一種納米結構太陽電池及其製備方法
2023-04-29 01:58:36
一種納米結構太陽電池及其製備方法
【專利摘要】本發明公開了一種納米結構太陽電池及其製備方法，所述納米結構太陽電池包括矽片，矽片的正面的縱截面形狀為三角波，三角波的周期為100nm~300nm，矽片的正面從下往上依次層疊反型層、正面鈍化層，所述反型層和正面鈍化層的縱截面形狀也為三角波，正面鈍化層上設有正面電極，所述矽片的背面設有背面鈍化層，所述背面鈍化層的下方設有背面電極。本發明採用上述結構，能夠減小入射光的反射損失，增加光生載流子的濃度和收集率，提高電池轉化效率。
【專利說明】一種納米結構太陽電池及其製備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及太陽電池領域，具體涉及一種納米結構太陽電池及其製備方法。
【背景技術】
[0002]隨著傳統資源面臨的枯竭，我國光伏產業呈現加速發展態勢，而充分利用太陽能的主要途徑就是製作具有高轉換效率的太陽電池。現階段晶矽光伏行業內在原有P型多晶矽基礎上通過應用PERL、SE、EWT、MWT、IBC、HIT等新結構和η型單晶矽、微晶矽、非晶矽等新材料，其電池的轉化效率能達到24%以上。近年來，由於各種納米結構材料具有許多優異的光電特性，使其在未來的高能量轉換光伏器件中具有潛在的應用。然而，上述的這些新技術由於引入新的原材料和新的工藝造成電池成本的不斷攀升，從而給產品的性價比以及市場競爭力帶來極大的壓力。
[0003]納米電池是一種光電轉換電池，其最初的思路於上世紀90年代由Gratzel提出。作為業內的前沿技術，目前仍處於研發階段。納米電池的基本思路是通過在矽片表面製備納米尺度的微觀結構，實現對光吸收的增強，從而提高電池的轉化效率。目前主流技術可分為表面織構化和近年來提出的納米線陣電池。納米線陣電池對矽納米線陣和同軸ρ-η結製備要求比較高，所以以表面織構化為主要發展方向。
[0004]表面織構化是一種被廣泛採用的可以減少晶體矽太陽電池的光學損失、提高轉換效率的方法。常見的表面織構化技術可以在晶體矽表面形成各向異性的金字塔結構(鹼處理)、各向同性的蠕蟲結構(酸處理)和倒金字塔結構(雷射處理)等，它們不僅可以降低矽片的表面反射率，還可以在矽片內部形成光陷阱，從而提高短路電流，達到提升轉化效率的目的。傳統的表面織構化技術形成的表面微觀結構(如PERL電池採用的倒金字塔結構以及近年來提出的蜂巢型結構)多為微米尺度，通過入射光在表面結構中的多次反射增加入射光的吸收，從而減少反射損失。理論計算表明，在表面微觀結構尺度遠大於入射光波長(太陽光譜能量集中區域約為380nm-800nm範圍)的情況下,入射光的反射損失與尺度無關。當表面微觀結構尺度位於與入射光波長可比擬的範圍內，由於光子與表面微觀結構的強烈相互作用，可大大降低反射損失。
[0005]微米尺度的表面織構化技術中，倒金字塔結構雖被證明具有最佳的減反效果，但其高昂的製備成本制約了它在大規模生產中的應用，目前該方法僅被實驗室採用；酸處理和鹼處理雖採用溼化學法，成本較低，但其減反效果不佳，未能最大幅度減小入射光的反射損失。
[0006]納米尺度的表面織構化技術中由於飛秒雷射器或等離子體源及腔室成本較高，雖可大幅降低入射光的反射損失，但同時也增加太陽電池的生產成本；並且在減少反射增加吸收的同時，這些技術對矽片表面會造成嚴重的損傷，在其表面和近表面區域產生大量缺陷，增加了對光生載流子的複合作用，形成「死層」，降低電池的轉化效率。如果將這些技術應用於常規太陽電池工藝，為了提高電池效率，要求矽片襯底具有很高的少數載流子壽命和擴散長度(η型單晶矽片)，電池的生產成本也會大大增加。
[0007]擴散製備ρ-η結技術在光伏行業中應用廣泛，但擴散表面存在磷矽玻璃，需要後續化學清洗去除；而且擴散製備的Ρ-η結摻雜濃度、深度和均勻性不易控制，難以實現理想的「淺摻淺結」狀態。離子注入和雷射摻雜技術雖然避免了磷矽玻璃的形成和濃度、深度和均勻性控制的難題，但由於此類技術移植自半導體工業，成本很高，目前還不適合光伏產業的大規模應用；此外，離子注入和雷射摻雜技術也不適合多晶工藝。
【發明內容】
[0008]本發明的目的在於提供一種納米結構太陽電池及其製備方法，解決目前太陽電池的光電轉化效率不高，生產工藝相對複雜，生產成本較高的問題。
[0009]本發明為實現上述目的，採用以下技術方案實現:
一種納米結構太陽電池，包括矽片，所述矽片的正面的縱截面形狀為三角波，三角波的周期為100ηπΓ300ηπι，矽片的正面從下往上依次層疊反型層、正面鈍化層，所述反型層和正面鈍化層的縱截面形狀也為三角波，正面鈍化層上設有正面電極，所述矽片的背面設有背面鈍化層，所述背面鈍化層的下方設有背面電極。
[0010]本方案中，反型層是相對矽片來說的，比如矽片為P型矽，則反型層為η型矽，從而在P型矽片的正面形成Ρ-η結，反之如果矽片為η型矽，則反型層為P型矽；矽片表面形成的納米尺度表面結構，使得矽片表面的微觀結構尺度與入射光波長在同一數量級，從而具有更強的吸收效果，可將矽片表面的平均反射率由約20%降為49Γ5%，大大減小入射光的反射損失，增加了光生載流子的濃度和收集率，提高電池的轉化效率。
[0011]進一步地，作為優選方案，所述反型層的厚度為3(T50nm。
[0012]進一步地，作為優選方案，所述反型層的厚度為40nm。反型層厚度過薄容易造成ρ-η結結深不均勻，如ρ-η結結深過淺可能造成ρ-η結擊穿漏電，或正面電極與襯底的直接接觸漏電；反型層厚度過厚可能造成表面反射率上升，增加反射損失，同時會增大廣生載流子的複合機率，降低光電流收集效率，為此，本發明申請的發明人經過大量的實驗和研究發現，當反型層厚度為40nm時，可獲得最佳的效果。
[0013]進一步地，作為優選方案，所述三角波的周期為200nm。發明人經過大量實驗和研究發現，200nm剛好接近可見光譜中能量集中部分(藍紫光)波長的一半，當入射光波長與表面結構尺度相近時，光和表面結構相互作用明顯，可達到最佳的減少反射的效果。尺度過大或過小均會增大反射損失。同樣的，鈍化層能減少廣生載流子在反型層表面複合機率。若鈍化層厚度過薄，會增加光電流的複合損失；若鈍化層厚度過厚，鈍化層對入射光的吸收作用增強，會減少入射光的利用效率，為此，發明人經過大量的數據分析和研究，發現當正面鈍化層厚度為80nm左右時，能獲得最佳的效果。
[0014]一種製備上述納米結構太陽電池的方法，包括以下步驟:
Ca)對矽片進行表面織構化處理；
(b)在娃片的正面製備ρ-η結；
(c)在ρ-η結的表面製備正面鈍化層，矽片的背面製備背面鈍化層；
Cd)在正面鈍化層上印刷正面電極，背面鈍化層上印刷鋁背場和背面電極；
Ce)燒結。
[0015]本方案通過上述方法來製備納米結構電池，由於該納米尺度表面結構沒有物理損傷，缺陷密度低，可大大降低表面複合速率，進一步提高光生載流子的濃度和收集率，提高電池轉化效率；同時，由於納米尺度表面結構在尺度上具有一定的隨機性，能使較寬波長範圍的入射光吸收在近表面處，便於Ρ-η結對光生載流子的分離和收集，對矽襯底的少數載流子壽命和擴散長度要求比較寬鬆，讓低成本矽片的使用成為可能。另外，本方案還簡化了太陽電池的生產工藝，取消了擴散、後清洗和刻蝕工序，既節約了太陽電池的生產成本，同時也提高了太陽電池的產能。
[0016]進一步地，作為優選方案，所述步驟(a)的具體過程為:
(al)用NaOH溶液去除矽片表面的機械損傷層；
(a2)用AgNO3和HF混合溶液沉積納米銀顆粒至矽片表面，銀顆粒沉積的密度可通過反應時間進行控制；
(a3)用HF和H2O2混合溶液進行反應，在納米銀顆粒周圍形成孔洞，銀顆粒進入孔洞中並維持反應，孔洞的大小和形貌可通過調節溶液濃度和反應時間進行控制；
(a4)用HNO3溶液去除矽片表面孔洞內殘留的納米銀顆粒；
(a5)用HF溶液去除矽片表面的氧化層。
[0017]本方案對矽片表面織構化處理進行了細化，通過控制溶液濃度和反應時間可控制最終孔洞表面孔洞的形貌，以達到調節反射率，以及與電池其它工序匹配的目的。
[0018]進一步地，作為優選方案，所述步驟(b)的具體過程為:
(bl)米用PECVD在娃片表面沉積一層摻磷的微晶娃或非晶娃薄膜；
(b2)在擴散爐或燒結爐中快速熱退火，使摻磷微晶矽或非晶矽薄膜再晶化，形成ρ-η結。
[0019]本方案採用PECVD (等離子體增強化學氣相沉積法)，能夠使製得的ρ-η結具有摻雜濃度均勻、深度一致、界面突變的優點。
[0020]進一步地，作為優選方案，所述矽片表面沉積的摻磷微晶矽或非晶矽薄膜的摻雜濃度為IXlO190
[0021]進一步地，作為優選方案，所述步驟(b2)的具體操作為:在擴散爐中500攝氏度、N2氣氛下退火8?10分鐘，使摻磷微晶矽或非晶矽薄膜再晶化，形成ρ-η結。
[0022]進一步地，作為優選方案，所述步驟(b2)的具體操作為:在燒結爐中500攝氏度、空氣氣氛下退火2?3分鐘，使摻磷微晶矽或非晶矽薄膜再晶化，形成ρ-η結。
[0023]快速熱退火再晶化工藝對ρ-η結的形成十分重要，因此，快速熱退火的溫度和時間選擇顯得很關鍵，溫度過低或者時間過短會造成Ρ-η結界面再晶化不足；溫度過高或者時間過長可能造成Ρ-η結界面相互推進，造成結深不均勻，甚至反型層被局部破壞，為獲得最佳的效果，發明人經過大量實驗和研究發現，溫度為500攝氏度為最佳，如果在N2氣氛下退火則需要8?10分鐘，而如果在空氣氣氛下退火則只需要2?3分鐘。
[0024]本發明與現有技術相比，具有以下優點及有益效果:
(I)本發明在矽片表面形成納米尺度的表面結構，使得矽片表面的微觀結構尺度與入射光波長在同一數量級，從而具有更強的吸收效果，可將矽片表面的平均反射率由約20%降為49Γ5%，大大減小入射光的反射損失，增加了光生載流子的濃度和收集率，提高電池的轉化效率。
[0025](2)本發明製得的太陽電池的納米尺度表面結構沒有物理損傷，缺陷密度低，可大大降低表面複合速率，進一步提高光生載流子的濃度和收集率，提高電池轉化效率。
[0026](3)由於納米尺度表面結構在尺度上具有一定的隨機性，能使較寬波長範圍的入射光吸收在近表面處，便於Ρ-η結對光生載流子的分離和收集，對矽襯底的少數載流子壽命和擴散長度要求比較寬鬆，讓低成本矽片的使用成為可能。
[0027](4)本方案還簡化了太陽電池的生產工藝，取消了擴散、後清洗和刻蝕工序，既節約了太陽電池的生產成本，同時也提高了太陽電池的產能。
[0028](5)本發明採用採用溼化學法和光伏行業成熟應用的化學氣相沉積鍍膜技術便可實現，使用的設備和傳統的太陽電池生產設備完全兼容，不需要增加設備，幾乎不新增工藝成本，具有良好的產業化前景。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0029]圖1為實施例的納米結構太陽電池的縱截面結構示意圖。
[0030]附圖中附圖標記對應的名稱為:1、娃片，2、反型層,3、正面鈍化層,4、正面電極,5、背面鈍化層，6、背面電極。
【具體實施方式】
[0031]下面結合實施例對本發明作進一步地詳細說明，但本發明的實施方式不限於此。
[0032]實施例1:
如圖1所示，本實施例所述的一種納米結構太陽電池，包括矽片1，矽片I的正面的縱截面形狀為三角波，三角波的周期為10nm,娃片I的正面從下往上依次層疊厚度為30nm的反型層2、厚度為SOnm正面鈍化層3，反型層2和正面鈍化層3的縱截面形狀也為三角波，正面鈍化層3上設有正面電極4，矽片I的背面設有背面鈍化層5，背面鈍化層5的下方設有背面電極6。
[0033]一種製備上述納米結構太陽電池的方法，包括以下步驟:
Ca)用80°C，5%的NaOH溶液去除矽片表面的機械損傷層，反應時間為30秒；
(b)用0.016% AgNOjP0.5% HF混合溶液沉積納米銀顆粒至矽片表面，反應時間為100
秒；
(c)用12.5% HF,3% H2O2混合溶液進行反應，在納米銀顆粒周圍形成孔洞，反應時間為30秒；
(d)用濃HNO3溶液去除矽片表面孔洞內殘留的納米銀顆粒，反應時間為120秒；
Ce)用5% HF溶液去除矽片表面的氧化層，反應時間為15秒；
Cf)用PEV⑶在正面沉積40nm厚的氫化非晶矽薄膜，摻雜濃度I X 119 ；
(g)在擴散爐中500°C溫度N2氣氛下退火10分鐘；
(h)用PECVD在正面製備80nm厚的SiNx減反射膜；
(i)絲網印刷背面電極、鋁背場以及正面電極；
(j)燒結。
[0034]本實施例通過上述方法製得的納米結構太陽電池，經測試，電池的平均反射率由原來的20%左右降至4.4%，電池轉化效率提高0.3% ;同時，由於工藝中取消了擴散、後清洗、刻蝕等工序，整個太陽電池生產成本降低,產能得到提高。
[0035]實施例2:
本實施例所述的一種納米結構太陽電池，包括矽片1，矽片I的正面的縱截面形狀為三角波，三角波的周期為200nm，矽片I的正面從下往上依次層疊厚度為40nm的反型層2、厚度為SOnm正面鈍化層3，反型層2和正面鈍化層3的縱截面形狀也為三角波，正面鈍化層3上設有正面電極4，矽片I的背面設有背面鈍化層5，背面鈍化層5的下方設有背面電極6。
[0036]一種製備上述納米結構太陽電池的方法，包括以下步驟:
Ca)用80°C，5%的NaOH溶液去除矽片表面的機械損傷層，反應時間為30秒；
(b)用0.016% AgNOjP0.5% HF混合溶液沉積納米銀顆粒至矽片表面，反應時間為100
秒；
(c)用12.5% HF,3% H2O2混合溶液進行反應，在納米銀顆粒周圍形成孔洞，反應時間為30秒；
(d)用濃HNO3溶液去除矽片表面孔洞內殘留的納米銀顆粒，反應時間為120秒；
Ce)用5% HF溶液去除矽片表面的氧化層，反應時間為15秒；
Cf)用PEV⑶在正面沉積40nm厚的氫化非晶矽薄膜，摻雜濃度I X 119 ；
(g)在擴散爐中500°C溫度N2氣氛下退火8分鐘；
(h)用PECVD在正面製備80nm厚的SiNx減反射膜；
(i)絲網印刷背面電極、鋁背場以及正面電極；
(j)燒結。
[0037]本實施例通過上述方法製得的納米結構太陽電池，經測試，電池的平均反射率由原來的20%左右降至4.8%，電池轉化效率提高2.9% ;同時，由於工藝中取消了擴散、後清洗、刻蝕等工序，整個太陽電池生產成本降低,產能得到提高。
[0038]實施例3:
本實施例所述的一種納米結構太陽電池，包括矽片1，矽片I的正面的縱截面形狀為三角波，三角波的周期為300nm，矽片I的正面從下往上依次層疊厚度為50nm的反型層2、厚度為SOnm正面鈍化層3，反型層2和正面鈍化層3的縱截面形狀也為三角波，正面鈍化層3上設有正面電極4，矽片I的背面設有背面鈍化層5，背面鈍化層5的下方設有背面電極6。
[0039]一種製備上述納米結構太陽電池的方法，包括以下步驟:
Ca)用80°C，5%的NaOH溶液去除矽片表面的機械損傷層，反應時間為30秒；
(b)用0.016% AgNOjP0.5% HF混合溶液沉積納米銀顆粒至矽片表面，反應時間為100
秒；
(c)用12.5% HF,3% H2O2混合溶液進行反應，在納米銀顆粒周圍形成孔洞，反應時間為30秒；
(d)用濃HNO3溶液去除矽片表面孔洞內殘留的納米銀顆粒，反應時間為120秒；
Ce)用5% HF溶液去除矽片表面的氧化層，反應時間為15秒；
Cf)用PEV⑶在正面沉積40nm厚的氫化非晶矽薄膜，摻雜濃度I X 119 ；
(g)在燒結爐中500°C溫度、空氣氣氛下退火2分鐘；
(h)用PECVD在正面製備80nm厚的SiNx減反射膜；
(i)絲網印刷背面電極、鋁背場以及正面電極；
(j )燒結。
[0040]本實施例通過上述方法製得的納米結構太陽電池，經測試，電池的平均反射率由原來的20%左右降至4.1%，電池轉化效率提高0.32% ;同時，由於工藝中取消了擴散、後清洗、刻蝕等工序，整個太陽電池生產成本降低,產能得到提高。
[0041]實施例4:
本實施例所述的一種納米結構太陽電池，包括矽片1，矽片I的正面的縱截面形狀為三角波，三角波的周期為lOOnm，矽片I的正面從下往上依次層疊厚度為40nm的反型層2、厚度為SOnm正面鈍化層3，反型層2和正面鈍化層3的縱截面形狀也為三角波，正面鈍化層3上設有正面電極4，矽片I的背面設有背面鈍化層5，背面鈍化層5的下方設有背面電極6。
[0042]一種製備上述納米結構太陽電池的方法，包括以下步驟:
Ca)用80°C，5%的NaOH溶液去除矽片表面的機械損傷層，反應時間為30秒；
(b)用0.016% AgNOjP0.5% HF混合溶液沉積納米銀顆粒至矽片表面，反應時間為100
秒；
(c)用12.5% HF,3% H2O2混合溶液進行反應，在納米銀顆粒周圍形成孔洞，反應時間為30秒；
(d)用濃HNO3溶液去除矽片表面孔洞內殘留的納米銀顆粒，反應時間為120秒；
Ce)用5% HF溶液去除矽片表面的氧化層，反應時間為15秒；
Cf)用PEV⑶在正面沉積40nm厚的氫化非晶矽薄膜，摻雜濃度I X 119 ；
(g)在擴散爐中500°C溫度、N2氣氛下退火9分鐘；
(h)用PECVD在正面製備80nm厚的SiNx減反射膜；
(i)絲網印刷背面電極、鋁背場以及正面電極；
(j)燒結。
[0043]本實施例通過上述方法製得的納米結構太陽電池，經測試，電池的平均反射率由原來的20%左右降至4 %，電池轉化效率提高0.33% ;同時，由於工藝中取消了擴散、後清洗、刻蝕等工序，整個太陽電池生產成本降低,產能得到提高。
[0044]實施例5:
本實施例所述的一種納米結構太陽電池，包括矽片1，矽片I的正面的縱截面形狀為三角波，三角波的周期為200nm，矽片I的正面從下往上依次層疊厚度為50nm的反型層2、厚度為SOnm正面鈍化層3，反型層2和正面鈍化層3的縱截面形狀也為三角波，正面鈍化層3上設有正面電極4，矽片I的背面設有背面鈍化層5，背面鈍化層5的下方設有背面電極6。
[0045]一種製備上述納米結構太陽電池的方法，包括以下步驟:
Ca)用80°C，5%的NaOH溶液去除矽片表面的機械損傷層，反應時間為30秒；
(b)用0.016% AgNOjP0.5% HF混合溶液沉積納米銀顆粒至矽片表面，反應時間為100
秒；
(c)用12.5% HF,3% H2O2混合溶液進行反應，在納米銀顆粒周圍形成孔洞，反應時間為30秒；
(d)用濃HNO3溶液去除矽片表面孔洞內殘留的納米銀顆粒，反應時間為120秒；
Ce)用5% HF溶液去除矽片表面的氧化層，反應時間為15秒；
Cf)用PEV⑶在正面沉積40nm厚的氫化非晶矽薄膜，摻雜濃度I X 119 ；
(g)在燒結爐中500°C溫度、空氣氣氛下退火3分鐘； (h)用PECVD在正面製備80nm厚的SiNx減反射膜；
(i)絲網印刷背面電極、鋁背場以及正面電極；
(j)燒結。
[0046]本實施例通過上述方法製得的納米結構太陽電池，經測試，電池的平均反射率由原來的20%左右降至5 %，電池轉化效率提高0.28% ;同時，由於工藝中取消了擴散、後清洗、刻蝕等工序，整個太陽電池生產成本降低,產能得到提高。
[0047]以上所述，僅是本發明的較佳實施例，並非對本發明做任何形式上的限制，凡是依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化，均落入本發明的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種納米結構太陽電池，其特徵在於:包括矽片(1)，所述矽片(I)的正面的縱截面形狀為三角波，三角波的周期為100nnT300nm，矽片(I)的正面從下往上依次層疊反型層(2)、正面鈍化層(3)，所述反型層(2)和正面鈍化層(3)的縱截面形狀也為三角波，正面鈍化層(3)上設有正面電極(4)，所述矽片(I)的背面設有背面鈍化層(5)，所述背面鈍化層(5)的下方設有背面電極(6)。
2.根據權利要求1所述的一種納米結構太陽電池，其特徵在於:所述反型層(2)的厚度為 30?50nm。
3.根據權利要求2所述的一種納米結構太陽電池，其特徵在於:所述反型層(2)的厚度為 40nm。
4.根據權利要求1所述的一種納米結構太陽電池，其特徵在於:所述三角波的周期為200nm。
5.一種製備權利要求f 4任一項所述的納米結構太陽電池的方法，其特徵在於:包括以下步驟: Ca)對矽片進行表面織構化處理； (b)在娃片的正面製備p-n結； (c)在p-n結的表面製備正面鈍化層，矽片的背面製備背面鈍化層； Cd)在正面鈍化層上印刷正面電極，背面鈍化層上印刷鋁背場和背面電極； Ce)燒結。
6.根據權利要求5所述的一種製備納米結構太陽電池的方法，其特徵在於: 所述步驟(a)的具體過程為: (al)用NaOH溶液去除矽片表面的機械損傷層； (a2)用AgNO3和HF混合溶液沉積納米銀顆粒至矽片表面，銀顆粒沉積的密度可通過反應時間進行控制； (a3)用HF和H2O2混合溶液進行反應，在納米銀顆粒周圍形成孔洞，銀顆粒進入孔洞中並維持反應，孔洞的大小和形貌可通過調節溶液濃度和反應時間進行控制； (a4)用HNO3溶液去除矽片表面孔洞內殘留的納米銀顆粒； (a5)用HF溶液去除矽片表面的氧化層。
7.根據權利要求5所述的一種製備納米結構太陽電池的方法，其特徵在於: 所述步驟(b)的具體過程為: (bl)米用PECVD在娃片表面沉積一層摻磷的微晶娃或非晶娃薄膜； (b2)在擴散爐或燒結爐中快速熱退火，使摻磷微晶矽或非晶矽薄膜再晶化，形成p-n結。
8.根據權利要求7所述的一種製備納米結構太陽電池的方法，其特徵在於: 所述矽片表面沉積的摻磷微晶矽或非晶矽薄膜的摻雜濃度為IX 1019。
9.根據權利要求7所述的一種製備納米結構太陽電池的方法，其特徵在於: 所述步驟(b2)的具體操作為:在擴散爐中500攝氏度、N2氣氛下退火8?10分鐘，使摻磷微晶矽或非晶矽薄膜再晶化，形成P-n結。
10.根據權利要求7所述的一種製備納米結構太陽電池的方法，其特徵在於:所述步驟(b2)的具體操作為:在燒結爐中500攝氏度、空氣氣氛下退火2?3分鐘，使摻磷微晶矽或非晶矽薄膜再晶化，形成P-n結。
【文檔編號】H01L31/18GK104393067SQ201410570508
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年10月23日 優先權日:2014年10月23日
【發明者】林洪峰, 譚箏, 郜菁, 王茜, 龍巍, 王明聰 申請人:天威新能源控股有限公司