一種薄膜電晶體及其製備方法、陣列基板和顯示裝置製造方法

2023-04-29 18:27:31 1

一種薄膜電晶體及其製備方法、陣列基板和顯示裝置製造方法
【專利摘要】本發明提供一種薄膜電晶體及其製備方法、陣列基板和顯示裝置。該薄膜電晶體包括柵極、有源區、源極和漏極，柵極設置在有源區的上方，源極和漏極分設在有源區的相對兩側，有源區採用低溫多晶矽材料，還包括非金屬遮光層，非金屬遮光層設置在有源區的下方，且在正投影方向上與有源區至少部分重疊，非金屬遮光層能對全波段可見光的背光進行遮擋。該薄膜電晶體通過設置非金屬遮光層，能使照射到有源區上的部分背光光線被遮擋住，從而使薄膜電晶體的漏電流降低，同時，由於非金屬遮光層不會產生寄生電容，因此針對雙柵結構的薄膜電晶體，不再需要將非金屬遮光層分隔為面積較小的兩個小片，還能夠確保採用該薄膜電晶體的顯示產品的良率更高。
【專利說明】一種薄膜電晶體及其製備方法、陣列基板和顯示裝置

【技術領域】
[0001] 本發明涉及顯示【技術領域】，具體地，涉及一種薄膜電晶體及其製備方法、陣列基板 和顯示裝置。

【背景技術】
[0002] 液晶顯示裝置（LCD :Liquid Crystal Display)因其體積小、功耗低、無福射等特 點已成為目前平板顯示裝置中的主流產品。
[0003] 薄膜電晶體是液晶顯示裝置中必不可少的控制器件，薄膜電晶體包括柵極、源極 與漏極，薄膜電晶體通常採用非晶矽（a-Si)材料形成。
[0004] 隨著顯示技術的發展，出現了採用多晶矽（p-Si)材料形成薄膜電晶體的方式。具 體的，可形成多晶矽（p-Si)薄膜層，然後對多晶矽（P-Si)薄膜層進行摻雜等工藝，從而形 成薄膜電晶體的有源區、源極區與漏極區。研究顯示，採用多晶矽（P-Si)材料形成的薄膜 電晶體的性能比採用非晶矽材料形成的薄膜電晶體的性能高100多倍。多晶矽包括高溫多 晶矽（HTPS)和低溫多晶矽（LTPS)，其中，採用低溫多晶矽形成的薄膜電晶體具有較高的電 子遷移率，還能縮小薄膜電晶體的尺寸，因此廣泛應用於液晶顯示裝置中，既實現了高開口 率，又使得相應的顯示裝置具有高亮度、低耗電的優點。
[0005] 與採用非晶矽材料形成的薄膜電晶體相比，採用低溫多晶矽材料形成的薄膜晶體 管工作時漏電流比較大，而漏電流較大的主要原因是顯示時背光對有源區進行照射，從而 產生了較大的光致漏電流。目前主要是通過在有源區下面製備一層遮光金屬來降低漏電 流，同時，薄膜電晶體採用雙柵結構也能從一定程度上降低漏電流。在實際製備中，對於主 要採用雙柵結構的低溫多晶矽薄膜電晶體的製備，雙柵結構的薄膜電晶體的有源區下面遮 光金屬層分隔開時（即遮光金屬層被分隔為面積較小的兩片，且兩片間隔設置），由於遮光 金屬層與有源區之間的正對面積相對減小，所以遮光金屬層的寄生電容減小，這能使產品 的良率更高。
[0006] 但隨著液晶顯示裝置越來越往高PPI (像素密度）發展，想把薄膜電晶體有源區下 面的遮光金屬層分開越來越困難。因此，採用遮光金屬層來降低漏電流的方案無法同時實 現使寄生電容更小的要求，導致最終顯示產品的良率並不是很高。


【發明內容】

[0007] 本發明針對現有技術中存在的上述技術問題，提供一種薄膜電晶體及其製備方 法、陣列基板和顯示裝置。該薄膜電晶體通過設置非金屬遮光層，能使照射到有源區上的部 分背光光線被遮擋住，從而使薄膜電晶體的漏電流降低，同時，由於非金屬遮光層為非金屬 材料，所以不會產生寄生電容，因此即使針對雙柵結構的薄膜電晶體，也不需要將非金屬遮 光層分隔為面積較小的兩個小片，還能夠確保採用該薄膜電晶體的顯示產品的良率更高。
[0008] 本發明提供一種薄膜電晶體，包括柵極、有源區、源極和漏極，所述柵極設置在所 述有源區的上方，所述源極和所述漏極分設在所述有源區的相對兩側，所述有源區採用低 溫多晶矽材料，還包括非金屬遮光層，所述非金屬遮光層設置在所述有源區的下方，且在正 投影方向上與所述有源區至少部分重疊，所述非金屬遮光層能對全波段可見光的背光進行 遮擋。
[0009] 優選地，所述非金屬遮光層採用一維光子晶體光學薄膜，所述一維光子晶體光學 薄膜包括相互覆疊的第一膜層和第二膜層。
[0010] 優選地，相互覆疊的所述第一膜層和所述第二膜層為一組或多組。
[0011] 優選地，所述第一膜層和所述第二膜層的折射率不同，所述第一膜層和所述第二 膜層的折射率範圍均為1-5。
[0012] 優選地，所述第一膜層採用Ti〇2材料，所述第二膜層採用Si02材料。
[0013] 優選地，所述第一膜層和所述第二膜層的厚度比為1:1. 136。
[0014] 優選地，所述非金屬遮光層設置在所述源極和所述漏極對應的區域之間，且在正 投影方向上與所述柵極至少部分重疊。
[0015] 優選地，所述柵極為至少一個，所述柵極位於所述非金屬遮光層的正投影方向上。
[0016] 優選地，所述有源區中還設置有輕摻雜漏極，所述輕摻雜漏極設置在所述源極和 所述漏極之間，且分居在所述柵極對應的區域的兩側。
[0017] 優選地，在所述有源區與所述柵極之間還設置有柵絕緣層，在所述非金屬遮光層 與所述有源區之間還設置有緩衝層。
[0018] 本發明還提供一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設置有上述薄膜晶 體管。
[0019] 本發明還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。
[0020] 本發明還提供一種上述薄膜電晶體的製備方法，包括形成柵極、有源區、源極和漏 極的步驟，還包括形成非金屬遮光層的步驟。
[0021] 優選地，所述製備方法具體包括：
[0022] 步驟S1 :採用構圖工藝在襯底基板上形成包括所述非金屬遮光層的圖形；
[0023] 步驟S2 :在完成步驟S1的所述襯底基板上先後形成緩衝層和包括所述有源區的 圖形；
[0024] 步驟S3 :在完成步驟S2的所述襯底基板上先後形成柵絕緣層和包括所述柵極的 圖形；
[0025] 步驟S4 :在完成步驟S3的所述襯底基板上形成所述源極和所述漏極，所述源極和 所述漏極採用離子注入方式形成於所述有源區的相對兩側。
[0026] 優選地，所述採用構圖工藝在襯底基板上形成包括所述非金屬遮光層的圖形具體 包括：
[0027] 當所述非金屬遮光層為採用一組相互覆疊的第一膜層和第二膜層形成時，形成所 述非金屬遮光層的步驟具體包括：
[0028] 步驟S11 :採用濺射或沉積的方法在所述襯底基板上形成一層第一膜層膜；
[0029] 步驟S12 :採用濺射或沉積的方法在完成步驟S11的所述襯底基板上形成一層第 二膜層膜；
[0030] 步驟S13 :通過一次構圖工藝形成包括所述非金屬遮光層的圖形；
[0031] 當所述非金屬遮光層為採用多組相互覆疊的第一膜層和第二膜層形成時，形成所 述非金屬遮光層的步驟具體包括：
[0032] 多次重複所述步驟S11和所述步驟S12,然後通過一次構圖工藝形成包括所述非 金屬遮光層的圖形。
[0033] 優選地，所述步驟S11和所述步驟S12的先後順序可互換。
[0034] 優選地，所述步驟S4還包括採用離子注入方式在所述有源區中形成輕摻雜漏極。
[0035] 本發明的有益效果：本發明所提供的薄膜電晶體，通過在有源區的下方設置非金 屬遮光層，能使照射到有源區上的部分背光光線被遮擋住，從而使薄膜電晶體的漏電流降 低，同時，由於非金屬遮光層為非金屬材料，所以不會產生寄生電容，因此即使針對雙柵結 構的薄膜電晶體，也不需要將非金屬遮光層分隔為面積較小的兩個小片，還能夠確保採用 該薄I旲電晶體的顯不廣品的良率更商。
[0036] 本發明所提供的陣列基板，通過採用上述薄膜電晶體，提高了其顯示性能。本發明 所提供的顯示裝置，通過採用上述陣列基板，使其顯示性能得到了進一步提高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0037] 圖1為本發明實施例1中薄膜電晶體的結構剖視圖；
[0038] 圖2為圖1中非金屬遮光層的一種結構剖視圖；
[0039] 圖3為圖1中非金屬遮光層的另一種結構剖視圖；
[0040] 圖4為形成非金屬遮光層的步驟的示意圖；
[0041] 圖5為形成緩衝層和有源區的步驟的示意圖；
[0042] 圖6為形成柵絕緣層和柵極的步驟的示意圖；
[0043] 圖7為形成源極、漏極和輕摻雜漏極的步驟的示意圖。
[0044] 其中的附圖標記說明：
[0045] 1.柵極；2.有源區；3.源極；4.漏極；5.非金屬遮光層；51.第一膜層；52.第二 膜層；6.輕摻雜漏極；7.柵絕緣層；8.緩衝層；9.襯底基板。

【具體實施方式】
[0046] 為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖和具體實施 方式對本發明一種薄膜電晶體及其製備方法、陣列基板和顯示裝置作進一步詳細描述。
[0047] 實施例1 :
[0048] 本實施例提供一種薄膜電晶體，如圖1所示，包括柵極1、有源區2、源極3和漏極 4,柵極1設置在有源區2的上方，源極3和漏極4分設在有源區2的相對兩側，有源區2採 用低溫多晶矽材料，還包括非金屬遮光層5,非金屬遮光層5設置在有源區2的下方，且在正 投影方向上與有源區2至少部分重疊，非金屬遮光層5能對全波段可見光的背光進行遮擋。
[0049] 非金屬遮光層5的設置，能使照射到有源區2上的一部分背光光線被遮住，從而使 薄膜電晶體的漏電流降低，同時，由於非金屬遮光層5為非金屬材料，所以不會產生寄生電 容，因此即使針對雙柵結構的薄膜電晶體，也不需要將非金屬遮光層5分隔為兩個小片，還 能夠確保採用該薄膜電晶體的顯示產品的良率更高。
[0050] 本實施例中，非金屬遮光層5採用一維光子晶體光學薄膜，一維光子晶體光學薄 膜包括相互覆疊的第一膜層51和第二膜層52。相互覆疊的第一膜層51和第二膜層52為 一組（如圖2所示）或多組（如圖3所示）。第一膜層51和第二膜層52的折射率不同， 第一膜層51和第二膜層52的折射率範圍均為1-5。一組或多組第一膜層51和第二膜層 52的設置，能夠對全波段可見光的背光進行反射，並使全波段可見光的背光絕大部分被反 射回背光光源方向，即全波段可見光的背光不能通過非金屬遮光層5,從而使非金屬遮光層 5起到了遮光的作用。
[0051] 本實施例中，第一膜層51米用Ti02材料，第二膜層52米用Si02材料。第一膜層 51和第二膜層52的厚度比可為1:1. 136。
[0052] 需要說明的是，本實施例中，對第一膜層51和第二膜層52的材料和厚度比不做限 定，即第一膜層51和第二膜層52還可以採用其他材料，相應地，第一膜層51和第二膜層52 的厚度比也可以發生變化，只要最終確保整個非金屬遮光層5能夠對全波段可見光的背光 進行遮擋即可。
[0053] 本實施例中，非金屬遮光層5設置在源極3和漏極4對應的區域之間，且在正投影 方向上與柵極1至少部分重疊。非金屬遮光層5與有源區2至少部分重疊，且非金屬遮光 層5設置在源極3與漏極4對應的區域之間，目的是為了使非金屬遮光層5至少要遮住有 源區2的一部分區域，從而使照射到有源區2的背光光線能夠被遮住一部分，進而降低有源 區2的漏電流；當然，非金屬遮光層5也可以與有源區2完全重疊，這樣，非金屬遮光層5就 將有源區2完全遮住，從而使照射到有源區2的背光光線被全部遮住，能夠更進一步地降低 有源區2的漏電流。
[0054] 其中，柵極1為至少一個，柵極1位於非金屬遮光層5的正投影方向上。本實施例 中，柵極1設置有兩個，即該薄膜電晶體為雙柵結構。雙柵極1的設置能夠對漏電流形成緩 衝，從而起到減小薄膜電晶體的漏電流的作用。
[0055] 本實施例中,有源區2中還設置有輕摻雜漏極6,輕摻雜漏極6設置在源極3和漏 極4之間，且分居在柵極1對應的區域的兩側。輕摻雜漏極6的設置能夠使薄膜電晶體的 漏電流形成緩衝，從而起到降低薄膜電晶體的漏電流的作用。
[0056] 本實施例中，有源區2與柵極1之間還設置有柵絕緣層7,在非金屬遮光層5與有 源區2之間還設置有緩衝層8。柵絕緣層7的設置能夠使有源區2與柵極1之間相互絕緣。 有源區2採用低溫多晶矽材料形成在襯底基板9上，緩衝層8用於阻擋襯底基板9中所含 的雜質擴散進入薄膜電晶體的有源區2中，防止對薄膜電晶體的閾值電壓和漏電流等特性 產生影響；同時，由於低溫多晶矽通常是採用準分子雷射退火的方法形成在襯底基板9上， 設置緩衝層8能進一步防止準分子雷射退火造成襯底基板9中的雜質擴散，提高低溫多晶 矽形成的薄膜電晶體的質量。
[0057] 基於薄膜電晶體的上述結構，本實施例還提供一種薄膜電晶體的製備方法，包括 形成柵極1、有源區2、源極3和漏極4的步驟，還包括形成非金屬遮光層5的步驟。
[0058] 如圖4-圖7所示，該製備方法具體包括：
[0059] 步驟S1 :採用構圖工藝在襯底基板9上形成包括非金屬遮光層5的圖形。
[0060] 在該步驟中，當非金屬遮光層5為採用一組相互覆疊的第一膜層51和第二膜層52 形成時，形成非金屬遮光層5的步驟具體包括：
[0061] 步驟S11 :採用濺射或沉積的方法在襯底基板9上形成一層第一膜層膜；
[0062] 步驟S12 :採用濺射或沉積的方法在完成步驟S11的襯底基板9上形成一層第二 膜層膜；
[0063] 步驟S13 :通過一次構圖工藝形成包括非金屬遮光層5的圖形，即對第一膜層膜和 第二膜層膜進行一次曝光、顯影和刻蝕工藝即可形成非金屬遮光層5。
[0064] 當非金屬遮光層5為採用多組相互覆疊的第一膜層51和第二膜層52形成時，形 成非金屬遮光層5的步驟具體包括：
[0065] 多次重複步驟SI 1和步驟S12,然後通過一次構圖工藝形成包括非金屬遮光層5的 圖形，即對多組第一膜層膜和第二膜層膜進行一次曝光、顯影和刻蝕工藝即可形成非金屬 遮光層5。
[0066] 其中，所述構圖工藝，可只包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還 可以包括列印、噴墨等其他用於形成預定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影 等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝。
[0067] 在本實施例中，所述構圖工藝包括：首先，在襯底基板9上形成（如濺射、沉積或塗 覆等）一層用於形成非金屬遮光層5的材料；接著，在該層材料上塗覆一層光刻膠；然後， 用設置有包括非金屬遮光層5的圖形的掩模板對光刻膠進行曝光；最後經過顯影、刻蝕後 形成包括非金屬遮光層5的圖形。本實施例薄膜電晶體的製備方法中，涉及到通過構圖工 藝形成的膜層的製備工藝與此相同，不再詳細贅述。
[0068] 需要說明的是，上述步驟S11和步驟S12的先後順序可互換。即第一膜層膜和第 二膜層膜形成的先後順序可以互換，也即第一膜層51和第二膜層52的位置可以互換。 [0069] 步驟S2 :在完成步驟S1的襯底基板9上先後形成緩衝層8和包括有源區2的圖 形。
[0070] 步驟S3 :在完成步驟S2的襯底基板9上先後形成柵絕緣層7和包括柵極1的圖 形。
[0071] 步驟S4 :在完成步驟S3的襯底基板9上形成源極3和漏極4,源極3和漏極4採 用離子注入方式形成於有源區2的相對兩側。
[0072] 在該步驟中，注入的離子通常為硼離子或磷離子。
[0073] 上述步驟中，緩衝層8、有源區2、柵絕緣層7和柵極1均通過構圖工藝形成，與形 成非金屬遮光層5的工藝過程相同，具體形成過程不再贅述。
[0074] 本實施例中，步驟S4還包括採用離子注入方式在有源區2中形成輕摻雜漏極6,其 中，注入的離子也通常為硼離子或磷離子，只是形成輕摻雜漏極6注入的離子的量少於形 成源極3和漏極4注入的離子的量。本實施例中，輕摻雜漏極6與源極3和漏極4同時形 成。
[0075] 實施例1的有益效果：實施例1中所提供的薄膜電晶體，通過在有源區的下方設置 非金屬遮光層，能使照射到有源區上的部分背光光線被遮擋住，從而使薄膜電晶體的漏電 流降低，同時，由於非金屬遮光層為非金屬材料，所以不會產生寄生電容，因此即使針對雙 柵結構的薄膜電晶體，也不需要將非金屬遮光層分隔為面積較小的兩個小片，還能夠確保 採用該薄膜電晶體的顯示產品的良率更高。
[0076] 實施例2 :
[0077] 本實施例提供一種陣列基板，包括襯底基板，襯底基板上設置有實施例1中的薄 膜電晶體。
[0078] 本實施例中所提供的陣列基板包括高級超維場轉換顯示方式（即ADS顯示方式） 的陣列基板、扭曲向列型顯示方式（即TN顯示方式）的陣列基板以及其他任何能夠採用實 施例1中的薄膜電晶體進行控制的陣列基板。
[0079] 其中，ADS (ADvanced Super Dimension Switch，高級超維場轉換）模式是平面電 場寬視角核心技術，其核心技術特性描述為：通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場 以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極 正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率並增大了透光效率。 ADS模式的開關技術可以提高TFT-IXD產品的畫面品質，具有高解析度、高透過率、低功耗、 寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋（push Mura)等優點。針對不同應用，ADS技術的 改進技術有高透過率Ι-ADS技術、高開口率Η-ADS和高解析度S-ADS技術等。
[0080] 通過採用實施例1中的薄膜電晶體，能進一步提高陣列基板的顯示性能。
[0081] 實施例3:
[0082] 本實施例提供一種顯示裝置，包括實施例2中的陣列基板。
[0083] 通過採用實施例2中的陣列基板，使顯示裝置的顯示性能得到了進一步提高。
[0084] 上述顯示裝置可以為：液晶面板、電子紙、0LED面板、手機、平板電腦、電視機、顯 示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0085] 可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施 方式，然而本發明並不局限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精 神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。
【權利要求】
1. 一種薄膜電晶體，包括柵極、有源區、源極和漏極，所述柵極設置在所述有源區的上 方，所述源極和所述漏極分設在所述有源區的相對兩側，所述有源區採用低溫多晶矽材料， 其特徵在於，還包括非金屬遮光層，所述非金屬遮光層設置在所述有源區的下方，且在正投 影方向上與所述有源區至少部分重疊，所述非金屬遮光層能對全波段可見光的背光進行遮 擋。
2. 根據權利要求1所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述非金屬遮光層採用一維光子 晶體光學薄膜，所述一維光子晶體光學薄膜包括相互覆疊的第一膜層和第二膜層。
3. 根據權利要求2所述的薄膜電晶體，其特徵在於，相互覆疊的所述第一膜層和所述 第二膜層為一組或多組。
4. 根據權利要求3所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述第一膜層和所述第二膜層的 折射率不同，所述第一膜層和所述第二膜層的折射率範圍均為1-5。
5. 根據權利要求4所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述第一膜層採用Ti02材料，所述 第二膜層採用Si0 2材料。
6. 根據權利要求5所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述第一膜層和所述第二膜層的 厚度比為1:1. 136。
7. 根據權利要求6所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述非金屬遮光層設置在所述源 極和所述漏極對應的區域之間，且在正投影方向上與所述柵極至少部分重疊。
8. 根據權利要求7所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述柵極為至少一個，所述柵極位 於所述非金屬遮光層的正投影方向上。
9. 根據權利要求8所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述有源區中還設置有輕摻雜漏 極，所述輕摻雜漏極設置在所述源極和所述漏極之間，且分居在所述柵極對應的區域的兩 側。
10. 根據權利要求9所述的薄膜電晶體，其特徵在於，在所述有源區與所述柵極之間還 設置有柵絕緣層，在所述非金屬遮光層與所述有源區之間還設置有緩衝層。
11. 一種陣列基板，包括襯底基板，其特徵在於，所述襯底基板上設置有權利要求1-10 任意一項所述的薄膜電晶體。
12. -種顯示裝置，其特徵在於，包括權利要求11所述的陣列基板。
13. -種如權利要求1-10任意一項所述的薄膜電晶體的製備方法，包括形成柵極、有 源區、源極和漏極的步驟，其特徵在於，還包括形成非金屬遮光層的步驟。
14. 根據權利要求13所述的薄膜電晶體的製備方法，其特徵在於，所述製備方法具體 包括： 步驟S1 :採用構圖工藝在襯底基板上形成包括所述非金屬遮光層的圖形； 步驟S2 :在完成步驟S1的所述襯底基板上先後形成緩衝層和包括所述有源區的圖 形； 步驟S3 :在完成步驟S2的所述襯底基板上先後形成柵絕緣層和包括所述柵極的圖 形； 步驟S4 :在完成步驟S3的所述襯底基板上形成所述源極和所述漏極，所述源極和所述 漏極採用離子注入方式形成於所述有源區的相對兩側。
15. 根據權利要求14所述的薄膜電晶體的製備方法，其特徵在於，所述採用構圖工藝 在襯底基板上形成包括所述非金屬遮光層的圖形具體包括： 當所述非金屬遮光層為採用一組相互覆疊的第一膜層和第二膜層形成時，形成所述非 金屬遮光層的步驟具體包括： 步驟S11 :採用濺射或沉積的方法在所述襯底基板上形成一層第一膜層膜； 步驟S12 :採用濺射或沉積的方法在完成步驟S11的所述襯底基板上形成一層第二膜 層膜； 步驟S13 :通過一次構圖工藝形成包括所述非金屬遮光層的圖形； 當所述非金屬遮光層為採用多組相互覆疊的第一膜層和第二膜層形成時，形成所述非 金屬遮光層的步驟具體包括： 多次重複所述步驟S11和所述步驟S12,然後通過一次構圖工藝形成包括所述非金屬 遮光層的圖形。
16. 根據權利要求15所述的薄膜電晶體的製備方法，其特徵在於，所述步驟SI 1和所述 步驟S12的先後順序可互換。
17. 根據權利要求14所述的薄膜電晶體的製備方法，其特徵在於，所述步驟S4還包括 採用離子注入方式在所述有源區中形成輕摻雜漏極。
【文檔編號】H01L21/336GK104218092SQ201410397694
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年8月13日 優先權日:2014年8月13日
【發明者】孫建, 樊君 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司