發光器件封裝、背光單元、顯示器件和發光器件的製作方法

2023-04-29 09:29:06

專利名稱：發光器件封裝、背光單元、顯示器件和發光器件的製作方法
技術領域：
本發明涉及發光器件封裝，更具體地，涉及具有包括波長轉換材料的樹脂封裝部分的波長轉換發光器件封裝、以及使用該發光器件封裝的背光單元(BLU)、顯示器件和照明器件。
背景技術：
發光二極體(LED)是將電能轉換成光能的半導體器件。LED是由根據能帶間隙產生特定波長的光的化合物半導體形成。LED的使用日益擴展到光通訊、移動顯示器、用於計算機監視器等的顯示器、用於液晶顯示器(LCD)的背光單元(BLU)以及照明器件的領域。特別地，用於照明器件的LED的發展要求高電流、高通量和均勻的光發射，從而導致對發展新設計和新工藝的需求。常規地，為了發射白光，發光器件封裝通常通過利用諸如滴塗(dispensing)的已知方法將諸如磷光體的波長轉換材料和透明樹脂的混合物施加在LED晶片周圍來製造。在此情形下，位於LED晶片的上表面和側表面的波長轉換材料的量存在差異，從而引起從LED 晶片的上表面發射的白光與從LED晶片的側表面發射的白光之間的顏色特性諸如色溫的差異。也就是說，如圖1所示，諸如色溫的顏色特性的差異導致在發光期間形成稱作靶心(bull』 s eye)的圓形帶X，從而導致在整個發光器件封裝上不均勻的白光發射特性。此外，當LED晶片安裝區域具有杯狀結構且樹脂填充在杯狀結構裡面時，光路由於由諸如磷光體的波長轉換材料引發的漫射(diffusion)而擴展，從而降低了光效率。

發明內容
技術問題本發明一方面提供一種發光器件封裝，該發光器件封裝能通過增大其光效率並避免顏色特性諸如色溫根據發光區域的差異而發射均勻白光。本發明一方面還提供包括該發光器件封裝的光源模塊和背光單元。本發明一方面還提供包括該發光器件封裝的顯示器件和照明器件。技術方案根據本發明的一個方面，提供一種發光器件封裝，包括封裝體，提供晶片安裝區域並包括第一引線端子和第二引線端子；LED晶片，安裝在晶片安裝區域上並電連接到第一引線端子和第二引線端子；凹槽部分，設置在晶片安裝區域中在LED晶片周圍；以及波長轉換部分，由包圍LED晶片的含波長轉換材料的樹脂形成並具有由凹槽部分定義的外部形狀。波長轉換材料可包括磷光體、量子點或其混合物。磷光體可包括矽酸鹽基磷光體、氧化物基磷光體、氮化物基磷光體、石榴石基磷光體、硫化物基磷光體或其組合。
量子點可包括包括II-VI 族化合物諸如 CdS、CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS、 HgSe和HgTe的半導體納米晶，包括III-V族化合物諸如GaN、GaP、GaAs, InP和InAs的半導體納米晶，或其混合物。波長轉換材料可包括磷光體和量子點的混合物。例如，波長轉換材料可包括黃和綠磷光體與發紅光量子點的混合物。凹槽部分可具有圓形形狀以包圍LED晶片。凹槽部分可具有與LED晶片的外部形狀對應的形狀。例如，當LED晶片的外部形狀為多邊形時，凹槽部分可具有多邊形形狀以包圍LED晶片。LED晶片的外部形狀可以為四邊形，凹槽部分可具有四邊形形狀以包圍LED晶片。LED晶片可安裝在第一引線端子和第二引線端子之一的上表面上。在此情形下，凹槽部分可以形成在其上安裝有LED晶片的引線端子的上表面中。如所需地，具有其上安裝有LED晶片的引線端子可具有向下延伸的熱沉。凹槽部分可形成在封裝體的除引線端子之外的表面中。例如，封裝體可包括提供晶片安裝區域的陶瓷基板，凹槽部分的至少一部分可設置在陶瓷基板中。當凹槽部分定義為第一凹槽部分時，發光器件封裝還可包括第二凹槽部分，該第二凹槽部分設置在晶片安裝區域中並在包圍第一凹槽部分的同時與第一凹槽部分均勻地間隔開。當沿第一凹槽部分設置的波長轉換部分定義為第一波長轉換部分時，發光器件封裝還可包括第二波長轉換部分，該第二波長轉換部分設置在第一波長轉換部分之上並由第二凹槽部分定義。第一波長轉換部分和第二波長轉換部分可包括發射不同波長的光的不同波長轉換材料。第一波長轉換部分的波長轉換材料可產生具有比第二波長轉換部分的波長轉換材料產生的光的波長短的波長。凹槽部分可具有V形、U形或四邊形形式的垂直截面。凹槽部分可通過壓印或蝕刻工藝形成。由凹槽部分包圍的區域可以設定為LED晶片的區域的九倍或以下。連接LED晶片的中心到凹槽部分的點的臨時直線的長度可以設定為從LED晶片的中心至LED晶片的邊緣的讓該直線通過的點的LED晶片長度的三倍或以下。波長轉換部分的最大高度可設定為LED晶片的厚度的四倍或以下。LED晶片可通過導線(wire)連接到第一引線端子和第二引線端子中的至少一個， 該導線的高度可大於樹脂封裝部分的最大高度。根據本發明另一方面，提供包括該發光器件封裝的光源模塊和背光單元。根據本發明另一方面，提供包括該發光器件封裝的顯示器件和照明器件。有益效果根據本發明的示範性實施例，具有較均勻厚度的波長轉換部分可以容易地形成在 LED晶片周圍而不依賴於常規的杯狀結構或其它模具。具體地，凹槽部分的形狀和/或尺寸以及晶片的形狀和/或尺寸設定成被適當地考慮，從而保證在每個方向上光路長度最均勻並極大地提高了發光效率。


圖1是示出從根據相關技術的發光器件封裝輸出的光的狀態的圖像；圖2是側剖視圖，示出根據本發明一示範性實施例的發光器件封裝；圖3是俯視平面圖，示出圖2的發光器件封裝；圖4是局部切除透視圖，示出根據本發明另一示範性實施例的發光器件封裝；圖5是俯視平面圖，示出圖4的發光器件封裝；圖6是側剖視圖，示出關於在本發明中採用的波長轉換部分的形狀的優選條件；圖7a和圖7b是側剖視圖，示出用於形成本發明中採用的波長轉換部分的凹槽部分的變型；圖8是側剖視圖，示出根據本發明另一示範性實施例的發光器件封裝；圖9是示出圖8的發光器件封裝的俯視平面圖；圖IOa和IOb是透視圖，示出根據本發明各示範性實施例的LED光源模塊；圖Ila和lib是剖視圖，示出根據本發明各示範性實施例的背光單元；以及圖12是分解透視圖，示出根據本發明一示範性實施例的顯示器件。
具體實施例方式現在將參照附圖更詳細地描述本發明的示範性實施例。然而，本發明可以以多種不同的形式實施，而不應被解釋為局限於這裡闡述的實施例。而是，提供這些實施例使得本公開透徹和完整，並將本發明的範圍充分傳達給本領域技術人員。應考慮的是，為了說明的方便，附圖中元件的形狀和尺寸可被誇大或縮小。圖2是側剖視圖，示出根據本發明一示範性實施例的發光器件封裝。圖3是示出圖2的發光器件封裝的俯視平面圖。如圖2所示，發光器件封裝10具有封裝體11，封裝體11中提供晶片安裝區域11a。 LED晶片15安裝在晶片安裝區域Ila上。儘管在圖2中沒有示出，但是封裝體11具有電連接到LED晶片15的引線端子(未示出)。LED晶片15可根據其電極結構而通過倒裝晶片接合或導線電連接到引線端子。根據此實施例，封裝體11可包括包圍晶片安裝區域Ila的側壁結構lib。側壁結構lib可具有可用作反射表面的傾斜內壁。發光器件封裝10包括波長轉換部分18，波長轉換部分18由包含波長轉換材料 18b的樹脂18a形成，波長轉換部分18包圍LED晶片15。波長轉換材料18b可包括磷光體、 量子點或其混合物。通常，可形成波長轉換材料18b從而它通過混合根據LED晶片15的發射波長獲得的發射光的每種波長而產生白光。例如，當LED晶片15發射藍光時，包圍LED晶片15的波長轉換材料18b可包括綠和紅磷光體或量子點的組合，或者額外地包括黃或橙磷光體或量子點。綠磷光體可以是包括M2SiO4: R的矽酸鹽基磷光體或包括β -SiAlON的氮化物基磷光體。紅磷光體可以是包括CaAlSiN3:R、MxSiyN(2/3x+4/3y) :1 或虯5、0》(2/3!￡+4徹_2/32) :R的氮化物基磷光體。這裡，M是從由Mg、Ca、Sr、Ba和Si構成的II族元素選出的至少一種，R是從稀土元素中選出的至少一種。
磷光體不限於此。用于波長轉換材料的磷光體可以是諸如(Ba，Sr，Ca, Mg)2， Si04:Eu 或(Ba，Sr, Ca，Mg)3Si05:Eu 的矽酸鹽基磷光體，諸如(Ba，Sr, Ca，Mg) (Sc，Y，Gd， La，Lu，Al，In)204:Ce 的氧化物基磷光體，諸如(Ba，Sr, Ca，Mg) (Al，Si，Ga，In)ON:Eu, α-SiAlON:Eu或β-SiAlONiEu的氮化物基磷光體，諸如(Y, Tb) 3 (Al, Ga) 5012Ce的石榴石基磷光體，諸如(Sr，Ca, Ba, Mg) (S，Se, Te) :Eu的硫化物基磷光體，或者它們的組合。量子點可以是包括II-VI 族化合物諸如 CdS、CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS、 HgSe和HgTe的半導體納米晶，包括III-V族化合物諸如GaN、GaP、GaAs, InP和InAs的半導體納米晶，或者它們的混合物。如所需的那樣，波長轉換材料可以是磷光體和量子點的組合。例如，代替具有相對低的光效率的紅磷光體，發紅光量子點可與紅或綠磷光體組合。此外，樹脂18b可以是環氧樹脂、矽樹脂、它們的混合物、或它們的化合物。用於形成波長轉換部分18的區域由形成在晶片安裝區域Ila中的凹槽部分G定義。在此實施例中採用的凹槽部分G可定義含有波長轉換材料的液體樹脂的外邊界，液體樹脂被提供以用于波長轉換部分18且通過表面張力而具有凸起結構。包含波長轉換材料的凸起結構的液體樹脂可通過固化工藝提供為波長轉換部分18。以此方式，波長轉換部分18的外部形狀由凹槽部分G定義，因此波長轉換部分18 可具有凸起結構。波長轉換部分18的形狀可主要由凹槽部分G確定，但通過液體樹脂的粘性、表面特性(例如粗糙度、疏水/親水性)、波長轉換材料含量、添加劑類型和含量等而可變地調節。此外，由于波長轉換部分18由形成在LED晶片15周圍的凹槽部分G定義，所以與由提供晶片安裝區域的杯狀結構定義的情形相比，可以減小每個方向上的確定光路長度的厚度的變化。因而，可以解決靶心現象，其由在波長轉換部分18的邊緣處的色溫差異引起，在該邊緣處光路長度較長，從而可以輸出具有均勻色溫的白光。具體地，平均光路長度在整個波長轉換部分上顯著減小，從而減少由漫射引起的光損失。以此方式，認為波長轉換部分18保證了用於期望的波長轉換的最小光路長度並具有減小到適于波長轉換的範圍內的厚度。優選地，其中形成波長轉換部分18的區域，也就是凹槽部分G的區域可限制得儘可能小，此區域可由相對於LED晶片區域的相對比來表示。具體地，波長轉換部分18的區域可設定為LED晶片的區域的九倍或以下。同時， 優選條件可以在另一方面中表示。後面將參照圖6描述其詳細說明。此實施例中採用的凹槽部分G可以在晶片安裝區域Ila的底表面中具有圓形，如圖3所示(這裡，波長轉換部分18沒有在圖3中示出)，但不限於此。此凹槽部分G可以通過已知工藝諸如壓印、模製或蝕刻工藝形成。凹槽部分G可形成在封裝體11的底表面、引線端子上，或從封裝體11的底表面通過引線端子。封裝體11包括其中提供晶片安裝區域的基板。該基板由陶瓷材料或合成樹脂形成。例如，當期望使用陶瓷基板時，進行壓印工藝在生片(green sheet)中形成凹槽部分G並對其進行燒結從而獲得具有凹槽部分G的陶瓷基板。
根據此實施例，發光器件封裝10還可包括樹脂模製部分19，樹脂模製部分19由透明樹脂諸如環氧樹脂、矽樹脂、它們的混合物或它們的化合物形成。然而，可以不採用樹脂模製部分19。另外，與樹脂模製部分19結合的透鏡結構可安裝在封裝體頂上。圖4是局部切除透視圖，示出根據本發明另一示範性實施例的發光器件封裝。圖 5是示出圖4的發光器件封裝的俯視平面圖。如圖4所示，發光器件封裝40具有其中提供晶片安裝區域41a的封裝體41。類似於圖2所示的實施例，晶片安裝區域41a具有安裝在其上的LED晶片45。封裝體41可包括包圍晶片安裝區域41a的側壁結構41b。封裝體41包括在LED晶片45周圍的波長轉換部分48，其中波長轉換部分48由包含波長轉換材料48b的樹脂48a形成。根據此實施例，定義用於形成波長轉換部分48的區域的凹槽部分G具有與LED晶片45的外部形狀對應的四邊形形狀。具有與LED晶片45的形狀對應的形狀的凹槽部分G 允許為了形成在LED晶片45周圍的波長轉換部分48能具有更均勻的光路長度的厚度分布，從而可以預期共形塗覆效果。具體地，如圖3所示的具有圓形形狀的凹槽部分G和具有四邊形形狀的LED晶片 15根據LED晶片15的每側的位置而在其間具有不均勻的間隔(dl > d2)，而根據此實施例的設置在具有四邊形形狀的凹槽部分G的中央處的LED晶片45可以在每側其間具有均勻的間隔(da)。在該實施例中，在具有四邊形形狀的凹槽部分G的角落處間隔較大，但是凸起波長轉換部分48的整個表面由於表面張力而傾向於具有均勻的表面曲率，從而波長轉換部分48可在凹槽部分的角落處具有與相鄰兩側處的厚度相似的厚度。因此，與圖3所示的波長轉換部分18相比，在此實施例中採用的波長轉換部分48減輕了在整個波長轉換部分48 上的光路長度的變化，從而可以預期更均勻的顏色特性。這樣的凹槽部分結構不限於四邊形形狀。可以使凹槽部分的形狀對應於LED晶片的另一種外部形狀，從而預期類似的上述效果。例如，當使用具有多邊形形狀的晶片時，提供具有多邊形形狀的凹槽部分從而對應於晶片的多邊形形狀並在每側具有距離晶片的均勻間距，從而提供具有更均勻光路長度的波長轉換部分。圖6是側剖視圖，示出關於在本發明中採用的波長轉換部分的形狀的優選條件。如上所述，從另一視點考慮本發明，將其視為在整個波長轉換部分上減小平均光路長度從而減少由漫射引起的光損失的方法。該方法允許波長轉換部分保證最小光路長度以用於期望的波長轉換且具有減小到適于波長轉換的範圍內的厚度。該方法首先考慮限制用於形成波長轉換部分68的區域，也就是凹槽部分G的區域。換個方式，連接LED晶片的中心至凹槽部分G的點的臨時直線的長度W可設定為從LED 晶片中心至LED晶片邊緣的讓所述直線經過的點的LED晶片長度D的三倍或以下。在一特定實施例中，在用於形成所期望的波長轉換部分68的最低條件下，連接 LED晶片中心至凹槽部分G的一點的臨時直線的長度W可以設定為從LED晶片中心至LED 晶片邊緣的讓該直線在其上經過的一點的LED晶片長度D的1. 5倍，或者優選地兩倍。類似地，波長轉換部分68的高度的條件可以被適當地設定。波長轉換部分68的最大高度H可以被設定為LED晶片的厚度t的四倍或以下。在用於形成期望的波長轉換部分68的最低條件下，波長轉換部分68的最大高度H可以設定為LED晶片的厚度t的1. 5 倍，或者優選地兩倍。在本發明中採用的凹槽部分的結構可以被不同地修改。圖7a和圖7b示出用於形成在本發明中採用的波長轉換部分的凹槽部分的變型。如圖7a所示的凹槽部分具有包括第一凹槽部分Gl和第二凹槽部分G2的雙結構， 第一凹槽部分Gl包圍安裝在基板71上的LED晶片75，第二凹槽部分G2與第一凹槽部分 Gl均勻地間隔開並包圍第一凹槽部分Gl。這裡，第二凹槽部分G2提供為輔助凹槽部分。也就是說，用於形成波長轉換部分78的區域可由第一凹槽部分Gl定義，但是根據條件諸如包含波長轉換材料的液體樹脂的粘性或工作環境，它可以部分地延伸超過第一凹槽部分Gl。根據此實施例，流過第一凹槽部分Gl的液體樹脂A可被第二凹槽部分G2阻擋。以此方式，即使用於形成波長轉換部分78的區域超過第一凹槽部分G1，它也可以被第二凹槽部分G2限制。因而，波長轉換部分78可以被實現而沒有關於用於其的形成區域的大的錯誤。為了減少錯誤的發生，第一凹槽部分Gl與第二凹槽部分G2之間的間隔g可以設定為從LED晶片的邊緣至第一凹槽部分Gl的距離Da的0. 2倍或更小。根據此實施例的凹槽部分具有雙結構，但是額外的輔助凹槽部分可以如所需地提供。也就是說，可以提供多個輔助凹槽部分。此外，在本發明中採用的凹槽部分可以具有各種截面形狀。在前述實施例中該，凹槽部分具有有利於壓印工藝的V形結構。然而，凹槽部分可以為各種形狀諸如四邊形或彎曲的形狀。例如，如圖7b所示，具有四邊形形狀的截面的凹槽部分G3可以形成在其上安裝 LED晶片85的基板81上，從而使用凹槽部分G3來定義用於形成波長轉換部分88的區域。本發明一優選示範性實施例示於圖8和圖9中。這裡，詳細描述凹槽部分形成的位置以及關於引線端子結構的導線接合。如圖8所示，發光器件封裝100具有封裝體101，晶片安裝區域IOla提供在封裝體 101中。晶片安裝區域IOla具有安裝在其上的LED晶片105。封裝體101可包括包圍晶片安裝區域IOla的側壁結構101b。側壁結構IOlb可具有可用作反射表面的傾斜內壁。在本實施例中採用的封裝體101包括電連接到LED晶片105的第一和第二引線端子10 和102b。熱沉103設置在第一引線端子10 的下部中對應於其上安裝LED晶片 105的區域。如圖8所示，LED晶片105安裝在第一引線端子10 的上表面上，並通過導線106a 和106b分別連接到第一和第二引線端子10 和102b。在本實施例中採用的波長轉換部分108和109可具有雙層結構。對於此雙層結構，可以使用前述額外的輔助凹槽部分。也就是說，如圖8和圖9所示，可形成彼此均勻間隔開的兩個凹槽部分Gl和G2使得位於裡面的第一凹槽部分Gl用於形成第一波長轉換部分108，位於外面的第二凹槽部分G2用於形成第二波長轉換部分109，從而提供期望的具有雙層結構的波長轉換部分。
如上所述，不同於圖7a的實施例，本實施例中的多個凹槽部分的結構可具有相同的中心，從而用於形成兩個波長轉換層。波長轉換部分108和109每個可由包含不同波長轉換材料的樹脂形成。例如，位於裡面的第一波長轉換部分108可包括較短波長磷光體或量子點，而位於外面的第二波長轉換部分109可包括較長波長磷光體或量子點。在一特定實施例中，第一波長轉換部分108可以是由綠和藍磷光體的混合物形成的樹脂層。第二波長轉換部分109可以是紅磷光體或發紅光量子點。在本示範性實施例中，通過使用兩個凹槽部分Gl和G2提供兩個波長轉換層。然而，如所需地，可以進一步提供額外的凹槽部分和波長轉換層。在本實施例中採用的第一和第二凹槽部分Gl和G2形成在其上安裝LED晶片105 的第一引線端子10 的上表面上。由於第一和第二引線端子10 和102b可以由具有高延展性的金屬或合金形成，所以可以通過輾軋工藝容易地形成所需的凹槽部分Gl和G2。根據本實施例，LED晶片105以及第一和第二引線端子10 和102b通過導線106a 和106b連接。在此情形下，當導線的高度低時，用於形成波長轉換部分108的包含波長轉換材料的液體樹脂沿導線流動，從而難以獲得期望的凸起形狀。因而，如圖8所示，導線106a 和106b的高度h可以大于波長轉換部分108的最大高度H。根據本發明的發光器件封裝提供優異的光效率和在整個發光器件封裝上均勻的白色特性，從而在各種應用中用作良好的白光源。下面，作為本發明的另一方面，舉例說明採用上述發光器件封裝的各種應用。圖IOa和圖IOb是透視圖，示出根據本發明各種示範性實施例的LED光源模塊。這裡，舉例說明的LED光源模塊可應用於顯示器的背光單元(BLU)的光源以及各種照明器件。如圖IOa所示的LED光源模塊110包括印刷電路板(PCB) 111和安裝在PCB的上表面上的多個LED光源115。在此實施例中，LED光源115可採用前述發光器件封裝。在此實施例中採用的LED光源115可安裝在PCB 111上使得LED光源115的鄰近發光表面life的表面接觸PCB 111的上表面。LED光源模塊110可包括連接器117從而與外部電源電路或另一 LED光源模塊連接。類似地，如圖IOb所示的LED光源模塊120可包括PCB 121、採用前述發光器件封裝的多個LED光源125以及連接器127。然而，不同於前述實施例，在本實施例中採用的LED 光源125將其與發光表面12 相反的下表面提供為安裝表面。前述發光器件封裝可以以各種安裝結構實施並可應用於提供各種白光形式的LED 光源模塊。前述發光器件封裝以及包括其的光源模塊可應用於各種顯示器件或照明器件。圖Ila和圖lib是示出根據本發明各種示範性實施例的BLU的剖視圖。參照圖11a，邊緣型BLU 150作為BLU的示例示出，根據本發明的發光器件封裝可應用於該BLU。根據本實施例的邊緣型BLU 150可包括導光板144以及提供在導光板144兩側的 LED光源模塊130。根據本實施例，LED光源模塊130提供在導光板144的相反兩側。然而，LED光源模塊可以僅提供在其一側或者額外的LED光源模塊可以提供在其另一側。如圖Ila所示，反射板142可以進一步提供在導光板144下面。在此實施例中採用的LED光源模塊130可以具有類似於圖10(b)的結構。也就是說，LED光源模塊130包括PCB 131以及安裝在PCB 131的上表面上的多個LED光源135。LED光源135可採用前述發光器件封裝。參照圖11b，直接型BLU 180作為另一 BLU形式的示例示出。根據本實施例的直接型BLU 180可包括光漫射板174以及布置在光漫射板174下面的LED光源模塊160。如圖lib所示的直接型BLU 180可包括將LED光源模塊160容納在光漫射板174 下面的底殼171。在本實施例中採用的LED光源模塊160包括PCB 161以及安裝在PCB161的上表面上的多個LED光源165。LED光源165可採用前述發光器件封裝。圖12是示出根據本發明一示範性實施例的顯示器件的分解透視圖。如圖12所示的顯示器件240包括BLU 220以及諸如液晶面板230的圖像顯示面板。BLU 220包括導光板224以及提供在導光板224的至少一側的LED光源模塊210。根據本實施例，如圖12所示，BLU 220還可包括在導光板2M下面的底殼221和反射板222。此外，根據對各種光特性的需要，各種類型的光學片2 諸如漫射片、稜鏡片或保護片可包括在導光板2M和液晶面板230之間。LED光源模塊210包括製備在導光板224的至少一側的PCB 211以及安裝在PCB 211上並允許光入射在導光板2M上的多個LED光源215。LED光源215可採用前述發光器件封裝。在此實施例中採用的LED光源215可以是側視型發光器件封裝，其中側視型發光器件封裝的與發光表面相鄰的表面被安裝。儘管已經結合示範性實施例示出並描述了本發明，但是對於本領域技術人員而言顯然的是，可以進行修改和變化而不背離本發明的由權利要求書定義的思想和範圍。
權利要求
1.一種發光器件封裝，包括封裝體，提供晶片安裝區域並包括第一引線端子和第二引線端子；LED晶片，安裝在所述晶片安裝區域上並電連接到所述第一引線端子和所述第二引線端子；凹槽部分，設置在所述晶片安裝區域中在所述LED晶片周圍；以及波長轉換部分，由包圍所述LED晶片的含有波長轉換材料的樹脂形成並具有基本由所述凹槽部分定義的外部形狀。
2.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中所述凹槽部分具有與所述LED晶片的外部形狀對應的形狀。
3.如權利要求2所述的發光器件封裝，其中所述LED晶片的外部形狀為多邊形，所述凹槽部分具有多邊形形狀以包圍所述LED晶片。
4.如權利要求3所述的發光器件封裝，其中所述LED晶片的外部形狀為四邊形，所述凹槽部分具有四邊形形狀以包圍所述LED晶片。
5.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中所述凹槽部分具有圓形形狀以包圍所述 LED晶片。
6.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中所述波長轉換材料是磷光體、量子點或其混合物。
7.如權利要求6所述的發光器件封裝，其中所述波長轉換材料包括至少綠磷光體和紅磷光體的混合物。
8.如權利要求7所述的發光器件封裝，其中所述綠磷光體為M2SiO4:R、β -SiAlON或其混合物，所述紅磷光體為 CaAlSiN3:R、MxSiyN(2/3x+4/3y) R、MxSiy0zN(2/3x+4/3y_2/3z) R 或其混合物， 其中M為從由Mg、Ca、Sr、Ba和Si構成的II族元素中選出的至少一種，R是從稀土元素中選出的至少一種。
9.如權利要求6所述的發光器件封裝，其中所述波長轉換材料的量子點包括包括 II-VI 族化合物諸如 CdS、CcKe、CdTe、SiS、a^e、ZnTe、HgS、Hgk 和 HgTe 的半導體納米晶， 包括III-V族化合物諸如GaN、GaP, GaAs, InP和InAs的半導體納米晶，或者其混合物。
10.如權利要求6所述的發光器件封裝，其中所述波長轉換材料包括具有不同發光顏色的多種磷光體和發紅光量子點的混合物。
11.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中所述LED晶片安裝在所述第一引線端子和所述第二引線端子之一的上表面上。
12.如權利要求11所述的發光器件封裝，其中所述凹槽部分形成在其上安裝有所述 LED晶片的引線端子的上表面中。
13.如權利要求11或12所述的發光器件封裝，其中其上安裝有所述LED晶片的引線端子具有向下延伸的熱沉。
14.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中所述封裝體包括提供所述晶片安裝區域的陶瓷基板，且所述凹槽部分的至少一部分設置在所述陶瓷基板中。
15.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中所述凹槽部分具有V形、U形或四邊形形式的垂直截面。
16.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中所述凹槽部分通過壓印或蝕刻工藝形成。
17.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中被所述凹槽部分包圍的區域設定為所述 LED晶片的區域的九倍或以下。
18.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中連接所述LED晶片的中心到所述凹槽部分的點的臨時直線的長度設定為從所述LED晶片的中心到所述LED晶片的邊緣的讓所述直線通過的點的所述LED晶片的長度的三倍或以下。
19.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中所述波長轉換部分的最大高度設定為LED 晶片的厚度的四倍或以下。
20.如權利要求1所述的發光器件封裝，當所述凹槽部分定義為第一凹槽部分時，還包括第二凹槽部分，該第二凹槽部分設置在所述晶片安裝區域中並在包圍所述第一凹槽部分的同時與所述第一凹槽部分均勻地間隔開。
21.如權利要求20所述的發光器件封裝，當沿第一凹槽部分設置的波長轉換部分定義為第一波長轉換部分時，還包括第二波長轉換部分，該第二波長轉換部分設置在所述第一波長轉換部分之上並由所述第二凹槽部分定義。
22.如權利要求21所述的發光器件封裝，其中所述第一波長轉換部分和所述第二波長轉換部分包括發射不同波長的光的不同波長轉換材料。
23.如權利要求22所述的發光器件封裝，其中所述第一波長轉換部分的波長轉換材料產生具有比所述第二波長轉換部分的波長轉換材料產生的光的波長更短的波長的光。
24.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中所述LED晶片通過導線連接到所述第一引線端子和所述第二引線端子中的至少一個，所述導線的高度大於樹脂封裝部分的最大高度。
25.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中所述封裝體包括包圍所述晶片安裝區域的側壁結構。
26.—種LED光源模塊，包括權利要求1至25中任一項的發光器件封裝。
27.一種背光單元，包括權利要求1至25中任一項的發光器件封裝。
28.—種顯示器件，包括面板，用於顯示圖像；以及權利要求27的背光單元，該背光單元提供光到所述面板。
29.一種照明器件，包括權利要求1至25中任一項的發光器件封裝。
全文摘要
本發明提供發光器件封裝、背光單元、顯示器件和發光器件。發光器件封裝包括封裝體，提供晶片安裝區域並包括第一引線端子和第二引線端子；LED晶片，安裝在晶片安裝區域上並電連接到第一引線端子和第二引線端子；凹槽部分，設置在晶片安裝區域中在LED晶片周圍；以及波長轉換部分，由包圍LED晶片的含波長轉換材料的樹脂形成並具有由凹槽部分定義的外部形狀。
文檔編號H01L33/50GK102257646SQ200980151098
公開日2011年11月23日 申請日期2009年12月21日 優先權日2008年12月19日
發明者朱誠娥, 樸一雨, 李孝珍, 金京泰 申請人:三星Led株式會社