高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列的製作方法
2023-05-20 20:21:16 1
高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列，通過先在閃爍晶體五面鍍上高反射介質膜，並利用第一層和第二層硫酸鋇獲得良好的光反射能力，避免閃爍晶體晶條間的漏光現象，再將閃爍晶體組合成陣列，提供良好的成像能力和解析度。通過上述方式，本發明高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列具有可靠性高、反射能力高、結構緊湊、造影效果好、不漏光、組裝方便、可拆卸回收等優點，同時在影像領域有著廣泛的市場前景。
【專利說明】高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列
【技術領域】
[0001]本發明涉及醫學影像領域，特別是涉及一種高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列。
【背景技術】
[0002]正電子發射型計算機斷層顯像，是核醫學領域比較先進的臨床檢查影像技術。其大致方法是，將某種物質，一般是生物生命代謝中必須的物質，標記上短壽命的放射性核素，注入人體後，通過對於該物質在代謝中的聚集，來反映生命代謝活動的情況，從而達到診斷的目的。
[0003]造影成像探測器是該技術的技術核心之一，現有造影成像探測器的閃爍晶體陣列的反射率不佳、光子收集性能不好、使得解析度較低，無法進行高精度、高解析度的成像，給醫生讀片造成困難。
【發明內容】
[0004]本發明主要解決的技術問題是提供一種高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列，通過先在閃爍晶體五面鍍上反射率>99%的高反射性反射介質，並利用第一層和第二層硫酸鋇獲得良好的光反射和收集能力，通過在反射介質外設置第一層和第二層硫酸鋇使得全反射鍍膜層局部損壞時依舊具有良好的反射能力並降低串擾；將閃爍晶體設置成陣列，提供良好的解析度和成像能力；設置有鋁箔，提供有效的光隔離並保護第二層硫酸鋇；具有可靠性高、反射能力高、結構緊湊、造影效果好、不漏光、組裝方便、可拆卸回收等優點，同時在影像領域有著廣泛的市場前景。
[0005]為解決上述技術問題，本發明採用的一個技術方案是:提供一種高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列，所述閃爍晶體晶條陣列為緊密排布的閃爍晶體晶條矩形陣列，包括:多個閃爍晶體晶條、高反射鍍膜層、第一硫酸鋇層、第二硫酸鋇層和鋁箔層，所述閃爍晶體晶條的底面和四個側面設置有高反射鍍膜層，所述多個閃爍晶體晶條之間設置有第一硫酸鋇層，所述閃爍晶體晶條陣列矩陣外層設置有第二硫酸鋇層和鋁箔層。
[0006]在本發明一個較佳實施例中，所述高反射鍍膜層為全反射鍍膜。
[0007]在本發明一個較佳實施例中，所述第一硫酸鋇層和第二硫酸鋇層厚度為
0.05-0.25mm。
[0008]在本發明一個較佳實施例中，所述高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列的閃爍晶體晶條間的排列公差小於10微米，所述高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列的頂面和底面的平整度小於10微米。
[0009]在本發明一個較佳實施例中，所述高反射鍍膜層的鍍膜厚度為0.5-5微米。
[0010]在本發明一個較佳實施例中，其特徵在於，包括:
1)先將晶體原材料切割成相同尺寸的正方體或長方體的晶體；
2)將晶體送入鍍膜機並在晶體的底面和4個側面鍍上全反射膜；3)篩選並稱量硫酸鋇，並以一定比例與膠水混合；
4)在晶體的一側塗布硫酸鋇膠水，並與另一塊晶體進行組裝，同時調整兩塊晶體的間距與平整度，使之達到設計要求，並將其固定，之後進行烘乾，在將烘乾後的2個晶體按上述方式進行2X2拼裝，依次類推製作4X2、4X4、8、4直至達到所需陣列尺寸；
5)在閃爍晶體陣列的底面和側面均勻塗布硫酸鋇膠水，並進行烘乾，之後在該閃爍晶體陣列的底面和四個側面貼上鋁箔，完整整體製造。
[0011]本發明的有益效果是:本發明高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列通過先在閃爍晶體五面鍍上反射率>99%的高反射性反射介質，並利用第一層和第二層硫酸鋇獲得良好的光反射和收集能力，通過在反射介質外設置第一層和第二層硫酸鋇使得全反射鍍膜層局部損壞時依舊具有良好的反射能力並降低串擾；將閃爍晶體設置成陣列，提供良好的解析度和成像能力；設置有鋁箔，提供有效的光隔離並保護第二層硫酸鋇；具有可靠性高、反射能力高、結構緊湊、造影效果好、不漏光、組裝方便、可拆卸回收等優點，同時在影像領域有著廣泛的市場前景。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖，其中:
圖1是本發明的電動刀架一較佳實施例的結構示意圖； 附圖中各部件的標記如下:1、閃爍晶體晶條，2、高反射鍍膜層，3、第一硫酸鋇層，4、第硫Ife鎖層，5、招猜層。
【具體實施方式】
[0013]下面將對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0014]請參閱圖1，本發明實施例包括:
一種高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列，包括:閃爍晶體晶條1、高反射鍍膜層2、第一硫酸鋇層3、第二硫酸鋇層4和鋁箔層5，所述閃爍晶體晶條I底面和四個側面設置有高反射鍍膜層2，所述閃爍晶體晶條I之間設置有第一硫酸鋇層3，所述閃爍晶體晶條陣列為緊密排布的閃爍晶體晶條I矩形陣列，所述閃爍晶體晶條陣列設置有第二硫酸鋇層4和鋁箔層5。
[0015]所述高反射鍍膜層2為全反射鍍膜,所述鍍膜反射率>99.9%,鍍膜反射率遠大於硫酸鋇的85%，具有良好的全反射效果，提高了光輸出能力。
[0016]所述第一硫酸鋇層3和第二硫酸鋇層4厚度為0.05-0.25_，具有良好的反射性和厚度，晶體連接緊密，反射率高。
[0017]所述高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列使用閃爍晶體晶條I數量多，閃爍晶體晶條組成矩陣結構，體積大，光學性能優異，解析度高。
[0018]所述高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列的閃爍晶體晶條I間的排列公差小於10微米，所述高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列的頂面和底面的平整度小於10微米，保證良好的光學性能。
[0019]所述高反射鍍膜層2的鍍膜厚度為0.5-5微米，具有良好的光學性能。
[0020]高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列的製造方法，其特徵在於，包括:
1)先將晶體原材料切割成相同尺寸的正方體或長方體的閃爍晶體晶條I;
2)將閃爍晶體晶條I送入鍍膜機並在晶體的底面和4個側面鍍上反射膜；
3)篩選並稱量硫酸鋇，並以一定比例與膠水混合；
4)在閃爍晶體晶條I的一側塗布硫酸鋇膠水，並與另一塊閃爍晶體晶條I進行組裝，同時調整兩塊閃爍晶體晶條I的間距與平整度，使之達到設計要求，並將其固定，之後進行烘乾，在將烘乾後的2個晶體按上述方式進行2X2拼裝，依次類推製作4X2、4X4、8、4直至20X20的拼裝整列；
5)在20X20的閃爍晶體陣列的底面和側面均勻塗布硫酸鋇膠水，並進行烘乾，之後在該閃爍晶體陣列的底面和四個側面貼上鋁箔5，完整整體製造。
[0021]本發明高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列的有益效果是:
一、通過先在閃爍晶體五面鍍上反射率>99%的高反射性反射介質，並利用第一層和第二層硫酸鋇獲得良好的光反射和收集能力；
二、通過在反射介質外設置第一層和第二層硫酸鋇使得全反射鍍膜層局部損壞時依舊具有良好的反射能力並降低串擾；
三、將閃爍晶體設置成陣列，提供良好的解析度和成像能力；
四、設置有鋁箔，提供有效的光隔離並保護第二層硫酸鋇；
五、相比現有技術具有可靠性高、反射能力高、結構緊湊、造影效果好、不漏光、組裝方便、可拆卸回收等優點，同時在影像領域有著廣泛的市場前景。
[0022]以上所述僅為本發明的實施例，並非因此限制本發明的專利範圍，凡是利用本發明說明書內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其它相關的【技術領域】，均同理包括在本發明的專利保護範圍內。
【權利要求】
1.一種高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列，其特徵在於，所述閃爍晶體晶條陣列為緊密排布的閃爍晶體晶條矩形陣列，包括:多個閃爍晶體晶條、高反射鍍膜層、第一硫酸鋇層、第二硫酸鋇層和鋁箔層，所述閃爍晶體晶條的底面和四個側面設置有高反射鍍膜層，所述多個閃爍晶體晶條之間設置有第一硫酸鋇層，所述閃爍晶體晶條陣列矩陣外層設置有第二硫酸鋇層和鋁箔層。
2.根據權利要求1所述的高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列，其特徵在於，所述高反射鍍膜層為全反射鍍膜。
3.根據權利要求1所述的高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列，其特徵在於，所述第一硫酸鋇層和第二硫酸鋇層厚度為0.05-0.25mm。
4.根據權利要求1所述的高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列，其特徵在於，所述高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列的閃爍晶體晶條間的排列公差小於10微米，所述高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列的頂面和底面的平整度小於10微米。
5.根據權利要求1所述的高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列，其特徵在於，所述高反射鍍膜層的鍍膜厚度為1-5微米。
6.根據權利要求1至5任一所述的高效能造影成像探測器閃爍晶體陣列的製造方法，其特徵在於，包括: 1)先將晶體原材料切割成相同尺寸的正方體或長方體的晶體； 2)將晶體送入鍍膜機並在晶體的底面和四個側面鍍上全反射膜； 3)篩選並稱量硫酸鋇，並以一定比例與膠水混合； 在晶體的一側塗布硫酸鋇膠水，並與另一塊晶體進行組裝，同時調整兩塊晶體的間距與平整度，使之達到設計要求，並將其固定，之後進行烘乾，在將烘乾後的2個晶體按上述方式進行2X2拼裝，依次類推製作4X2、4X4、8、4直至達到陣列所需尺寸； 在閃爍晶體陣列的底面和側面均勻塗布硫酸鋇膠水，並進行烘乾，之後在該閃爍晶體陣列的底面和四個側面貼上鋁箔，完整整體製造。
【文檔編號】G01T1/202GK103954989SQ201410179761
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年4月30日 優先權日:2014年4月30日
【發明者】陳遠帆, 陳冠廷, 彭志豪 申請人:蘇州晶特晶體科技有限公司