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一種用於半導體製程中鐘罩零件的粗糙度再生方法

2023-05-20 11:09:46 2

專利名稱:一種用於半導體製程中鐘罩零件的粗糙度再生方法
技術領域:
本發明涉及一種用於半導體製程中鐘罩零件的粗糙度再生方法。
背景技術:
鐘罩零件(英文為Bell jar,以下均稱為鐘罩零件)的外形為一碗型造型,具有碗型內腔,該碗型內腔的內壁為粗糙設計,其功能是捉取、附著半導體製程中所產生的不純物質,避免不純物質影響生產設備穩定度,由此,鐘罩零件會在半導體製程中產生消耗。鐘罩零件在使用後需進行洗淨後方可再次使用,在洗淨的同時,還會針對內壁粗糙度進行控制,目前採用噴砂方法進行內壁的粗糙度再生。由噴砂是利用氣壓帶動砂材,以撞擊切削的方式產生粗糙度,而鐘罩零件由石英製成,以噴砂進行粗糙度再生的過程中,同樣會對鐘罩零件產生消耗。同時,噴砂砂材的行徑是直線性的,需以手持噴砂頭來回對鐘罩零件進行噴砂,手持噴砂頭的行徑路線無法如機械般精準,就必然會產生部分區域噴砂較多,部分區域噴砂較少的疏密不均的狀況產生,整體粗糙度的均一性自然較不易控制。由於鐘罩零件在會因為半導體製程與粗糙度再生產生消耗,所以使用到一定的次數後,其厚度會逐漸變小,將會逐漸影響生產設備的穩定度,使晶圓在製造過程中造成不良,影響產品質量。當鐘罩零件消耗達到報廢的程度,必須進行更換。眾所皆知的,半導體生產設備相關的零部件皆為國外進口,國內本身並無製造能力,相對的,相關零部件的採購成本自然就高,又因為是國外進口所以採購時程又長,當需要大量採購時,龐大的金錢與時間的成本,都是沉重的負擔。

因此,如何在粗糙度再生過程中不對鐘罩零件產生消耗一直是本領域技術人員致力於解決的問題之一。

發明內容
本發明的目的,就是針對上述問題而提供一種用於半導體製程中鐘罩零件的粗糙度再生方法,該粗糙度再生方法不會對鐘罩零件產生消耗,大大延長了產品的使用壽命。本發明為達目的所採用的技術方案是:本發明的一種用於半導體製程中鐘罩零件的粗糙度再生方法,該鐘罩零件為碗型結構且具有碗型內腔,包括以下步驟:將酸性溶液放入所述鐘罩零件的碗型內腔中對其內壁進行浸泡,且該酸性溶液的液面高度為至所述鐘罩零件的碗口處,浸泡時間為6小時。上述的一種用於半導體製程中鐘罩零件的粗糙度再生方法中,所述酸性溶液為氫氟酸。本發明粗糙度再生方法與現有方法比較,具有以下優點:1.由噴砂是利用氣壓帶動砂材,以撞擊切削的方式產生粗糙度,對鐘罩零件的消耗較大,採用酸液浸泡可有效降低鐘罩零件因洗淨所衍生的消耗。
2.噴砂砂材的行徑呈直線性,需以手持噴砂頭來回對鐘罩零件進行噴砂,手持噴砂頭的行徑路線無法如機械般精準,就必然會產生部分區域噴砂較多,部分區域噴砂較少的疏密不均的狀況產生,整體粗糙度的均一性自然較不易控制;以酸液進行粗糙度再生可有效避免均一性不佳的問題,理由是在於酸液是同時且全面性的蝕刻,自然能夠均勻的對鐘罩零件的每個部份進行粗糙度製造,表面粗糙度均一性表現優於噴砂,並且對母材的傷害較小。3.操作容易,由於酸液的蝕刻的效率可以利用計算的方式得出,可以更精確的控制粗糙度的增減。4.操作容易簡單容易上手,要利用噴砂製造均一性佳的粗糙度,作業人員必需經過一定時間的訓練與經驗的累積才可達成,相對的酸液蝕刻僅需要使用正確的製程參數,作業人員即可進行操作,可有效縮短作業人員訓練時間。5.洗淨對鐘罩零件的消耗降低,可以有效的延長使用壽命,大幅降低對於新品採購的成本。
具體實施例方式下面結合實施例對本發明作進一步描述:本發明用於半導體製程中鐘罩零件的粗糙度再生方法,該鐘罩零件為碗型結構且具有碗型內腔,包括以下步驟:將氫氟酸放入所述鐘罩零件的碗型內腔中對其內壁進行浸泡,且氫氟酸的液面高度為至所述鐘罩零件的碗口處,浸泡時間為6小時。其中第六個小時的蝕刻率效率達到最高,為1.09um/小時。

以上實施例僅供說明本發明之用,而非對本發明的限制,有關技術領域的技術人員,在不脫離本發明的精神和範圍的情況下,還可以作出各種變換或變型,因此所有等同的技術方案也應該屬於本發明的範疇,應由各權利要求所限定。
權利要求
1.一種用於半導體製程中鐘罩零件的粗糙度再生方法,該鐘罩零件為碗型結構且具有碗型內腔,其特徵在於,包括以下步驟: 將酸性溶液放入所述鐘罩零件的碗型內腔中對其內壁進行浸泡,且該酸性溶液的液面高度為至所述鐘罩零件的碗口處,浸泡時間為6小時。
2.如權利要求1所述的一種用於半導體製程中鐘罩零件的粗糙度再生方法,其特徵在於,所述酸性溶 液為氫氟酸。
全文摘要
本發明涉及一種用於半導體製程中鐘罩零件的粗糙度再生方法,包括以下步驟將酸性溶液放入所述鐘罩零件的碗型內腔中對其內壁進行浸泡,且該酸性溶液的液面高度為至所述鐘罩零件的碗口處,浸泡時間為6小時。本發明粗糙度再生方法不會對鐘罩零件產生消耗,大大延長了產品的使用壽命。
文檔編號H01L21/67GK103247551SQ20121002255
公開日2013年8月14日 申請日期2012年2月1日 優先權日2012年2月1日
發明者呂永銘 申請人:上海科秉電子科技有限公司

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