雜環化合物和包括該雜環化合物的有機發光二極體的製作方法
2023-05-20 07:34:11 1
雜環化合物和包括該雜環化合物的有機發光二極體的製作方法
【專利摘要】提供了一種雜環化合物和一種包括所述雜環化合物的有機發光二極體，所述雜環化合物由下面的式1表示。
【專利說明】雜環化合物和包括該雜環化合物的有機發光二極體
[0001] 通過引用將於2013年8月21日在韓國知識產權局提交的名稱為"Heterocyclic Compound and Organic Light-Emitting Diode Including The Same，'（雜環化合物和包 括該雜環化合物的有機發光二極體）的第10-2013-0099237號韓國專利申請的全部內容並 入本文。
【技術領域】
[0002] 實施例涉及一種雜環化合物和一種包括所述雜環化合物的有機發光二極體。
【背景技術】
[0003] 作為自發射二極體的有機發光二極體（OLED)具有諸如寬視角、優異的對比度、快 速響應、高亮度和優異的驅動電壓特性的優點，並能夠提供多色圖像。
[0004] OLED可以具有包括基板、位於基板上的陽極以及順序地堆疊在陽極上的空穴傳輸 層（HTL)、發射層（EML)、電子傳輸層（ETL)和陰極的結構。HTUEML和ETL可以是由有機 化合物形成的有機薄膜。
[0005] 具有上述結構的OLED的工作原理如下。
[0006] 當在陽極和陰極之間施加電壓時，從陽極注入的空穴可以經由HTL移動到EML，從 陰極注入的電子可以經由ETL移動到EML。載流子（例如，空穴和電子）可以在EML中復 合，由此產生激子。然後，當激子從激發態降至基態時，發射光。
【發明內容】
[0007] 實施例針對一種雜環化合物和一種包括所述雜環化合物的有機發光二極體。
[0008] 可以通過提供由下面的式1表示的雜環化合物來實現實施例：
[0009] 〈式1>
【權利要求】
1. 一種雜環化合物，其特徵在於，所述雜環化合物由下面的式1表示：
其中： X是取代的或未取代的Ce-Ce。亞芳基、取代的或未取代的C2-Ce。亞雜芳基、取代的或未 取代的Ce-Ce。縮合多環基、或者將所述亞芳基、所述亞雜芳基和所述縮合多環基中的至少兩 個連接的二價連接基； Ri和R2均獨立地為取代的或未取代的Ci-Ce。焼基、取代的或未取代的C3-C3。環焼基、 取代的或未取代的Ce-Ce。芳基、取代的或未取代的C2-Ce。雜芳基、或者取代的或未取代的 Ce-Ce。縮合多環基擬及 Ari和Ar2均獨立地為取代的或未取代的Q-Ce。芳基、取代的或未取代的C2-Ce。雜芳基、 或者取代的或未取代的Ce-Ce。縮合多環基。
2. 如權利要求1所述的雜環化合物，其特徵在於，式1中的Ri和R2均獨立地為取代的 或未取代的Ce-Ce。芳基、或者取代的或未取代的C2-Ce。雜芳基。
3. 如權利要求1所述的雜環化合物，其特徵在於，式1中的Ari和Af2均獨立地為取代 的或未取代的Ce-Ce。芳基、或者取代的或未取代的C2-Ce。雜芳基。
4. 如權利要求1所述的雜環化合物，其特徵在於，式1中的Ri和R2均獨立地為取代的 或未取代的Ci-Cw焼基、或者由下面的式2a至式2d中的一個表示的基團：
其中： Zi是氨、気、取代的或未取代的C1-C2。焼基、取代的或未取代的Q-Cs。芳基、取代的或未 取代的C2-C2。雜芳基、取代的或未取代的Ce-C,。縮合多環基、團素原子、氯基、硝基、輕基、駿 基、或者Si化）怕4)鹼)，其中，Qs至Qs均獨立地為氨、Cl-Cl。焼基、〔6-〔2。芳基或雜芳 基，當Zi的數量為兩個或更多個時，各個Zi彼此相同或不同； P是1至7的整數；W及 *指示結合位。
5.如權利要求1所述的雜環化合物，其特徵在於，式1中的X是由下面的式3a至式31 中的一個表示的基團：
其中： Qi 是-CRuRi2_、-S-、-NRgi-、-SiRgiR]廠或; Rll、Ri2、R21、Rsi、R32和Zi均獨立地為氨、気、取代的或未取代的C1-C2。焼基、取代的或未 取代的Q-Cw芳基、取代的或未取代的C2-C2。雜芳基、取代的或未取代的Q-Cw縮合多環基、 團素原子、氯基、硝基、輕基、或者駿基，當Zi的數量為兩個或更多個時，各個Zi彼此相同或
不同； P是1至4的整數；W及 *指示結合位。
6. 如權利要求1所述的雜環化合物，其特徵在於，式1中的Ari和Af2均獨立地為由下 面的式4a至式4c中的一個表示的基團：
其中： 是-CRiiRi廠或-0-; Rii、R。和Zi均獨立地為氨、気、取代的或未取代的焼基、取代的或未取代的Ce-C2(i 芳基、取代的或未取代的C2-C2。雜芳基、取代的或未取代的Ce-Cw縮合多環基、團素原子、氯 基、硝基、輕基、或者駿基，當Zi的數量為兩個或更多個時，各個Zi彼此相同或不同； P是1至7的整數；W及 *指示結合位。
7. 如權利要求1所述的雜環化合物，其特徵在於，由式1表示的雜環化合物是下面的化 合物 2、10、18、31、40、47、51 和 56 中的一個：
竊
8. -種有機發光二極體，其特徵在於，所述有機發光二極體包括： 第一電極； 第二電極，面對第一電極；W及 有機層，位於第一電極和第二電極之間，有機層包括如權利要求1所述的雜環化合物。
9. 如權利要求8所述的有機發光二極體，其特徵在於，有機層包括空穴傳輸層、空穴注 入層、具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層、或者發射層。
10. 如權利要求8所述的有機發光二極體，其特徵在於： 有機層包括發射層，並且還包括電子注入層、電子傳輸層、具有電子注入和電子傳輸能 力的功能層、空穴注入層、空穴傳輸層、或者具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層，
發射層包括意類化合物、芳基胺類化合物或苯己帰基類化合物。
11. 如權利要求8所述的有機發光二極體，其特徵在於： 有機層包括發射層，並且還包括電子注入層、電子傳輸層、具有電子注入和電子傳輸能 力的功能層、空穴注入層、空穴傳輸層、或者具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層， 發射層的紅色發射層、綠色發射層、藍色發射層和白色發射層中的至少一個層包括磯 光化合物。
12. 如權利要求11所述的有機發光二極體，其特徵在於： 有機層包括空穴注入層、空穴傳輸層、或者具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層， 空穴注入層、空穴傳輸層、或者具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層包括電荷產生 材料。
13. 如權利要求12所述的有機發光二極體，其特徵在於，電荷產生材料是P慘雜劑。
14. 如權利要求13所述的有機發光二極體，其特徵在於，P慘雜劑是釀衍生物。
15. 如權利要求13所述的有機發光二極體，其特徵在於，P慘雜劑是金屬氧化物。
16. 如權利要求13所述的有機發光二極體，其特徵在於，P慘雜劑是包含氯基的化合 物。
17. 如權利要求8所述的有機發光二極體，其特徵在於，有機層包括電子傳輸層，電子 傳輸層包括金屬配合物。
18. 如權利要求17所述的有機發光二極體，其特徵在於，金屬配合物是裡配合物。
19. 如權利要求8所述的有機發光二極體，其特徵在於，包括所述雜環化合物的有機層 是利用溼式工藝形成的。
20. 如權利要求8所述的有機發光二極體，其特徵在於，有機發光二極體的第一電極電 連接到薄膜電晶體中的源電極或漏電極。
【文檔編號】H01L51/54GK104418795SQ201410398253
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年8月13日 優先權日:2013年8月21日
【發明者】金秀娟, 金光顯, 金榮國, 金鍾佑, 樸俊河, 李銀永, 林珍娛, 鄭恩在, 鄭惠珍, 韓相鉉, 黃皙煥 申請人:三星顯示有限公司