圖象失真校正裝置的製作方法
2023-05-25 05:50:46
專利名稱：圖象失真校正裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於CRT(陰極射線管)顯示裝置的圖象失真校正裝置。
垂直線中間枕形失真
圖18是表示在目前的高品位顯示監視器等中所使用的CRT顯示裝置中，再三成為問題的垂直線的中間部分枕形失真(以下簡稱為「中間枕形失真」)的模式圖。在該圖中，在屏幕(畫面)20上的周邊部表示出了垂直線23，在畫面中間部分(畫面中心部與周邊部的中間部分)表示出了中間部分的垂直線24，當畫面周邊部的垂直線23為大致直線狀時，把中間部分的垂直線24成為失真為枕形的狀態稱為中間枕形失真。
這樣的中間枕形失真僅通過偏轉線圈的磁場分布的調整，是難於消除的。
另一方面，作為在電路上校正中間枕形失真的方法之一，廣泛使用在垂直掃描線的周期中(以下簡稱為「垂直周期」)使S字校正量變化的改進S字校正方法。
S字校正
首先，對S字校正進行說明。所謂S字校正是這樣的校正方法為了使水平方向的線性成為適當的，把水平偏轉電流從鋸齒狀調製成為大致S字狀。
圖19是表示由鋸齒狀的水平偏轉電流IH所產生的屏幕20上的顯示狀況的示意圖；如該圖所示的那樣，當由曲線G11所示的鋸齒狀的波形的水平偏轉電流IH流過時，如曲線G12所示的那樣，由CRT等的顯示器的水平斷面內的電子束的軌道25所產生的變位量X發生變化。
此時，屏幕20(把畫面逆時針旋轉90°)的畫面周邊部從畫面中間部距偏轉中心的距離較大，因此，在偏轉電流量的變化相同的情況下，電子束在畫面周邊部比畫面中間部發生更大的偏轉。因此，在畫面周邊部上的垂直線(在圖中為橫線)間隔ΔB大於中間部的縱線間隔ΔA(即ΔA＜ΔB)。
圖20是表示波形進行了S字校正的鋸齒狀的水平偏轉電流IH所產生的屏幕20上的顯示狀況的示意圖。為了校正圖19所示的水平方向的線性，可以把圖19的曲線G11所示的鋸齒形的水平偏轉電流IH調製為圖20曲線G21所示那樣的大致S字狀。
當把水平偏轉電流IH調製為大致S字狀時，如圖20的曲線G22所示的那樣，S字狀電流與鋸齒狀電流相比，在畫面中間部的電流量較大，因此，能夠彌補畫面中間部的偏轉量的不足。因此，通過適當地調整大致S字狀波形，能夠得到在圖20的屏幕20所示那樣的適當的(即ΔA=ΔB)水平方向的線性畫面。
圖21是表示具有S字校正功能的水平偏轉電路的電路構成例的電路圖。如該圖所示的那樣，在電源E0的正極側連接回掃變壓器41，在負極連接水平輸出用電晶體Q1的發射極。水平輸出用電晶體Q1的集電極連接在回掃變壓器41的原邊，由基極接受控制脈衝。
與該水平輸出用電晶體Q1並聯地分別連接著二極體D20、電容器C20、水平偏轉線圈LH與S字校正用電容器CS的串聯連接部。而且，二極體D21連接在回掃變壓器41的副邊上，對由回掃變壓器41所變壓的信號進行整流。
在這樣的構成中，為了把水平偏轉電流調製成大致S字狀，給水平輸出用電晶體Q1的基極提供水平掃描的周期(以下簡稱為「水平周期」)的脈衝，使水平偏轉線圈LH和與其串聯連接的S字校正電容器CS以由水平偏轉線圈LH和電容器C20決定的諧振頻率進行共振，由此在S字校正電容器CS的兩端發生圖22所示那樣的拋物線狀的電壓。在該電壓較高期間即畫面的水平方向中間部的掃描期間，電流量變大，因此，能夠得到鋸齒狀電流被調製為大致S字狀的水平偏轉電流IH。
由S字校正的垂直調製所產生的中間枕形失真
為了便於以下的說明，把圖19所示的成為ΔA＜ΔB的線性稱為外域延伸，反之，把成為ΔA＞ΔB的線性稱為內域延伸。
當從水平線性的觀點來看中間枕形失真時，可以看出在畫面上下端部成為內域延伸，在畫面中央部成為外域延伸。可以考慮為內域延伸是S字校正過大的狀態，外域延伸是S字校正不足的狀態。因此，為了校正中間枕形失真，可以在畫面上下端部減小S字校正量，在畫面中央部加大S字校正量。即，可以通過垂直周期來適當改變S字校正量的大小。
具有S字校正的垂直調製功能的現有圖象失真校正電路的構成
圖23是表示例如日本專利申請公開公報特開平11-261839號公報所表示的現有的圖象失真校正電路的構成的電路圖。如該圖所示的那樣，水平偏轉電流IH流在端子P1，端子P2之間，在端子P1，端子P2之間串聯連接水平偏轉線圈21、水平校正線圈L13和水平校正線圈L14。水平校正線圈L13和水平校正線圈L14繞制在同一鐵心13上。而且，考慮到水平偏轉線圈21的內部具有單一的線圈或者多個線圈的並聯連接等各種構成，為了方便，用方框來表示。
另一方面，垂直偏轉電流IV流在端子P3，端子P4之間，在端子P3、中間端子P11之間設置垂直偏轉線圈22。而且，考慮到垂直偏轉線圈22是單一的線圈或者多個線圈的串聯連接和均衡校正用的多個電阻(在一部分中包含可變電阻)的組合電路等構成，為了方便，用方框來表示。
在中間點P11上連接二極體D7的正極和電阻R4的一端，在二極體D7的負極上連接垂直校正線圈L15的一端和二極體D8的負極，在垂直校正線圈L15的另一端上連接電阻R4的另一端和電阻R5的一端，在端子P4上連接二極體D8的正極和電阻R5的另一端。垂直校正線圈L15繞制在鐵心13上。
另一方面，中間枕形失真校正飽和電抗器單元10由水平校正線圈L13、L14、垂直校正線圈L15、磁鐵11、12和鐵心13所構成，在鐵心13的兩端上，磁鐵11、12被配置成磁場在一個方向(圖23中的左方向)上被偏置。水平校正線圈L13,L14的繞線方向被反向設定，以便於發生相反方向的磁場，垂直校正線圈L15的繞線方向被設定在這樣的方向上在與由磁鐵11,12所偏置的方向相反的方向上產生磁場。
在該圖象失真校正電路的中間枕形失真校正飽和電抗器單元10中，根據流過垂直校正線圈L15的垂直偏轉電流IV，來控制水平偏轉電流IH流過的水平校正線圈L13,L14的電感，由此，根據垂直偏轉的量改變水平偏轉中的S字校正量。
即，把該水平校正線圈L13,L14連接到水平偏轉線圈21的一端上，用按垂直周期變化的垂直偏轉電流IV來進行調製，由垂直校正線圈L15產生抵消由磁鐵11,12所產生的偏置磁場的方向上的磁場，由此，使水平校正線圈L13,L14的電感變化，進行校正。此時，施加在兩個水平校正線圈L13,L14上的水平偏轉電流IH是在每個水平周期被提供的進行了S字校正的鋸齒狀波形電流，施加在垂直校正線圈L15上的垂直偏轉電流IV是這樣的電流通過兩個二極體D7,D8和兩個電阻R4,R5把在每個垂直周期被提供的鋸齒狀波形電流整流成為同極性。
而且，圖24是表示中間枕形失真校正飽和電抗器單元10的主要部分構造的大致側面圖。如該圖所示的那樣，外殼39內鼓狀的三個部分鐵心13a～13c同軸相鄰配置，在部分鐵心13a上繞制水平校正線圈L13，在部分鐵心13b上繞制垂直校正線圈L15，在部分鐵心13c上繞制水平校正線圈L14。
在部分鐵心13a～13c的兩端配置一對磁鐵11和磁鐵12，它們的極性成為相同方向。如上述那樣，水平校正線圈L13,L14的繞制方向是相反方向，垂直校正線圈L15的繞制方向為這樣的方向通電時產生的磁場抵消一對磁鐵11,12發生的磁場(以下稱為偏置磁場)。
現有裝置的作用
在圖23和圖24所示構成的現有圖象失真校正電路中，垂直校正線圈L15以垂直周期發生的磁場抵消由磁鐵11,12所產生的偏置磁場，因此，水平校正線圈L13,L14的電感發生變化。即，在畫面上下端部，由於偏置磁場被抵消，故水平校正線圈L13,L14的合成電感變大，在畫面中央部，由於偏置磁場仍殘存，故水平校正線圈L13,L14的合成電感變小。
因此，由於考慮到水平期間中的S字校正電容器CS的兩端電壓波形是通過水平偏轉線圈21、水平校正線圈L13,L14和S字校正電容器CS的串聯諧振而產生的正弦波的一部分，可以通過下式(1)來表示該諧振頻率ωss=1/{(Lh+Ls)Cs}(1)]]>其中，Lh是水平偏轉線圈21的電感，Ls是水平校正線圈L13,L14的合成電感，Cs是S字校正電容器CS的電容量。
從式(1)可以看出當水平校正線圈的合成電感Ls較大時，諧振頻率ωs變小。結果，拋物線電壓波形變成平坦的，S字校正的效果較弱。反之，當水平校正線圈的合成電感Ls較小時，S字校正的效果較強。
因此，在圖23和圖24所示的圖象失真校正電路中，在畫面上下端部，由於水平校正線圈的合成電感Ls變大，故S字校正的效果較弱，成為外域延伸，在畫面中央部，由於水平校正線圈的合成電感Ls變小，則S字校正的效果較強，而成為內域延伸。這樣，能夠校正中間枕形失真。
現有的圖象失真校正電路，如圖24所示的那樣，為了實現中間枕形失真校正飽和電抗器單元10的鐵心13，使用三個部分鐵心13a～13c，因此，成本提高，製造方法變得複雜。
而且，由於包含鐵心13和磁鐵11,12的系統全體不是閉合磁路，而發生低強度的洩漏磁場，而且，通過二極體來整流垂直校正線圈，因此，存在由於二極體的電阻成分使垂直偏轉靈敏度惡化，同時，耗電量變大等問題。
為了解決上述問題，本發明的目的是提供謀求裝置的低成本化和低耗電量的構造的圖象失真校正裝置。
本發明所涉及的技術方案1的圖象失真校正裝置，包括設在水平偏轉電流流過的水平偏轉電流路徑上的第一和第二水平校正線圈，上述第一和第二水平校正線圈串聯連接，同時，設定相對於鐵心的繞線方向以便於產生相反方向的磁場，還包括磁場偏置裝置，在第一方向上偏置上述磁場；垂直校正線圈，設在垂直偏轉電流流過的垂直偏轉電流路徑上，在作為與上述第一方向相反的方向的第二方向上發生磁場，沿著上述第一和第二水平校正線圈的外周重疊繞制上述垂直校正線圈。
此外，技術方案2的發明，是在技術方案1記載的圖象失真校正裝置中，上述鐵心包含第一和第二部分鐵心，上述第一和第二水平校正線圈包含分別繞制在上述第一和第二部分鐵心上的線圈。
此外，技術方案3的發明，是技術方案1記載的圖象失真校正裝置，上述鐵心包含一個單位的一體型鐵心，上述第一和第二水平校正線圈包含分別繞制在上述一體型鐵心的第一和第二區域上的線圈。
此外，技術方案4的發明，是在技術方案1至3中任一項所記載的圖象失真校正裝置中，上述磁場偏置裝置包含分別配置在上述鐵心的兩端並且極性相一致的第一和第二磁鐵。
此外，技術方案5的發明，是在技術方案2記載的圖象失真校正裝置中，上述磁場偏置裝置包含配置在上述第一和第二部分鐵心之間的一個單位的磁鐵。
此外，技術方案6的發明，是在技術方案1至3中任一項所記載的圖象失真校正裝置中，進一步包括閉合磁路部件，與上述磁場偏置裝置及上述鐵心中至少一方相連接，與上述磁場偏置裝置及上述鐵心一起形成閉合磁路。
此外，技術方案7的發明，是在技術方案6記載的圖象失真校正裝置中，上述閉合磁路部件包含配置成與上述磁場偏置裝置或者上述鐵心的任一個磁性結合的磁軛板。
此外，技術方案8的發明，是在技術方案1至3中任一項所記載的圖象失真校正裝置中，上述垂直校正線圈包含第一和第二垂直校正線圈，上述第一和第二垂直校正線圈在第一極性的上述垂直偏轉電流流過時都在上述第二方向上產生磁場，上述第二垂直校正線圈在作為與上述第一極性相反的極性的第二極性的上述垂直偏轉電流流過時在第二方向產生磁場，上述第一和第二垂直校正線圈包含同時繞制在上述第一和第二水平校正線圈的外周上的線圈。
此外，技術方案9的發明，是在技術方案1至3中任一項所記載的圖象失真校正裝置中，進一步包括沿著上述第一和第二水平校正線圈的外周設置的絕緣性的線圈架，上述垂直校正線圈包含繞制在上述線圈架上的線圈。
此外，技術方案10的發明，是在技術方案1至3中任一項所記載的圖象失真校正裝置中，上述垂直校正線圈包含這樣的線圈在與上述第一和第二水平校正線圈分別對應的第一和第二外周區域之間，匝數被設定為大致相同。
此外，技術方案11的發明，是在技術方案10記載的圖象失真校正裝置中，進一步包括沿著上述第一和第二水平校正線圈的外周設置的絕緣性的線圈架，上述線圈架在相當於上述第一和第二水平校正線圈的中間部分的位置上具有凸緣部。
此外，技術方案12的發明，是在技術方案1至3中任一項所記載的圖象失真校正裝置中，上述第一和第二水平校正線圈以及上述垂直校正線圈中的至少一個線圈包含使用集合絞合線作為繞組的線圈。
如以上說明的那樣，本發明中的技術方案1的圖象失真校正裝置，沿著第一和第二水平校正線圈的繞組的外周重疊繞制垂直校正線圈，因此，不需要單獨的垂直校正線圈的繞線用的鐵心，能夠謀求裝置的成本的削減。
而且，垂直校正線圈利用從第一和第二水平校正線圈的外周進行繞線的構造，可以使用線徑比較粗的繞線，由此，能謀求垂直校正線圈的電阻成分的降低，因此，能夠謀求垂直校正線圈所需要的耗電量的降低。
在技術方案2記載的圖象失真校正裝置中，由於第一和第二水平校正線圈分別繞制在第一和第二部分鐵心上，故能夠比較容易地減小兩者的互感。
技術方案3記載的圖象失真校正裝置，是在一體型鐵心上繞制第一和第二水平校正線圈的構造，因此，對於兩個水平校正線圈，能夠用一個一體形的鐵心來完成，能夠謀求裝置的成本的削減。
在此基礎上，由於在共同的一體型鐵心上繞制第一和第二水平校正線圈，而不會在第一和第二水平校正線圈之間產生鐵心的軸偏移。
技術方案4記載的圖象失真校正裝置，通過配置在鐵心兩端上的第一和第二磁鐵，能夠在第一和第二磁鐵之間使磁場在第一方向上有效地起作用。
技術方案5記載的圖象失真校正裝置，在第一和第二部分鐵心之間配置一個單位的磁鐵，使磁場在第一方向上起作用，由此，與使用多個單位的磁鐵的構成相比，能夠謀求裝置的成本的削減。
而且，由於不需要在由第一和第二部分鐵心組成的鐵心的兩端配置磁鐵，故繞制在第一和第二部分鐵心上的第一和第二水平校正線圈的繞組的引出變得容易，能夠謀求裝置製造的高效化。
技術方案6記載的圖象失真校正裝置，通過閉合磁路部件與磁場偏置裝置和鐵心一起形成閉合磁路，因此，能夠有效地抑制漏磁場。
技術方案7記載的圖象失真校正裝置，通過磁軛板的磁性結合，能夠謀求磁場偏置裝置或者垂直校正線圈的磁力的提高，因此，能夠使磁場偏置裝置進一步小型化，謀求裝置的成本的削減，或者減少垂直校正線圈的匝數，來謀求低耗電化。
技術方案8記載的圖象失真校正裝置，通過同時繞制第一和第二垂直校正線圈，能夠謀求繞線作業的高效化。而且，由於以大致相同的路徑繞制第一和第二垂直校正線圈，能夠抑制第一和第二垂直校正線圈間的電阻成分的偏差。
技術方案9記載的圖象失真校正裝置，通過在第一和第二水平校正線圈與垂直校正線圈之間設置的絕緣性的線圈架，能夠有效地抑制第一和第二水平校正線圈與垂直校正線圈之間的短路。
技術方案10記載的圖象失真校正裝置，在與第一和第二水平校正線圈分別對應的第一和第二外周區域之間，把垂直校正線圈的匝數設定為大致相同，由此，能夠抑制在第一和第二水平校正線圈與垂直校正線圈之間產生的感應電流的發生，而減小發熱量，能夠增大中間枕形失真的校正量。
技術方案11記載的圖象失真校正裝置，通過線圈架的中間部設置的凸緣部，能夠把垂直校正線圈容易地分割成各自的匝數大致相同並且設在第一和第二外周區域中的兩個部分線圈。
技術方案12記載的圖象失真校正裝置，第一和第二水平校正線圈以及垂直校正線圈中的至少一個線圈使用集合絞合線作為繞組，由此，能夠抑制趨膚效應所產生的交流電阻的增大，而減小發熱量。
本發明的這些和其他的目的、優點及特徵將通過結合附圖對本發明的實施例的描述而得到進一步說明。在這些附圖中圖1是表示本發明的實施例1的圖象失真校正裝置中的電路構成的電路圖；圖2是表示圖1所示的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構造的截面圖；圖3是表示水平校正線圈的電感-安匝特性的曲線圖；圖4是表示加在畫面上的各個顯示位置上的標號與實際的顯示位置的對應關係的示意圖；圖5是表示畫面中心部的中間枕形失真校正飽和電抗單元的磁場的示意圖6是表示畫面上端、下端的中間枕形失真校正飽和電抗單元的磁場的示意圖；圖7是表示畫面左邊的中間枕形失真校正飽和電抗單元的磁場的示意圖；圖8是表示畫面右邊的中間枕形失真校正飽和電抗單元的磁場的示意圖；圖9是表示畫面左上端、左下端的中間枕形失真校正飽和電抗單元的磁場的示意圖；圖10是表示畫面右上端、右下端的中間枕形失真校正飽和電抗單元的磁場的示意圖；圖11是表示對於畫面顯示位置的水平校正線圈的合成電感變化的示意圖；圖12是表示本發明實施例2的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構造的截面圖；圖13是表示本發明實施例3的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構造的截面圖；圖14是表示本發明實施例4的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構造的截面圖；圖15是表示本發明實施例5的圖象失真校正裝置的電路構成的電路圖；圖16是表示實施例5的垂直校正線圈的繞制狀況的示意圖；圖17是表示本發明實施例6的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構造的截面圖；圖18是表示中間枕形失真的模式圖；圖19是表示由波形為鋸齒形的水平偏轉電流所產生的屏幕上的顯示狀況的示意圖；圖20是表示由波形為進行了S字校正的鋸齒形的水平偏轉電流所產生的屏幕上的顯示狀況的示意圖；圖21是表示具有S字校正功能的水平偏轉電路的電路構成例的電路圖；圖22是表示在S字校正用電容器的兩端產生的電壓分布的曲線圖；圖23是表示現有的圖象失真校正電路的構成的電路圖；圖24是表示現有的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的主要部分構造的大致側面圖。
實施例1電路構成
圖1是表示本發明的實施例1的圖象失真校正裝置中的電路構成的電路圖。在圖1中，1是中間枕形失真校正飽和電抗器單元，2，3是磁鐵，4是鐵心。
如該圖所示的那樣，水平偏轉電流IH流過端子P1，端子P2之間的水平偏轉電流路徑，在端子P1,P2之間串聯連接著水平偏轉線圈21、水平校正線圈L1和水平校正線圈L2。水平校正線圈L1和水平校正線圈L2分別繞制在鐵心4上。
另一方面，垂直偏轉電流IV流過端子P3，端子P4之間的垂直偏轉電流路徑，在端子P3，中間端子P11之間設置垂直偏轉線圈22。
在中間端子P11，端子P4之間設置由垂直校正線圈L3、二極體D1～D4和電阻R1組成的垂直校正部31。以下對垂直校正部31的內部構成進行說明。在中間端子P11上連接二極體D1的正極、二極體D3的負極和電阻R1的一端，在二極體D1的負極上連接垂直校正線圈L3的一端和二極體D2的負極，在垂直校正線圈L3的另一端連接二極體D3和D4的正極，在端子P4上連接二極體D2的正極、二極體D4的負極以及電阻R1的另一端。
即，對於設在中間端子P11，端子P4之間的第一電流路徑(串聯連接二極體D1,D4和垂直校正線圈L3的路徑)和第二電流路徑(串聯連接二極體D2,D3和垂直校正線圈L3的路徑)，並聯連接作為共用電阻的電阻R1。
在圖1所示的電路構成中，為了在垂直校正線圈L3中流過被整流的垂直偏轉電流，而使用由二極體D1～D4和電阻R3組成的二極體橋，但是，也可以使用其他的整流電路。
中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構造
圖2是表示圖1所示的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構造的截面圖。如該圖所示的那樣，構成鐵心4的部分鐵心4a,4b相接觸以便於磁結合，並且同軸配置，在其兩端上配置磁鐵2,3，磁鐵2,3在同一方向上配置成磁鐵2側的S極，磁鐵3側的N極，分別與鐵心4接觸。
在部分鐵心4a上繞制水平校正線圈L1，在部分鐵心4b上繞制水平校正線圈L2。這兩個水平校正線圈L1、L2的匝數被設定為大致相同，繞線方向是以產生相反方向的磁場的方向進行繞制，同時，以水平校正線圈L1、L2之間的互感成為可以忽略的大小這樣的距離來進行配置。由於水平校正線圈L1,L2分別繞制在各自的部分鐵心4a,4b上，而能夠比較容易地實現把互感抑制得較低的配置。而且，水平校正線圈L1和水平校正線圈L2按圖1所示的那樣串聯連接。
在部分鐵心4a,4b和磁鐵2,3的外周設置沿水平校正線圈L1,L2的繞線方向覆蓋的例如圓筒狀的線圈架5，線圈架5具有絕緣性。垂直校正線圈L3沿著水平校正線圈L1,L2的繞組上並以部分鐵心4a,4b為中心而繞制在線圈架5上。即，垂直校正線圈L3沿著水平校正線圈L1,L2的繞組的外周，通過線圈架5而重疊繞制在水平校正線圈L1,L2上。該垂直校正線圈L3以這樣的繞線方向進行繞制產生抵消由磁鐵2,3產生的偏置磁場的方向的磁場。
這樣，圖2所示的中間枕形失真校正飽和電抗器單元1的等效電路是圖1所示的中間枕形失真校正飽和電抗器單元1。使用該中間枕形失真校正飽和電抗器單元1，能夠象下面詳細描述的那樣，校正在畫面的左右產生的中間枕形失真。
在實施例1的圖象失真校正裝置中，具有這樣的特徵在中間枕形失真校正飽和電抗器單元1中，把垂直校正線圈L3重疊繞制在水平校正線圈L1,L2上。
動作
這樣，實施例1的圖象失真校正裝置是由中間枕形失真校正飽和電抗器單元1和垂直校正部31的垂直偏轉電流的整流電路來構成圖象失真校正電路。下面對實施例1的圖象失真校正裝置的動作進行說明。
圖3是表示水平校正線圈的電感-安匝特性的曲線圖。在圖3中，縱軸表示水平校正線圈的電感，橫軸表示安匝或者外部磁場。如該圖所示的那樣，水平校正線圈的電感在安匝較小的狀態下較大，隨著安匝變大而變小，在某個值以上的安匝(飽和狀態)下，成為大致恆定的小值。
此外，由於兩個水平校正線圈L1,L2以能夠忽略互感的水平進行配置，兩個水平校正線圈L1,L2的合成電感Ls用各自的線圈的電感L1、L2之和來表示。即，成為「Ls=L1+L2」。
下面，對應於畫面上的顯示位置，來說明水平校正線圈的合成電感Ls的變化。在圖4中表示了加在畫面上的各個顯示位置上的標號與實際的顯示位置的對應關係。在圖中，把畫面的水平軸作為X軸，把垂直軸作為Y軸。
而且，施加在兩個水平校正線圈L1,L2上的水平偏轉電流IH是在每個水平周期內所提供的進行了S字校正的鋸齒狀波形電流，施加在垂直校正線圈L3上的垂直偏轉電流IV是通過4個二極體D1～D4和一個電阻R1把在每個水平周期內所提供的鋸齒狀波形電流整流成相同極性的電流。
如圖5所示的那樣，在顯示位置O(畫面中央)，水平校正線圈L1,L2、垂直校正線圈L3中都沒有流過電流。因此，作用在水平校正線圈L1,L2上的磁場僅是由磁鐵2,3所產生的偏置磁場M0。此時，水平校正線圈L1,L2都被設定為飽和狀態，合成電感Ls變小。
如圖6所示的那樣，在顯示位置T(Y軸的上端)或者顯示位置B(Y軸的下端)，在水平校正線圈L1中沒有電流流過，僅在垂直校正線圈L3中流過電流。垂直校正線圈L3產生的磁場M3抵消了磁鐵2,3的偏置磁場M0，因此，解除了水平校正線圈L1,L2各自的飽和狀態。因此，水平校正線圈L1,L2的電感變大，它們的合成電感Ls變大。
如圖7所示的那樣，在顯示位置L(X軸的左端)，在水平校正線圈L1,L2中流過電流，在垂直校正線圈L3中沒有電流流過。此時，水平校正線圈L1產生的磁場M1是抵消由磁鐵2,3所產生的偏置磁場M0的方向，因此，解除了水平校正線圈L1的飽和狀態，電感L1變大。另一方面，水平校正線圈L2產生的磁場M2是與由磁鐵2,3所產生的偏置磁場M0相同的方向，因此，水平校正線圈L2仍是飽和狀態，電感L2較小。因此，合成電感Ls增大了L1的增加量。
如圖8所示的那樣，顯示位置R(X軸的右端)為與顯示位置L的情況相反的狀態，水平校正線圈L1仍是飽和狀態，電感較小，另一方面，水平校正線圈L2被解除了飽和狀態，因此，電感L2變大。因此，合成電感Ls增大了L2的增加量。
如圖9所示的那樣，在顯示位置TL(畫面左上角)或者顯示位置BL(畫面左下角)的情況下，可以考慮是在顯示位置T或者顯示位置B的情況下(以下稱為Y軸端)疊加了顯示位置L的情況而形成的結果。在此情況下，水平校正線圈L1其自身產生的磁場M1和垂直校正線圈L3產生的磁場M3具有相同方向，因此，與Y軸端的狀態相比，進一步推進了飽和狀態的解除。因此，水平校正線圈L1的電感L1與Y軸端相比更大了。另一方面，水平校正線圈L2其自身產生的磁場M2和垂直校正線圈L3產生的磁場M3具有相反方向，因此，與Y軸端的狀態相比，接近飽和狀態。因此，水平校正線圈L2的電感L2與Y軸端相比更小了。合成電感Ls由兩個線圈的電感L1、L2的Y軸端的變化量之差所決定，但是，通常，與Y軸端的狀態相比，相同或者變小了。
如圖10所示的那樣，顯示位置TR(畫面右上角)或者顯示位置BR(畫面右下角)可以考慮是在Y軸端的情況下疊加到顯示位置R的情況上的結果。在此情況下，水平校正線圈L1與Y軸端的狀態相比接近飽和狀態，因此，電感L1與Y軸端的狀態相比變小了，水平校正線圈L2與Y軸端的狀態相比推進了飽和狀態的解除，因此，電感L2與Y軸端的狀態相比變大了。合成電感Ls與Y軸端的狀態相比，相同或者變小了。
圖11是表示對於畫面顯示位置的水平校正線圈的合成電感變化的示意圖。在該圖中，在縱軸上表示合成電感Ls，在橫軸上表示水平偏轉電流IH。在兩個曲線中，曲線LC1表示與畫面上下端部的橫線相對應的合成電感Ls的變化，曲線LC2表示與畫面中央部的橫線相對應的合成電感Ls的變化。表示與曲線上的各點相對應的畫面上的顯示位置的標號與圖4相同。
從圖11可以看出，在畫面上下端部，合成電感Ls，在Y軸端最大，越接近畫面角部，變得越小。另一方面，在畫面中央部，合成電感Ls，在畫面中央最小，越接近X軸端，變得越大。
因此，水平校正線圈的合成電感Ls在畫面上下端部變大，在畫面中央部變小，因此，在畫面上下端部減小S字校正量，在畫面中央部加大S字校正量，從而能校正中間枕形失真。
而且，通過合成電感Ls對水平偏轉電流IH的變化，能夠增大中間枕形失真校正效果。即，在畫面上下端部，水平校正線圈的合成電感Ls在水平方向的中間部變大，在周邊部變小，因此，水平方向的振幅相對地在中間部縮回而在周邊部伸長(即外域延伸)。
另一方面，在畫面中央部，水平校正線圈的合成電感Ls在水平方向的中間部變小，在周邊部變大，因此，水平方向的振幅相對地在中間部伸長而在周邊部縮回(即內域延伸)。
而且，在實施例1的圖象失真校正裝置中，在中間枕形失真校正飽和電抗器單元1中使用的鐵心4用的部分鐵心用兩個(4a,4b)就夠了，與由3個部分鐵心組成的現有技術相比，能夠降低裝置成本。
而且，由於鐵心13繞制在線圈架5的外側上，與象現有裝置那樣繞制在較小的鐵心13上的情況下相比，在繞組間存在裕量，因此，能夠使用線徑大、電阻率小的繞線作為垂直校正線圈L3的線圈，能夠減小垂直校正線圈L3的耗電量。
而且，水平校正線圈L1,L2和垂直校正線圈L3通過它們之間存在的絕緣性線圈架5進行絕緣，因此，能夠把在水平校正線圈L1,L2和垂直校正線圈L3之間產生短路的可能性抑制到足夠低。
而且，如果水平校正線圈L1,L2和垂直校正線圈L3各自線圈本體被充分絕緣，也可以在水平校正線圈L1,L2上直接重疊繞制垂直校正線圈L3。
實施例2圖12是表示本發明實施例2的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構造的截面圖。電路構成與圖1所示的實施例1的圖象失真校正電路的電路構成相同。
如該圖所示的那樣，圖1的鐵心4由整體形成的一個單位的鐵心6來實現。而且，在鐵心6的磁鐵2側的區域中繞制水平校正線圈L1，在磁鐵3側的區域中繞制水平校正線圈L2。其他的構成與圖2所示的實施例1相同。
這樣構成的實施例2的圖象失真校正裝置能夠進行與實施例1的圖象失真校正裝置相同的動作。而且，通過實施例2這樣的構成，與實施例1相比，從兩個單位的鐵心4減少為一個單位的鐵心6，由於減少了部件數量和裝配工時，能夠實現裝置成本的降低。而且，不會產生實施例1那樣的由兩個部分鐵心構成鐵心時產生的軸偏移等問題。
實施例3圖13是表示本發明實施例3的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構造的截面圖。電路構成除了磁鐵的配置之外與圖1所示的實施例1的圖象失真校正電路的電路構成相同。
如該圖所示的那樣，在部分鐵心4a,4b之間配置一個磁鐵8，來取代磁鐵2,3。由磁鐵8產生的偏置磁場與由磁鐵2,3產生的偏置磁場相同。而且，其他的構成與圖2所示的實施例1相同。
這樣構成的實施例3的圖象失真校正裝置能夠進行與實施例1的圖象失真校正裝置相同的動作。而且，通過實施例3這樣的構成，與實施例1、2相比，從兩個單位的磁鐵2、3減少為一個單位的磁鐵8，由於減少了部件數量，能夠實現裝置成本的降低。
而且，由於不需要象實施例1和實施例2那樣，在鐵心(4a,4b；6)的兩端配置磁鐵2,3，在把繞組從水平校正線圈L1,L2引出到線圈架5外的過程中，磁鐵不會成為障礙，能夠謀求裝置製造的高效化。而且，不需要在線圈架5上設置繞組引出用的槽，能夠簡化線圈架構造。
實施例4圖14是表示本發明實施例4的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構造的截面圖。而且，電路構成與圖1所示的實施例1的圖象失真校正電路的電路構成相同。
如該圖所示的那樣，在線圈架5的一部分的外側進一步設置大致為コ字形的磁軛板9來作為閉合磁路部件。磁軛板9由例如矽鋼片等廉價的材料組成，其兩端面分別緊密連接在左右兩側的磁鐵2,3的端面上，鐵心6-磁鐵2,3-磁軛板9作為整體形成閉合磁路。而且，其他的構成與圖12所示的實施例2相同。
而且，磁軛板9可以設在上述實施例1或者實施例3所示的中間枕形失真校正飽和電抗器單元上。但是，當在實施例3的構成中設置磁軛板9時，磁軛板9的端面與部分鐵心4a,4b的端面緊密連接。即，磁軛板9與磁鐵2、3或者部分鐵心4a、4b磁結合，而形成閉合磁路。
這樣構成的實施例3的圖象失真校正裝置，由於通過磁軛板9使磁鐵2,3發生的磁通密度變大，故能夠使用厚度更小的磁鐵2,3,能夠謀求裝置成本的降低和裝置的小型化。
而且，通過磁軛板9降低了磁阻，而提高了垂直校正線圈L3的效率，因此，能夠減少線圈的匝數，除了能夠實現裝置成本的降低之外，還能夠減小耗電量。而且，由於整體構成閉合磁路，故能夠有效地抑制漏磁場。
實施例5圖15是表示本發明實施例5的圖象失真校正裝置的電路構成的電路圖。在圖15中，7是中間枕形失真校正飽和電抗器單元。
如該圖所示的那樣，在中間端子P11，端子P4之間構成由垂直校正線圈L4,L5、二極體D5,D6和電阻R2組成的垂直校正部32。以下對垂直校正部32的內部構成進行說明。在中間端子P11上連接二極體D5的正極、二極體D6的負極和電阻R2的一端，在二極體D5的負極上連接垂直校正線圈L4的一端，在垂直校正線圈L4的另一端上連接電阻R2的另一端和端子P4的。在端子P4上連接垂直校正線圈L5的一端，垂直校正線圈L5的另一端連接在二極體D6的正極上。其他構成與圖1所示的實施例1的電路構成相同。
這樣，對於設在中間端子P11，端子P4之間的第一電流路徑(串聯連接二極體D5和垂直校正線圈L4的路徑)和第二電流路徑(串聯連接二極體D6和垂直校正線圈L5的路徑)，並聯連接作為共用電阻的電阻R2。
而且，在垂直校正部32中，在畫面的上偏轉的情況下和下偏轉的情況下，切換電流流過的垂直校正線圈L4,L5，構成為在無論哪種情況下從兩個垂直校正線圈的某個產生的磁場都成為抵消磁鐵2,3的偏置磁場的方向。
實施例5的中間枕形失真校正飽和電抗器單元7的構造可以是實施例1～實施例4的中間枕形失真校正飽和電抗器單元1的構造中的任一種構造，可以在線圈架5上同時繞制垂直校正線圈L4,L5來取代垂直校正線圈L3。
垂直校正線圈L4,L5，在一次的繞線作業中，同時以相同方向把兩條繞線繞制在線圈架5上，由此，如圖16所示的那樣，能夠得到在線圈架5上交替繞制垂直校正線圈L4,L5的構造。
而且，垂直校正線圈L4,L5的磁場產生的方向可以通過電路板上的電路布線來進行控制。通過這樣進行繞制，兩個垂直校正線圈L4,L5以大致相同的路徑進行繞制，因此，能夠抑制電感的偏差。而且，繞線作業可以一次完成。
這樣構成的實施例5的垂直校正部32，與圖1所示的實施例1的垂直校正部31那樣把單一的垂直校正線圈L3與二極體橋等整流電路組合使用的情況相比，由於電流通過的二極體的數量減少了，能夠減少由二極體的ON電阻所產生的耗電量。
實施例6圖17是表示本發明實施例6的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構造的截面圖。而且，電路構成與圖1所示的實施例1的圖象失真校正電路或者圖15所示的實施例5的圖象失真校正電路相同。
如該圖所示的那樣，在線圈架5的兩端與凸緣部5a,5b的中間部進一步設置垂直校正線圈的匝數控制用的凸緣部5c。凸緣部5c可以與線圈架5一體構成，也可以作為獨立部件裝在線圈架5中。凸緣部5c的位置與水平校正線圈L1,L2的中間部或者部分鐵心4a,4b的接觸面的位置相一致。垂直校正線圈L3由與通過該凸緣部5c隔開的兩個部分垂直校正線圈L3a、L3b的串聯連接而構成。
部分垂直校正線圈L3a繞制在與水平校正線圈L1相對應的凸緣部5a,5c之間的第一外周區域上，部分垂直校正線圈L3b繞制在與水平校正線圈L2相對應的凸緣部5b,5c之間的第二外周區域上。而且，部分垂直校正線圈L3a,L3b沿相同方向繞制，各自的匝數大致相同。而且，其他構成與圖2所示的實施例1相同。
這樣構成的實施例6的圖象失真校正裝置，通過水平校正線圈L1,L2產生的磁通的變化，能夠抑制由垂直校正線圈L3產生的感應(串擾)電壓。這是因為在構成垂直校正線圈L3的部分垂直校正線圈L3a,L3b中產生的感應電壓的極性相反，其絕對值相等，因此，在垂直校正線圈全體中，沒有感應電壓。以下更詳細地進行說明。
由於部分垂直校正線圈L3a繞制在水平校正線圈L1的外周上，受到水平校正線圈L1產生的磁通的變化的影響較多。另一方面，部分垂直校正線圈L3b較多地受到水平校正線圈L2產生的磁通的影響。部分垂直校正線圈L3a,L3b的繞線方向是相同的，水平校正線圈L1,L2產生的磁通的方向是反向的，因此，感應電壓的極性不同。即，在某個瞬間，若假定在部分垂直校正線圈L3a中產生的感應電壓在繞線開始側是正的，則部分垂直校正線圈L3b產生的感應電壓在繞線開始側是負的。各自的電壓的絕對值由水平校正線圈L1的匝數與部分垂直校正線圈L3a之比、水平校正線圈L2的匝數與部分垂直校正線圈L3b的匝數之比所決定，但是，在此情況下，兩者是相等的。因此，在部分垂直校正線圈L3a,L3b中產生的感應電壓的極性相反，絕對值相等。
因此，在串聯連接著部分垂直校正線圈L3a,L3b的垂直校正線圈的兩端不會產生感應電壓。因此，在例如圖1的電路中，在由垂直校正線圈L3、二極體D2,D4組成的迴路中，不會流過感應電壓。
正如以上說明的那樣，實施例6能夠抑制流過垂直校正線圈及其周邊電路的水平周期的感應電流，因此，能夠減少垂直校正線圈或者其周邊電路的發熱。而且，在垂直校正線圈中本來就沒有流過垂直偏轉電流的情況下，由於感應電流流過等設計本意上沒有的電流不會流過垂直校正線圈，因此，飽和電抗器單元的動作是適當的，能夠增大中間枕形失真的校正量。
如果能夠通過繞線上的作業技巧使垂直校正線圈的匝數分配與水平校正線圈L1的外周區域的匝數和水平校正線圈L2的外周區域的匝數成為大致相同匝數，則也可以省略線圈架5的中間部的凸緣部5c。
在實施例6中，表示了圖1所示的圖象失真校正電路的使用例子，但是，下面簡單地說明用於圖5所示的圖象失真校正電路的情況。在此情況下，在凸緣部5a,5c之間設置由垂直校正線圈L4,L5各自的一部分組成的部分垂直校正線圈L3a；在凸緣部5b,5c之間設置由垂直校正線圈L4,L5各自的其餘部分組成的部分垂直校正線圈L3b，同時繞制垂直校正線圈L4,L5。此時，部分垂直校正線圈L3a,L3b沿相同方向繞制，各自的匝數大致相同即可。
實施例7在實施例1～6所示的圖象失真校正裝置中，可以在水平校正線圈或者垂直校正線圈中使用集合絞合線。通過使用絞合線，這些線圈的表面積變大，因此，能夠抑制由趨膚效應所產生的交流電阻的增大。因此，能夠減小頻率較大的水平偏轉電流和由感應電流所產生的損耗，能夠減小線圈的發熱量。
權利要求
1．一種圖象失真校正裝置，其特徵在於，包括設在水平偏轉電流流過的水平偏轉電流路徑上的第一和第二水平校正線圈，上述第一和第二水平校正線圈串聯連接，同時，設定相對於鐵心的繞線方向以便於產生相反方向的磁場，還包括磁場偏置裝置，在第一方向上偏置上述磁場；垂直校正線圈，設在垂直偏轉電流流過的垂直偏轉電流路徑上，在作為與上述第一方向相反的方向的第二方向上發生磁場，沿著上述第一和第二水平校正線圈的外周重疊繞制上述垂直校正線圈。
2．根據權利要求1記載的圖象失真校正裝置，其特徵在於，上述鐵心包含第一和第二部分鐵心，上述第一和第二水平校正線圈包含分別繞制在上述第一和第二部分鐵心上的線圈。
3．根據權利要求1記載的圖象失真校正裝置，其特徵在於，上述鐵心包含一個單位的一體型鐵心，上述第一和第二水平校正線圈包含分別繞制在上述一體型鐵心的第一和第二區域上的線圈。
4．根據權利要求1至3中任一項所記載的圖象失真校正裝置，其特徵在於，上述磁場偏置裝置包含分別配置在上述鐵心的兩端並且極性相一致的第一和第二磁鐵。
5．根據權利要求2記載的圖象失真校正裝置，其特徵在於，上述磁場偏置裝置包含配置在上述第一和第二部分鐵心之間的一個單位的磁鐵。
6．根據權利要求1至3中任一項所記載的圖象失真校正裝置，其特徵在於，進一步包括閉合磁路部件，與上述磁場偏置裝置及上述鐵心中至少一方相連接，與上述磁場偏置裝置及上述鐵心一起形成閉合磁路。
7．根據權利要求6記載的圖象失真校正裝置，其特徵在於，上述閉合磁路部件包含配置成與上述磁場偏置裝置或者上述鐵心的任一個磁性結合的磁軛板。
8．根據權利要求1至3中任一項所記載的圖象失真校正裝置，其特徵在於，上述垂直校正線圈包含第一和第二垂直校正線圈，上述第一和第二垂直校正線圈在第一極性的上述垂直偏轉電流流過時都在上述第二方向上產生磁場，上述第二垂直校正線圈在作為與上述第一極性相反的極性的第二極性的上述垂直偏轉電流流過時在第二方向產生磁場，上述第一和第二垂直校正線圈包含同時繞制在上述第一和第二水平校正線圈的外周上的線圈。
9．根據權利要求1至3中任一項所記載的圖象失真校正裝置，其特徵在於，進一步包括沿著上述第一和第二水平校正線圈的外周設置的絕緣性的線圈架，上述垂直校正線圈包含繞制在上述線圈架上的線圈。
10．根據權利要求1至3中任一項所記載的圖象失真校正裝置，其特徵在於，上述垂直校正線圈包含這樣的線圈在與上述第一和第二水平校正線圈分別對應的第一和第二外周區域之間，匝數被設定為大致相同。
11．根據權利要求10記載的圖象失真校正裝置，其特徵在於，進一步包括沿著上述第一和第二水平校正線圈的外周設置的絕緣性的線圈架，上述線圈架在相當於上述第一和第二水平校正線圈的中間部分的位置上具有凸緣部。
12．根據權利要求1至3中任一項所記載的圖象失真校正裝置，其特徵在於，上述第一和第二水平校正線圈以及上述垂直校正線圈中的至少一個線圈包含使用集合絞合線作為繞組的線圈。
全文摘要
提供低成本和低耗電的構造的圖象失真校正裝置。在部分鐵心4a,4b上分別繞制水平校正線圈L1,L2。這兩個水平校正線圈L1,L2的繞線方向是以產生相反的磁場的方向進行繞制。設置沿水平校正線圈L1,L2的繞線方向包覆部分鐵心4a,4b和磁鐵2,3的外周的具有絕緣性的線圈架5,垂直校正線圈L3沿著水平校正線圈L1,L2繞制在線圈架5上,以使部分鐵心4a,4b為中心。該垂直校正線圈L3以產生抵消由磁鐵2,3產生的偏置磁場的方向的磁場那樣的繞線方向進行繞制。
文檔編號H04N3/237GK1323134SQ00134468
公開日2001年11月21日 申請日期2000年12月1日 優先權日2000年5月8日
發明者宮本佳典, 安井裕信, 瓶子晃永, 石森彰, 西野浩章 申請人:三菱電機株式會社