎵的氧化鋅塗層。13.權利要求12的方法，其中含鋁或鎵化合物包括含鋁化合物。14.權利要求13的方法，其中含鋁化合物包括乙醯丙酮根合二乙基鋁。15.權利要求12的方法，其中含鋁或鎵化合物包括含鎵化合物。16.權利要求15的方法，其中含鎵化合物包括六氟乙醯丙酮根合二甲基鎵或乙醯丙酮根合二曱基鎵。17.依照權利要求12方法製成的低電阻率塗層玻璃物件。18.—種製備低電阻率、摻雜氧化鋅塗層玻璃物件的方法，其包括提供具有待沉積塗層的表面的熱玻璃襯底，表面溫度至少為400。C;和將含鋅化合物、至少一種含氧化合物和至少一種含xm族元素的化合物引到待沉積塗層的表面上，使含鋅化合物、含氧化合物和含至少一種xm族元素的化合物一起混合足夠短的時間，以大於5納米/秒的沉積速率在玻璃物件的表面上形成摻雜至少一種xni族元素的氧化鋅塗層。19.權利要求18的方法，其中含至少一種的化合物選自含鋁、鎵、硼、銦和鉈的化合物。全文摘要一種低電阻率、摻雜氧化鋅塗層玻璃物件通過以下方法製成，提供具有待沉積塗層的表面的熱玻璃襯底，表面溫度至少為400℃。將含鋅化合物、含氧化合物和含鋁或鎵化合物引到待沉積塗層的表面上。使含鋅化合物、含氧化合物和含鋁或鎵化合物一起混合足夠時間，以大於5納米/秒的沉積速率在表面上形成摻鋁或鎵的氧化鋅塗層。文檔編號C03C17/23GK101547873SQ200780039304公開日2009年9月30日申請日期2007年5月3日優先權日2006年8月29日發明者G·B·古鐵雷斯,G·S·西爾弗曼,J·L·斯特裡克,K·D·桑德森,L·葉,M·B·阿布拉姆斯,R·Y·科羅特科夫,R·史密斯申請人:皮爾金頓集團有限公司;阿肯馬公司