用於控制晶片內工藝均勻性的方法和裝置與流程

2023-05-25 20:31:16

相關申請的交叉引用

本申請要求於2016年3月24日提交的美國臨時申請no.62/312,638的權益。上述申請的全部公開內容通過引用併入本文。

本公開涉及襯底處理，更具體地涉及用於控制工藝材料分布的系統和方法。

背景技術：

這裡提供的背景描述是為了一般地呈現本公開的背景的目的。在該背景技術部分以及在提交時不會以其他方式認為是現有技術的描述的方面中描述的程度上，目前署名的發明人的工作既不明確地也不隱含地被承認為針對本公開的現有技術。

襯底處理系統可用於蝕刻襯底(例如半導體晶片)上的膜。襯底處理系統通常包括處理室、氣體分配裝置和襯底支撐件。在處理期間，襯底被布置在襯底支撐件上。可以將不同的氣體混合物引入到處理室中，並且射頻(rf)等離子體可以用於激活化學反應。

氣體分配裝置(例如，噴頭)布置在襯底支撐件的上方，在氣體分配裝置和襯底之間具有固定的間隙。氣體分配裝置在各種工藝步驟期間將化學反應物分布在襯底的表面上。

技術實現要素：

襯底處理系統包括氣體分配裝置，所述氣體分配裝置布置成將工藝氣體分配在布置在具有上室區域和下室區域的襯底處理室中的襯底的表面上。襯底支撐件布置在所述襯底處理室的所述下室區域中，位於所述氣體分配裝置下方。圈布置在所述襯底處理室的所述下室區域，位於所述氣體分配裝置下方且在所述襯底支撐件上方。所述圈設置成圍繞所述氣體分配裝置的面板和在所述氣體分配裝置與所述襯底支撐件之間的區域，並且在所述襯底支撐件和所述圈之間限定間隙。

具體而言，本發明的一些方面可以闡述如下：

1.一種襯底處理系統，其包括：

氣體分配裝置，其被布置成將工藝氣體分配在布置在具有上室區域和下室區域的襯底處理室中的襯底的表面上；

襯底支撐件，其被布置在所述襯底處理室的在所述氣體分配裝置下方的所述下室區域中；以及

圈，其被布置在所述襯底處理室的所述下室區域內，位於所述氣體分配裝置下方且在所述襯底支撐件上方，其中所述圈被布置成圍繞(i)所述氣體分配裝置的面板和(ii)所述氣體分配裝置和所述襯底支撐件之間的區域，並且其中在所述襯底支撐件和所述圈之間限定間隙。

2.根據條款1所述的襯底處理系統，其中所述圈被配置為被選擇性地升高和降低。

3.根據條款2所述的襯底處理系統，其中所述圈包括內圈和外圈。

4.根據條款3所述的襯底處理系統，其中所述內圈和所述外圈被配置為被獨立地升高和降低。

5.根據條款2所述的襯底處理系統，其還包括控制器，所述控制器選擇性地控制致動器以升高和降低所述圈。

6.根據條款5所述的襯底處理系統，其中所述控制器選擇性地升高和降低所述圈以調節所述圈相對於所述處理室的上表面的高度。

7.根據條款5所述的襯底處理系統，其中所述控制器選擇性地升高和降低所述圈以調節所述圈的下邊緣和所述襯底的上表面之間的距離。

8.根據條款5所述的襯底處理系統，其中所述控制器基於在所述襯底處理系統中使用的選定的配方而選擇性地升高和降低所述圈。

9.根據條款1所述的襯底處理系統，其中所述襯底支撐件被配置為被升高和降低。

10.根據條款9所述的襯底處理系統，其還包括控制器，所述控制器選擇性地控制致動器以升高和降低襯底支撐件。

11.根據條款10所述的襯底處理系統，其中，所述控制器選擇性地升高和降低所述襯底支撐件，以調整限定在所述襯底支撐件和所述圈之間的間隙。

12.根據條款10所述的襯底處理系統，其中所述控制器基於在所述襯底處理系統中使用的選定的配方而選擇性地升高和降低所述襯底支撐件。

13.根據條款1所述的襯底處理系統，其中所述圈的直徑大於所述面板的直徑。

14.根據條款1所述的襯底處理系統，其還包括所述圈的下邊緣和所述襯底支撐件的上表面之間的間隙。

15.根據條款1所述的襯底處理系統，其中所述圈的高度為約0.8英寸。

從詳細描述、權利要求和附圖，本公開的其他適用領域將變得顯而易見。詳細描述和具體示例僅意圖用於說明的目的，並且不旨在限制本公開的範圍。

附圖說明

從詳細描述和附圖將更全面地理解本公開，其中：

圖1是沒有流動控制特徵(flow-controllingfeature)的示例性處理室；

圖2a示出了沒有流動控制特徵的處理室中的示例性流動分布(flowdistribution)；

圖2b示出了沒有流動控制特徵的處理室中的流動分布中的示例性不均勻百分比；

圖3a、3b和3c示出了沒有流動控制特徵的處理室中的流動模式(flowpattern)；

圖4是根據本公開的包括流動控制特徵的示例性處理室的功能框圖；

圖5是根據本公開的包括流動控制特徵的示例性處理室；

圖6a示出了根據本公開的包括流動控制特徵的處理室中的針對第一配方的示例性流動分布；

圖6b示出了根據本公開的包括流動控制特徵的處理室中的針對第一配方的流動分布中的示例性不均勻百分比；

圖7a示出了根據本公開的包括流動控制特徵的處理室中的針對第二配方的示例性流動分布；

圖7b示出了根據本公開的包括流動控制特徵的處理室中的針對第二配方的流動分布中的示例性不均勻百分比；

圖8a示出了根據本公開的包括流動控制特徵的處理室中的針對第三配方的示例性流動分布；

圖8b示出了包括根據本公開的流動控制特徵的處理室中的針對第三配方的流動分布中的示例性不均勻百分比；

圖9a和9b示出了根據本公開的包括可調節環形圈(annularring)的示例性襯底處理室；以及

圖10示出了根據本公開的示例性襯底處理方法的步驟。

在附圖中，附圖標記可以重複使用以標識相似和/或相同的元件。

具體實施方式

襯底處理系統中的氣體分配裝置(例如，噴頭)在襯底的表面上分配化學反應物(例如氣體)。襯底布置在氣體分配裝置下方的襯底支撐件上。通常，氣體分配裝置包括具有多個開口或孔的面板，以用於分配從面板上方提供的氣體。氣體分配受各種因素影響，各種因素包括但不限於：開口的尺寸和密度、面板上方的流動均勻性、正被提供的工藝氣體混合物、氣體流量(如流速)等。

氣體在襯底上的均勻分布顯著影響正在進行的工藝步驟的精度和效率。因此，可以實施各種特徵以控制氣體的分布，從而改善處理。在一些示例中，面板可以是可互換的。例如，針對特定的處理，可以選擇並安裝具有期望的孔圖案、孔尺寸等的面板。然而，在處理和/或處理步驟之間更換面板可能會導致生產率的下降、延長的停機時間、增加的維護和清潔等。

根據本公開的原理的系統和方法在處理室內在面板下方提供流動控制特徵(例如，環形圈或其他屏障)，並且選擇性地調整襯底支撐件的高度以控制襯底的上表面與流動控制特徵之間的有效間隙。儘管這裡描述為環形圈，但是流動控制特徵可以具有其它合適的形狀。

現在參考圖1，示例性襯底處理室10包括氣體分配裝置(諸如噴頭14)。噴頭14經由入口18接收一種或多種氣體，並將氣體分配到包括襯底(例如晶片)22的反應體積中。噴頭14經由面板26分配氣體。氣體可以經由出口30從室10排出。如圖所示，噴頭14不包括根據本公開的原理的流動控制特徵。

圖2a示出了在襯底處理室10中提供的相應配方的在襯底22的表面上方大約0.1英寸處的不同流動分布(例如，表示為由平均速度歸一化的局部速度)。速度隨著距襯底22的中心的徑向距離的增加(例如，從0到150mm)而變化。對應於n2o+o2+cf4的配方的流動分布示於34，對應於cf4和h2+nf3的配方的流動分布示於38。對於34，在襯底22的中心處的流速相對較高，而然後在襯底22的邊緣處的流速急劇下降。相反，對於38，在襯底的內部區域中的流速相對均勻，在距中心約120mm處增加到峰值，然後在襯底22的邊緣處急劇下降。因此，流動分布顯示為因工藝配方的不同而變化。圖2b示出了針對各配方的流動分布中的不均勻百分比(nu(％))。

圖3a、3b和3c示出了各個配方的流動模式。n2o+o2+cf4的流動模式42包括噴頭14內的死區(deadzone)。這些死區防礙氣體在噴淋頭14內均勻地擴散，並因此幹擾來自面板26的均勻分布。相反，cf4和h2+nf3的流動模式44和48分別僅包括入口18下方的相對小的死區。因此，流動模式44和48在噴頭14內相對均勻。

現在參考圖4，示出了根據本公開的用於蝕刻襯底的層(僅作為示例，鎢或w層)的襯底處理室100的示例。雖然示出和描述了特定的襯底處理室，但是本文描述的方法可以在其他類型的襯底處理系統上實現。

襯底處理室100包括下室區域102和上室區域104。下室區域102由室側壁表面108、室底表面110和氣體分配裝置114的下表面限定。

上室區域104由氣體分配裝置114的上表面和圓頂118的內表面限定。在一些示例中，圓頂118擱置在第一環形支撐件121上。在一些示例中，第一環形支撐件121包括用於將工藝氣體輸送到上室區域104的一個或多個間隔開的孔123，如下面將進一步描述的。在一些示例中，工藝氣體通過一個或多個間隔開的孔123以相對於包括氣體分配裝置114的平面成銳角的向上方向輸送，但也可以使用其它角度/方向。在一些示例中，第一環形支撐件121中的氣體流動通道134向一個或多個間隔開的孔123供應氣體。

第一環形支撐件121可以擱置在第二環形支撐件125上，第二環形支撐件125限定用於將工藝氣體從氣體流動通道129輸送到下室區域102的一個或多個間隔開的孔127。在一些示例中，氣體分配裝置114中的孔131與孔127對準。在其他示例中，氣體分配裝置114具有較小的直徑，並且不需要孔131。在一些示例中，工藝氣體通過一個或多個間隔開的孔127以相對於包括氣體分配裝置114的平面成銳角的朝向襯底的向下方向輸送，但也可以使用其它角度/方向。

在其他示例中，上室區域104是具有平坦頂表面的圓筒形，並且可以使用一個或多個平坦的感應線圈。在其他示例中，單個室可以與位於噴頭和襯底支撐件之間的間隔件(spacer)一起使用。

襯底支撐件122布置在下室區域102中。在一些示例中，襯底支撐件122包括靜電卡盤(esc)，但是可以使用其他類型的襯底支撐件。在蝕刻期間，襯底126布置在襯底支撐件122的上表面上。在一些示例中，襯底126的溫度可以由加熱板132、具有流體通道的可選冷卻板、以及一個或多個傳感器(未示出)和/或任何其他合適的襯底支撐件溫度控制系統和方法來控制。

在一些示例中，氣體分配裝置114包括噴頭(例如，具有多個間隔開的孔133的板128)。多個間隔開的孔133從板128的上表面延伸到板128的下表面。在一些示例中，間隔開的孔133具有在0.4」至0.75」範圍內的直徑，並且噴頭由導電材料(諸如鋁)或具有由導電材料製成的嵌入電極的非導電材料(諸如陶瓷)製造。

一個或多個感應線圈140圍繞圓頂118的外部部分布置。當通電時，一個或多個感應線圈140在圓頂118內部產生電磁場。在一些示例中，使用上線圈和下線圈。氣體注射器142從氣體輸送系統150-1注射一種或多種氣體混合物。

在一些示例中，氣體輸送系統150-1包括一個或多個氣體源152、一個或多個閥154、一個或多個質量流動控制器(mfc)156、和混合歧管158，但是可以使用其它類型的氣體輸送系統。氣體分流器(未示出)可以用於改變氣體混合物的流速。(除了來自氣體注射器142的蝕刻氣體或者代替來自氣體注射器142的蝕刻氣體)還可以使用另一氣體輸送系統150-2來向氣體流動通道129和/或134供應蝕刻氣體或蝕刻氣體混合物。

在於2015年12月4日提交的名稱為「gasdeliverysystem」的共同轉讓的美國專利申請序列no.14/945,680中示出並描述了合適的氣體輸送系統，其全部內容通過引用併入本文。在於2016年1月7日提交的名稱為「substrateprocessingsystemwithmultipleinjectionpointsanddualinjector」的共同轉讓的美國臨時專利申請序列no.62/275,837中示出和描述了合適的單氣體注射器或雙氣體注射器和其它氣體注射位置，其全部內容通過引用併入本文。

在一些示例中，氣體注射器142包括沿向下方向引導氣體的中心注射位置和以相對於向下方向成角度注射氣體的一個或多個側注射位置。在一些示例中，氣體輸送系統150-1將氣體混合物的第一部分以第一流速輸送到中心注射位置，以及將氣體混合物的第二部分以第二流速輸送到氣體注射器142的一個或多個側注射位置。在其他示例中，由氣體注射器142輸送不同的氣體混合物。在一些示例中，氣體輸送系統150-1將調諧氣體輸送到氣體流動通道129和134和/或輸送到處理室中的其它位置，如在下面將描述的。

等離子體發生器170可以用於產生輸出到一個或多個感應線圈140的rf功率。等離子體190在上室區域104中產生。在一些示例中，等離子體發生器170包括rf發生器172和匹配網絡174。匹配網絡174將rf發生器172的阻抗與一個或多個感應線圈140的阻抗匹配。在一些示例中，氣體分配裝置114連接到諸如地之類的參考電位。閥178和泵180可以用於控制下室區域102和上室區域104內部的壓力並且用於抽空反應物。

控制器176與氣體輸送系統150-1和150-2、閥178、泵180和/或等離子體發生器170連通，以控制工藝氣體的流動、吹掃氣體、rf等離子體和室壓力。在一些示例中，通過一個或多個感應線圈140在圓頂118內維持等離子體。使用氣體注射器142(和/或孔123)從室的頂部引入一種或多種氣體混合物，並且使用氣體分配裝置114將等離子體限制在圓頂118內。

將等離子體限制在圓頂118內使得等離子體物質和通過氣體分配裝置114流出的所需蝕刻劑物質能夠體積複合(volumerecombination)。在一些示例中，沒有rf偏置施加到襯底126。結果，在襯底126上不存在活性鞘，並且離子不以任何有限的能量撞擊襯底。某些數量的離子將通過氣體分配裝置114擴散出等離子體區域。然而，擴散的等離子體的量的數量級比位於圓頂118內部的等離子體低。等離子體中的大多數離子在高壓下通過體積複合而損失。氣體分配裝置114的上表面處的表面複合損失也降低氣體分配裝置114下方的離子密度。

在其他示例中，提供rf偏置發生器184，並且rf偏置發生器184包括rf發生器186和匹配網絡188。rf偏置可以用於在氣體分配裝置114和襯底支撐件之間產生等離子體，或者在襯底126上產生自偏置以吸引離子。控制器176可以用於控制rf偏置。

根據本公開的原理的襯底處理室100包括流動控制特徵(諸如環形圈192)。可以調節圈192的特性(例如，直徑、高度等)以及襯底126距氣體分配裝置114的距離，以控制各種配方的流動分布。在一個示例中，可以為所需的配方選擇並安裝特定的圈192。在其他示例中，可以調節圈192的直徑和/或高度，如下更詳細地描述的。此外，襯底支撐件122可以被配置為選擇性地升高和降低。

現在參考圖5，根據本公開原理的示例性襯底處理室200包括氣體分配裝置(諸如噴頭204)。噴頭204經由入口208接收一種或多種氣體，並將氣體分配到包括襯底(例如，晶片)212的反應體積中。噴頭204經由面板216分配氣體。氣體可以經由出口220從室200排出。室200包括環形圈224，環形圈224具有高度h(對應於從面板216到圈224的底部邊緣的距離)和距離d(對應於離襯底212和圈224的中心的徑向距離)。在一些示例中，響應於控制器232的致動器228可以用於選擇性地升高和降低襯底支撐件236。以這種方式，襯底支撐件236的高度可以被調節以控制襯底212的上表面和圈224之間的有效間隙。例如，有效間隙可以根據參數(例如，處理室化學物質和流速、襯底特性、其它室特性(例如溫度)等)而變化。

圖6a示出了包括圈224的襯底處理室200中的示例配方(例如，n2o+o2+cf4)的不同流動分布(例如，表示為由平均速度歸一化的局部速度)。流動分布對應於具有相同直徑和距離d但具有從0.0英寸(即等效於無圈)調節至1.5英寸的高度h的圈。流動分布228、232、236、240和244分別對應於0.0英寸、0.8英寸、1.0英寸、1.2英寸和1.5英寸的圈高度。圖6b示出了針對環形圈224的不同高度的流動分布中的不均勻百分比(nu(％))。因此，如圖所示，對於這個示例配方，0.8英寸的圈高度對應於最均勻的流動分布和最低的nu(％)。

圖7a示出了包括圈224的襯底處理室200中的另一示例配方(例如，cf4)的不同流動分布(例如，表示為由平均速度歸一化的局部速度)。流動分布對應於具有相同的直徑和距離d但是具有從0.0英寸(即相當於無圈)調節到1.5英寸的高度h的圈。流動分布248、252、256、260和264分別對應於0.0英寸、0.8英寸、1.0英寸、1.2英寸和1.5英寸的圈高度。圖7b示出了針對環形圈224的不同高度的流動分布中的不均勻百分比(nu(％))。因此，如圖所示，對於這個示例配方，0.8英寸的圈高度對應於最均勻的流動分布和最低的nu(％)。

圖8a示出了包括圈224的襯底處理室200中的另一示例配方(例如，h2+nf3)的不同流動分布(例如，表示為由平均速度歸一化的局部速度)。流動分布對應於具有相同的直徑和距離d但是具有從0.0英寸(即相當於無圈)調節到1.5英寸的高度h的圈。流動分布268、272、276、280和284分別對應於0.0英寸、0.8英寸、1.0英寸、1.2英寸和1.5英寸的圈高度。圖8b示出了針對環形圈224的不同高度的流動分布中的不均勻百分比(nu(％))。因此，如圖所示，對於這個示例配方，0.8英寸的圈高度對應於最均勻的流動分布以及最低的nu(％)。

因此，如圖6、圖7和圖8所示，可以通過結合環形圈224並調節圈224的高度來控制襯底212的表面上的流動分布。流動分布的附加調整可以通過(例如，在其中諸如esc之類的襯底支撐件被配置為升高和降低的示例中)調整襯底支撐件的高度來執行。在一些示例中，圈224具有約0.8英寸或20mm(例如，在0.7和0.9英寸之間、或在18和23mm之間)的高度。

圖9a和9b分別示出了包括可調節環形圈304和308的示例性襯底處理室300的部分。圈304和308可以被構造成相對於襯底支撐件312在豎直方向上升高和降低。例如，室300的上表面316可以包括布置成接收圈304和308的孔(例如，環形槽)320。

如圖9a所示，致動器324被布置成(例如，響應於從控制器328接收的控制信號而)選擇性地升高和降低圈304。例如，致動器324將圈304從室300升高到槽320中以降低圈304的高度。相反，致動器324將圈304經由槽320降低到室300中，以增加圈304的高度。

如圖9b所示，圈308包括多個圈，僅作為示例，內圈332和外圈336。相應致動器340和344被布置成(例如，響應於從控制器328接收的控制信號而)選擇性地升高和降低圈332和336。例如，當外圈336升高(例如使得外圈336的下邊緣與上表面316齊平)時，內圈332可以下降到室300中。在這種布置中，圈308具有第一直徑。相反，當外圈336下降到室300中時，內圈332可以升高。在這種布置中，圈308具有大於第一直徑的第二直徑。因此，可以選擇性地調節圈308的高度和直徑。

控制器328可以根據選擇的配方、處理步驟、從用戶得到的輸入等選擇性地升高和降低圈304和308。例如，控制器328可以存儲通過期望的圈高度和/或直徑索引各種配方、工藝、步驟等數據(例如，查找表)。因此，當選定特定配方時，控制器328根據所選配方的期望高度和/或直徑有選擇地升高和降低圈304和308。

現在參考圖10，根據本公開的示例性襯底處理方法400從404開始。在408處，襯底被布置在襯底處理室中的襯底支撐件上。在412處，方法400調節襯底和圍繞室中的氣體分配裝置布置的圈(例如圈224、圈304等)之間的有效間隙。例如，控制器(例如，控制器232)根據要在襯底上執行的所選配方或配方步驟來調整襯底支撐件236的高度以獲得第一有效間隙。在其他示例中，控制器328調整圈304的高度以獲得第一有效間隙。在416，方法400根據所選擇的配方或配方步驟開始處理襯底。

在420，方法400確定是否調整有效間隙。例如，控制器232或328可以基於配方、改變襯底處理室內的條件、用戶輸入等來確定是否分別調整襯底支撐件236或圈304的高度以獲得第二有效間隙。如果為真，則方法400繼續到424。如果為假，則方法400繼續到428。在424，方法400將有效間隙調整到第二有效間隙並繼續到416。

在428，方法400確定襯底的處理是否完成。如果為真，方法400以432結束。如果為假，則方法400繼續到420。

前面的描述本質上僅僅是說明性的，並且絕不旨在限制本公開、其應用或用途。本公開的廣泛教導可以以各種形式實現。因此，雖然本公開包括特定示例，但是本公開的真實範圍不應當被如此限制，因為在研究附圖、說明書和所附權利要求時，其他修改將變得顯而易見。應當理解，在不改變本公開的原理的情況下，方法中的一個或多個步驟可以以不同的順序(或同時地)執行。此外，雖然每個實施方式在上面被描述為具有某些特徵，但是相對於本公開的任何實施方式描述的那些特徵中的任何一個或多個，可以在任何其它實施方式的特徵中實現和/或與任何其它實施方式的特徵組合，即使該組合沒有明確描述。換句話說，所描述的實施方式不是相互排斥的，並且一個或多個實施方式彼此的置換保持在本公開的範圍內。

使用各種術語來描述元件之間(例如，模塊之間、電路元件之間、半導體層之間等)的空間和功能關係，各種術語包括「連接」、「接合」、「耦合」、「相鄰」、「緊挨」、「在...頂部」、「在...上方」、「在...下方」和「設置」。在上述公開中描述這種關係時，除非將第一和第二元件之間的關係明確地描述為「直接」，否則該關係可以是直接關係，其中在第一和第二元件之間不存在其它中間元件，但是也可以是間接關係，其中在第一和第二元件之間(在空間上或功能上)存在一個或多個中間元件。如本文所使用的，短語「a、b和c中的至少一個」應當被解釋為意味著使用非排他性邏輯或(or)的邏輯(a或b或c)，並且不應被解釋為表示「a中的至少一個、b中的至少一個和c中的至少一個」。

在一些實現方式中，控制器是系統的一部分，該系統可以是上述示例的一部分。這樣的系統可以包括半導體處理設備，半導體處理設備包括一個或多個處理工具、一個或多個室、用於處理的一個或多個平臺、和/或特定處理部件(晶片基座、氣體流系統等)。這些系統可以與用於在半導體晶片或襯底的處理之前、期間和之後控制它們的操作的電子器件集成。電子器件可以被稱為「控制器」，其可以控制一個或多個系統的各種部件或子部件。根據處理要求和/或系統類型，控制器可以被編程以控制本文公開的任何工藝，任何工藝包括工藝氣體的輸送、溫度設置(例如加熱和/或冷卻)、壓力設置、真空設置、功率設置、射頻(rf)發生器設置、rf匹配電路設置、頻率設置、流率設置、流體輸送設置、位置和操作設置、進出工具和其他輸送工具和/或連接到特定系統或與特定系統接口的裝載鎖的晶片輸送。

概括地說，控制器可以定義為電子器件，電子器件具有接收指令、發出指令、控制操作、啟用清潔操作、啟用終點測量等的各種集成電路、邏輯、存儲器和/或軟體。集成電路可以包括存儲程序指令的固件形式的晶片、數位訊號處理器(dsp)、定義為專用集成電路(asic)的晶片、和/或一個或多個微處理器、或執行程序指令(例如，軟體)的微控制器。程序指令可以是以各種單獨設置(或程序文件)的形式輸送到控制器的指令，單獨設置(或程序文件)定義用於在半導體晶片上或針對半導體晶片或系統執行特定工藝的操作參數。在一些實施方式中，操作參數可以是由工藝工程師定義的配方的一部分，以在一或多個(種)層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路和/或晶片的管芯的製造期間完成一個或多個處理步驟。

在一些實現方式中，控制器可以是與系統集成、耦合到系統、以其它方式聯網到系統或其組合的計算機的一部分或耦合到該計算機。例如，控制器可以在「雲」中或在晶片廠(fab)主機系統的全部或一部分中，其可以允許對晶片處理的遠程訪問。計算機可以實現對系統的遠程訪問以監視製造操作的當前進展、檢查過去製造操作的歷史、從多個製造操作研究趨勢或性能度量，以改變當前處理的參數、設置要跟隨當前處理的處理步驟、或者開始新的處理。在一些示例中，遠程計算機(例如伺服器)可以通過網絡(其可以包括本地網絡或網際網路)向系統提供工藝配方。遠程計算機可以包括使得能夠輸入或編程參數和/或設置的用戶接口，然後將該參數和/或設置從遠程計算機輸送到系統。在一些示例中，控制器接收數據形式的指令，其指定在一個或多個操作期間要執行的每個處理步驟的參數。應當理解，參數可以特定於要執行的工藝的類型和工具的類型，控制器被配置為與該工具接口或控制該工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通過包括聯網在一起並朝著共同目的(例如本文所述的工藝和控制)工作的一個或多個離散控制器而呈分布式。用於這種目的的分布式控制器的示例是在與遠程(例如在平臺級或作為遠程計算機的一部分)定位的一個或多個集成電路通信的室上的一個或多個集成電路，其組合以控制在室上的工藝。

示例系統可以包括但不限於：等離子體蝕刻室或模塊、沉積室或模塊、旋轉漂洗室或模塊、金屬電鍍室或模塊、清潔室或模塊、倒角邊緣蝕刻室或模塊、物理氣相沉積(pvd)室或模塊、化學氣相沉積(cvd)室或模塊、原子層沉積(ald)室或模塊、原子層蝕刻(ale)室或模塊、離子注入室或模塊、軌道室或模塊、以及可以與半導體晶片的製造和/或製備相關聯或用於半導體晶片的製造和/或製備的任何其它半導體處理系統。

如上所述，根據將由工具執行的一個或多個處理步驟，控制器可以與一個或多個其他工具電路或模塊、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相鄰工具、鄰近工具、位於整個工廠中的工具、主計算機、另一控制器、或在將晶片容器往返半導體製造工廠中的工具位置和/或裝載口運輸的材料運輸中使用的工具通信。