電子器件用銅合金、電子器件用銅合金的製造方法及電子器件用銅合金軋材的製作方法

2023-04-29 18:10:36 2

專利名稱：電子器件用銅合金、電子器件用銅合金的製造方法及電子器件用銅合金軋材的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種適於例如端子、連接器或繼電器等電子電氣組件的電子器件用銅合金、電子器件用銅合金的製造方法及電子器件用銅合金軋材。本申請基於2010年5月14日申請的日本專利申請2010-112267號要求優先權，並在本說明書中援引其內容。
背景技術：
以往，隨著電子器件或電氣器件等的小型化，謀求用於這些電子器件或電氣器件等的端子、連接器或繼電器等電子電氣組件的小型化及薄壁化。為此，要求彈性、強度、導電率優異的銅合金作為構成電子電氣組件的材料。尤其如非專利文獻I中記載，作為用作端 子、連接器或繼電器等電子電氣組件的銅合金，希望屈服強度較高且拉伸彈性模量較低的材料。因此，作為彈性、強度、導電率優異的銅合金，例如在專利文獻I中提供了一種含有Be的Cu-Be合金。該Cu-Be合金是析出固化型高強度合金,其通過使CuBe時效析出於母相中，從而在不致使電導率下降的情況下提高強度。然而，該Cu-Be合金由於含有高價元素Be，因此原料成本非常高。並且，在製造Cu-Be合金時，產生具有毒性的Be氧化物。因此，需要將製造設備設為特殊結構，並進行嚴格管理，以免在製造工序中Be氧化物誤放出至外部。這樣，Cu-Be合金存在原料成本及製造成本價格均非常高之類的問題。並且，如前所述，由於含有有害元素Be，因此從環境對策方面也敬而遠之。作為能夠代替Cu-Be合金的材料，例如在專利文獻2中提供了一種Cu-Ni-Si系合金(所謂科森銅鎳矽合金)。該科森銅鎳矽合金為使Ni2Si析出物分散的析出固化型合金，具有比較高的導電率和強度及應力鬆弛特性。因此，多用於汽車用端子或信號系統的小型端子用途，近年來積極進行開發。並且，作為其他合金，開發了專利文獻3中記載的Cu-Mg-P合金等。專利文獻I :日本專利公開平04-268033號公報專利文獻2 :日本專利公開平11-036055號公報專利文獻3 :日本專利公開昭62-227051號公報非專利文獻I :野村幸矢，「連接器用高性能銅合金條的技術動向與本公司的開發戰略」，Kobe Steel Engineering Reports Vol. 54No. I (2004) p. 2-8然而，在專利文獻2中公開的科森銅鎳矽合金中，拉伸彈性模量為125 135GPa，比較高。其中，在作為推壓陰彈簧接觸部來插入插片的結構的連接器中，若構成連接器的材料的拉伸彈性模量較高，則插入時的接觸壓力變動劇烈，並且容易超出彈性界限而有可能塑性變形，因此不優選。並且，在專利文獻3中記載的Cu-Mg-P合金中，雖然導電率較高，但屈服強度或抗拉強度之類的力學特性是不充分的。並且，由於拉伸彈性模量較高，因此存在不適於連接器等之類的問題。

發明內容
本發明是鑑於前述的情況而完成的，其目的在於提供一種具有低拉伸彈性模量、高屈服強度及高導電性且適於端子、連接器或繼電器等電子電氣組件的電子器件用銅合金、電子器件用銅合金的製造方法及電子器件用銅合金軋材。為了解決上述課題，本發明的電子器件用銅合金以2. 6原子％以上9. 8原子％以下的範圍包含Mg，且以O. I原子％以上20原子％以下的範圍包含Al，剩餘部分實際上是Cu及不可避免雜質。在該結構的電子器件用銅合金中，含有Mg和Al，剩餘部分實際上是Cu及不可避免雜質的銅合金，且如上所述規定了 Mg的含量及Al的含量。具有這種成分組成的銅合金為 低拉伸彈性模量，高強度，並且導電率也比較高。在此，在前述的電子器件用銅合金中，可以進一步包含Zn、Sn、Si、Mn、Ni中的至少I種以上，上述至少I種以上的元素含量為O. 05原子％以上10原子％以下。通過在前述的電子器件用銅合金中添加Zn、Sn、Si、Mn、Ni之類的元素，能夠提高銅合金的特性。因此，通過根據用途選擇性含有上述元素，能夠提供一種尤其適於該用途的電子器件用銅合金。並且，在前述的電子器件用銅合金中，可以進一步包含B、P、Zr、Fe、Co、Cr、Ag中的至少I種以上，上述至少I種以上的元素含量為O. 01原子％以上I原子％以下。通過在前述的電子器件用銅合金中添加B、P、Zr、Fe、Co、Cr、Ag之類的元素，能夠提高銅合金的特性。因此，通過根據用途選擇性含有上述元素，能夠提供一種尤其適於該用途的電子器件用銅合金。另外，在前述的電子器件用銅合金中，O. 2%屈服強度0(12可以為40010^以上。或者，在前述的電子器件用銅合金中，拉伸彈性模量E可以為125GPa以下。當O. 2%屈服強度ο 02為400MPa以上，或者拉伸彈性模量E為125GPa以下時，彈性能量係數(σ α22/2Ε)增高，不會輕易塑性變形，因此尤其適於端子、連接器、繼電器等電子電氣組件。並且，在前述的電子器件用銅合金中，在用掃描電子顯微鏡觀察時，粒徑為O. I μ m以上的金屬間化合物的平均個數可以為10個/μ Hi2以下。這時，在用掃描電子顯微鏡觀察時，粒徑為O. I μ m以上的金屬間化合物的平均個數為10個/μπι2以下，因此抑制金屬間化合物的析出，成為Mg及Al的至少一部分固溶於母相中的狀態。這樣，通過使Mg及Al的至少一部分固溶於母相中，由此能夠以保持較高導電率的狀態提高強度及再結晶溫度，並且能夠降低拉伸彈性模量。此外，利用場發射型掃描電子顯微鏡，以倍率5萬倍、視場約4. 8 μ m2的條件觀察10個視場來計算粒徑為O. I μ m以上的金屬間化合物的平均個數。並且，金屬間化合物的粒逕取金屬間化合物的長徑(在中途不與粒界接觸的條件下在粒子內能夠引出最長直線的長度)和短徑(在與長徑正交的方向上，在中途不與粒界接觸的條件下能夠引出最長直線的長度)的平均值。
本發明的電子器件用銅合金的製造方法是制出上述電子器件用銅合金的方法，具備加熱工序，對由銅合金構成的銅原材料進行加熱至600°C以上800°C以下的溫度，其中，所述銅合金以2. 6原子％以上9. 8原子％以下的範圍包含Mg，且以O. I原子％以上20原子％以下的範圍包含Al，剩餘部分實際上是Cu及不可避免雜質；驟冷工序，以200°C /min以上的冷卻速度將加熱的所述銅原材料冷卻至200°C以下；及加工工序，對驟冷的銅原材料進行加工。根據該結構的電子器件用銅合金的製造方法，能夠通過將包含上述組成的Cu、Mg及Al的銅原材料加熱至500°C以上900°C以下的溫度的加熱工序進行Mg及Al的固溶化。其中，當加熱溫度低於500°C時，固溶化不徹底而有可能在母相中殘留大量金屬間化合物。另一方面，若加熱溫度超過900°C，則銅原材料的一部分成為液相而有可能導致組織或表面狀態變得不均勻。因此，將加熱溫度設定為500°C以上900°C以下的範圍。並且，具備以200°C /min以上的冷卻速度將加熱的所述銅原材料冷卻至200°C以下的驟冷工序，因此能夠抑制在冷卻過程中析出金屬間化合物，並能夠使Mg及Al的至少一部分固溶於母相中。 還具備對驟冷的銅原材料進行加工的加工工序，因此能夠實現基於加工固化的強度提高。其中，加工方法沒有特別限定，例如最終形態為板或條時，採用軋制，為線或棒時，採用拉絲或擠壓，若為塊狀，則採用鍛造或衝壓。加工溫度也沒有特別限定，但優選設在成為冷加工或溫加工環境的-200°C 200°C的範圍，以免發生析出。適當選擇加工率，以便接近最終形狀，但考慮加工固化時，優選20%以上，更優選30%以上。此外，可以在加工工序之後進行所謂的低溫退火。通過該低溫退火，能夠進一步提高力學特性。本發明的電子器件用銅合金軋材由上述電子器件用銅合金構成，軋制方向的拉伸彈性模量E設為125GPa以下，軋制方向的O. 2%屈服強度σ 0 2設為400MPa以上。根據該結構的電子器件用銅合金軋材，彈性能量係數( o.22/2E)較高，因此不會輕易塑性變形。並且，優選上述電子器件用銅合金軋材用作構成端子、連接器或繼電器的銅原材料。根據本發明，能夠提供一種具有低拉伸彈性模量、高屈服強度及高導電性且適於端子、連接器或繼電器等電子電氣組件的電子器件用銅合金、電子器件用銅合金的製造方法及電子器件用銅合金軋材。


圖I是作為本實施方式的電子器件用銅合金的製造方法的流程圖。圖2是實施例12中的掃描電子顯微鏡觀察照片，(a)是I萬倍視場，(b)是5萬倍視場。圖3是實施例39中的掃描電子顯微鏡觀察照片，(a)是I萬倍視場，(b)是5萬倍視場。符號說明S02-加熱工序，S03-驟冷工序，S04-加工工序。
具體實施例方式以下，對作為本發明的一實施方式的電子器件用銅合金進行說明。作為本實施方式的電子器件用銅合金具有以下組成以2.6原子％以上9.8原子％以下的範圍包含Mg，且以O. I原子％以上20原子％以下的範圍包含Al，進一步包含O. 05原子％以上10原子％以下的Zn、Sn、Si、Mn、Ni中的至少I種以上和O. 01原子％以上I原子％以下的B、P、Zr、Fe、Co、Cr、Ag中的至少I種以上,剩餘部分包括Cu及不可避免雜質。並且，在用掃描電子顯微鏡觀察時，作為本實施方式的電子器件用銅合金的粒徑為O. I μ m以上的金屬間化合物的平均個數為10個/ μ m2以下。(Mg)
Mg是具有在不導致導電率大幅下降的情況下提高強度的同時提升再結晶溫度的作用效果的元素。並且，通過使Mg固溶於母相中，由此拉伸彈性模量被抑制得較低。其中，當Mg的含量低於2.6原子％時，無法得到其作用效果。另一方面，若Mg的含量超過9. 8原子％，則在為了固溶化而進行熱處理時，會殘留大量以Cu和Mg為主成分的金屬間化合物，在之後的加工等中有可能導致產生裂紋。由於這種理由，將Mg的含量設定為2. 6原子％以上9. 8原子％以下。並且，Mg是活性元素，因此過度添加，會在熔解鑄造時有可能捲入與氧反應而生成的Mg氧化物。並且，如上所述，進行固溶化時，易殘留金屬間化合物。因此，進一步優選將Mg的含量設為2. 6原子％以上6. 9原子％以下的範圍。(Al)Al是具有通過固溶於固溶有Mg的一部分或全部的銅合金中來避免拉伸彈性模量上升且大幅提高強度的作用效果的元素。其中，當Al的含量低於O. I原子％時，無法得到其作用效果。另一方面，若Al的含量超過20原子％，則在為了固溶化而進行熱處理時，會殘留大量金屬間化合物，在之後的加工等中有可能導致產生裂紋。由於這種理由，將Al的含量設定為O. I原子％以上20原子％以下。(Zn、Sn、Si、Mn、Ni)Zn、Sn、Si、Mn、Ni之類的元素具有通過添加至固溶有Mg及Al的一部分或全部的銅合金中來提高銅合金的特性的效果。因此，能夠通過根據用途選擇性含有該元素來提高特性。尤其是，Zn具有在不致使導電率下降的情況下提高強度的效果。其中，當Zn、Sn、Si、Mn、Ni之類的元素的含量低於O. 05原子％時，無法得到其作用效果。另一方面，當含有超過10原子％的Zn、Sn、Si、Mn、Ni之類的元素時，導電率大幅下降。並且，在為了固溶化而進行熱處理時，會殘留大量金屬間化合物，在之後的加工等中有可能導致產生裂紋。由於這種理由，將Zn、Sn、Si、Mn、Ni之類的元素的含量設定為O. 05原子％以上10
原子％以下。(B、P、Zr、Fe、Co、Cr、Ag)B、P、Zr、Fe、Co、Cr、Ag之類的元素具有通過添加至固溶有Mg及Al的一部分或全部的銅合金中來提高銅合金的特性的效果。因此，能夠通過根據用途選擇性含有上述元素來提高特性。其中，當B、P、Zr、Fe、Co、Cr、Ag之類的元素的含量低於O. 01原子％時，無法得到其作用效果。另一方面，當含有超過I原子％的8、？、21^6、&)、(>^8之類的元素時，導電率大幅下降。並且，在為了固溶化而進行熱處理時，有可能殘留大量化合物。由於這種理由，將B、P、Zr、Fe、Co、Cr、Ag之類的元素的含量設定為0.01原子％以上I原子％以下。此外，作為不可避免雜質，可以舉出Ca、Sr、Ba、稀土元素、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Re、Ru、Os、Se、Te、Rh、Ir、Pd、Pt、Au、Cd、Ga、In、Li、Ge、As、Sb、Ti、Tl、Pb、Bi、S、O、C、Be、N、
H、Hg 等。稀土元素為選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb 及 Lu 中的I種以上。優選這些不可避免雜質以總量計為O. 3質量％以下。(組織)作為本實施方式的電子器件用銅合金中，通過掃描電子顯微鏡進行了觀察，其結果粒徑為O. I μπι以上的金屬間化合物的平均個數為10個/μ Hi2以下。即，沒有析出大量金屬間化合物，Mg及Al的至少一部分固溶於母相中。其中，若固溶化不徹底或者在固溶化之後析出金屬間化合物而存在大量尺寸較大的金屬間化合物，則這些金屬間化合物成為裂紋的起點，在加工時產生裂紋，或者彎曲加工性大幅變差。並且，若金屬間化合物的量較多，則拉伸彈性模量上升，因此不優選。對組織進行了調查，其結果在合金中粒徑為O. I μπι以上的金屬間化合物的個數為10個/μπι2以下時，即不存在金屬間化合物或者存在少量時，可得到良好的彎曲加工性及較低的拉伸彈性模量。另外，為了可靠地得到上述作用效果，優選地粒徑為O. I μ m以上的金屬間化合物在合金中的個數為I個/μ m2以下，進一步地，更優選地粒徑為O. 05 μπι以上的金屬間化合物在合金中的個數為I個/μ m2以下。此外，關於金屬間化合物的平均個數，利用場發射型掃描電子顯微鏡，以倍率5萬倍、視場約4. 8 μ m2觀察10個視場，計算其平均值。並且，金屬間化合物的粒逕取金屬間化合物的長徑(在中途不與粒界接觸的條件下在粒子內能夠引出最長直線的長度)和短徑(在與長徑正交的方向上，在中途不與粒界接觸的條件下能夠引出最長直線的長度)的平均值。接著，參考圖I所示的流程圖對設為這種結構的作為本實施方式的電子器件用銅合金的製造方法進行說明。(熔解/鑄造工序S01)首先，在熔解銅原料而得到的銅熔融金屬中添加前述元素並進行成分調整，從而制出銅合金熔融金屬。此外，在添加Mg、Al等元素時，可使用Mg、Al等的元素單質或母合金等。並且，可以與銅原料一起熔解包含這些元素的原料。並且，也可以使用本合金的再生料及廢料。其中，銅熔融金屬優選為純度為99. 99質量％以上的所謂4NCu。並且，在熔解工序中為了抑制Mg、Al等元素的氧化，優選使用真空爐或者設成惰性氣體氣氛或還原性氣氛的氣氛爐。
並且，在鑄模中注入調整了成分的銅合金熔融金屬來制出鑄錠。此外，當考慮批量生產時，優選利用連續鑄造法或半連續鑄造法。(加熱工序S02)接著，為了實現所得到的鑄塊的均質化及固溶化而進行加熱處理。在鑄塊的內部存在由於在凝固過程中添加元素偏析並濃縮而產生的金屬間化合物等。因此，為了消除或降低這些偏析及金屬間化合物等，進行將鑄塊加熱至500°C以上900°C以下的加熱處理，由此在鑄塊內使添加元素均質地擴散，或者使添加元素固溶於母相中。此外，優選該加熱工序S02在非氧化性氣氛或還原性氣氛中實施。(驟冷工序S03)然後，將在加熱工序S02中加熱至500°C以上900°C以下的鑄塊以200°C /min以上的冷卻速度冷卻至200°C以下的溫度。通過該驟冷工序S03，抑制固溶於母相中的Mg及Al作為金屬間化合物析出，在用掃描電子顯微鏡觀察時，粒徑為O. I μπι以上的金屬間化合物的平均個數為10個/ μ m2以下。·此外，為了實現粗加工的效率化和組織的均勻化，可以為在前述的加熱工序S02之後實施熱加工，且在該熱加工之後實施上述的驟冷工序S03的結構。此時，加工方法沒有特別限定，例如最終形態為板或條時，可採用軋制，為線或棒時，可採用拉絲、擠壓或溝槽軋制等，為塊狀時，可採用鑄造或衝壓。(加工工序S04)根據需要將經加熱工序S02及驟冷工序S03的鑄塊進行切斷，並且為了去除在加熱工序S02及驟冷工序S03等中生成的氧化膜等而根據需要進行表面磨削。然後，加工成預定的形狀。其中，加工方法沒有特別限定，例如最終形態為板或條時，可採用軋制，為線或棒時，可採用拉絲、擠壓或溝槽軋制，為塊狀時，可採用鑄造或衝壓。此外，該加工工序S04中的溫度條件沒有特別限定，但優選設在成為冷加工或溫加工環境的-200°C 200°C的範圍內。並且，適當選擇加工率，以便接近最終形狀，但為了通過加工固化提高強度，優選設為20%以上。並且，當謀求進一步提高強度時，更優選將加工率設為30%以上。另外，可以反覆實施上述的加熱工序S02、驟冷工序S03及加工工序S04。在此，第2次以後的加熱工序S02以徹底的固溶化、再結晶組織化或者用於提高加工性的軟化為目的。並且，成為對象的是加工材料，而不是鑄塊。(熱處理工序S05)接著，為了對通過加工工序S04得到的加工材料進行低溫退火固化，或者為了去除殘餘應變，實施熱處理。關於該熱處理條件，根據制出的產品所要求的特性適當地進行設定。此外，在該熱處理工序S05中，為了防止析出大量尺寸較大的金屬間化合物而需要設定熱處理條件(溫度、時間及冷卻速度)。例如優選在200°C下設為I分鐘 I小時左右，在300°C下設為I秒 I分鐘左右。冷卻速度優選設為200°C /min以上。並且，熱處理方法沒有特別限定，但優選在非氧化性或還原性氣氛中在100 500°C下進行O. I秒 24小時的熱處理。並且，冷卻方法沒有特別限定，但優選水淬等冷卻速度為200°C /min以上的方法。另外，可以反覆實施上述的加工工序S04和熱處理工序S05。如此，制出本實施方式的電子器件用銅合金。並且，本實施方式的電子器件用銅合金的拉伸彈性模量E為125GPa以下，O. 2%屈服強度σ 0 2為400MPa以上。在具有如上所述的結構的本實施方式的電子器件用銅合金中，以2. 6原子％以上
9.8原子％以下的範圍包含Mg，且以O. I原子％以上20原子％以下的範圍包含Al。具有這種成分組成的銅合金為低拉伸彈性模量，且高強度，並且導電率也比較高。具體而言，拉伸彈性模量E為125GPa以下，O. 2%屈服強度σ。2為400MPa以上。因此，彈性能量係數(σα22/2Ε)增高，不會輕易塑性變形，因此尤其適於端子、連接器、繼電 器等電子電氣組件。並且，本實施方式中，進一步包含Zn、Sn、Si、Mn、Ni中的至少I種以上，其含量為O. 05原子％以上10原子％以下，並且包含B、P、Zr、Fe、Co、Cr、Ag中的至少I種以上，其含量為O. 01原子％以上I原子％以下。Zn、Sn、Si、Mn、Ni之類的元素或B、P、Zr、Fe、Co、Cr、Ag之類的元素具有通過添加
至固溶有Mg、Al的銅合金中來提高銅合金的特性的作用效果。因此，通過根據用途選擇性地含有上述元素，能夠提供尤其適於該用途的電子器件用銅合金。另外，在本實施方式的電子器件用銅合金中，在用掃描電子顯微鏡觀察時，粒徑為
O.I μ m以上的金屬間化合物的平均個數為10個/ μ Hl2以下。如此，由於規定了粒徑為O. I μ m以上的金屬間化合物的平均個數，因此可抑制粗大的金屬間化合物析出，成為Mg及Al的至少一部分固溶於母相中的狀態。因此，能夠以保持較高導電率的狀態提高強度及再結晶溫度，並且能夠降低拉伸彈性模量。另外，還可得到良好的彎曲加工性。並且，在作為本實施方式的電子器件用銅合金的製造方法中，具備對上述組成的鑄塊或加工材料進行加熱至500°C以上900°C以下的溫度的加熱工序S02，因此能夠通過上述加熱工序S02進行Mg及Al的固溶化。並且，具備以200°C /min以上的冷卻速度將通過加熱工序S02加熱至500°C以上9000C以下的鑄塊或加工材料冷卻至200°C以下的驟冷工序S03，因此能夠抑制在冷卻過程中析出大量尺寸較大的金屬間化合物。還具備對驟冷材料進行加工的加工工序S04，因此能夠實現通過加工固化的強度提聞。並且，在加工工序S04之後，為了進行低溫退火固化，或者為了去除殘餘應變而實施熱處理工序S05，因此能夠進一步提高力學特性。如上所述，根據本實施方式的電子器件用銅合金，能夠提供一種具有低拉伸彈性模量、高屈服強度、高導電性及優異的彎曲加工性且適於端子、連接器或繼電器等電子電氣組件的電子器件用銅合金。以上，對本發明實施方式的電子器件用銅合金進行了說明，但本發明並不限定於此，在不脫離本發明的技術思想的範圍內可進行適當變更。例如，在上述的實施方式中，對電子器件用銅合金的製造方法的一例進行了說明，但製造方法並不限定於本實施方式，可以適當選擇現有的製造方法來製造。
實施例以下，說明為了確認本發明的效果而進行的確認實驗的結果。準備由純度為99. 99質量％以上的無氧銅(ASTM B152 C10100)構成的銅原料，將該銅原料裝入高純度石墨坩堝內，在設成Ar氣氣氛的氣氛爐內進行高頻熔解。在所得到的銅熔融金屬內添加各種添加元素以配製成表I、表2中示出的成分組成，將其澆注於碳鑄模中來制出鑄塊。此外，鑄塊的大小設為厚度約20mmX寬度約20mmX長度約100 120臟。並且，表I、表2中示出的成分組成的剩餘部分為銅及不可避免雜質。在Ar氣氣氛中，對所得到的鑄塊實施以表I、表2中記載的溫度條件進行4小時加熱的加熱工序，之後實施水淬。對熱處理之後的鑄塊進行切斷，並且為了去除氧化被膜而實施表面磨削。之後，以表I、表2中記載的加工率實施冷軋，制出厚度約O. 5mmX寬度約20mm的 條材。然後，以表I、表2中記載的條件對所得到的條材實施熱處理，製作特性評價用條材。(加工性評價)作為加工性評價，觀察有無前述冷軋時的裂邊。將以肉眼完全或幾乎看不到裂邊的設為「A (優秀，Excellent)」，產生長度小於Imm的較小裂邊的設為「B (良好，Good)」，產生長度Imm以上小於3mm的裂邊的設為「C (合格，Fair)」，產生長度3mm以上的較大裂邊的設為「D (差，Bad)」,由於裂邊而在軋制中途破斷的設為「E (非常差，Very Bad)」。此外，裂邊的長度是指從軋材的寬度方向端部朝向寬度方向中央部的裂邊的長度。並且，利用前述的特性評價用條材，測定了力學特性及導電率。(力學特性)從特性評價用條材中採取JIS Z 2201中規定的13B號試驗片，根據JIS Z 2241的非比例延伸(off set)法測定O. 2%屈服強度σ。2。在前述的試驗片上貼上應變儀，測定載荷及伸展性，根據由此得到的應力-應變曲線的梯度求出拉伸彈性模量E。此外，取試驗片時，使得拉伸試驗的拉伸方向相對於特性評價用條材的軋制方向平行。(導電率)從特性評價用條材中採取寬度IOmmX長度60mm的試驗片，通過4端法求出試驗片的電阻。並且，利用測微計測定試驗片的尺寸，計算試驗片的體積。然後，由測定的電阻值和體積計算導電率。此外，取該試驗片時，使得其長度方向相對於特性評價用條材的軋制方向平行。(組織觀察)對各試料的軋制面進行鏡面研磨及離子蝕刻。為了確認其金屬間化合物的析出狀態，利用FE-SEM (場發射型掃描電子顯微鏡)以I萬倍視場(約120 μπι2/視場)進行觀察。接著，為了調查金屬間化合物的密度(個/μ m2)，選擇金屬間化合物的析出狀態沒有異常的I萬倍視場(約120 μ m2/視場)，在該區域以5萬倍連續拍攝10個視場(約4. 8 μ m2/視場)。關於金屬間化合物的粒徑，取金屬間化合物的長徑(在中途不與粒界接觸的條件下在粒子內能夠引出最長直線的長度)和短徑(在與長徑正交的方向上，在中途不與粒界接觸的條件下能夠引出最長直線的長度)的平均值。並且，求出粒徑為O. I μ m及O. 05 μ m的金屬間化合物的密度(個/ μ m2)。 關於條件及評價結果，示於表I、表2中。並且，作為上述的組織觀察的一例，將本發明例12及本發明例39的SEM觀察照片分別示於圖2、圖3中。在圖2、圖3中，(a)是I萬倍視場，(b)是5萬倍視場。
權利要求
1.一種電子器件用銅合金，其中， 以2. 6原子％以上9. 8原子％以下的範圍包含Mg，且以O. I原子％以上20原子％以下的範圍包含Al，剩餘部分實際上是Cu及不可避免雜質。
2.如權利要求I所述的電子器件用銅合金，其中， 進一步包含Zn、Sn、Si、Mn、Ni中的至少I種以上，所述至少I種以上的元素含量為O. 05原子％以上10原子％以下。
3.如權利要求I所述的電子器件用銅合金，其中， 進一步包含B、P、Zr、Fe、Co、Cr、Ag中的至少I種以上，所述至少I種以上的元素含量為O. 01原子％以上I原子％以下。
4.權利要求I所述的電子器件用銅合金，其中， O.2%屈服強度。0.2為400MPa以上。
5.如權利要求I所述的電子器件用銅合金，其中， 拉伸彈性模量E為125GPa以下。
6.如權利要求I所述的電子器件用銅合金，其中， 在使用掃描電子顯微鏡觀察時，粒徑為O. I μπι以上的金屬間化合物的平均個數為10個/μ Hi2以下。
7.一種制出權利要求I所述的電子器件用銅合金的電子器件用銅合金的製造方法，具備 加熱工序，對由銅合金構成的銅原材料進行加熱至500°C以上900°C以下的溫度，其中，所述銅合金以2. 6原子％以上9.8原子％以下的範圍包含Mg，且以O. I原子％以上20原子％以下的範圍包含Al，剩餘部分實際上是Cu及不可避免雜質； 驟冷工序，以200°C /min以上的冷卻速度將加熱的所述銅原材料冷卻至200°C以下；及 加工工序，對驟冷的銅原材料進行加工。
8.一種電子器件用銅合金軋材，其中， 該電子器件用銅合金軋材由權利要求I所述的電子器件用銅合金構成，軋制方向的拉伸彈性模量E為125GPa以下，軋制方向的O. 2%屈服強度σ 0 2為400MPa以上。
9.如權利要求8所述的電子器件用銅合金軋材，其中， 該電子器件用銅合金軋材用作構成端子、連接器或繼電器的銅原材料。
全文摘要
本發明提供一種電子器件用銅合金、電子器件用銅合金的製造方法及電子器件用銅合金軋材。本發明的電子器件用銅合金以2.6原子%以上9.8原子%以下的範圍包含Mg，且以0.1原子%以上20原子%以下的範圍包含Al，剩餘部分實際上是Cu及不可避免雜質。
文檔編號H01R13/03GK102892908SQ20118002368
公開日2013年1月23日 申請日期2011年5月12日 優先權日2010年5月14日
發明者伊藤優樹, 牧一誠 申請人:三菱綜合材料株式會社