半導體晶片的製造方法
2023-04-29 03:36:51
專利名稱：半導體晶片的製造方法
技術領域：
本發明涉及使用板狀物支撐部件，在支撐半導體晶片的狀態下進行研磨，製造半導體晶片的方法。
背景技術：
在半導體晶片上，形成多個IC、LSI等的迴路，沿其表面的分割道，通過切割，被分割為一個個的半導體晶片，用於各種電子儀器。
半導體晶片是通過研磨其背面而形成所需的厚度，近年，因為電子儀器的小型化、輕量化成為可能，所以也要求半導體晶片加工成很薄，使其厚度在100μm以下、50μm以下。但是，變薄的半導體晶片如紙那樣柔軟，研磨後的處理很困難。因此，致力於實施在將半導體晶片粘貼到剛性高的板狀物支撐部件的狀態下，進行研磨，使其後的搬運等的處理變得容易。
但是，切割研磨後的半導體晶片，必須將粘貼在板狀物支撐部件上的半導體晶片剝離，轉貼到切割膠帶上，因為研磨後的半導體晶片很薄，所以很難不損傷地將半導體晶片從板狀物支撐部件上剝離。
另外，在半導體晶片的表面的分割道上形成有預製的切削槽，在通過研磨背面，直至使該切削槽顯現，分割一個個的半導體晶片，被稱為所謂的先行切割的方法中，有必要在研磨之前將形成有切削槽的半導體晶片粘貼到剛性高的板狀物支撐部件上，在完成研磨後，將被分割的半導體晶片從板狀物支撐部件上提取，這種情況下不損傷薄的半導體晶片，將其從板狀物支撐部件上剝離也是很困難的。
因此，本發明是以在製造薄的半導體晶片時，不損傷半導體晶片或者半導體晶片，而可以從板狀物支撐部件上剝離為目的。
發明內容
本發明提供一種半導體晶片的製造方法，是將通過分割道被劃分、在表面上形成有多個半導體晶片的半導體晶片分割為一個個的半導體晶片，由下述工序構成，即使由於外因而使粘貼力降低的粘貼層介於其間，將半導體晶片的表面粘貼到板狀物支撐部件上的板狀物支撐部件一體化工序；將與板狀物支撐部件成為一體的半導體晶片載置於研磨裝置的卡盤臺上，研磨半導體晶片的背面的研磨工序；在與板狀物支撐部件成為一體的研磨後的半導體晶片的背面，粘貼切割膠帶，同時通過切割架支撐切割膠帶的外周的膠帶粘貼工序；在膠帶粘貼工序前或後，使外因作用於粘貼層，使粘貼層的粘貼力降低，在膠帶粘貼工序後，將板狀物支撐部件和粘貼層從半導體晶片的表面取下的粘貼轉換工序；將介於切割膠帶而與切割架成為一體的半導體晶片載置於切割裝置的卡盤臺上，通過分割道而分離，分割為一個個的半導體晶片的切割工序。
另外，本發明提供一種半導體晶片的製造方法，是將通過分割道被劃分、在表面上形成有多個半導體晶片的半導體晶片分割為一個個的半導體晶片，由下述工序構成，即將半導體晶片載置於切割裝置的卡盤臺上，在分割道上形成槽的槽形成工序；使由於外因而使粘貼力降低的粘貼層介於其間，將半導體晶片的表面粘貼到板狀物支撐部件上的板狀物支撐部件一體化工序；將與板狀物支撐部件成為一體的半導體晶片載置於研磨裝置的卡盤臺上，研磨半導體晶片的背面，直至槽顯現出來的研磨工序；在與板狀物支撐部件成為一體的研磨後的半導體晶片的背面，粘貼膠帶，同時通過架子支撐膠帶的外周的膠帶粘貼工序；在膠帶粘貼工序前或後，使外因作用於粘貼層，使粘貼層的粘貼力降低，在膠帶粘貼工序後，將板狀物支撐部件和粘貼層從半導體晶片的表面取下的粘貼轉換工序。
再有，本發明提供一種半導體晶片的製造方法，是將通過分割道被劃分、在表面上形成有多個半導體晶片的半導體晶片分割為一個個的半導體晶片，由下述工序構成，即將半導體晶片載置於切割裝置的卡盤臺上，在分割道上形成槽的槽形成工序；使由於外因而使粘貼力降低的粘貼層介於其間，將半導體晶片的表面粘貼到板狀物支撐部件上的板狀物支撐部件一體化工序；將與板狀物支撐部件成為一體的半導體晶片載置於研磨裝置的卡盤臺上，研磨半導體晶片的背面，直至槽顯現出來，分割為一個個的半導體晶片的研磨工序；使外因作用於粘貼層，使粘貼層的粘貼力降低，將半導體晶片從板狀物支撐部件和粘貼層上取下的半導體晶片脫離工序。
而且，上述的各發明的附加特徵為使用具有比半導體晶片的外形大的外形的板狀物支撐部件、完成板狀物支撐部件的一體化工序，通過使構成厚度測定器的觸針分別與該半導體晶片的磨削麵和該板狀物支撐部件的表面相接觸，一邊計量該半導體晶片的厚度、一邊完成磨削工序；在粘貼層中包含有由於外因而發泡的發泡劑；粘貼層是將含有因光而發泡的發泡劑的粘貼劑在薄膜狀的中間層的至少一個單面上塗敷的粘貼膠帶；板狀物支撐部件是通過透明的材質而形成的；板狀物支撐部件是通過透明的玻璃形成的，其厚度是從0.5mm至2.5mm。
在如上述構成的半導體晶片的製造方法中，因為是在剛性高的板狀物支撐部件上，使由於外因而使粘貼力降低的粘貼層介於其間，粘貼半導體晶片，在該狀態進行研磨，使半導體晶片達到所需的厚度，其後，通過使該外因產生作用，而使粘貼力降低，使半導體晶片脫離，所以即使是薄的半導體晶片，也不會受到損傷，可以容易地脫離。
另外，由於在先行切割的情況下也採用了同樣的方法，所以可以使變薄的一個個的半導體晶片容易地脫離。
進一步，僅靠由於外因而使粘貼力降低，不能解除半導體晶片或者半導體晶片與板狀物支撐部件的密合性，用於取下未必能說是充分的，若使用具有通過紫外線的照射而使粘貼力降低，同時發泡而使密合力降低的性質的粘貼膠帶，則因為在半導體晶片或者半導體晶片與板狀物支撐部件之間形成間隙，解除密合性，所以可以更確實地將其取下。
圖1是表示半導體晶片的立體圖。
圖2是表示介於粘貼膠帶而使半導體晶片與板狀物支撐部件一體化的情況的立體圖。
圖3是表示介於粘貼膠帶而使半導體晶片和板狀物支撐部件一體化後的狀態的立體圖。
圖4是表示粘貼膠帶的構成的一例的側視圖。
圖5是表示用於本發明的實施的研磨裝置的一例的立體圖。
圖6是表示研磨後的半導體晶片與板狀物支撐部件成為一體的狀態的立體圖。
圖7是表示將與板狀物支撐部件成為一體的半導體晶片粘貼到切割膠帶的情況的立體圖。
圖8是表示將紫外線照射到板狀物支撐部件的情況的立體圖。
圖9是表示將板狀物支撐部件從半導體晶片上取下的情況的立體圖。
圖10是表示用於半導體晶片的切割的切割裝置的一例的立體圖。
圖11是表示切割後的半導體晶片的立體圖。
圖12是表示在表面上形成有槽的半導體晶片的立體圖。
圖13是表示在表面上形成有槽的半導體晶片的正視圖。
圖14是表示介於粘貼膠帶，將在表面上形成有槽的半導體晶片與板狀物支撐部件一體化的情況的立體圖。
圖15是表示介於粘貼膠帶，將半導體晶片與板狀物支撐部件一體化後的狀態的立體圖。
圖16是表示通過背面的研磨而顯現出槽的半導體晶片支撐在板狀物支撐部件上的狀態的立體圖。
圖17是表示將紫外線照射到板狀物支撐部件的情況的立體圖。
圖18是表示將板狀物支撐部件從半導體晶片上取下的情況的立體圖。
圖19是表示將紫外線照射到板狀物支撐部件，提取半導體晶片的情況的立體圖。
圖20是表示使用大於半導體晶片的外形的板狀物支撐部件，支撐半導體晶片的情況的立體圖。
圖21是表示使用厚度測定器，計量支撐在板狀物支撐部件上的半導體晶片的厚度的情況的正視圖。
具體實施例方式
作為用於實施本發明的最佳方式，如圖1所示，就將通過分割道S被劃分、在表面上形成有多個半導體晶片C的半導體晶片W1分割為一個個的半導體晶片C的方法進行說明。
首先，如圖2所示，翻轉半導體晶片W1，介於粘貼膠帶10，將半導體晶片W1的表面粘貼到板狀物支撐部件11上，呈如圖3所示的狀態(板狀物支撐部件一體化工序)。
該粘貼膠帶10是用於粘貼半導體晶片W1和板狀物支撐部件11的粘貼層，其構成為，由於外因而使粘貼力降低。這裡所說的粘貼力是由粘接力和密合力構成的。例如，作為粘貼膠帶10可以使用在日本特開昭63-17981號公報以及日本特開平4-88075號公報中所公開的粘貼膠帶。
如圖4所示，粘貼膠帶10是將厚度30μm左右的聚乙烯薄膜作為薄膜狀的中間層12，其構成為，在其單面上，將作為粘接劑的丙烯類粘貼劑、作為放射線聚合性化合物的聚氨酯丙烯酸酯類的齊聚物、作為由於紫外線等的光所引起的外因而發泡的發泡劑的碳酸銨或者松本油脂製藥株式會社製造的「マツモトマイクロスフエア一」，按照適當的比例混合而成粘貼層13，塗敷20μm左右，在另一單面上，將聚乙烯類粘貼劑、聚氨酯丙烯酸酯類的齊聚物按照適當的比例混合而成粘貼層14，塗敷20μm左右。另外，根據需要，也可以將發泡劑混入粘貼層14，混入粘貼層14的量要小於混入粘貼層13的量。
若紫外線照射這樣構成的粘貼膠帶10，則對於粘貼層13，粘接力降低的同時，由於發泡，密合力也降低。一方面，對於粘貼層14，粘貼力降低，但因為沒有混合發泡劑，所以密合力沒有降低。因此，在板狀物支撐部件一體化工序中，如圖4所示，將粘貼層13粘貼到半導體晶片W1上，將粘貼層14粘貼到板狀物支撐部件11上是很重要的。另外，在本說明書中，就有關粘貼層13以及粘貼層14方由於外因而使粘貼力降低的情況進行了說明，關於粘貼層14也可以不使用由於外因而使粘貼力降低型的東西。因此沒有必要使外因一定作用到粘貼層14。
板狀物支撐部件11通過其後進行的研磨，即使是在100μm以下，50μm以下的薄的半導體晶片中，也具有可以穩定地支撐這種程度的剛性，同時由可使紫外線透過的PET、玻璃等形成。例如，由厚度為從0.5mm至2.5mm左右的透明的玻璃而構成。
如圖3所示，介於粘貼膠帶10，支撐在板狀物支撐部件11上的半導體晶片W1被運送到例如圖5所示的研磨裝置20上，研磨其背面，達到所需的厚度(研磨工序)。
在研磨裝置20中，其構成為，壁部22從基臺21的端部豎起而設置，在該壁部22的內側面上，一對導軌23配設在垂直方向，伴隨著支撐部24沿導軌23的上下移動，安裝在支撐部24上的研磨裝置25也上下移動。另外，轉臺26可旋轉地配設在基臺21上，而且，在轉臺26上，保持半導體晶片的卡盤臺27可旋轉地被多個配設。
在研磨裝置25中，其構成為，底座29安裝在具有垂直方向的軸心的錠子28的前端，而且，固定研磨石31的研磨盤30安裝在其下部，研磨石31伴隨著錠子28的旋轉而旋轉。
在使用研磨裝置20對半導體晶片W1進行研磨時，將支撐在板狀物支撐部件11上的半導體晶片W1吸引保持在卡盤臺27上，使之位於研磨裝置25的正下方，使錠子28旋轉，同時使研磨裝置25逐漸下降。於是，伴隨錠子28的高速旋轉，研磨盤30高速旋轉，同時由於旋轉的研磨石31與半導體晶片接觸，施加推壓力，因此通過研磨石31研磨其表面。
象這樣，通過研磨，半導體晶片W1如圖6所示，以很薄的狀態，支撐在板狀物支撐部件11上。於是，如圖7所示，將支撐在板狀物支撐部件11上的半導體晶片W1以翻轉的狀態，粘貼到切割膠帶40的粘貼面上。
在該切割膠帶40的外周，粘貼有切割架41，通過將支撐在板狀物支撐部件11上的半導體晶片W1的背面粘貼到切割膠帶40上，使這些一體化(膠帶粘貼工序)。
接著，相對於粘貼膠帶10，介於板狀物支撐部件11，使外因產生作用。在本實施方式中，如圖8所示，從板狀物支撐部件11的上方照射紫外線。於是，對於圖4所示的粘貼層13，因為粘接力降低，同時由於發泡而在半導體晶片W1與粘貼層13之間形成間隙，密合力也降低，所以呈粘貼力降低，可以容易剝離的狀態。
一方面，對於粘貼層14，因為密合力沒有降低，所以在將粘貼膠帶10粘貼在板狀物支撐部件11的狀態下，可以從半導體晶片W1上將其剝離。
即，在使粘貼膠帶10的粘貼力降低後，如圖9所示，將板狀物支撐部件11提升到上方，將板狀物支撐部件11從半導體晶片W1的表面上剝離。此時，因為粘貼膠帶10的粘貼層13的粘貼力弱於粘貼層14的粘貼力，所以粘貼膠帶10和板狀物支撐部件11一起從半導體晶片W1上被剝離。
另一方面，因為粘貼膠帶10的粘貼層14的粘貼力有所殘存，所以可以維持粘貼膠帶10粘貼到板狀物支撐部件11上的狀態。因此，僅是變薄的半導體晶片W1呈保持在切割膠帶40以及切割架41上的狀態(粘貼轉換工序)。
象這樣，因為是由於外因而使粘貼力降低後，使板狀物支撐部件11脫離，所以即使是變薄的半導體晶片W1也不會破損，可以容易地轉貼到切割膠帶上。
另外，在粘貼轉換工序中，使外因作用於粘貼膠帶10的作業也可以在膠帶粘貼工序之前進行。在該情況下，因為粘貼層13的粘貼力降低，殘存微弱的粘貼力，所以不會使半導體晶片W1從板狀物支撐部件11上脫落，對粘貼轉換工序不會產生妨礙。
介於切割膠帶40與切割架41成為一體的半導體晶片W1是通過例如圖10所示的切割裝置50而切割的。
在該切割裝置50中，介於切割膠帶40與切割架41成為一體的半導體晶片W1多個收納在盒51內。
於是，與切割架41成為一體的半導體晶片W1，通過運出搬入裝置52，從盒51中搬出，載置於臨時放置區域53，受到第1運送裝置54的吸引，通過第1運送裝置54的旋轉移動，運送載置於卡盤臺55上，並被吸引保持。
半導體晶片W1若被吸引保持在卡盤臺55上，則卡盤臺55向+X方向移動，安裝在位於定位裝置56的正下方，通過模式匹配等的處理，檢測出需要切削的分割道S，進行該分割道S與旋轉刀片57的在Y軸方向的定位。這樣若定位完成，則卡盤臺55進一步向X軸方向移動，受到旋轉刀片57的作用，進行切削。
一邊計算分割道間隔，僅在Y軸方向輸送旋轉刀片57，一邊進行這樣的切削，進一步，若使卡盤臺55旋轉90度，進行同樣的切削，則如圖11所示，所有的分割道S被縱橫切削而分離，分割為一個個的半導體晶片C(切割工序)。
如上所述，通過從研磨開始進行切割，即使是在由於研磨而使半導體晶片薄如紙的情況下，也可以不使其破損而製造出半導體晶片。
另外，僅靠由於外因而使粘貼力降低，不能解除半導體晶片或者半導體晶片與板狀物支撐部件的密合性，用於取下未必能說是充分的，若使用具有通過紫外線的照射而使粘貼力降低，同時發泡而使密合力降低的性質的粘貼膠帶，則因為在半導體晶片W1與板狀物支撐部件11之間形成間隙，解除密合性，所以可以更確實地將其取下。
接著，就通過所謂的先行切割的方法製造半導體晶片的情況進行說明。
首先，最初將半導體晶片載置於例如圖10所示的切割裝置50的卡盤臺55上，使用旋轉刀片57，如圖12以及圖13所示，在表面的分割道S上，成為形成有深度與最終的半導體晶片C的厚度相當的槽60的半導體晶片W2(槽形成工序)。
接著，與圖2的情況相同，如圖14所示，翻轉半導體晶片W2，介於粘貼膠帶10，將半導體晶片W2的表面粘貼到板狀物支撐部件11上，呈圖15所示的狀態(板狀物支撐部件一體化工序)。
於是，若在例如圖5所示的研磨裝置20的卡盤臺27上，載置成為板狀物支撐部件11的半導體晶片W2，使用研磨裝置25，研磨半導體晶片W2的背面，則如圖16所示，顯現出槽60(研磨工序)。
接著，為可以通過提取裝置而提取半導體晶片C，在外周上粘貼有架子43的膠帶42的粘貼面上，將顯現出槽60的背面向下，粘貼半導體晶片W2(膠帶粘貼工序)。於是，如圖17所示，通過從板狀物支撐部件11的上方照射紫外線，使粘貼膠帶10的粘貼層13的粘貼力降低。
接著，如圖18所示，將板狀物支撐部件11提升到上方，將板狀物支撐部件11從半導體晶片W2的表面剝離。此時，因為粘貼膠帶10的下面的粘貼層13的粘貼力弱於切割膠帶40的粘貼力，所以粘貼膠帶10也被從半導體晶片W2上剝離。
一方面，因為粘貼膠帶10的上面的粘貼層14的粘貼力有所殘存，所以可以維持粘貼膠帶10粘貼到板狀物支撐部件11上的狀態。因此，僅是很薄的半導體晶片W2呈保持在切割膠帶40以及切割架41上的狀態(粘貼轉換工序)。
象這樣，因為是由於外因而使粘貼力降低後，使板狀物支撐部件11脫離，所以即使是很薄的半導體晶片W2也不會破損，可以容易地轉貼到切割膠帶上。
還有，因為在半導體晶片W2與板狀物支撐部件之間形成間隙，解除密合性，所以可以更確實地將其取下。
另外，在粘貼轉換工序中，使外因作用於粘貼膠帶10的作業也可以在膠帶粘貼工序之前進行。在該情況下，因為粘貼層13的粘貼力降低，殘存微弱的粘貼力，所以不會使半導體晶片W2從板狀物支撐部件11上脫落，對粘貼轉換工序不會產生妨礙。
還有，通過研磨工序，分割為一個個的半導體晶片C，在所有的半導體晶片C一邊維持半導體晶片W2的外形，一邊通過粘貼膠帶10，支撐在板狀物支撐部件11上的狀態下，如圖19所示，若介於板狀物支撐部件11，將紫外線照射到粘貼膠帶10，則粘貼力降低，可以將半導體晶片C直接從板狀物支撐部件11上提取，無需粘貼轉換工序，提高了生產性，同時也無需切割膠帶40以及切割架41，十分經濟(半導體晶片脫離工序)。
在研磨半導體晶片W1、W2的情況下，因為要使最終形成的半導體晶片C達到所需的厚度，所以有必要一邊計量半導體晶片W1、W2的厚度，一邊進行研磨。
因此，如圖20所示，使板狀物支撐部件11a的外形形成大於半導體晶片W1(W2)的外形，將支撐在板狀物支撐部件11a上的半導體晶片W1(W2)保持在如圖5所示的研磨裝置20的卡盤臺27中，如圖21所示，使觸針70與板狀物支撐部件11a的表面接觸，同時也使觸針71與半導體晶片W1(W2)的背面接觸。
觸針70和觸針71，構成根據其高度的不同，可以求得半導體晶片W1(W2)的厚度的厚度測定儀72，通過使板狀物支撐部件11a形成大於半導體晶片W1(W2)，這樣，因為可以隨時測量半導體晶片W1(W2)的厚度，所以若一邊測量半導體晶片W1(W2)的厚度，一邊完成研磨工序，就可以正確地管理最終的半導體晶片的厚度。
還有，在將半導體晶片收納到圖10所示的盒51中時，為了防止半導體晶片與盒51的側面內部等的接觸而造成損傷，也希望使板狀物支撐部件11的外形，形成為大於半導體晶片的外形例如1mm-2mm左右。
另外，在上述的說明中，舉出了以通過使用旋轉刀片，切削半導體晶片的分割道、或是分割為一個個的半導體晶片、或是形成槽的情況為例進行了說明，也可以使用雷射來分割半導體晶片或形成槽，本發明可以適用於使用了旋轉刀片的切割裝置以及使用了雷射的切割裝置的任意一種情況。
如上所述，有關本發明的半導體晶片的製造方法，因為是使由於外因而使粘貼力降低的粘貼層介於其間，將半導體晶片粘貼到板狀物支撐部件上，進行研磨，由於可以不使半導體晶片或者半導體晶片損傷，而容易地脫離，所以適用於所有的半導體晶片的製造，特別是在很薄的半導體晶片的製造中極為有用。
權利要求
1.一種半導體晶片的製造方法，是將通過分割道被劃分、在表面上形成有多個半導體晶片的半導體晶片分割為一個個的半導體晶片，其特徵在於，是由下述工序構成使由於外因而使粘貼力降低的粘貼層介於其間，將半導體晶片的表面粘貼到板狀物支撐部件上的板狀物支撐部件一體化工序；將與該板狀物支撐部件成為一體的半導體晶片載置於研磨裝置的卡盤臺上、研磨該半導體晶片的背面的研磨工序；在與該板狀物支撐部件成為一體的研磨後的半導體晶片的背面，粘貼切割膠帶的同時，通過切割架支撐該切割膠帶的外周的膠帶粘貼工序；在該膠帶粘貼工序前或後，使該外因作用於該粘貼層，使該粘貼層的粘貼力降低，在該膠帶粘貼工序後，將該板狀物支撐部件和該粘貼層從該半導體晶片的表面取下的粘貼轉換工序；將介於該切割膠帶而與該切割架成為一體的半導體晶片載置於切割裝置的卡盤臺上，通過該分割道進行分離，分割為一個個的半導體晶片的切割工序。
2.如權利要求1所述的半導體晶片的製造方法，其特徵在於，使用具有比半導體晶片的外形大的外形的板狀物支撐部件、完成板狀物支撐部件的一體化工序，通過使構成厚度測定器的觸針分別與該半導體晶片的研磨麵和該板狀物支撐部件的表面相接觸，一邊計量該半導體晶片的厚度、一邊完成研磨工序。
3.如權利要求1所述的半導體晶片的製造方法，其特徵在於，在粘貼層中包含有由於外因而發泡的發泡劑。
4.如權利要求3所述的半導體晶片的製造方法，其特徵在於，粘貼層是將含有由於光而發泡的發泡劑的粘貼劑在薄膜狀的中間層的至少一個單面上塗敷的粘貼膠帶。
5.如權利要求4所述的半導體晶片的製造方法，其特徵在於，板狀物支撐部件是由透明的材質而形成的。
6.如權利要求5所述的半導體晶片的製造方法，其特徵在於，板狀物支撐部件是通過透明的玻璃形成的，其厚度是從0.5mm至2.5mm。
7.一種半導體晶片的製造方法，是將通過分割道被劃分、在表面上形成有多個半導體晶片的半導體晶片分割為一個個的半導體晶片，其特徵在於，是由下述工序構成將半導體晶片載置於切割裝置的卡盤臺上，在該分割道上形成槽的槽形成工序；使由於外因而使粘貼力降低的粘貼層介於其間，將該半導體晶片的表面粘貼到板狀物支撐部件上的板狀物支撐部件一體化工序；將與該板狀物支撐部件成為一體的半導體晶片載置於研磨裝置的卡盤臺上，研磨該半導體晶片的背面，直至該槽顯現出來的研磨工序；在與該板狀物支撐部件成為一體的研磨後的半導體晶片的背面，粘貼膠帶，同時通過架子支撐該膠帶的外周的膠帶粘貼工序；在該膠帶粘貼工序前或後，使該外因作用於該粘貼層，使該粘貼層的粘貼力降低，在該膠帶粘貼工序後，將該板狀物支撐部件和該粘貼層從該半導體晶片的表面取下的粘貼轉換工序。
8.如權利要求7所述的半導體晶片的製造方法，其特徵在於，使用具有比半導體晶片的外形大的外形的板狀物支撐部件、完成板狀物支撐部件的一體化工序，通過使構成厚度測定器的觸針分別與該半導體晶片的研磨麵和該板狀物支撐部件的表面相接觸，一邊計量該半導體晶片的厚度、一邊完成研磨工序。
9.如權利要求7所述的半導體晶片的製造方法，其特徵在於，在粘貼層中包含有由於外因而發泡的發泡劑。
10.如權利要求9所述的半導體晶片的製造方法，其特徵在於，粘貼層是將含有因光而發泡的發泡劑的粘貼劑在薄膜狀的中間層的至少一個單面上塗敷的粘貼膠帶。
11.如權利要求10所述的半導體晶片的製造方法，其特徵在於，板狀物支撐部件是通過透明的材質而形成的。
12.如權利要求11所述的半導體晶片的製造方法，其特徵在於，板狀物支撐部件是通過透明的玻璃形成的，其厚度是從0.5mm至2.5mm。
13.一種半導體晶片的製造方法，是將通過分割道被劃分、在表面上形成有多個半導體晶片的半導體晶片分割為一個個的半導體晶片，其特徵在於，是由下述工序構成將半導體晶片載置於切割裝置的卡盤臺上，在該分割道上形成槽的槽形成工序；使由於外因而使粘貼力降低的粘貼層介於其間，將該半導體晶片的表面粘貼到板狀物支撐部件上的板狀物支撐部件一體化工序；將與該板狀物支撐部件成為一體的半導體晶片載置於研磨裝置的卡盤臺上，研磨該半導體晶片的背面，直至該槽顯現出來，分割為一個個的半導體晶片的研磨工序；使該外因作用於該粘貼層，使該粘貼層的粘貼力降低，將該半導體晶片從該板狀物支撐部件和該粘貼層上取下的半導體晶片脫離工序。
14.如權利要求13所述的半導體晶片的製造方法，其特徵在於，使用具有比半導體晶片的外形大的外形的板狀物支撐部件、完成板狀物支撐部件的一體化工序，通過使構成厚度測定器的觸針分別與該半導體晶片的研磨麵和該板狀物支撐部件的表面相接觸，一邊計量該半導體晶片的厚度、一邊完成研磨工序。
15.如權利要求13所述的半導體晶片的製造方法，其特徵在於，在粘貼層中包含有由於外因而發泡的發泡劑。
16.如權利要求15所述的半導體晶片的製造方法，其特徵在於，粘貼層是將含有因光而發泡的發泡劑的粘貼劑在薄膜狀的中間層的至少一個單面上塗敷的粘貼膠帶。
17.如權利要求16所述的半導體晶片的製造方法，其特徵在於，板狀物支撐部件是通過透明的材質而形成的。
18.如權利要求17所述的半導體晶片的製造方法，其特徵在於，板狀物支撐部件是通過透明的玻璃形成的，其厚度是從0.5mm至2.5mm。
全文摘要
使有由於外因而使粘貼力降低的粘貼層的粘貼膠帶10介於其間，將半導體晶片的表面粘貼到板狀物支撐部件上，在該狀態下，研磨半導體晶片的背面，在研磨後的半導體晶片的背面，粘貼切割膠帶，同時通過切割架支撐切割膠帶的外周，由於使外因作用於粘貼層，而使粘貼層的粘貼力降低，所以不損傷半導體晶片或者半導體晶片，就可以取下板狀物支撐部件和粘貼膠帶。
文檔編號H01L21/784GK1493086SQ02805229
公開日2004年4月28日 申請日期2002年11月15日 優先權日2001年11月30日
發明者北村政彥, 一, 矢島興一, 木村祐輔, 輔, 田渕智隆, 隆 申請人:株式會社迪思科