電介質瓷體組合物、電子部件及其製造方法
2023-05-20 10:53:21 1
專利名稱：電介質瓷體組合物、電子部件及其製造方法
技術領域：
本發明涉及電介質瓷體組合物、電子部件及其製造方法，更具體地講，涉及以賤金屬為內部電極的疊層陶瓷電容器等電子部件所適用的非還原性溫度補償用電介質瓷體組合物。
背景技術：
疊層陶瓷電容器作為電子部件得到廣泛利用，一臺電子機器中使用的個數也會達到多個。製造疊層陶瓷電容器通常是利用薄片法或印刷法等層疊內部電極層用的漿料和電介質層用的漿料，同時進行燒結。
但是，以往的疊層陶瓷電容器等使用的電介質瓷體材料，如果在還原性氣氛下進行燒結，則發生還原，具有所謂的半導體化的性質。因此，作為內部電極的材料使用Pd等貴金屬，這些貴金屬在電介質瓷體材料的燒結溫度下不會熔融，並且即使在不使電介質瓷體材料半導體化的高氧分壓下燒結，也不會氧化。
但是，由於Pd等貴金屬價格高，成為期望疊層陶瓷電容器低價格化的主要障礙。這樣，使用比較廉價的Ni或Ni合金等賤金屬作為內部電極已經成為主流。
然而，使用賤金屬作為內部電極的導電材料時，如果在大氣中進行燒結，則內部電極層就會氧化。因而，必須在還原性氣氛中同時進行電介質層和內部電極層的燒結。
但是，如果在還原性氣氛中燒結，則電介質層發生還原，絕緣電阻就會降低。因此，提出了非還原性電介質材料。例如Mg-Ti-O系電介質瓷體組合物的介電率溫度特性優異，作為溫度補償用瓷體電容器得到廣泛使用。
可是，已有報導這些Mg-Ti-O系電介質瓷體組合物如果在還原性氣氛下燒結，則會還原，成為半導體化，低電阻化的性質變大(參見非專利文獻1，Journalof the Ceramic Society of Japan 100[10]1992的「通過還原中處理的MgTiO3陶瓷的相·微結構的變化」)。而且，Mg-Ti-O系電介質瓷體組合物在燒結時產生富鈦異相(針狀結晶)的析出，難以控制組成。
專利文獻1特開平11-240753號公報、專利文獻2特開平11-278925號公報、專利文獻3特開平8-45348中公開了以MgTiO3為主成分的電介質瓷體組合物。但是，這些專利文獻1-3中記載的電介質瓷體組合物，不是僅能夠與Ni內部電極對應的非還原性電介質瓷體組合物。
發明內容
針對這種現狀，本發明的目的在於提供一種相對介電常數高、介電損耗小的非還原性電介質瓷體組合物，適用於以Ni等賤金屬作為內部電極的疊層陶瓷電容器，即使在還原性氣氛中燒結也難以低電阻化。
為了實現上述目的，本發明人等根據銳意研究的結果，發現含有以換算成MgO為53.00-80.00摩爾％的氧化鎂，換算成TiO2為19.60-47.00摩爾％的氧化鈦，換算成MnO為0.05-0.85摩爾％的氧化錳為主成分的電介質瓷體組合物，即使在還原性氣氛中燒結時也難以低電阻化，相對介電常數高，介電損耗小，據此完成了本發明。
亦即，根據本發明的電介質瓷體組合物，含有的主成分為，換算成MgO為53.00-80.00摩爾％的氧化鎂、優選是60.00-70.00摩爾％，換算成TiO2為19.60-47.00摩爾％的氧化鈦、優選是29.60-39.90摩爾％，換算成MnO為0.05-0.85摩爾％的氧化錳、優選是0.20-0.60摩爾％。
如果氧化鎂含量過少，則在還原氣氛中燒結時存在還原並半導體化的傾向；如果含量過多，則存在相對介電常數降低的傾向。
如果氧化鈦的含量過少，則存在相對介電常數降低的傾向；如果含量過多，則存在易於還原並半導體化的傾向。
如果氧化錳含量過少，則存在易於還原並半導體化的傾向；如果含量過多，則存在易於發生與含有鎳等賤金屬的內部電極材料的偏析(Mn-Ni-O等的偏析)，接觸不良，可靠性降低的傾向。
本發明的電介質瓷體組合物，優選含有氧化釩、氧化釔、氧化鐿、氧化鈥之中的至少一種作為副成分，相對於電介質瓷體組合物整體，其含量分別換算成V2O5、Y2O3、Yb2O3、Ho2O3為0.00～0.20摩爾％，優選含有0.00～0.05摩爾％，這些副成分與氧化錳一樣是賦予耐還原性的材料。這些副成分的添加量如果過多，則存在易於產生偏析、形成接觸不良、可靠性降低的傾向。
本發明的電介質瓷體組合物的製造方法，包括以下工序準備上述電介質瓷體組合物的原料的工序，在1300℃以下，優選在1150～1300℃、更優選在1250～1300℃的溫度對所述原料進行燒結，獲得所述電介質瓷體組合物的工序。
如果燒結溫度過高，則存在晶粒急劇生長、異相(富鈦相)易於析出、易於半導體化、可靠性(高溫負載試驗)降低的傾向。
所述原料優選在還原氣氛中燒結後，進行退火處理(再氧化處理)。通過進行退火處理，提高絕緣電阻。而且，燒結時的還原氣氛的氧分壓優選是10-9～10-13MPa(10-8～10-12atm)。退火溫度優選是1150℃以下，其氣氛中的氧分壓優選是10-6～10-9MPa(10-5～10-8atm)。
根據本發明的電子部件是具有電介質層的電子部件，所述的電介質層由上述的電介質瓷體組合物構成。
本發明的電子部件優選是內部電極和電介質層交替層疊的疊層陶瓷電容器等的電子部件。
根據本發明，內部電極在至少含有鎳等賤金屬時為較佳。
根據本發明的電子部件的製造方法，其特徵在於所述內部電極和電介質層同時在1300℃以下燒結。
以下，根據附圖展示的實施例對本發明予以說明。
圖1是根據本發明一個實施方式的疊層陶瓷電容器的剖面圖。
圖2A是根據本發明實施例的電介質瓷體組合物的SEM照片。
圖2B是根據比較例的電介質瓷體組合物的SEM照片。
具體實施例方式
疊層陶瓷電容器如圖1所示，作為根據本發明一個實施方式的電子部件的疊層陶瓷電容器1，具有電介質層2和內部電極層3交替層疊構成的電容器元件本體10。在該電容器元件本體10的兩端，形成有與在元件本體10內部交替配置的內部電極層3分別導通的一對外部電極4。對電容器元件本體10的形狀沒有特別的限制，但是通常形成長方體。而且，對其尺寸也沒有特別的限制，應根據用途確定適當的尺寸，通常在(0.6～5.6mm)×(0.3～5.0mm)×(0.3～1.9mm)左右。
內部電極層3是層疊的，使其各端面在電容器元件本體10的對置兩端的表面交替露出。一對外部電極4形成在電容器元件本體10的兩端部，與交替配置的內部電極層3的露出端面連接，構成電容器電路。
電介質層2電介質層2含有本發明的電介質瓷體組合物。
本發明的電介質瓷體組合物的主成分含有氧化鎂，換算成MgO為53.00-80.00摩爾％、優選是60.00-70.00摩爾％；氧化鈦，換算成TiO2為19.60-47.00摩爾％、優選是29.60-39.90摩爾％；氧化錳，換算成MnO為0.05-0.85摩爾％、優選是0.20-0.60摩爾％。
如果氧化鎂含量過少，則在還原氣氛中燒結時存在還原並半導體化的傾向；如果含量過多，則存在相對介電常數降低的傾向。
如果氧化鈦的含量過少，則存在相對介電常數降低的傾向；如果含量過多，則存在易於還原並半導體化的傾向。
如果氧化錳含量過少，則存在易於還原並半導體化的傾向；如果含量過多，則存在易於發生與含有鎳等賤金屬的內部電極材料的偏析(Mn-Ni-O等的偏析)，接觸不良，可靠性降低的傾向。
本發明的電介質瓷體組合物，優選含有氧化釩、氧化釔、氧化鐿、氧化鈥之中的至少一種作為副成分，相對於電介質瓷體組合物整體，其含量分別換算成V2O5、Y2O3、Yb2O3、Ho2O3為0.00～0.20摩爾％，優選含有0.00～0.05摩爾％。
這些副成分與氧化錳一樣是賦予耐還原性的材料。這些副成分的添加量如果過多，則存在易於產生偏析、形成接觸不良、可靠性降低的傾向。
而且，圖1所示的電介質層2的層數和厚度等諸條件，應根據目的和用途適當決定。而且，電介質層2由結晶晶粒和晶界相構成，電介質層2的結晶晶粒的平均粒徑優選在3.0μm以下。該晶界相其成分通常是構成電介質材料或者內部電極材料的材質的氧化物、或者其它用途添加的材質的氧化物、甚至作為工序中雜質混入的材質的氧化物，通常由玻璃或者玻璃材質構成。
內部電極層3對內部電極層3含有的導電材料沒有特別的限制，但是由於電介質層2的構成材料具有耐還原性，所以可以使用賤金屬。作為用於導電材料的賤金屬，優選是鎳或者鎳合金。作為鎳合金，優選是選自Mn、Cr、Co和Al之中的一種以上的元素和鎳的合金，合金中的鎳含量優選在95重量％以上。而且，鎳或者鎳合金中也可以含有0.1重量％左右以下的P、Fe、Mg等各種微量成分。
內部電極層的厚度應根據用途等適當決定，通常在0.5～5μm左右，優選在1～2.5μm左右。
外部電極4對外部電極4含有的導電材料沒有特別的限制，通常使用銅或銅合金、或者鎳或鎳合金等。而且，當然也可以使用銀或Ag-Pd合金等。本實施方式中使用廉價的鎳、銅、或者它們的合金。應根據用途等適當決定外部電極的厚度，通常優選在10～50μm左右。
疊層陶瓷電容器的製造方法採用本發明的電介質瓷體組合物的疊層陶瓷電容器，與已有的疊層陶瓷電容器同樣，通過使用漿料的通常印刷法或者薄片法，製備生坯晶片(グリ一ンチツブ)，對其進行燒結後，通過印刷或者轉印、燒結來製造外部電極。以下將對製造方法做具體說明。
首先，分別製造電介質層用漿料、內部電極用漿料、外部電極用漿料。
電介質層用漿料電介質層用漿料可以是電介質原料和有機媒液混練的有機系塗料，也可以是水系塗料。
就電介質原料而言，根據所述的本發明的電介質瓷體組合物的組成，使用構成主成分和副成分的原料。而且，對原料形態沒有特別的限制，使用構成主成分和副成分的氧化物和/或通過燒結成為氧化物的化合物，這些原料也可以是通過液相合成法或者固相法等獲得的粉末體。
而且，作為通過燒結成為氧化物的化合物，列舉有碳酸鹽、硝酸鹽、草酸鹽、有機金屬化合物等。當然，氧化物和通過燒結成為氧化物的化合物也可以並用。應按燒結後形成上述電介質瓷體組合物的組成來決定電介質原料中的各種化合物的含量。本實施方式中使用的這些原料粉末的平均粒徑在0.0005～2.0μm左右。
有機媒液是將粘合劑溶解在有機溶劑中所得的，對有機媒液所用的粘合劑沒有特別的限制，可以從乙基纖維素、聚乙烯醇縮丁醛等通常的各種粘合劑中適當選取。而且，對此時使用的有機溶劑也沒有特別的限制，可以根據印刷法或薄片法等使用方法，從萜品醇、丁基卡必醇、丙酮、甲苯等有機溶劑中適當選取。
作為水溶系塗料是將水溶性粘合劑、分散劑等溶解在水中而得的，對水溶系粘合劑沒有特別的限制，可以從聚乙烯醇、纖維素、水溶性丙烯酸樹脂、乳膠等中適當選取。
在本實施方式中，對上述電介質原料粉末稱重後，加入作為媒介的水，混合1 0～40小時左右後，使混合物乾燥，然後在優選的1100℃～1300℃、2～4小時的條件下對該乾燥物煅燒(飯燒成)。之後，採用球磨等對鍛燒物進行溼法粉碎再乾燥，隨後，與上述媒液混合，調和成漿料，形成電介質漿料。
內部電極用漿料，外部電極用漿料內部電極用漿料是將上述各種導電性金屬或合金構成的導電材料或者經燒結後由上述導電材料構成的各種氧化物、有機金屬化合物、樹脂酸鹽(レジネ一ト)等與上述有機媒液混練調製。而且，外部電極用漿料也是與內部電極用漿料同樣調製。
對上述各漿料的有機媒液含量沒有特別的限制，通常的含量例如可以是粘合劑1～5重量％左右，溶劑10～50重量％左右。各漿料中可以根據需要含有選自各種分散劑、增塑劑、電介質、絕緣體等之中的添加物。
在採用印刷法時，在聚對苯二甲酸乙二醇酯等基片上層疊印刷電介質漿料和內部電極用漿料，通過切斷成預定形狀後與基片剝離，形成生坯晶片。與此相對，在採用薄片法時，使用電介質漿料形成生坯薄片(グリ一ンシ一ト)，在其上印刷內部電極漿料後，將它們層疊，形成生坯晶片。
然後，對該生坯晶片進行脫粘合劑處理和燒結。
脫粘合劑處理脫粘合劑處理可以在通常的條件下進行，但是在內部電極層的導電材料使用鎳或鎳合金等賤金屬的情形，是在空氣氣氛中進行，升溫速度為5～300℃/小時，10～100℃/小時更優選，保溫溫度為180～400℃，200～300℃更優選，保溫時間為05～24小時，5～20小時更優選。
燒結生坯晶片的燒結氣氛應根據內部電極用漿料中的導電材料種類適當決定，在導電材料使用鎳或鎳合金等賤金屬的情形，優選形成還原氣氛，燒結氣氛的氧分壓優選10-9～10-16MPa(10-8～10-15atm)，在10-9～10-13MPa(10-8～10-12atm)更優選。燒結時的氧分壓如果過低，則存在內部電極的導電材料出現異常燒結而斷路的傾向，氧分壓如果過高，則存在內部電極被氧化的傾向。
燒結的保溫溫度在1300℃以下，較優選在1000～1300℃，更優選在1200～1300℃。保溫溫度如果過低，則存在緻密化不充分的傾向，保溫溫度如果過高，則存在內部電極的異常燒結引起的電極斷路或者內部電極材質的擴散引起電容溫度特性劣化的傾向。
作為除此之外的燒結條件，升溫速度為50～500℃/小時，200～300℃/小時更優選，保溫時間為0.5～8小時，1～3小時更優選，冷卻速度為50～500℃/小時，200～300℃/小時更優選，燒結氣氛優選還原性氣氛，氣氛氣體例如優選氮氣氣體和氫氣氣體的混合氣體加溼後使用。
在還原性氣氛燒結時，優選對電容器晶片的燒結體進行退火(熱處理)。
退火(熱處理)退火是用於將電介質層再氧化的處理，由此可以增加絕緣電阻。退火氣氛的氧分壓優選在10-10MPa(10-9atm)以上，在10-6～10-9MPa(10-5～10-8atm)更優選。氧分壓如果過低，則存在電介質層2的再氧化困難的傾向，氧分壓如果過高，則存在內部電極層3被氧化的傾向。
退火時的保溫溫度在1150℃以下，在500～1100℃更優選。保溫溫度如果過低，則存在電介質層的再氧化不充分、絕緣電阻劣化、其加速壽命也短的傾向。而且，保溫溫度如果過高，則存在不但內部電極被氧化、電容降低，而且還發生與電介質基體反應、電容溫度特性、絕緣電阻及其加速壽命劣化的傾向。而且，退火可以僅由升溫行程和降溫行程構成。在這種情形，保溫時間為零，保溫溫度與最高溫度是同一含義。
作為除此之外的退火條件，保溫時間為0～20小時，6～10小時更好，冷卻速度為50～500℃/小時，100～300℃/小時更好，退火氣氛的氣體例如優選氮氣氣體加溼後使用。
而且，與上述燒結同樣地，在所述脫粘合劑處理和退火工序中，由於對氮氣氣體或混合氣體加溼，例如可以使用潤溼劑等，此時的水溫希望在5～75℃。
而且，這些脫粘合劑處理、燒結和退火可以連續進行，也可以相互獨立地進行。在連續進行這些處理的情形，更優選的是，脫粘合劑處理之後不冷卻，而是改變氣氛，繼續升溫直到燒結時的保溫溫度，進行燒結，接著冷卻，達到退火的保溫溫度，然後改變氣氛，進行退火處理。另一方面，在獨立進行這些處理的情形，關於燒結，在氮氣氣體或者加溼的氮氣氣體氣氛下，升溫直到脫膠處理時的保溫溫度後，優選改變氣氛繼續進一步升溫，冷卻到退火的保溫溫度後，優選再次改變為氮氣氣體或者加溼的氮氣氣體氣氛繼續冷卻。而且，關於退火，可以在氮氣氣體氣氛下升溫到保溫溫度後改變氣氛，也可以在加溼的氮氣氣體氣氛下進行退火全工序。
例如通過滾筒研磨或噴沙對以上所得電容器燒結體進行端面研磨，印刷或轉印外部電極用漿料並進行燒結，形成外部電極4。外部電極用漿料的燒結條件例如優選在加溼的氮氣氣體和氫氣氣體的混合氣體中、於600～800℃進行10分鐘～1小時左右。而且，根據需要可以在外部電極4的表面通過電鍍形成被覆層(焊盤(パツド)層)。
這樣製造的本實施方式的陶瓷電容器1通過焊錫等安裝在印刷基片上，用於各種電子機器。
本發明並不限於上述實施方式，在本發明的範圍內可以做出各種改變。
例如，在上述實施方式中，作為根據本發明的電子部件舉例說明了疊層陶瓷電容器，但是作為根據本發明的電子部件，並不限於疊層陶瓷電容器，由上述組成的電介質瓷體組合物構成的電介質層可以用於其它部件。
實施例以下，將列舉本發明更具體化的實施例，對本發明做更詳細的說明。但是，本發明並不僅限於這些實施例。
實施例1首先，準備平均粒徑分別為0.1～1.0μm的主成分原料(MgO、TiO2、MnCO3)，以及副成分原料(V2O5、Y2O3、Yb2O3、Ho2O3)，作為製作電介質材料的原材料。
按燒結後的組成成為下列表1所示組成那樣對這些原料稱量後，在這些原料中加入作為媒介的水，進行16小時的球磨混合，之後，乾燥該混合物，在1200℃和2小時的條件下對該乾燥物煅燒。然後，將所得煅燒物進行球磨溼法粉碎，乾燥。
這樣所得乾燥後的電介質原料100重量份、丙烯酸樹脂5.4重量份、MEK(甲基醚酮)16重量份、丙酮45重量份、礦物油精6重量份、甲苯4重量份在球磨機中混合成漿料，獲得電介質層用漿料。
然後，平均粒徑為0.8μm的鎳顆粒100重量份、有機媒液(8重量份的乙基纖維素溶解在92重量份的丁基卡必醇中)35重量份、丁基卡必醇7重量份利用三個輥子進行混練，漿料化，獲得內部電極用漿料。
隨後，對平均粒徑為0.5μm的銅顆粒100重量份、有機媒液(8重量份的乙基纖維素樹脂溶解在92重量份的丁基卡必醇中)35重量份、丁基卡必醇7重量份進行混練，漿料化，獲得內部電極用漿料。
首先，使用上述電介質層用漿料，在PET薄膜上形成厚25μm的生坯薄片，在其上印刷內部電極用漿料後，從PET薄膜剝離生坯薄片。然後，將這些生坯薄片與保護用生坯薄片(未印刷內部電極用漿料的薄片)層疊壓接，獲得生坯晶片。具有內部電極的薄片的層疊數量為4層。
之後，按預定尺寸切斷生坯晶片，進行脫粘合劑處理、燒結和退火(熱處理)，獲得疊層陶瓷燒結體。脫粘合劑處理的條件是，升溫速度為15℃/小時，保溫溫度280℃，保溫時間8小時，空氣氣氛。而且，燒結條件是，升溫速度200℃/小時，保溫溫度1300℃，保溫時間2小時，冷卻速度300℃/小時，加溼的N2+H2混合氣體氣氛(氧分壓10-9～10-13MPa(10-8～10-12atm))。退火條件是，保溫溫度1100℃，保溫時間3小時，冷卻速度300℃/小時，加溼的N2氣體氣氛(氧分壓10-6MPa(10-5atm))。燒結和退火時的氣氛氣體的加溼是使用35℃的水作為加溼劑。
然後，通過噴沙對疊層陶瓷燒結體的端面進行研磨後，在端面轉印外部電極用漿料，在加溼的N2+H2氣氛中，在80℃燒結10分鐘，形成外部電極，獲得圖1所示構成的疊層陶瓷電容器的樣品。
如此獲得的各樣品的尺寸是3.2mm×1.6mm×0.6mm，夾持內部電極層的電介質層的數量是4，其厚度是15μm，內部電極層的厚度是2μm。對各樣品進行以下的特性評價。
相對介電常數(εr)、介質損耗角正切(tanδ)、絕緣電阻(IR)在基準溫度25℃下，採用數字LCR儀(YHP公司製造4274A)，在頻率1kHz、輸入信號電平(測定電壓)1Vrms的條件下，測量電容器樣品的靜電電容。而且，由所得的靜電電容和電容器樣品的電極尺寸以及電極間距算出相對介電常數(無單位)。
並且，在25℃和1kHz的條件下，利用相對介電常數測定用的LCR儀測定電容器樣品的介質損耗角正切(單位是％)。
採用絕緣電阻計(アドバンテスト公司製造R8340A)在25℃和DC50V的條件下，測定絕緣電阻(單位Ω)。結果如表1所示。
表1
※表示範圍外。
在表1中，試樣編號標有※的表示處於本發明優選組成範圍之外的試樣編號。其它的表也相同。
評價1如表1所示，通過對比試樣編號1～14，可以確認電介質瓷體組合物優選含有氧化鎂換算成MgO為53.00-80.00摩爾％、優選是60.00-70.00摩爾％，氧化鈦換算成TiO2為19.60-47.00摩爾％、優選是29.60-39.90摩爾％，氧化錳換算成MnO為0.05-0.85摩爾％、優選是0.20-0.60摩爾％。亦即，可以確認，在這些組成比例的情形，即使在還原性氣氛中燒結，也難以造成低電阻化，相對介電常數較高，介電損耗較少。
此外，比較試樣編號15～23，可以確認，作為電介質瓷體組合物的副成分，優選是含有氧化釩、氧化釔、氧化鐿、氧化鈥中的至少任何一種，相對於電介質瓷體組合物整體，其含量分別換算成V2O5、Y2O3、Yb2O3、Ho2O3為0.00～0.20摩爾％。即，由於按預定的摩爾％含有這些副成分，因而即使在還原性氣氛中燒結，也難以造成低電阻化，介電常數較高，介電損耗較少。
而且，通過對比試樣編號24～27和試樣編號15，可以確認，在上述0.00～0.20摩爾％之中，以0.00～0.05摩爾％為特別優選。
實施例2除了燒結溫度在1250℃或者1350℃之外，其餘與實施例1的試樣編號6相同，製造電容器樣品。與實施例1相同地進行絕緣電阻的試驗。而且，實施例2進行高溫負載試驗，還測定其不合格率，同時觀察電容器樣品的電介質層的剖面SEM照片，調查有無異相(富鈦相)，結果如表2所示。
表2
高溫負載試驗是對相同條件製造的20個電容器樣品在150℃下施加DC100V，在此狀態下放置1000小時，之後測定絕緣電阻(IR)。對20個電容器樣品分別判斷絕緣電阻(IR)不足1×108Ω的不合格品，求出其不合格率。
圖2(A)展示了試樣編號6的電介質層的剖面SEM照片，試樣編號26的電介質層的剖面SEM照片。根據是否觀察到圖2(B)所示的異相，判斷有無異相。
評價2如表2所示，通過對比試樣編號6、24、25，可以確認，燒結溫度優選在1300℃以下，例如在1250℃燒結。而且，從表2所示結果可以確認，在產生異相的場合，電介質層發生半導體化，可靠性降低。
實施例3除了進行退火處理之外，其餘與實施例1的試樣編號6相同地製造電容器樣品，與實施例1相同地進行絕緣電阻的試驗。結果如表3所示。
表3
評價3如表3所示，通過比較試樣編號26和試樣編號6，可以確認，通過進行退火處理提高了絕緣電阻。
如以上說明，根據本發明，可以提供適用於以鎳等賤金屬作為內部電極的疊層陶瓷電容器、即使在還原性氣氛中燒結也難以發生低電阻化、且相對介電常數高、介電損耗低的非還原性電介質瓷體組合物。
權利要求
1.電介質瓷體組合物，其主成分包含換算成MgO為53.00-80.00摩爾％的氧化鎂，換算成TiO2為19.60-47.00摩爾％的氧化鈦，換算成MnO為0.05-0.85摩爾％的氧化錳。
2.根據權利要求1的電介質瓷體組合物，其主成分包含換算成MgO為60.00-70.00摩爾％的所述氧化鎂，換算成TiO2為29.60-39.90摩爾％的所述氧化鈦，換算成MnO為0.20-0.60摩爾％的所述氧化錳。
3.根據權利要求1的電介質瓷體組合物，進一步含有氧化釩、氧化釔、氧化鐿、氧化鈥之中的至少任何一種作為副成分，相對於電介質瓷體組合物整體，其含量分別換算成V2O5、Y2O3、Yb2O3、Ho2O3為0.00～0.20摩爾％。
4.根據權利要求3的電介質瓷體組合物，含有所述氧化釩、氧化釔、氧化鐿、氧化鈥之中的至少任何一種，相對於電介質瓷體組合物整體，其含量分別換算成V2O5、Y2O3、Yb2O3、Ho2O3為0.00～0.05摩爾％。
5.製造權利要求1或3所述的電介質瓷體組合物的方法，包括以下工序準備所述電介質瓷體組合物的原料的工序；在1300℃以下的溫度燒結所述原料，獲得所述電介質瓷體組合物的工序。
6.根據權利要求5的電介質瓷體組合物的製造方法，其特徵在於，在還原性氣氛中燒結所述原料後，進行退火處理。
7.具有電介質層的電子部件，其特徵在於，所述電介質層由權利要求1或3所述的電介質瓷體組合物構成。
8.電子部件，其內部電極和電介質層交替層疊，其特徵在於，所述電介質層由權利要求1或3所述的電介質瓷體組合物構成。
9.根據權利要求8的電子部件，所述內部電極至少含有鎳。
10.製造權利要求8或9所述的電子部件的方法，其特徵在於，在1300℃以下同時燒結所述內部電極和電介質層。
11.根據權利要求8的電子部件的製造方法，其特徵在於，在還原性氣氛中燒結所述電介質瓷體組合物的原料後，進行退火處理。
全文摘要
電介質瓷體組合物，其主成分包含換算成MgO為53.00－80.00摩爾％的氧化鎂，換算成TiO
文檔編號C04B35/638GK1524824SQ20031012474
公開日2004年9月1日 申請日期2003年12月25日 優先權日2002年12月25日
發明者佐佐木洋, 丹羽康夫, 渡邊松巳, 夫, 巳 申請人:Tdk株式會社