一種柔性半透明igzo薄膜電晶體的製造方法
2023-05-21 07:28:16 1
專利名稱：一種柔性半透明igzo薄膜電晶體的製造方法
技術領域：
本發明涉及微電子技術領域，更具體地，涉及一種IGZO(In-Ga-Zn-O)薄膜電晶體製造方法。
背景技術：
柔性顯示常規定義是「一種由薄型柔性襯底構成的平板顯示，它經過彎曲、變形、捲曲成直徑幾釐米的圓筒而不影響和損壞其顯示性能」。柔性顯示器應用範圍很廣，如行動電話、筆記本電腦、電子書、汽車儀表、電子海報、個人數字助理、RF辨識系統、傳感器等。柔性顯示器根據彎曲程度可以分為四類超薄平板顯示器(Flat Thin Display)、弧形顯不器(Curved Displays)、可彎曲顯不器(Displays on Flexible Devices)和可卷 曲顯示器(Roll Up Displays),其中理想的柔性顯示器是可捲曲顯示器。柔性顯示的實現，關鍵技術之一用有機或無機的柔性襯底製備TFT陣列替代傳統剛性的玻璃襯底TFT陣列。顯然，尋找一種合適的襯底材料是製備出高質量TFT的先決條件。顯示應用要求的柔性襯底具備如下要求(I)較高的可見光透明度，在可見光400nm-800nm範圍內的透明度達到85% (適用於像IXD和OLED透射型的顯示方式)；
(2)易彎曲，能夠承受1000次以上的彎曲；(3)價格比較低，與玻璃價格差不多，大約1-4分/英寸；(4)化學性質穩定，不與酸鹼反應；(5)良好的熱膨脹穩定性，熱膨脹係數小於20ppm/°C ；(6)良好的勢壘層，能夠有效防止水和空氣的穿透；(7)較好的表面平整度，表面粗糙度小於5nm。當前，柔性襯底主要有三類，分別為塑料(Plastic)、薄玻璃(Thin Glass)和金屬薄片(Metal Foil),下面對這三種材料進行簡單說明。薄玻璃厚度為50-200 μ m的薄玻璃擁有與玻璃相似的性能和優點，如好的勢壘層、優良的光學質量、價格較低等，缺點是基板非常脆，並且在製造的過程中容易出現破裂的情況，此外，儘管薄玻璃具有彈性，但是仍然不能彎曲。金屬薄片目前應用的金屬薄片主要是不鏽鋼材料。不鏽鋼襯底可以阻止水汽和氣體的穿透，除此，沉積無機層時產生的熱壓力會減少，並且由於是金屬薄片，工藝能承受的溫度可達到900°C (金屬薄片的熔點為1400°C左右)。但是，其缺點也非常明顯，例如金屬表面必須覆蓋絕緣層以防止短路，不鏽鋼薄片的透明性不好，以該材料為襯底製備的TFT只適合於反射(如電泳顯示)和發射型的顯示，而不適於透射型的有源矩陣液晶顯示和傳統的底端發射OLED ;金屬薄片有較好的彈性，但是仍然不能捲曲和深度彎曲。除此之外，對於大面積顯示，不鏽鋼薄片的價格非常昂貴。同時，不鏽鋼薄片的表面粗糙程度比較高，要控制實現產業化的5nm以內不是件容易的事情。但是對於小尺寸柔性顯示，不鏽鋼薄片是個較好的選擇。相比上述兩種材料，更有希望應用於產業化領域的是塑料基板。塑料擁有合理的機械性能，光性能和化學特性；薄膜柔軟，能夠實現卷輪式加工(Roll to Roll)，然而形狀的穩定性和高的氣體和水汽的穿透率是它的兩大缺陷。尺寸穩定性主要是因為一般的透明聚合物薄膜的玻璃轉變溫度(Tg)不高，而TFT產業化的工藝中要耐300°C -330°c的高溫，塑料熱膨數係數大於50ppm/°C，遠遠大於玻璃，因此，當溫度升高時，尺寸的變化會對後期工作中諸如對準曝光等工藝帶來很大困難。除此之外，塑料薄膜的表面存在一些黑點和缺陷。圖I是本申請採用的底柵頂接觸型TFT結構圖，氧化物IGZO作為有源層，其原理是通過改變柵極與源漏極間的電場強度來控制溝道的導電狀況。氧化物TFT是N型半導體材料，對於N溝道TFT，當施加一定的正柵極電壓(VG ^ Vth)，在半導體層和絕緣層之間的界面上產生電子薄層，也就是導電溝道，此時所處的狀態對應TFT開態；而當柵極電壓減少至導電溝道消失時，源漏極間為高阻狀態，溝道間的電阻非常大，使得源漏電流較小(通常(10-12A)，對應TFT的關態。這與耗盡場效應電晶體中形成的反型層相似，因此MOS場效應管的計算公式可以應用在電晶體中。自從2004年日本東京工業大學Hosono第一次報導基於IGZO製備的柔性透明TFT。IGZO-TFT受到了研究機構和工業界的關注，並被開拓在顯示領域中的應用，尤其是新型顯示器件技術中。 如上所述，IGZO-TFT作為新型的有源驅動電路被應用於平板顯示器件中，但是進入商品化階段尚需解決許多問題。到目前為止，現有材料中找不到一種襯底材料既具備玻璃透明性能又具備輕薄柔等特點。同時，在採用柵電極的材料中為了符合TFT的物理性能，而採用Cr柵電極時，通常由於Cr的不透明，而使的無法實現柔性IGZO薄膜電晶體的透明性。
發明內容
為克服現有技術中的上述缺陷，本發明提出一種柔性半透明IGZO薄膜電晶體的製造方法。其中，該製備方法包含步驟I、柔性襯底的清洗，步驟2、使用PECVD沉積SiNx隔離層；步驟3、製備柵電極圖形；步驟4、製備柵絕緣層；步驟5、製備IGZO半導體層，步驟6、製備源漏電極；步驟7、製備保護層；步驟3中包括採用直流磁控濺射方法製備ITO與Cr薄膜，其中Cr層作為對準標記使用，將製備好的薄膜通過塗膠，烘烤、光刻，顯影，刻蝕和去膠技術生成柵電極圖形；其中，ITO/Cr電極的刻蝕是硝酸鈰銨混合溶液，配比為9ml高氯酸+25g硝酸鈰銨+IOOml去離子水，刻蝕時間大約為25s ;電極圖形製備好以後，用丙酮超聲去膠,接著用乙醇和去離子水清洗,每種溶劑超聲6-8min。通過上述方法，成功製作出了柔性半透明IGZO-TFT器件，其輸出和轉移曲線如圖2所示，從輸出曲線可以看出，器件展示較好的輸出飽和性能，並且源漏電極和半導體層能夠形成較好的歐姆接觸，沒有電流擁擠現象；從轉移曲線可以看出，器件展示出較好的閾值性能，閾值電壓為7V，開關比為5 X 107，器件在柵源電壓為20V時漏源電流為I. 3 X IO4A,計算飽和遷移率為11. 5cm2/V · s，亞閾值斜率為lV/dec。
圖I是底柵頂接觸型TFT結構及工作原理圖；圖2是柔性半透明IGZO-TFT器件輸出和轉移曲線圖3是實用磁控濺射系統結構原理示意圖；圖4是PECVD沉積系統工作原理示意圖以及氮化矽和氧化矽的沉積方程式；圖5是ME-3A型刻蝕系統原理圖；圖6是不同材料對水和氧氣的吸收速率以及器件對水和氧氣的要求；圖7是柔性半透明IGZO-TFT器件結構及設計參數；圖8是柔性半透明IGZO-TFT器件製備的工藝流程圖；圖9是塑料襯底的清洗示意圖；圖10是源漏電極圖形化採用的Lift-off工藝流程圖。
具體實施例方式下面結合附圖和具體實施例對本發明提供的一種柔性半透明IGZO薄膜電晶體的製備方法進行詳細描述。柔性半透明IGZO-TFT器件結構薄膜層的製備及其特性表徵本申請的目標是尋找合適的柔性襯底，探索TFT各層薄膜材料和製備工藝，通過製作和測試IGZO-TFT器件樣品的電性能，分析並不斷改進工藝參數，實現三基色驅動微膠囊顯示單元要求的TFT器件，上述工作涉及設備包括磁控濺射系統、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)系統和反應離子刻蝕(RIE)系統等，下面具體介紹。磁控濺射系統本工作中，TFT的柵電極、源漏電極和半導體層均是採用直流磁控濺射方法製備。下面介紹實驗中所用到的濺射系統及基本濺射原理。磁控濺射是在一相對穩定的真空狀態下進行，陰極靶材是由鍍膜材料製成，濺射時真空室通入一定流量的氬氣，在陰極和陽極間直流負高壓或者13. 56MHz的射頻電壓作用下產生輝光放電，輝光放電使得電極間的氬原子離化形成氬離子和電子。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子沉積在陽極表面的襯底上形成薄膜。而對於電子，在電場作用下加速飛向基片的過程中會受到磁場(洛倫茲力)的作用，使電子被束縛在靶材表面附近的等離子體區域內做圓周運動，由於電子的運動路徑很長，在該過程中，不斷同氬原子碰撞，產生電子和氬離子，氬離子不斷轟擊靶材，從而實現高速沉積的特點，二次電子起到維持輝光放電的作用。本申請採用的磁控濺射臺是中國科學院微電子中心研製的SP-3型磁控濺射臺，圖3為其示意圖，它主要包括腔體、電源系統、排氣系統、通氣系統、加熱系統。其中電源系統分為直流電源和射頻電源，實驗中是採用直流電源，並且鍍膜時沒有用到加熱系統，常溫下實現鍍膜。工藝操作流程如下，放樣完畢後關閉腔體，打開機械泵和低閥抽真空，待真空度達到7Pa以下，關閉低閥，打開高閥，一分鐘之後，打開冷卻水，啟動分子泵，分子泵穩定時轉速為600rpm，待腔體裡的真空度達到5X 10_3Pa，打開腔體內的馬達使得樣品產生公轉(同時樣品本身可以實現自轉，可以進一步提高薄膜的均勻性)。然後向真空室內通入一定流量的Ar氣，打開操作面板界面的電源控制開關和靶材控制開關，調節功率，進行10min-15min的預濺射。待預濺射完畢後，旋轉擋板，設定時間參數，開始濺射。濺射完成後，關閉面板上的電源和靶材控制開關，關掉氣源，停分子泵，關水，停機械泵，放氣，取樣。磁控濺射和其它鍍膜方法相比具有以下幾個優點薄膜附著力好、均勻性較好、容易做到大面積成膜、在常溫下可方便地製備高熔點的金屬薄膜，製備薄膜重複性好等，但它也存在著諸如靶材價格高和利用率低等一些不足。等離子體化學氣相沉積(PECVD)系統在TFT結構中，緩衝層和絕緣層採用的是SiNx，保護層採用的是Si02，這兩種材料都是通過等離子體化學氣相沉積系統製備(Plasma EnhancedChemical VaporDeposition,簡稱PECVD)。PECVD是利用輝光放電的物理作用來激活粒子的一種化學氣相沉積反應，是集等離子體輝光放電與化學氣相沉積於一體的薄膜沉積技術。沉積過程中，輝光放電產生等離子體，但等離子體內部沒有統一的溫度，存在著電子氣溫度、離子溫度和中性粒子溫度。所以從宏觀上看來，這種等離子體溫度不高，但其內部卻處於受激發的狀態，其電子能量足以使分子鍵斷裂，並導致具有化學活性的物質(活化分子、原子、離子、原子團等)產生，使本來需要在高溫下才能進行的化學反應，當處於等離子體場中時，在較低的溫度下甚至在常溫下就能在基片上形成固態薄膜。
本申請中米用的PECVD沉積系統是Oxford Instrument Plasma 80 Plus系統，圖4為它的工作原理示意圖和沉積SiNx、Si02的化學方程式。用該設備沉積薄膜主要包括以下步驟(1)抽真空。在本系統中，總共有機械泵和羅茨泵兩個泵體，待真空度達到實驗所需的本底真空度，一般是2mT0rr，才開始進行後續操作。(2)薄膜沉積。本部分分兩個部分，預鍍膜和正式鍍膜，這一步是最為關鍵的，通過設置合適的沉積參數，製備出質量較好的薄膜。(3)氣路清洗。在沉積過程中，反應室腔體和氣路都會受到不同程度的汙染，因此沉積前後都要進行清洗，一方面保證沉積薄膜的質量，另一方面保證設備的使用壽命。反應離子刻蝕(RIE)系統反應離子刻蝕(Reaction Ionic Etch,簡稱RIE),是一種幹法刻蝕方法。在TFT的製備過程中，主要應用於SiNj^P SiO2的刻蝕，刻蝕氣體是SFf^P 02。本申請採用的反應離子刻蝕系統是中國科學院微電子中心研製的ME-3A型刻蝕臺，圖5為反應腔體結構示意圖。RIE的工作原理通常情況下，上極板接地作為陽極(一般整個真空壁也接地)，下電極接射頻電源作為陰極，需要刻蝕的襯底基片放在陰極上，反應氣體按照一定的工作壓力從上電極的氣孔充入反應室。對反應腔體中氣體加上大於擊穿臨界值的射頻電壓，形成強電場，在強電場作用下，氣體以輝光放電形成產生高能等離子體，等離子體包含由非彈性碰撞產生的離子、游離基(游離態的原子、分子或原子團)及電子，它們都具有很強的化學活性，可與被刻蝕樣品表面的原子發生化學反應，形成揮發性的物質，達到刻蝕樣品的目的。同時，由於陰極附近的電場方向垂直陰極表面，高能離子在一定的工作壓力下垂直地打向樣品表面，進行物理轟擊，使得刻蝕也具有很好的各向異性。襯底材料的選擇選用杜邦(Dupont)公司的塑料襯底材料,型號為Kapton E,規格分別是50 μ m和25 μ m，其中前者用於製備柔性器件，後者製備柔性半透明透明器件。它具有較高的玻璃化轉變溫度(Tg = 3400C )，較低的熱膨脹係數(當溫度在50°C _200°C範圍內，熱膨脹係數為16ppm/°C )，較好的化學穩定性(不與製備TFT中的溶液發生反應)，較好的防水性能(對於50 μ m厚的Kapton E襯底,水汽的滲透率為5mg/m2/day),除此之外,還具有足夠的柔性和抗形變能力等優點。隔離層材料的選擇及其製備
水分和空氣在一般的塑料襯底的穿透率是玻璃襯底的一千萬倍。水分和空氣中的氧氣對器件的性能會產生很大的影響。圖6是各種薄膜對水分和空氣的吸收速率。可以看出純塑料薄膜是不能夠滿足TFT器件的要求。為了解決這個問題，一般是在塑料薄膜上面鍍上一層或者多層結構的無機薄膜鈍化層。由於TFT對空氣和水汽影響不如OLED那樣敏感，常用氧化矽、氮化矽、氧化鋁等作為鈍化層。實驗中，我們選用氮化矽作為器件的隔離層。隔離層除能夠有效阻止水分和空氣的滲透之外，還能優化襯底表面粗糙度，且通過控制其沉積條件，可對器件的應力進行優化。柵電極材料的選擇柵電極採用的是ITO薄膜，主要是由於Cr薄膜在可見光區域是不透明的，用ITO薄膜增加器件的透過率。磁控濺射製備柵電極薄膜時，除開鍍一層ITO柵電極，同時鍍層Cr薄膜，作為製備對準標記使用。源漏電極材料的選擇 與柵電極材料要求一樣，低電阻率也是TFT對源漏電極的要求，除此之外，源漏電極與半導體層形成良好的歐姆接觸是TFT對於源漏電極材料一個重要要求。它可以降低漏源之間的電阻，防止產生電流擁擠效應。經過論證，Honsor研究小組總結出，在現有的材料體系當中，金屬Ti和ITO是作為IGZO-TFT源漏電極較好的兩種材料。金屬Ti材料不僅與IGZO層有較好的粘附能力，並且能夠減少與有源層的接觸電阻。ITO材料除具有較低的電阻率，還能與IGZO有源層形成較好的歐姆接觸，並且具有較好的透明度，本申請選用ITO材料作為源漏電極。絕緣層材料的選擇TFT對柵絕緣層有以下幾個方面的要求好的絕緣耐壓性能、高的穩定性能以及與有源層之間形成好的界面特性等。在本申請中，選用SiNx作為絕緣層材料。與常用絕緣材料Si02相比，SiNx除具有相當的擊穿電壓外，SiNx還具有以下優點1)相對介電常數高，PECVD製備的二氧化矽為3. 9左右，而氮化矽薄膜的值約為8 ；2)氮化矽對鹼金屬的阻擋能力強，可以有效地防止鹼金屬離子通過柵絕緣層進入溝道；3)氮化矽的化學穩定性高，除了氫氟酸和熱磷酸外，它幾乎不和其它的酸鹼發生反應；4)氮化矽具有更好的防水和防氣體滲透性能，能夠有效減少氣體和水汽滲透對器件造成的影響。IGZO薄膜製備IGZO半導體薄膜製備本申請採用直流磁控濺射製備IGZO靶材，其中IGZO靶材由江西海特新材料有限公司提供，靶材的原子比=In2O3-Ga2O3-ZnO= I I I (摩爾比)，純度99. 99%。IGZO薄膜性能受製備參數影響，主要包括氧氣流量、沉積功率，氣體流量等影響。在本申請中，主要是通過氧氣流量的調整來獲得滿足應用要求的IGZO薄膜。具體實驗條件如下-.Ar流量為40sccm,真空度為7X ICT3Pa,派射功率為200W, O2氣體流量分別為0sccm、5sccm、lOsccm、15sccm、20sccm,以玻璃為襯底。鈍化保護層材料的選擇及薄膜製備氧氣和水汽對於IGZO-TFT有影響，主要表現在兩方面一是空氣中的氧分子填充半導體層的氧空位會使得IGZO有源層的電阻率增加。在IGZO-TFT中，器件的電性能主要是由氧空位決定的，因此IGZO-TFT的性能勢必受到大氣中氧分子的影響，除此之外，大氣中的氧氣分子會帶電子，從而也會影響器件的電性能。二是大氣中的水分子會在IGZO界面形成空穴陷阱中心，影響器件的閾值電壓。為了阻止空氣中水和氧氣對器件性能造成影響，在IGZO有源層上面鍍一層保護層。在商業產品用的非晶矽TFT中，保護層一般是採用SiNx，用PECVD方法製備。然而，在IGZO-TFT中，卻不能夠用SiNx作為保護層，因為PECVD方法中製備SiNx會含有大量的H原子，H原子會使得器件的電性能發生變化，甚至會導致有源層從半導體變為導體。當然，如果通過射頻磁控濺射製備氮化矽，仍然是可以用作保護層。結合本實驗室條件，本申請選用二氧化矽作為保護層，通過PECVD方法製備，採用的工藝條件如下溫度200 °C, N20 710sccm,5% SiH4/N2 170sccm,功率20W，壓強IOOOmTorr,厚度約 120nm。通過對單層薄膜製備工藝的探索，獲得滿足TFT器件應用要求電極層，絕緣層和IGZO有源層薄膜製備工藝參數，並實現上述各層薄膜，其性能如下1.絕緣層=SiNx薄膜，擊穿場強為5.81^/挪，介電常數為6.03。2.有源層IGZ0薄膜，呈現非晶結構，可見光的透 過率達到80%以上，In Ga Zn的原子比為10 10 3 ;在一定範圍內，薄膜的電阻率隨著氧氣流量的增加而急劇增加。3.其它=SiNx為緩衝層，用PECVD方法實現；選擇二氧化矽作為保護層，通過控制參數，可以調控器件受到的總應力。IGZO-TFT器件結構設計與製備TFT結構及其工藝流程選擇底柵頂接觸型TFT結構，其各薄膜層的厚度設計如圖7所示，在實際製備過程中會存在一定的誤差。該IGZO薄膜電晶體，包含緩衝保護層、刪電極、柵絕緣層、源極以及漏極、塑料襯底、IGZO半導體層以及保護層，塑料襯底上覆蓋緩衝保護層；柵電極位於緩衝保護層的中心頂部區域，並在緩衝保護層的兩端的頂部區域形成對準標記層；柵電極的中心區域上部覆蓋柵絕緣層，柵絕緣層的兩端分別覆蓋至緩衝保護層上；在柵絕緣層的上部採用磁控濺射方法製備IGZO半導體層；源、漏兩極分別位於半導體層的頂部的兩側，從而使半導體層被源極和漏極所覆蓋，僅在半導體層的頂部，源漏兩極的中間形成通道，在通道中覆蓋保護層。圖8給出了設定的柔性IGZO-TFT的製備流程圖，在整個流程當中，總共鍍6層薄膜，完成4次光刻，下面對具體的工藝步驟和工藝參數做詳細的介紹I.柔性襯底的清洗。將Kapton E襯底放在燒杯中清洗，由於薄膜比較薄,很容易聚集在一起。所以讓Kapton E襯底夾在玻璃中間清洗，玻璃放在玻璃架上。如圖9所示，先用清洗液洗Kapton E襯底的表面，用清水衝洗乾淨，接著放在丙酮、乙醇、去離子水中分別超聲清洗30min，這個過程重複一次；接著用氮氣槍吹乾襯底，放在250°C的熱板上烘烤IOmin左右，去除存留的水和有機溶劑，並且考慮到塑料薄膜在後續的熱處理過程中會發生一定的機械形變，使用前的高溫退火可以使這一現象提早發生，使得樣品適應後續的加工條件。2.使用PECVD》幾積SiNx隔尚層。SiNx隔尚層的製備工乙參見表I ;表I
權利要求
1.一種柔性半透明IGZO薄膜電晶體的製備方法，包含 步驟I、柔性襯底的清洗， 步驟2、使用PECVD沉積SiNx隔離層； 步驟3、製備柵電極圖形； 步驟4、製備柵絕緣層； 步驟5、製備IGZO半導體層， 步驟6、製備源漏電極； 步驟7、製備保護層； 其特徵在於，步驟3中包括採用直流磁控濺射方法製備ITO與Cr薄膜，其中Cr層作為對準標記使用，將製備好的薄膜通過塗膠，烘烤、光刻，顯影，刻蝕和去膠技術生成柵電極圖形；其中，ITO/Cr電極的刻蝕是硝酸鈰銨混合溶液，配比為9ml高氯酸+25g硝酸鈰銨+IOOml去離子水,刻蝕時間大約為25s ;電極圖形製備好以後,用丙酮超聲去膠,接著用乙醇和去離子水清洗，每種溶劑超聲6-8min。
2.根據權利要求I所述的方法，其特徵在於，所述柔性襯墊採用塑料襯墊，該塑料襯底的厚度為25 μ m。
3.根據權利要求I所述的方法，其中，步驟I包括將塑料襯底放在燒杯中清洗，先用清洗液洗塑料襯底的表面，用清水衝洗乾淨，接著放在丙酮、乙醇、去離子水中分別超聲清洗30min，這個過程重複一次；接著用氮氣槍吹乾襯底，放在250°C的熱板上烘烤IOmin左右，去除存留的水和有機溶劑。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，還包括將進行隔離層處理後的襯底固定在玻璃板上。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，步驟5包括半導體層IGZO採用磁控濺射製備，製備好的IGZO薄膜經過塗膠、光刻、顯影和刻蝕工藝製備圖形，刻蝕液採用濃鹽酸和去離子水的配比液，具體比例為36. 5% HCl H2O = I 3，該比例為體積比，刻蝕時間大概為10s-15so
6.根據權利要求I所述的方法，其中，源漏電極採用ITO材料，通過磁控濺射製備薄膜，源漏電極是米用lift_off工藝來製備電極圖形。
7.根據權利要求I所述的方法，其中，保護層釆用PECVD製備的SiO2薄膜。
全文摘要
本發明提出一種柔性半透明IGZO薄膜電晶體的製備方法。該製備方法包含步驟1、柔性襯底的清洗，步驟2、使用PECVD沉積SiNx隔離層；步驟3、製備柵電極圖形；步驟4、製備柵絕緣層；步驟5、製備IGZO半導體層，步驟6、製備源漏電極；步驟7、製備保護層；步驟3中包括採用直流磁控濺射方法製備IT0與Cr薄膜，其中Cr層作為對準標記使用，將製備好的薄膜通過塗膠，烘烤、光刻，顯影，刻蝕和去膠技術生成柵電極圖形。通過降低沉積溫度，優化保護層的沉積功率和氮化矽絕緣層的厚度，成功製備柔性半透明IGZO-TFT器件。
文檔編號H01L21/336GK102832130SQ201110267120
公開日2012年12月19日 申請日期2011年9月9日 優先權日2011年6月15日
發明者王彬 申請人:廣東中顯科技有限公司