具有改進的可編程性和靈敏度的基於MLU的磁性傳感器的製作方法

2023-04-29 18:25:26 2

本發明涉及用於感測外部磁場的基於磁性邏輯部件（mlu）的磁性傳感器設備，其可以被容易地編程並在感測到外部磁場時產生線性信號。本公開還涉及用於對磁性傳感器設備編程的方法。

背景技術：

可在磁性傳感器或羅盤中使用磁性邏輯部件（mlu）單元來感測磁場。mlu單元可包括磁性隧道結，其包括具有存儲磁化的存儲層、具有感測磁化的感測層以及在存儲層和感測層之間的隧道勢壘層。感測磁化可在存在外部磁場的情況下定向，而存儲磁化基本上保持不受外部磁場幹擾。因此可以通過測量磁性隧道結的電阻來感測外部磁場，磁性隧道結的電阻取決於被外部磁場定向的感測磁化與存儲磁化的相對定向。

理想地，當由外部磁場定向時，感測層具有線性且非滯後的行為，以便促進對外部磁場的小變化的測量。這在感測到具有大約0.5奧斯特（oe）的平均值的地球的磁場時是相關的。

這樣的線性且非滯後的行為可以通過提供磁性隧道結來實現，其中感測磁化磁各向異性軸被定向為基本上垂直於存儲磁化。這通常通過將存儲磁化固定（pin）到垂直於感測層的各向異性軸來實現。在製造磁性隧道結期間，可以通過製造狀況（例如通過施加磁場）來限定感測層的各向異性軸的定向。

上面的mlu單元的缺點是：在包括多個mram單元的晶片上僅一個方向的各向異性可被濺射狀況限定。因此，感測層磁化210可以僅在傳感器設備的平面中的一個方向上被定向為垂直於存儲磁化230。

圖3圖示了常規的基於mlu的磁性傳感器設備100，其包括串聯電氣連接到電流線3的多個mlu單元。磁性傳感器通常需要至少兩個感測方向。圖1示出了包括磁性隧道結2的常規mlu單元，磁性隧道結2包括具有感測磁化210的感測層21、具有存儲磁化230的存儲層23、存儲反鐵磁層24和隧道勢壘層22，存儲反鐵磁層24在低閾值溫度下固定存儲磁化230並在高閾值溫度下使它自由。感測磁化210被配置成可在外部磁場中定向，以使得由感測磁化210和存儲磁化230的相對定向確定的磁性隧道結2的電阻是變化的。

參考回圖3，所述多個mlu單元由帶點圖案101、102、103表示。場線4被配置成基於輸入（場電流）生成磁場。特別地，所述多個mlu單元被配置在分支101、102、103中，每個分支包括mlu單元的子集。這些分支以相對於軸x約0°、約45°、約90°的角度定向。場線可以包括多個部分401、402、403，每個分別被布置與mlu單元的分支101、102、103中的一個對應分支相鄰。場線部分401、402、403被配置成使得通過部分401、402、403中的每個的電流流動41的方向具有與其對應分支101、102、103的角度定向相對應的角度定向。因此，編程磁場42被定向在垂直於相應場線部分401、402、403的方向上並且被沿著編程方向260調準（align）。感測層磁化210的固有各向異性軸（被稱為感測固有各向異性軸251）和存儲層磁化230的固有各向異性軸252（被稱為存儲固有各向異性軸252）由濺射和/或退火狀況來限定。在沒有磁場的情況下，感測磁化210被定向為沿著感測固有各向異性軸251。在圖3中，感測固有各向異性軸251和存儲固有各向異性軸252被定向為垂直於在成約0°的分支101中的編程方向260，在成約45°的子集102中成約45°的角度，並且基本上平行於成約90°的子集103中的存儲磁化230。

常規的基於mlu的磁性傳感器設備的另一缺點是：在對設備進行編程期間，即，在設置存儲磁化的定向的步驟期間，存儲磁化230僅可被調準在接近存儲固有各向異性軸251的方向的方向上。如上面所討論的，後者被定向在在磁性傳感器設備的所有分支中單個方向上，該方向由磁性傳感器設備的製造過程（濺射狀況、退火狀況等）確定。將存儲磁化編程在不接近各向異性軸的方向上與執行接近各向異性軸的方向上的編程時相比需要更高的編程場。在常規的基於mlu的磁性傳感器設備中，用編程線4生成大到足以將存儲磁化230編程在不接近各向異性軸的方向的編程磁場42是不可能的。

為了獲得諸如圖3中描繪的2d磁性傳感器設備之類的2d磁性傳感器設備，不同分支中包括的mlu單元1中的存儲層23應該被編程在不同的方向上，並且對於一些分支，編程方向260將遠離磁各向異性軸（即，在編程方向260和磁各向異性軸之間存在大於10°的角度），導致這些分支中的不良編程。不良編程的分支對外部磁場的靈敏度小，通常沒有大到足以準確地確定外部磁場的值。

us2012075922公開了一種能夠在降低寫入電流的同時維持高熱穩定性（保留特性）的磁性存儲器元件。磁性存儲器元件包括磁性隧道結，其具有包括垂直磁化膜的第一磁體、絕緣層，以及用作包括垂直磁化膜的存儲層的第二磁體，它們順序堆疊。熱膨脹層被布置為與磁性隧道結部分接觸。第二磁體在其橫截面因由於電流的流動導致的熱膨脹層的熱膨脹或收縮而增加或減小的方向上變形，由此降低改變磁化方向所需要的開關電流閾值。

us2010080048公開了一種包括壓電材料的磁性存儲器單元，並且提供了操作存儲器單元的方法。存儲器單元包括堆疊（stack），並且壓電材料可以形成為堆疊中的層或鄰近單元堆疊的層。壓電材料可以用於在存儲器單元的編程期間誘導瞬態應力，以降低存儲器單元的臨界開關電流。

us2002117727公開了一種磁電子元件，其包括第一磁層、第一磁層上的第一隧道勢壘層、第一隧道勢壘層上的第二磁層和所述第二磁層上的上受應力層（stressed-overlayer），其被配置成更改所述第二磁層的切換能量勢壘。

技術實現要素：

本公開涉及一種用於感測外部磁場的磁性傳感器設備，其包括多個mlu單元，每個mlu單元包括磁性隧道結，磁性隧道結包括具有可自由地在外部磁場中定向的感測磁化的感測層、具有存儲磁化的存儲層，以及在感測層和存儲層之間的隧道勢壘層；磁性傳感器設備還包括應力誘導設備，應力誘導設備被配置用於在磁性隧道結上施加各向異性機械應力，從而誘導感測層和存儲層中的至少一個上的應力誘導的磁各向異性。

本公開還涉及一種用於對磁性傳感器設備進行編程的方法，其包括：

使用應力誘導設備用於誘導感測層和存儲層中的至少一個上的應力誘導的磁各向異性；以及

將所述多個mlu單元中的每個的存儲磁化調準在編程方向上。

所公開的磁性傳感器設備的優點是：感測層和存儲層的磁各向異性可以針對每個分支和每個層被定向在特定方向上，以使得每個分支（並且因此，磁性傳感器設備）的編程和靈敏度將被改進。實際上，每個分支更易於編程，由於存儲層的淨磁各向異性被定向在接近編程方向的方向上。由於感測層的磁化被定向為垂直於存儲層磁化，磁性傳感器設備的每個分支呈現線性且非滯後的行為。

附圖說明

藉助於經由示例給出並由各圖圖示的實施例的描述，將更好地理解本發明，在各圖中：

圖1表示包括存儲層、隧道勢壘層和感測層的磁性隧道結；

圖2表示圖1的磁性隧道結，其中存儲層是包括第一存儲鐵磁層、第二存儲鐵磁層和反平行耦合層的合成反鐵磁體；

圖3圖示了包括包含mlu單元的第一分支、第二分支和第三分支的常規的基於mlu的磁性傳感器；

圖4圖示了根據實施例的基於mlu的磁場方向測量設備；

圖5a至圖5d圖示了通過使用應力誘導設備誘導y方向的應力誘導的磁各向異性的四種可能方式；

圖6a至圖6d表示通過使用應力誘導設備誘導感測層中的基本上垂直於存儲層中的應力誘導的磁各向異性的應力誘導的磁各向異性的四種可能方式；以及

圖7a和圖7b表示由於具有適當形狀並在高溫下沉積的金屬線而誘導感測層和存儲層中的各向異性應力的方式。

具體實施方式

參考圖1，用於感測外部磁場的mlu單元1包括磁性隧道結2，該磁性隧道結2包括感測層21、存儲層23和在感測層21和存儲層23之間的隧道勢壘層22。感測層21具有可自由地在外部磁場中定向的感測磁化210。存儲層23具有存儲磁化230，其定向在外部磁場中保持穩定。mlu單元1還可以包括跡線（trace）或條狀導體以提供寫入和讀取功能。具體地，電流線3可以電氣耦合到mlu單元1。mlu單元1可以包括編程線4，其基本上垂直（或平行）於電流線3延伸並且被磁耦合到mlu單元1。mlu單元1還可以包括通過帶7電氣連接到mlu單元1的選擇電晶體8。

感測層21可以包括軟鐵磁材料，即具有相對低的磁各向異性的材料，而存儲層23可以包括硬鐵磁材料，即具有相對高的矯頑力的材料。適合的鐵磁材料包括過渡金屬、稀土元素，以及它們的具有或不具有主族元素的合金。例如，適合的鐵磁材料包括鐵（「fe」）、鈷（「co」）、鎳（「ni」）及其合金，諸如：坡莫合金（或ni80fe20）；基於ni、fe和硼（「b」）的合金；co90fe10；以及基於co、fe和b的合金。感測層21和存儲層23中的每個的厚度可以在nm範圍中，諸如從約0.4nm至約20nm或者從約1nm至約10nm。

設想感測層21和存儲層23的其他實現。例如，感測層21和存儲層23中的任一者或兩者可以以與所謂的合成反鐵磁層的方式類似的方式包括多個子層。圖2示出了磁性隧道結2，其中存儲層23包括合成存儲層或合成反鐵磁體（saf），其包括具有第一存儲磁化234的第一存儲鐵磁層231和具有第二存儲磁化235的第二存儲鐵磁層232。存儲反平行耦合層233被包括在第一和第二存儲鐵磁層231、232之間。存儲耦合層233在第一和第二存儲層231、232之間產生rkky耦合，以使得第二存儲磁化235保持反平行於第一存儲磁化234。這兩個存儲鐵磁層231、232可包括cofe、cofeb或nife合金，並且具有通常包括在約0.5nm和約4nm之間的厚度。存儲耦合層233可以包括非磁性材料，其選自包括以下中的至少一個的組：釕、鉻、錸、銥、銠、銀、銅和釔。優選地，存儲耦合層233包括釕，並具有通常包括在約0.4nm和3nm之間、優選地在0.6nm和約0.9nm之間或在約1.6nm和約2nm之間的厚度。

隧道勢壘層22可以包括絕緣材料，或者可以由絕緣材料形成。適合的絕緣材料包括氧化物，諸如氧化鋁（例如，al2o3）和氧化鎂（例如，mgo）。隧道勢壘層22的厚度可以在nm範圍中，諸如從約0.5nm至約10nm。

mlu單元1可被配置成通過熱輔助切換（tas）操作而被寫入或編程。再次參考圖1，mlu單元1還可以包括固定層24，該固定層24被布置與存儲層23相鄰並且通過交換偏置而在固定層24內或附近的溫度在低閾值溫度tl處時沿著特定方向穩定或固定存儲磁化230。低閾值溫度tl可對應於低於阻擋溫度、奈耳溫度或另一閾值溫度的溫度。當溫度在高閾值溫度th處（即，在高於阻擋溫度的溫度處）時，固定層24將存儲磁化230解固定或者解耦合，由此允許存儲磁化230被切換至另一方向。

如圖2中圖示的，在存儲層具有saf配置的情況下，固定層24可以與第一存儲鐵磁層231相鄰，從而在低閾值溫度tl下固定第一存儲磁化234，並且在高閾值溫度th下使它自由。第二存儲磁化235不被固定層24交換耦合，而是保持通過存儲耦合層233反平行耦合到第一存儲磁化234。固定層24也可以與第二存儲鐵磁層232相鄰，從而交換耦合此層。

固定層24包括磁性材料並且特別包括反鐵磁型磁性材料，或者可以由磁性材料、並且特別是由反鐵磁型磁性材料形成。適合的反鐵磁材料包括過渡金屬及其合金。例如，適合的反鐵磁材料包括基於錳（「mn」）的合金，諸如基於銥（「ir」）和mn的合金（例如，irmn）、基於fe和mn的合金（例如，femn）、基於鉑（「pt」）和mn的合金（例如，ptmn），以及基於ni和mn的合金（例如，nimn）。在一些情況下，基於ir和mn（或基於fe和mn）的合金的阻擋溫度可以在約90℃到約350℃或約150℃到約200℃的範圍中，並且可以小於基於pt和mn（或基於ni和mn）的合金的阻擋溫度，其可以在約200℃到約400℃的範圍中。

在實施例中，mlu單元1包括應力誘導設備6，其被配置用於在磁性隧道結2上施加各向異性機械應力，從而誘導感測層21和存儲層23中的至少一個上的應力誘導的磁各向異性270。

磁致伸縮材料在經受外部磁場時發展大的機械變形。此現象歸因於材料中的小磁疇的旋轉，小磁疇在材料未暴露於磁場時被隨機定向。通過磁場的強加進行的這些小磁疇的定向創建應力場。隨著磁場的強度增加，越來越多的磁疇自身定向，以使得其各向異性的主軸與每個區域中的磁場共線並且最終達到飽和。相反，由於施加的應力導致的磁化或磁各向異性軸中的改變也被稱為磁致彈性效應或維拉裡效應。

因此，在磁性隧道結2上施加各向異性機械應力誘導附加的磁各向異性源，其被稱為應力誘導的磁各向異性。這樣的各向異性機械應力由應力誘導設備6生成。應力誘導設備6可以包括位於磁性隧道結2附近的金屬線或氧化物。在實施例中，應力誘導設備6包括電流線3和/或編程線4。替代地或組合地，應力誘導設備6可以包括附加金屬線，諸如帶7，或被適配用於生成適當的機械應力的任何其它金屬線。替代地或組合地，應力誘導設備6可以包括封裝層（未示出），諸如封裝mlu單元1的介電層。

應力誘導設備還被配置成使得應力誘導的磁各向異性270具有比諸如由沉積和/或退火、形狀或結晶各向異性誘導的磁各向異性之類的磁各向異性的任何其它可能貢獻（此後，在以下文本中被稱為感測層21的感測固有各向異性251和存儲層23的存儲固有各向異性252）更大的幅度。感測層21中的應力誘導的磁各向異性將被稱為感測應力誘導的磁各向異性271，並且存儲層23中的應力誘導的磁各向異性將被稱為存儲應力誘導的磁各向異性272。因此，應力誘導設備6被配置成使得感測應力誘導的磁各向異性271基本上對應於淨感測磁各向異性281，並且存儲應力誘導的磁各向異性272基本上對應於淨存儲磁各向異性282（參見圖4）。這裡，淨感測磁各向異性281對應於感測固有各向異性251和感測應力誘導的磁各向異性271的和，並且淨存儲磁各向異性282對應於存儲固有各向異性251和存儲應力誘導的的磁各向異性271的和。換句話說，與感測應力誘導的磁各向異性271相比，感測固有各向異性251可以被忽略，並且與存儲應力誘導的磁各向異性272相比，存儲固有各向異性252可以被忽略。

圖4圖示了根據實施例的用於測量磁場方向的磁性傳感器設備100的示例。磁性傳感器設備100包括多個mlu單元1。圖4的磁性傳感器設備100的配置類似於圖3中描述的配置。磁性傳感器設備100包括多個分支101、102、103，其中每個分支包括分別串聯電氣連接到電流線3的電流部分301、302、303的所述多個mlu單元1的子集。磁性傳感器設備100還包括編程線4，其被配置用於傳遞用於誘導編程磁場42的編程場電流41。編程線包括編程線部分401、402、403，每個編程線部分別尋址（address）對應的分支101、102、103。

更特別地，每個分支101、102、103包括陣列，所述陣列包括串聯電氣連接到電流線301、302、303中的一個的所述多個mlu單元1的一個或多個行和/或列。例如，每個分支101、102、103可以包括mlu單元1的一行或mlu單元1的兩個或更多個相鄰行。編程場電流41可以在每個編程線部分401、402、403中單獨傳遞。替代地，編程線部分401、402、403可以串聯電氣連接，以使得編程場電流41同時在編程線部分401、402、403中傳遞。

在圖4的布置中，磁性傳感器設備100被表示為具有以相對於軸x約0°的角度定向的第一分支101，以約45°的角度定向的第二分支102和以相對於軸x約90°的角度定向的第三分支103°。包括在第一、第二和第三分支101、102、103中的mlu單元分別由第一、第二和第三編程線部分401、402、403來尋址。第一、第二和第三編程線部分401、402、403串聯電氣連接，從而形成編程電流41經過的單個編程線4。

編程線部分401、402、403被配置成使得在編程線部分401、402、403中的任何中流動的編程場電流41誘導在基本上垂直於編程線部分401、402、403以及分支101、102、103的方向上的編程磁場42。

可以設想磁性傳感器設備100的其它配置。例如，磁性傳感器設備100可以包括多個分支，以使得mlu單元1的平均存儲磁化方向230被約360度除以「n」的角度或者約45°基本上相等地隔開，其中「n」可以是8。

根據實施例，一種用於對磁性傳感器設備100編程的方法包括以下步驟：

使用應力誘導設備6用於誘導存儲層23上的存儲應力誘導的磁各向異性272，以使得存儲層23的存儲應力誘導的磁各向異性272基本上平行於編程磁場42；以及

將每個子集中包括的mlu單元1的存儲磁化230調準在編程方向260上（參見圖4），該編程方向260基本上平行於編程磁場42。

可以通過在場線401、402、403中施加編程磁場42而將存儲磁化230調準在編程方向260上。

可以通過誘導存儲層23和/或感測層21上的機械應力來執行誘導存儲應力誘導的磁各向異性272和/或感測應力誘導的磁各向異性271。機械應力可以通過適配電流線3、場線4、帶7或被適配用於生成適當的機械應力的任何其它金屬線的形狀、材料性質和製造狀況來誘導。替代地或組合地，機械應力可以通過適配位於磁性隧道結2附近的絕緣材料（諸如封裝mlu單元1的介電層）的材料性質和製造狀況來誘導。

在實施例中，應力誘導設備6可以被配置成使得存儲誘導的磁各向異性271的方向對於所述多個分支101、102、103中的每個是不同的。這可以通過將電流線301、302、303，或場線401、402、403，帶7，或被適配用於生成適當的機械應力的任何其它金屬線，或絕緣層定向在每個分支中的適當方向上來實現。

在編程操作期間，每個分支101、102、103中包括的mlu單元1的存儲磁化230可以被調準在基本上平行於編程磁場42的編程方向260上。因此，存儲磁化230的編程方向260可以基本上平行於每個分支101、102、103中包括的mlu單元1的存儲層23的應力誘導的磁各向異性272。圖4還報告了存儲固有各向異性251的定向以用於比較。

在實施例中，感測層21中的感測應力誘導的磁各向異性271的方向和/或存儲層23中的存儲應力誘導的磁各向異性272的方向可以通過調整所施加的各向異性機械應力的幅度來調整。

在另一實施例中，各向異性機械應力的強度和方向通過調整電流線3、301、302、303，或場線4、401、402、403，或帶7，或被適配用於生成適當的機械應力的任何其它金屬線，或位於mlu單元1附近的絕緣層的沉積狀況中的至少一個來修改。還可以通過針對形成電氣應力誘導設備6的金屬和/或絕緣材料選擇具有不同熱膨脹係數的材料的組合的來調整各向異性機械應力的強度和方向。

在實施例中，由應力誘導設備6施加的各向異性機械應力在約1mpa至5gpa之間。

感測層21中的感測應力誘導的磁各向異性271的方向可以通過修改感測層21的感測磁致彈性耦合常數λ1來調整。存儲層23中的存儲應力誘導的磁各向異性272的方向也可以通過修改存儲層23的存儲磁致彈性耦合常數λ2來調整。

在實施例中，感測磁致彈性耦合常數λ1和存儲磁致彈性耦合常數λ2具有相反的符號。因此，施加各向異性機械應力導致感測層21的感測應力誘導的磁各向異性271被定向為基本上垂直於存儲層23的存儲應力誘導的磁各向異性272。在特定布置中，感測磁致彈性耦合常數λ1和存儲磁致彈性耦合常數λ2在約-1000ppm和約1000ppm之間的範圍中。

圖5a至圖5d表示通過使用應力誘導設備6誘導y方向上的感測應力誘導的磁各向異性271的四種可能方式。在圖5a至圖5d中，示意性地表示了從頂部觀看的磁性隧道結或感測層21。對於正的感測磁致彈性耦合常數λ1，由應力σ誘導的感測應力誘導的磁各向異性271垂直於壓縮應力的應力方向（σxx>0，參見圖5a），並且平行於拉伸應力的應力方向（σyy>0，參見圖5d）。對於負的感測磁致彈性耦合常數λ1，感測應力誘導的磁各向異性271垂直於拉伸應力的應力方向（σxx>0，參見圖5b），或平行於壓縮應力的應力方向（σyy<0，參見圖5c）。

圖6a至圖6d表示通過使用應力誘導設備6誘導感測層21中的基本上垂直於存儲層23中的存儲應力誘導的磁各向異性272的感測應力誘導的磁各向異性271的四種可能方式。在圖6a至圖6d中，示意性地表示了從頂部觀看的磁性隧道結2。假如感測磁致彈性耦合常數λ1和存儲磁致彈性耦合常數λ2具有相反的符號，則這可以通過應力σ的方向和符號的任何組合來實現。在圖6a至圖6d的示例中，感測層21中的基本上垂直於存儲層23中的存儲應力誘導的磁各向異性272的感測應力誘導的磁各向異性271通過在感測磁致彈性耦合常數λ1為負（0）的情況下施加壓縮應力（σxx0且λ2<0的情況下施加壓縮應力（σxx<0）（圖6b），或者通過在λ10的情況下施加拉伸應力（σxx>0）（圖6c），以及通過在λ1>0且λ20）（圖6d）來實現。

因此，應力誘導設備6能夠施加分別誘導感測層21和存儲層23上的感測和存儲應力誘導的磁各向異性271、272的各向異性機械應力，其中感測層21的感測應力誘導的磁各向異性271具有與存儲層23的存儲應力誘導的磁各向異性272的方向不同的方向。

圖7a和圖7b表示由於具有適當的形狀並在高溫下沉積的金屬線7而誘導感測層21和存儲層23中的各向異性應力的方式。在圖7a和圖7b中，示意性地表示了從頂部觀看的磁性隧道結2和應力誘導設備6。在本示例中，應力誘導設備6包括具有矩形形狀的金屬線7（在此示例中，較長尺寸沿著y軸）。金屬線7在高於傳感器設備的工作溫度的溫度下沉積（圖7a）。工作溫度可能在0℃和85℃之間變化，可能在-40℃和180℃之間，並可能高達250℃。沉積溫度可以在150℃和400℃之間，並且可能在20℃和800℃之間。金屬線7在處理之後冷卻至設備的工作溫度。如可以在圖7b中看到的，金屬線7由於金屬線7的熱收縮而收縮（虛線中的矩形示出了線7在冷卻之前的尺寸）。由於金屬線7具有比寬度（x上）更大的長度（y上），收縮是各向異性的。換句話說，x方向上的變形εxx小於y方向上的變形εyy。各向異性收縮誘導在金屬線7上方沉積的磁性隧道結2上的y方向上的各向異性壓縮應力。

在基於tas的編程操作的情況下，該方法還可以包括如下步驟：在電流線301、302、303中傳遞加熱電流31，從而將對應子集101、102、103中的mlu單元1加熱到高閾值溫度th並將所述mlu單元1的存儲磁化230解固定。在將存儲磁化230調準在編程方向260上的步驟之後或者與所述步驟同時，方法可包括將在對應子集101、102、103中包括的mlu單元1冷卻到低閾值溫度tl從而將切換存儲磁化230固定在編程方向260上的步驟。

磁性傳感器設備100的感測操作包括在電流分支301、302、303中傳遞感測電流32，從而測量平均電阻r。這裡，平均電阻r對應於針對分支101、102、103中包括的mlu單元連續地測量的電阻。每個mlu單元的電阻由感測磁化210相對於存儲磁化230的相對定向來確定。感測磁化210可以通過在編程線部分401、402、403中傳遞感測場電流43從而生成感測磁場44來變化。感測場電流43可以被更改，從而根據感測場電流43的極性來調製感測磁場44和平均電阻r。由於感測應力誘導的磁各向異性271（或感應淨磁各向異性281）最初基本上垂直於存儲應力誘導的磁各向異性272（或存儲淨磁各向異性282），響應將是線性的。

當磁性傳感器設備100用於感測諸如地球磁場之類的外部磁場時，感測磁化210根據外部磁場的相應定向以及分支101、102、103的定向相對於外部磁場的方向的相應定向而被調準在外部磁場中。外部磁場可以通過在電流分支301、302、303中傳遞感測電流32來確定，從而通過在電流分支301、302、303中傳遞感測電流32來測量平均電阻r。

本文中公開的基於mlu的磁性傳感器設備100可以被包括在例如磁力計和/或羅盤中。

在一個實施例中，磁性傳感器設備100可用於測量二維上的外部磁場（諸如地球的磁場）的方向，例如外部磁場在二維平面中的分量。結合磁性傳感器設備100的設計原理的設備也可以測量三維上的外部磁場的方向，諸如通過使用利用霍爾效應垂直軸感測的磁性傳感器設備100。霍爾效應可導致跨電導體的橫向於導體中的電流和與電流垂直的磁場的電壓差（霍爾電壓）。基於霍爾效應，可以確定外部磁場在第三維度上的分量。

參考號碼和符號

1mlu單元

100磁性傳感器設備

101第一子集，第一分支

102第二子集，第二分支

103第三子集，第三分支

2磁性隧道結

21感測層

210感測磁化

22隧道勢壘層

23存儲層

230存儲磁化

231第一存儲鐵磁層

232第二存儲鐵磁層

233存儲耦合層

234第一存儲磁化

235第二存儲磁化

24固定層

251感測固有各向異性

252存儲固有各向異性

260編程方向

271感測應力誘導的磁各向異性

272存儲應力誘導的磁各向異性

281感測淨磁各向異性

282存儲淨磁各向異性

3電流線

301第一電流分支

302第二電流分支

303第三電流分行

31加熱電流

32感測電流

4編程線

401編程線部分

402編程線部分

403編程線部分

41編程場電流

42編程磁場

43感測場電流

44感應磁場

6應力誘導設備

7附加金屬線

λ1感測磁致彈性耦合常數

λ2存儲磁致彈性耦合常數

σ應力

ε變形

σxxx方向上的應力

σyyy方向上的應力

εxxx方向上的變形

εyyy方向上的變形

r平均電阻

th高閾值溫度

tl低閾值溫度。