各向異性導電構件的製作方法

2023-05-25 13:06:26

專利名稱：各向異性導電構件的製作方法
技術領域：
本發明涉及各向異性導電構件。
背景技術：
當將各向異性導電構件插入電子部件如半導體器件和電路板之間，然後僅使其受至IJ壓カ作用時，各向異性導電構件能夠在電子部件和電路板之間提供電連接。因此，這種構件被廣泛地用作例如半導體器件和其他電子部件中的電連接構件，以及當進行功能檢查時作為檢查連接器。尤其是，由於用於半導體器件等的電連接構件中出現的顯著程度的微型化，在傳統技術如包括互連基板的直接連接的引線結合法中進ー步減小配線直徑變得困難。
這個情況在近年來引起了對於以下類型的各向異性導電構件的關注其中導電元件陣列完全貫通絕緣材料膜的類型，或者其中將金屬球排列在絕緣材料膜中的類型。已經使用用於半導體器件等的檢查連接器以避免在以下情況下發生的巨大經濟損失當在把電子部件如半導體器件安裝在電路板上之後進行的功能檢查時，發現電子部件有缺陷，並將電路板與電子部件一起丟棄。S卩，通過在類似於安裝和進行功能檢查中使用的那些位置，使電子部件如半導體器件與電路板通過各向異性導電構件進行電接觸，可以在不將電子部件安裝在電路板上的情況下進行功能檢查，從而能夠避免上述問題。提出了 JP 2008-270158 A中描述的各向異性導電構件以解決以上問題。

發明內容
另ー方面，隨著在近年來對於電子器件的小型化和更高功能化的需求增加，已將電子部件和電路板以更高密度形成並將其製造的更薄。更具體地，現在使用線寬至多5μπι並且線間距至多5 μ m的微細電路。為了能夠適應這樣的電子部件和電路板，產生以下需求將各向異性導電構件中導電通路的外徑(厚度)做的更小，並且不帶有任何缺陷地以更窄的節距均勻地排列導電通路。在這種情況下，本發明的發明人對於JP 2008-270158 A中描述的各向異性導電構件進行了研究，並且發現絕緣基材的一部分可能具有未形成導電通路的區域(缺陷區)。如果即使在絕緣基材的一部分中形成了這種缺陷區，例如，當將近來出現的具有微細互連的電路板與各向異性導電構件接觸時，可能會出現在電路板上的互連與各向異性導電構件的導電通路之間未形成接觸的區域，招致電阻率上的増加從而導致所謂的互連缺陷。從而，各向異性導電構件在所希望的用途如電連接構件和檢查連接器上的應用受到限制。因此，本發明的目標是提供這樣的各向異性導電構件其顯著地増加所設置的導電通路的密度，抑制不具有導電通路的區域的形成，並且即使在已經實現了更高程度的集成化的今天，也可以用作用於電子部件如半導體器件的電連接構件或檢查連接器。
為達成以上目標，本發明的發明人已經進行了深入研究，並且作為結果發現可以通過使用以下各向異性導電構件達成這個目標，所述各向異性導電構件由以預定密度含有預定尺寸的金屬間化合物的鋁基板製造。從而完成了本發明。具體地，本發明提供以下⑴至⑶。(I) ー種各向異性導電構件，所述各向異性導電構件包括絕緣基材，所述絕緣基材具有貫通微孔和多個導電通路，所述導電通路通過用導電材料填充所述貫通微孔形成， 彼此絕緣，並且在所述絕緣基材的厚度方向上貫通所述絕緣基材，所述導電通路的每ー個的一端暴露在所述絕緣基材的ー側上，所述導電通路的每ー個的另一端暴露在所述絕緣基材的另ー側上，其中所述絕緣基材是由鋁基板獲得的陽極氧化膜，並且所述鋁基板以至多100pcs/mm2的密度含有平均等價圓直徑至多2μηι的金屬間化合物。(2)根據⑴所述的各向異性導電構件，其中所述導電通路以至少lX107pCS/mm2的密度形成。(3)根據⑴或⑵所述的各向異性導電構件，其中所述導電通路具有5至500nm
的直徑。(4)根據⑴至(3)中的任一項所述的各向異性導電構件，其中所述絕緣基材具有I至1，000 μ m的厚度。(5)根據⑴至(4)中的任一項所述的各向異性導電構件，其中所述鋁基板具有至多O. I μ m的算術平均粗糙度Ra。(6) 一種各向異性導電構件製造方法，所述方法用於製造根據⑴至(5)中的任一項所述的各向異性導電構件，所述方法至少包括陽極氧化處理步驟，其中將鋁基板陽極氧化；貫通處理步驟，其中在所述陽極氧化處理步驟之後，使通過陽極氧化形成的微孔貫通以獲得絕緣基材；以及填充步驟，其中在所述貫通處理步驟之後，將導電材料填充至所得到的絕緣基材中的貫通微孔中以獲得所述各向異性導電構件。(7)根據(6)所述的各向異性導電構件製造方法，所述方法在所述填充步驟之後還包括表面平面化步驟，其中通過化學機械拋光將頂表面和背表面平面化。(8)根據(6)或(7)所述的各向異性導電構件製造方法，所述方法在所述填充步驟之後還包括修整步驟。本發明可以提供這樣的各向異性導電構件其顯著地増加所設置的導電通路的密度，抑制不具有導電通路的區域的形成，並且即使在已經實現更高程度的集成化的今天，也可以用作用於電子部件如半導體器件的電連接構件或檢查連接器。


圖IA和IB是示出本發明的各向異性導電構件的優選實施方案的簡略圖。圖2A和2B是說明用於計算微孔有序度的方法的圖。圖3A至3D是用於說明本發明的製造方法中的陽極氧化處理的示意性端視圖。圖4A至4D是用於說明本發明的製造方法中的填充處理和其它處理的示意性端視圖。圖5是說明如何計算貫通微孔的密度的圖。圖6A是說明在實施例中用於測量各向異性導電構件的電阻率的裝置的橫截面視圖，並且圖6B是各向異性導電構件的俯視圖。
具體實施例方式以下描述本發明的各向異性導電構件。在本發明的各向異性導電構件中，在由鋁基板獲得的絕緣基材中的貫通微孔中形成導電通路，所述鋁基板含有預定量的預定尺寸金屬間化合物。具有以上特徵的鋁基板的使用使得絕緣基材中的貫通微孔具有更直的管狀外形同時抑制在貫通微孔中不形成導電通路的區域的出現。從而，所獲得的各向異性導電構件可以具有更少的無導電通路區域並且展現出低電阻率。 另ー方面，當鋁基板中金屬間化合物的尺寸或密度在預定範圍之外，妨礙含有金屬間化合物的部分中貫通微孔的形成，或者即使形成了微孔在微孔中也不形成導電通路。接下來，參考圖IA和IB描述本發明的各向異性導電構件。圖IA和圖IB是示出了本發明的各向異性導電構件的優選實施方案的簡略圖；圖IA是前視圖並且圖IB是沿圖IA的線IB-IB所取的橫截面圖。本發明的各向異性導電構件I包括絕緣基材2和多個由導電材料製造的導電通路3。導電通路3以互相絕緣的狀態貫穿絕緣基材2，並且導電通路3的軸向長度等於或大於絕緣基材2在厚度方向Z上的長度(厚度)。按以下方式形成每個導電通路3 :—端在絕緣基材2的ー側暴露並且另一端在其另ー側暴露。然而，每個導電通路3優選按以下方式形成如圖IB中所示，一端從絕緣基材2的表面2a突出並且另一端從絕緣基材2的表面2b突出。換言之，每個導電通路3的兩端優選具有分別從絕緣基材的主表面2a和2b突出的突出部4a和4b。此外，每個導電通路3優選按以下方式形成至少絕緣基材2內的部分(在下文也稱作「基材內的導電部分5」)基本上平行於(在圖IB中平行幹)絕緣基材2的厚度方向Z。更具體地，每個導電通路的中心線長度與絕緣基材的厚度之比(長度/厚度)優選為
I.O至I. 2並且更優選I. O至I. 05。接下來，描述絕緣基材和導電通路的材料和尺寸及其形成方法。構成本發明的各向異性導電構件的絕緣基材包含由鋁基板獲得的帶貫通微孔的陽極氧化膜。換言之，該絕緣基材包含通過陽極氧化鋁基板獲得的氧化鋁膜。在本發明中，為了在電傳導部分的平面方向更可靠地確保絕緣性質，貫通微孔具有優選至少50%、更優選至少70%並且再更優選至少80%的如通過式(i)所定義的有序度有序度(％) = B/AX100 ⑴(其中A表示測量區域中貫通微孔的總數，並且B表示測量區域中特定貫通微孔的數目，對於所述特定微孔，當繪製圓使得該圓的圓心位於特定貫通微孔的重心，且使得該圓具有與另ー個貫通微孔的邊緣相內切的最小半徑時，所述圓包含除所述特定貫通微孔以外的六個貫通微孔的重心。)圖2A和2B是說明用於計算貫通微孔的有序度的方法的圖。下面參考圖2A和2B更完整地說明上式(i)。在圖2A中所示的第一貫通微孔101的情況下，當繪製圓103使得該圓的圓心位於第一貫通微孔101的重心，且使得該圓具有與另ー個貫通微孔的邊緣相內切(與第二貫通微孔102相內切)的最小半徑吋，圓103的內部包含除第一貫通微孔101以外的六個貫通微孔的重心。因此，B中包括第一貫通微孔101。
在圖2B中所示的第一貫通微孔104的情況下，當繪製圓106使得該圓的圓心位於第一貫通微孔104的重心，且使得該圓具有與另ー個貫通微孔的邊緣相內切(與第二貫通微孔105相內切)的最小半徑吋，圓106的內部包含除第一貫通微孔104以外的五個貫通微孔的重心。因此，B中不包括第一貫通微孔104。在圖2B中所示的第一貫通微孔107的情況下，當繪製圓109使得該圓的圓心位於第一貫通微孔107的重心，且使得該圓具有與另ー個貫通微孔的邊緣相內切(與第二貫通微孔108相內切)的最小半徑吋，圓109的內部包含除第一貫通微孔107以外的七個貫通微孔的重心。因此，B中不包括第一貫通微孔107。為使後面描述的導電通路可以具有直管狀結構，貫通微孔優選不具有分支結構。換言之，陽極氧化膜的ー個表面的每單位面積貫通微孔數(A)與陽極氧化膜的另ー個表面的每單位面積貫通微孔數(B)之比(A/B)為優選O. 90至I. 10，更優選O. 95至I. 05並且最優選O. 98至I. 02。在本發明的實施中，絕緣基材優選具有I至1，000 μ m，更優選5至500 μ m並且再更優選10至300 μ m的厚度(如圖IB中的附圖標記6所示)。絕緣基材的厚度在上述範圍內時,絕緣基材可以被容易地處理。在本發明的實施中，絕緣基材中相鄰導電通路之間的寬度(圖IB中通過附圖標記7表示的部分)優選為至少IOnm,更優選20至200nm。絕緣基材的相鄰導電通路之間的寬度在上述範圍之內時，絕緣基材可以充分發揮絕緣屏蔽的作用。在本發明中，在傳導電阻和雜質混入的抑制方面優選在絕緣基材中至少95%的貫通微孔中形成導電通路。導電通路的形成率更優選為至少98%。雖然對於上限沒有特別限定，導電通路的形成率最優選為100%。導電通路的形成率是指絕緣基材中形成了導電通路的貫通微孔的比例。更具體地，導電通路的形成率由該式表示絕緣基材中形成了導電通路的貫通微孔/在導電通路的形成之前貫通微孔的總數。通過以下方式獲得導電通路的形成率):用FE-SEM觀察各向異性導電構件的頂表面和背表面，對於頂表面和背表面測定視野中形成了導電通路的貫通微孔數與貫通微孔的總數之比(填充有導電材料的貫通微孔數/貫通微孔的總數)並平均所測得的比例。[由鋁基板獲得的陽極氧化膜]在本發明的實施中，絕緣基材是由鋁基板獲得的陽極氧化膜並且可以通過以下方法獲得陽極氧化鋁基板並貫通通過陽極氧化形成的微孔。在後面提及的本發明的各向異性導電構件製造方法中將詳細描述陽極氧化處理步驟和貫通處理步驟。
微孔是指在陽極氧化處理過程中在鋁板上形成的並且不完全貫穿該膜的孔。將作為稍後描述的貫通處理步驟的結果製造的完全貫穿該膜的孔稱作貫通微孔。(鋁基板)在本發明中使用的鋁基板以至多100pcs/mm2的密度含有金屬間化合物。如上所述，使用具有上述特性的鋁基板可以獲得這樣各向異性導電構件其中在絕緣基材的貫通微孔中以高比例形成導電通路。這裡使用的金屬間化合物是作為由ー些鋁合金成分形成的共晶化合物如FeAl3,FeAl6, a-AlFeSi, TiAl3和CuAl2在鋁合金中結晶的化合物，所述化合物在鋁中不進入固溶體中(招材料的基礎和エ業技術(The Fundamentals of Aluminum Materials andIndustrial Technology),日本招協會(Japan Aluminum Association),第 32 頁)。金屬間化合物通常是由兩種以上的金屬元素組成並且已知組成原子的比例不一定是化學計量比。
含有兩種以上金屬元素的示例性金屬間化合物包括含有兩種元素的那些如Al3Fe、Al6Fe、Mg2Si、MnAl6、TiAljPCuAl2 ;含有三種元素的那些如 a-AlFeSi 和 β-AlFeSi ；以及含有四種元素的那些如a-AlFeMnSi和β-AlFeMnSi。這些中，在進ー步提高貫通微孔中導電通路的形成率方面優選的是CuAl2和Al3Fe。在本發明的實施中，鋁基板中含有的金屬間化合物具有至多2μπι的平均等價圓直徑。在進ー步提高貫通微孔中導電通路的形成率方面，平均等價圓直徑為優選至多Iym並且更優選至多O. 5μπι。對於平均等價圓直徑的下限沒有特別限定並且優選為儘可能的小。在エ業製造條件下，平均等價圓直徑優選為至少0. I μ m。當平均等價圓直徑在上述範圍之外時(超過2 μ m)，出現絕緣基材中未形成貫通微孔或所形成的微孔未被導電材料填充的區域，限制了對於預定用途如具有窄節距的互連的應用。等價圓直徑是作為與SEM圖像中金屬間化合物粒子具有相同面積的圓的直徑計算的值。如下測量平均等價圓直徑首先，通過SEM(可得自JEOL Ltd.的7400F)，在反向散射電子成像模式下，在12kV的加速電壓和10，000X的觀察放大率下，在多個0. Imm2測量面積的視野中觀察鋁基板的表面和截面表面。測量至少100個金屬間化合物粒子的等價圓直徑並且計算測量的平均值以獲得平均等價圓直徑。金屬間化合物具有至多100pcs/mm2,更優選至多80pcs/mm2並且再更優選至多50pcs/mm2的密度。對於該密度的下限沒有特別的限定並且優選儘可能小並且更優選Opce/mm ο當金屬間化合物的密度在以上範圍之外時(超過100pcs/mm2)，出現在絕緣基材中未形成貫通微孔或形成的微孔未被導電材料填充的區域，導致所得到的各向異性導電構件的電阻率増加從而限制了對於預定用途的應用。如下測量金屬間化合物的密度首先，通過SEM(可得自JEOL Ltd.的7400F)，在反向散射電子成像模式下，在1，000X的觀察放大率下，在多個0. Imm2測量面積的視野中觀察鋁基板的表面和截面表面。基於觀測結果數出金屬間化合物粒子的數量以獲得密度。對於鋁基板的算木平均粗糙度Ra沒有特別的限定，並且因為可以形成未分枝的微孔以進ー步提高貫通微孔中導電通路的形成率同時進一歩降低所得到的各向異性導電構件的電阻率，優選為至多O. I μ m並且更優選至多O. 05 μ m。對於算木平均粗糙度Ra的下限沒有特別的限定並且優選儘可能小並且更優選為O可以通過例如SURFCOM(Tokyo Seimitsu Co.，Ltd.)測量鋁基板的算術平均粗糙度Ra。用於在本發明中使用的鋁基板可以是可商購的產品或通過預定方法製造。[製造鋁基板的方法]雖然對其製造方法沒有特別的限定，優選通過以下步驟製造鋁基板。(鋳造步驟)用於由鋁合金熔體形成鋁基板的步驟；(冷壓延步驟)用於減小鑄造步驟中獲得的鋁基板的厚度的步驟；(中間退火步驟)用於熱處理冷壓延步驟中獲得的鋁基板的步驟；以及(最終冷壓延步驟)用於在中間退火步驟之後減小鋁基板的厚度的步驟。下面詳細描述相應的步驟中所使用的材料和程序。[鋁合金熔體]通過以上製造方法製造的鋁基板優選由鋁合金熔體(以下也稱作「鋁熔體」)製備，所述鋁合金熔體至少含有鐵和矽，並且可以含有銅作為雜質的ー種。矽是在用作原材料的鋁錠中作為不可避免的雜質含有的ー種元素。通常有意加入非常少量的矽，以防止由於原材料的區別而帶來的變化。矽以鋁中的固溶體的狀態或者作為金屬間化合物或単獨的析出物存在。在本發明的實施中，鋁熔體優選以至多O. 01重量％，更優選至多O. 008重量％並且再更優選至多O. 002重量％的量含有矽。鐵增加鋁合金的機械強度，並且在強度上產生巨大影響，但是以較小的量進入鋁中的固溶體中，並且基本上作為金屬間化合物存在。在本發明的實施中，鋁熔體優選以O. 01至O. 03重量％的量含有鐵。銅非常容易進入固溶體中並且僅有部分銅作為金屬間化合物存在。在本發明中，鋁熔體優選以O. 001至O. 004重量％的量含有銅。為防止在鑄造過程中形成裂紋，鋁熔體可以包含具有晶粒細化作用的元素如鈦和硼，但是殘留的晶粒細化劑粒子可能妨礙陽極氧化膜的均勻生長。在本發明的實施中，鋁熔體可以例如以O. 001至O. 003重量％的量含有鈦。鋁熔體還可以以O. 001至O. 002重量％含有硼。鋁熔體的餘下部分是鋁和不可避免的雜質。這種雜質的實例包括鎂、錳、鋅、鉻、鋯、釩和鈹。鋁熔體可以以至多O. 001重量％的量含有這些雜質。大部分不可避免的雜質來源於鋁錠。如果不可避免的雜質是具有99. 999重量％的鋁純度的錠中存在的雜質，它們將不會損害本發明的預期效果。不可避免的雜質可以是，例如，以L. F. Mondolfo所著的《招合金結構和性質(Aluminum Alloys : Structure andProperties))) (1976)中提到的量包含的雜質。[鑄造步驟]鋳造步驟是用於由鋁合金熔體形成鋁基板的步驟。對於該步驟中使用的方法沒有特別的限制，並且可以使用半連續鑄造(DC(直接冷鑄)方法)和連續鑄造壓延(CC (連續鑄造)方法)。
在DC鋳造的情況下，使熔融金屬流入下鋳型中，在這裡使其冷卻並固化。之後將下鋳型降低以從側面用水進ー步冷卻熔融金屬以使其固化至中心部分。在該情況下，冷卻速率據稱是O. 5至10°C /s。在本發明中為了通過DC鋳造形成金屬間化合物，需要將所得到的錠的厚度降低至IOcm以下並且將冷卻速率増加至10°C /s以上。優選通過以下三步進行DC鑄造以形成鋁基板(I)用於由鋁合金熔體形成錠的半連續鑄造步驟；(2)用於削去半連續鑄造步驟中形成的錠的表皮的削皮步驟；以及(3)用於壓延削去表皮的錠以獲得壓延板的熱壓延步驟。在JP 2010-058315A的第
至
段中描述了步驟⑴至(3)的程序。 連續鑄造和壓延方法是這樣的方法其中當上述鋁熔體固化時將其壓延以形成鋁基板，其實例包括雙輥法和帶式鑄造法。更具體地，有益地使用這樣的雙輥法它包括將上述鋁熔體通過冷卻輥對之間的熔體進料嘴進料，並當鋁熔體在冷卻輥對之間固化的同時壓延鋁熔體以形成鋁基板。連續鑄造壓延方法的特徵在於在鋁熔體固化的過程中其高冷卻速率(固化速率)，並且為了進ー步減小鋁基板中金屬間化合物的尺寸，冷卻速率為優選100至800°C /s並且更優選400至600°C /s。為了滿足該需求，通過鑄造最終獲得的板材適宜地具有O. 4至I. 2mm的厚度。在以下段落中，詳細描述在連續鑄造的情況下的處理方法。(熔化步驟)通過以下方法製備鋁熔體首先在熔化爐中熔化含有優選至少95重量％的鋁的鋁金屬，並向其加入優選O. 03至O. 50重量％的鐵，優選O. 03至O. 20重量％的矽，優選I至400ppm的銅以及其它所需元素。(過濾)通常通過使熔體通過過濾器如陶瓷管過濾器或陶瓷泡沫過濾器進行熔體的過濾。在例如 JP 6-57432A、JP 3-162530A、JP 5-140659A、JP4-231425A、JP 4-276031A、JP
5-311261A和JP 6-136466A中描述了這種過濾。(淨化處理步驟)可以對被調節為所需組成的鋁熔體任選地進行浄化處理。可以用於移除鋁熔體中多餘的氣體如氫氣的示例性浄化處理包括熔劑處理和使用例如，氬氣或氯氣的脫氣處理。可以通過普通方法進行淨化處理。浄化處理不是必須的，但優選被進行以防止歸因於鋁熔體中的異物如非金屬夾雜物和氧化物的缺陷和歸因於溶解在鋁熔體中的氣體的缺陷。通常通過類似於浮選的方法進行淨化處理，所述方法包括用轉動體將惰性氣體如氬氣吹入熔體以使熔體中的氫氣陷入氬氣氣泡中井上升至熔體表面，或者通過熔劑處理。在例如JP 5-51659A和JP 5-49148U中描述了脫氣。(晶粒細化步驟)鋁熔體可以含有晶粒細化元素。更具體地，優選將含TiB2的母合金加入鋁熔體作為晶粒細化材料。這是因為晶粒細化材料的加入在連續鑄造過程中促進晶粒細化。
可以使用的示例性含TiB2的母合金包括含有鈦(5% )和硼(1% )餘下的是鋁和不可避免的雜質的線形母合金。當単獨使用吋，TiB2粒子通常具有I至2 μ m的極小粒子尺寸，但是可以聚集為具有100 μ m以上尺寸的粗粒子。在這種情況下，粗粒子可能在表面處理中引起不均勻性，並且因此在流道中優選設置攪拌工具。(過濾步驟)優選通過過濾器將鋁熔體過濾以移除熔體中併入的雜質以及留在熔化爐和熔體流道中的汙染物。也需要過濾步驟以抑制如所需可以加入的TiB2聚集粒子的流出，並且適宜地在將TiB2作為晶粒細化材料加入的位置的下遊設置過濾槽。過濾步驟和用於其中的過濾槽優選是如JP 3549080 B中所描述的那些。 (進料步驟) 在該製造方法中，優選將以上過濾步驟之後的鋁熔體通過流道從過濾槽進料至熔體進料嘴。優選使用設置在流道的底面中形成的凹部中的攪拌工具攪拌鋁熔體。這是因為能防止在過濾步驟中濾過的TiB2粗粒子在熔體停滯的區域中再次聚集。(熔體進料嘴)從熔體進料嘴流出的鋁熔體與冷卻輥的表面進行接觸，在這裡熔體的凝固開始。在鋁熔體從熔體進料嘴的尖端至冷卻輥表面的移動過程中形成熔體彎液面。熔體彎液面的振動引起熔體彎液面與冷卻輥的接觸點的振動，作為其結果在冷卻輥表面上形成具有不同凝固歷程的部分，並且更容易出現結晶結構的不均勻性和痕量元素的偏祈。這種缺陷也被稱作「波痕」，這在對鋁基板進行冷壓延、中間退火和最終冷壓延之後的表面處理中容易引起不均勻。在減少這種波痕方面，優選使熔體進料嘴的尖端傾斜，以至少使該尖端的較低ー側上的外表面與鋁熔體流出的方向形成鋭角，藉此將鋁熔體從一點連續地放出。例如，可以有益地使用JP 10-58094A中描述的方法。優選的是減小進料嘴的尖端與每個冷卻輥的表面之間的距離以便在彎液面的振動過程中減小振幅。更具體地，在優選的實施方案中，在形成熔體進料嘴的構件中，頂板構件和底板構件可以垂直移動，所述頂板構件從上面與鋁熔體接觸，所述底板構件從下面與鋁熔體接觸，並且頂板和底板構件在來自鋁熔體的壓カ下壓在鄰接的冷卻輥的表面上。例如，可以有益地使用JP 2000-117402A中描述的實施方案。(冷卻輥)對於冷卻輥沒有任何特別的限定。例如，可以使用具有鐵芯/殼結構的公知冷卻輥。當使用帶有芯-殼結構的冷卻輥時，可以通過使冷卻水流過設置在芯與殼之間的流道増加冷卻輥表面上的冷卻能力。此外，可以通過進ー步對凝固的鋁施加壓カ將鋁基板精確地設置為所需厚度。在冷卻輥表面凝固的鋁在這種狀態下可能具有粘在冷卻輥上的傾向，使得難以連續地進行穩定的鋳造。此外，粘在冷卻輥上的鋁可能減緩所壓延的鋁表面的冷卻。因此，在本發明的實施中，優選將脫模劑塗敷至冷卻輥的表面。脫模劑優選是具有出色耐熱性的脫模劑。合適的實例包括含有碳石墨的脫模劑。對塗敷的方法不進行任何特別的限定。合適的實例是其中將碳石墨粒子的懸浮液(優選水懸浮液)噴塗在其上的方法。因為可以將脫模劑提供至冷卻輥而不需要直接與冷卻輥接觸，噴塗是優選的。因為脫模劑可能被刮擦器或其它厚度均勻化工具所捕獲或者轉移至連續鑄造鋁基板的表面，適宜的是周期性地將新脫模劑補充至冷卻輥的表面。通過DC鑄造獲得的錠具有厚達數十釐米的厚度並且因此在隨後的冷壓延步驟之前優選通過進行均熱步驟和熱壓延步驟減小該厚度。JP2010-058315A的第
至段中描述了均熱步驟和熱壓延步驟的程序。[冷壓延步驟]在鋳造步驟之後是冷壓延步驟。冷壓延步驟是用於減小鑄造步驟中獲得的鋁基板的厚度的步驟。從而將鋁基板壓延至所需的厚度。
可以通過本領域中公知的任何方法進行冷壓延步驟。更具體地，可以使用JP6-220593A, JP 6_210308A、JP 7-54111A 和 JP 8-92709A 中描述的方法。[中間退火步驟]在冷壓延步驟之後是中間退火步驟。因此，當在上述冷壓延步驟中應變積累之後進行中間退火步驟時，位錯釋放，再結晶產生，並且可以將晶粒再進ー步細化。具體地，可以通過冷壓延步驟中的壓縮比和中間退火步驟中的熱處理條件(尤其是溫度、時間和溫度升高速率)控制晶粒。例如，在連續退火中，通常在300至600°C下加熱鋁基板至多10分鐘，優選在400至600°C下加熱鋁基板至多6分鐘，並且更優選在450至550°C下加熱鋁基板至多2分鐘。此外，雖然可以通過將溫度升高速率設置為10至200°C /s並且將溫度升高之後的保持時間縮短至最多10分鐘，並且優選2分鐘以下以促進形成更小的晶粒，通常將溫度升高速率設定至約O. 5至500°C /分鐘。可以使用分批退火，但是因為在從升溫至冷卻的處理過程中可能將雜質如鐵和矽向晶粒界面釋放，從而形成析出粒子，希望的是使用連續退火。可以通過本領域中公知的任何方法進行中間退火步驟。更具體地，可以使用JP
6-220593A, JP 6_210308A、JP 7-54111A 和 JP 8-92709A 中描述的方法。〈最終冷壓延步驟〉在中間退火步驟之後是最終冷壓延步驟，最終冷壓延步驟是用於減小中間退火步驟之後的鋁基板的厚度的步驟。經過最終冷壓延步驟的鋁基板優選具有O. I至O. 5mm的厚度。可以通過本領域中公知的任何方法進行最終冷壓延步驟。可以用與上述中間退火步驟之前的冷壓延步驟相同的方法進行最終冷壓延步驟。(平面性校正步驟)優選在最終冷壓延步驟之前加上平面性校正步驟。平面性校正步驟是用於校正鋁基板的平面性的步驟。可以通過本領域中公知的任何方法進行平面性校正步驟。例如，可以通過使用矯正機如輥式矯直機或拉伸矯直機進行該步驟。可以在將鋁基板切為分離的片材之後進行平面性校正步驟。然而，為提高生產率，優選的是在連續板材卷的狀態下校正鋁基板的平面性。
最終壓延的板材適宜地具有平滑的表面，並且優選具有至多O. 3 μ m並且更優選至多O. 2 μ m的算術表面粗糙度Ra。在易於處理方面，強度優選為至少60MPa。〈導電通路〉構成本發明的各向異性導電構件的導電通路由填充至絕緣基材中的貫通微孔中的導電材料製成。對於導電材料沒有特別的限定，只要它具有導電性即可。具有至多103Ω · cm的電阻率的材料是優選的。可以優選使用的材料的說明性實例包括金屬如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鎳(Ni)和銦摻雜的氧化錫(ITO)。其中，在電導性方面，銅、金、鋁和鎳是優選的，並且鎳、銅和金是更優選的。在成本方面，更優選的是僅使用金形成在絕緣基材的兩個表面暴露或從絕緣基材 的兩個表面突出的導電通路的表面(在下文中也稱作「端面」)。在本發明的實施中，導電通路是圓柱形的並且具有優選5至500nm的，更優選20至400nm，並且最優選30至200nm的直徑(如圖IB中的附圖標記8所示)。導電通路的直徑在上述範圍內，當電信號通過導電通路時，可以獲得足夠的響應，從而使得能夠更適宜地使用本發明的各向異性導電構件作為用於電子部件的電連接構件或檢查連接器。如上所述，每個導電通路的中心線長度與絕緣基材的厚度之比(長度/厚度)優選為I. O至I. 2並且更優選I. O至I. 05。每個導電通路的中心線長度與絕緣基材的厚度之比在上面定義的範圍內，使得導電通路能夠被認為是具有直管狀結構並且當通過電信號時能確保一対一響應。因此，可以更有利地將本發明的各向異性導電構件用作用於電子部件的檢查連接器或電連接構件。在本發明的實施中，當導電通路的兩端從絕緣基材的兩個表面突出時，突出部分(在圖IB中，由附圖標記4a和4b表示的部分；在下面也稱作「突起(bumps)」)具有優選10至lOOnm，並且更優選10至50nm的高度。突起高度在這個範圍之內，與電子部件上的電極(焊點)部分的連通性提高。在本發明的實施中，導電通路通過絕緣基材相互絕緣並且以優選為至少lxl07pcs/mm2,更優選至少5xl07pcs/mm2並且再更優選至少lxl08pcs/mm2的密度形成。對於密度的上限沒有特別限定，但是在相鄰導電通路之間的絕緣方面，優選至多lxlO'cs/mm2。導電通路的密度在以上範圍內，S卩使在已經實現了較高的集成化水平的今天，也可以使用本發明的各向異性導電構件作為用於電子部件如半導體器件的檢查連接器或電連接構件。如下測量導電通路的密度通過FE-SEM (由Hitachi High-TechnologiesCorporation製造的S-4800),在10，000X的觀察放大率下，在多個0. Olmm2測量面積的視野中觀察各向異性導電構件的表面。基於觀察結果數出導電通路的數目以獲得該密度。在本發明的實施中，相鄰導電通路的中心間距離(圖IB中的附圖標記9表示的部分；下面也稱作「節距」)優選為20至500nm，更優選40至200nm，並且再更優選50至140nm。節距在上面定義的範圍之內，在導電通路的直徑與導電通路之間的寬度(絕緣屏蔽厚度)之間容易達到平衡。在本發明的實施中，可以通過將導電材料(尤其是金屬)填充到絕緣基材的貫通微孔中形成導電通路。
將與後面涉及的本發明的各向異性導電構件製造方法結合詳細描述導電材料填充處理步驟。因為可以在高密度下確保電連接同時保持高絕緣性，本發明的各向異性導電構件優選具有I至1，000 μ m,並且更優選30至300 μ m的絕緣基材厚度，以及5至500nm，更優選20至400nm並且最優選30至200nm的導電通路直徑。[製造各向異性導電構件的方法]對於本發明的各向異性導電構件製造方法(在下文中也簡稱為「本發明的製造方法」)沒有特別限定，但是所述方法優選包括以下步驟 (陽極氧化處理步驟)其中將鋁基板陽極氧化的步驟；(貫通處理步驟)其中在陽極氧化處理步驟之後，將通過陽極氧化形成的微孔貫通以獲得絕緣基材的步驟；以及(填充步驟)其中在貫通處理步驟之後，將導電材料填充在所得到的絕緣基材中的貫通微孔中以獲得各向異性導電構件。以下詳細描述每個步驟的程序。[陽極氧化處理步驟]陽極氧化處理步驟是用於陽極氧化鋁基板以在鋁基板的表面上形成帶微孔的氧化物膜的步驟。如上所述，在該步驟中使用的鋁基板以預定密度含有預定尺寸的金屬間化合物。在對鋁基板的表面進行陽極氧化處理步驟之前優選對其預先進行脫脂處理和鏡面拋光處理。(熱處理)優選在200至350°C的溫度下進行熱處理約30秒至約2分鐘的時間。這種熱處理提高通過陽極氧化處理在膜中形成的微孔陣列的有序性。在熱處理之後，優選的是迅速地冷卻鋁基板。冷卻方法的例示包括將鋁基板直接浸入水等中的方法。(脫脂處理)使用合適的物質如酸、鹼或有機溶劑進行脫脂處理，以便溶解並移除鋁基板表面附著的包括灰塵、油脂和樹脂等的有機物質，從而防止在每個後續處理中由於有機物質而出現缺陷。在脫脂處理中可以使用公知的脫脂劑。例如，可以通過上述方法使用多種可商購的脫脂劑中的任意一種進行脫脂處理。(鏡面拋光處理)為了以更加直的管狀形狀形成陽極氧化膜的微孔，進行鏡面拋光處理以消除鋁基板的表面凹凸特徵。鋁基板的示例性表面凸凹特徵包括在其製造需要壓延步驟的鋁基板的壓延過程中形成的壓延條紋。在本發明的實施中，對於鏡面拋光處理沒有任何特別的限定，並且可以使用現有技術公知的任意合適方法進行。合適方法的實例包括機械拋光、化學拋光和電解拋光。在JP 2010-177171A的第
至
段中詳細描述了這些特定方法。鏡面拋光處理使得可以獲得具有例如O. I μ m以下的算木平均粗糙度Ra和至少50%的光澤度的表面。算術平均粗糙度Ra優選為至多O. 05 μ m,並且更優選至多O. 02 μ m。光澤度優選為至少70%，並且更優選至少80%。光澤度是可以根據JIS Z8741_1997(方法3 60°鏡面光澤)在垂直於壓延方向的方向上測定的鏡面反射率。具體地，使用變角光澤計(例如，VG-1D，由Nippon DenshokuIndustries Co. ,Ltd.製造)，當鏡面反射率為70%以下時,在60°的入射/反射角下進行測量，並且當鏡面反射率大於70%時，在20°的入射/反射角下進行測量。可以使用傳統公知的方法用於陽極氧化處理，但是優選使用下述自排序方法和恆定電壓處理，因為絕緣基材優選是由鋁基板獲得的陽極氧化膜，所述陽極氧化膜具有這樣排列的貫通微孔使得所述微孔具有至少50%的如式(i)所定義的有序度。自排序方法是通過利用通過陽極氧化處理獲得的陽極氧化膜中微孔的規則排列屬性並且消除可能干擾有序排列的因素而提高有序性的方法。具體地，在適合於電解液的類型的電壓下並且在低速下在延長的時期內(例如，從數小時至大大超過十小吋)在高純鋁上形成陽極氧化膜。 在該方法中，因為微孔大小(孔徑)依賴於電壓，通過控制電壓可以一定程度獲得所需孔徑。為了通過自排序方法形成微孔，至少應該進行隨後描述的陽極氧化處理(A)。然而，優選通過以下方法進行微孔形成其中按下述順序進行隨後描述的陽極氧化處理(A)、膜移除處理(B)和再陽極氧化處理(C)的方法(自排序方法I)，或者其中將隨後描述的陽極氧化處理(D)和氧化膜溶解處理(E)按所述順序進行至少一次的方法(自排序方法II)。下面，詳細描述優選實施方案中的自排序方法I和自排序方法II中的各個處理。[自排序方法I]〈陽極氧化處理(A)>在陽極氧化處理(A)中電解液的平均流速優選為O. 5m/分鐘至20. Om/分鐘，更優選I. Om/分鐘至15. Om/分鐘，並且再更優選2. Om/分鐘至10. Om/分鐘。通過在上述流速下進行陽極氧化處理(A)，陽極氧化膜可以具有均勻的且有序度高的微孔。對於用於使電解液在以上條件下流動的方法沒有進行任何特別的限定。例如，可以使用包括使用普通攪拌裝置如攪拌器的方法。特別適宜的是使用其中可以通過數字顯示控制攪拌速度的攪拌器，因為它能夠調整平均流速。這種攪拌器的ー個實例是磁力攪拌器HS-50D (由 As One Corporation 製造)。可以通過以下方法進行陽極氧化處理(A)，例如，其中在具有I至10重量％的酸濃度的溶液中使電流通過作為陽極的鋁基板的方法。陽極氧化處理(A)中使用的溶液優選為酸溶液。硫酸、磷酸、鉻酸、草酸、氨基磺酸(sulfamic acid)、苯磺酸、氨基磺酸(amidosulfonic acid)、こ醇酸、酒石酸、蘋果酸或朽1檬酸的溶液是更優選的。其中，硫酸、磷酸或草酸的溶液是特別優選的。可以單獨使用這些酸或者使用它們兩種以上的組合。陽極氧化處理(A)的條件依賴所使用的電解液而變化，並且因此無法嚴格規定。然而，以下條件是通常優選的0. I至20重量％的電解質濃度，-10°c至30°C的溶液溫度，
0.01至20A/dm2的電流密度，3至300V的電壓，以及0. 5至30小時的電解時間。更優選的是0. 5至15重量％的電解質濃度，-5°C至25°C的溶液溫度，0. 05至15A/dm2的電流密度，5至250V的電壓以及I至25小時的電解時間。再更優選的是I至10重量％的電解質濃度，(TC至20°C的溶液溫度，O. I至ΙΟΑ/dm2的電流密度，10至200V的電壓以及2至20小時的電解時間。陽極氧化處理(A)中的處理時間為優選O. 5分鐘至16小吋，更優選I分鐘至12小吋，並且再更優選2分鐘至8小吋。除了在恆定電壓進行以外，可以使用間歇地或連續地改變電壓的方法進行陽極氧化處理(A)。在這樣的情況下，優選的是逐漸地減小電壓。如此可以降低陽極氧化膜的抵抗性(resistance)，從而在陽極氧化膜中形成小微孔。因此，尤其是當隨後通過電沉積處理進行封孔時，因為可以提高均勻性，該方法優選的。在本發明的實施中，通過這種陽極氧化處理(A)形成的陽極氧化膜具有優選I至1000 μ m,更優選5至500 μ m,並且再更優選10至300 μ m的厚度。
·
在本發明的實施中，通過這種陽極氧化處理(A)形成的陽極氧化膜具有優選50至1，500pcs/ μ m2的平均微孔密度。優選的是微孔具有20至50%的表面覆蓋率。在這裡將微孔的表面覆蓋率定義為微孔開ロ的總表面積與鋁表面的表面積之比。[膜移除處理(B)]在膜移除處理(B)中，將通過上述陽極氧化處理(A)在鋁基板的表面上形成的陽極氧化膜溶解並移除。可以在通過上述陽極氧化處理(A)在鋁基板的表面上形成陽極氧化膜後立即進行隨後描述的貫通處理步驟。然而，優選的是在上述陽極氧化處理(A)之後以下列順序另外進行膜移除處理(B)和隨後描述的再陽極氧化處理(C)，隨後是以下描述的貫通處理步驟。公知當接近鋁基板時陽極氧化膜的有序性増加，通過使用該膜移除處理(B)移除已經形成的陽極氧化膜，使得留在鋁基板的表面上的陽極氧化膜的下部在表面上露出，從而給出凹坑的有序排列。因此，在膜移除處理(B)中，不溶解鋁；僅溶解了由氧化鋁(alumia)(氧化招(aluminum oxide))構成的陽極氧化膜。氧化鋁溶解液優選為含有選自由以下各項組成的組中的至少ー種物質的水溶液鉻化合物、硝酸、磷酸、錯化合物、鈦化合物、鋰鹽、鋪鹽、鎂鹽、六氟娃酸鈉、氟化鋅、猛化合物、鑰化合物、鎂化合物、鋇化合物和未化合的滷素。鉻化合物的示例性實例包括鉻(III)氧化物和鉻(VI)氧化物。鋯化合物的實例包括氟化鋯銨、氟化鋯和氯化鋯。鈦化合物的實例包括氧化鈦和硫化鈦。鋰鹽的實例包括氟化鋰和氯化鋰。鈰鹽的實例包括氟化鈰和氯化鈰。鎂鹽的實例包括硫化鎂。錳化合物的實例包括高錳酸鈉和高錳酸鈣。鑰化合物的實例包括鑰酸鈉。鎂化合物的實例包括五水氟化鎂。鋇化合物的實例包括氧化鋇、こ酸鋇、碳酸鋇、氯酸鋇、氯化鋇、氟化鋇、碘化鋇、乳酸鋇、草酸鋇、高氯酸鋇、硒酸鋇、亞硒酸鋇、硬脂酸鋇、亞硫酸鋇、鈦酸鋇、氫氧化鋇、硝酸鋇，及其水合物上面的鋇化合物中，氧化鋇、こ酸鋇和碳酸鋇是優選的。氧化鋇是特別優選的。未化合的滷素的實例包括氯、氟和溴。以上所述中，氧化鋁溶解液優選是含酸水溶液。酸的實例包括硫酸、磷酸、硝酸和鹽酸。兩種以上的酸的混合物也是容許的。酸濃度優選為至少O. 01mol/L,更優選至少O. 05mol/L,並且再更優選至少
0.lmol/L0雖然酸濃度沒有特定的上限，通常，該濃度為優選lOmol/L以下，並且更優選5mol/L以下。不必要地高的濃度是不經濟的並且可能導致鋁基板的溶解。氧化鋁溶解液具有優選-10°C以上，更優選_5°C以上，並且再更優選0°C以上的溫度。使用沸騰的氧化鋁溶解液進行處理破壞或擾亂用於有序化的起點。因此，優選使用未沸騰的氧化鋁溶解液。氧化鋁溶解液溶解氧化鋁，但是不溶解鋁。這裡，氧化鋁溶解液可以溶解非常少量的鋁，只要它不溶解大量的鋁。通過使其上形成有陽極氧化膜的鋁基板與上述氧化鋁溶解液接觸而進行膜移除處理(B)。接觸方法的實例包括，但不限於，浸潰和噴塗。這些中，浸潰是優選的。浸潰是這樣的處理其中將其上形成有陽極氧化膜的鋁基板浸入氧化鋁溶解液中。為了實現均勻的處理，適宜的是在浸潰處理過程中進行攪拌。浸潰處理時間優選為至少10分鐘，更優選至少I小吋，再更優選至少3小吋，並且最優選至少5小時。[再陽極氧化處理(C)]可以通過在通過上述膜移除處理(B)移除陽極氧化膜之後再次進行陽極氧化處理以在鋁基板的表面形成良高度有序的凹坑，從而形成帶有更高有序度的微孔的陽極氧化膜。可以使用本領域已知的方法進行再陽極氧化處理(C)，雖然優選的是在與上述陽極氧化處理(A)相同的條件下進行。備選地，適合使用以下方法其中反覆地接通和斷開電流同時保持dc電壓恆定的方法，或者其中反覆地接通和斷開電流同時間歇地改變dc電壓的方法。因為這些方法導致在陽極氧化膜中形成小微孔，它們對於提高均勻性是優選的，特別是當通過電沉積處理進行封孔時。當在低溫下進行再陽極氧化處理(C)時，微孔的陣列是高度有序的並且孔尺寸是均勻的。另ー方面，通過在相對高的溫度下進行再陽極氧化處理(C)，可以幹擾微孔陣列或者可以將孔徑的變化調節到給定的範圍內。也可以通過處理時間控制孔徑的變化。在本發明中，通過這樣的再陽極氧化處理(C)形成的陽極氧化膜具有優選30至
1,000 μ m,並且再更優選50至500 μ m的厚度。在本發明中，通過這種陽極氧化處理(C)形成的陽極氧化膜具有孔徑優選為O. 01至O. 5 μ m,更優選O. 02至O. I μ m的微孔。平均微孔密度優選至少I X 107pcs/mm2。
在自排序方法I中，可以使用例如，物理方法、粒子束方法、嵌段共聚物方法或抗蝕劑圖案化/曝光/蝕刻方法代替上述陽極氧化處理(A)和膜移除處理(B)，以形成凹坑作為用於通過上述再陽極氧化處理(C)形成微孔的起點。在JP 2008-270158A的第
至
段中詳細描述了這些方法。[自排序方法II][第一歩陽極氧化處理⑶]在陽極氧化處理(D)中可以使用傳統已知的電解液，但是通過在直流電流和恆定電壓的條件下，使用以下電解液進行陽極氧化可以顯著地提高孔陣列的有序性在所述電解液中，通過通式(ii)表示的參數R滿足160 < 200，優選170 < 190並且最優選175 ^ 185，其中A是施加電流的過程中膜的形成速率並且B是不施加電流的過程中膜 的溶解速率。R = A[nm/s]/(B[nm/s] X 施加的電壓[V])... (ii)與上面所述的陽極氧化處理(A)中相同，陽極氧化處理(D)中電解液的平均流速優選為O. 5至20. Om/分鐘，更優選I. O至15. Om/分鐘，並且再更優選2. O至10. Om/分鐘。通過在上面定義的範圍內的流速下進行陽極氧化處理(D)，陽極氧化膜可以具有均勻的且有序度聞的微孔。與在上述陽極氧化處理(A)中相同，對於使電解液在以上條件下流動的方法沒有進行任何特別的限定。例如，可以使用包括使用普通攪拌裝置如攪拌器的方法。陽極氧化處理液在25°C和I個大氣壓下優選具有O. 0001至100. OPa *s並且更優選O. 0005至80. OPa · s的粘度。通過使用具有上面定義的範圍內的粘度的電解液進行陽極氧化處理(D)，可以獲得均勻的並且高度的有序。陽極氧化處理(D)中所使用的的電解液可以是酸性溶液或鹼性溶液，但是在提高貫通微孔的圓度方面，使用酸性電解液是有益的。更具體地，與上述陽極氧化處理㈧中相同，鹽酸、硫酸、磷酸、鉻酸、草酸、こ醇酸、酒石酸、蘋果酸、檸檬酸、氨基磺酸(sulfamic acid)、苯磺酸或氨基磺酸(amidosulfonic acid)的溶液是更優選的。其中，硫酸、磷酸或草酸的溶液是尤其優選的。可以單獨使用這些酸，或者通過按需要調整由通式(ii)表示的計算式中的參數而組合使用它們的兩種以上。陽極氧化處理(D)的條件依賴所使用的電解液而變化，並且因此無法嚴格規定。然而，與上述陽極氧化處理(A)中的相同，以下條件一般是優選的0. I至20重量％的電解質濃度，-10至30°C的溶液溫度，O. 01至20A/dm2的電流密度，3至500V的電壓，以及O. 5至30小時的電解時間。更優選的是O. 5至15重量％的電解質濃度，-5至25°C的溶液溫度，O. 05至15A/dm2的電流密度，5至250V的電壓以及I至25小時的電解時間。再更優選的是I至10重量％的電解質濃度，O至20°C的溶液溫度，O. I至ΙΟΑ/dm2的電流密度，10至200V的電壓以及2至20小時的電解時間。在本發明的實施中，通過這種陽極氧化處理(D)形成的陽極氧化膜具有優選O. I至300 μ m,更優選O. 5至150 μ m,並且再更優選I至100 μ m的厚度。在本發明中，通過這種陽極氧化處理⑶形成的陽極氧化膜具有優選50至1，500pcs/ μ m2的平均微孔密度。
優選的是微孔具有20至50%的表面覆蓋率。在這裡將微孔的表面覆蓋率定義為微孔開ロ的總表面積與鋁表面的表面積之比。如圖3A中所示，作為陽極氧化處理⑶的結果，在鋁基板12的表面上形成了帶有微孔16a的陽極氧化膜14a。在陽極氧化膜14a更靠近鋁基板12的ー側存在阻擋層18a。[第二步氧化膜溶解處理(E)]氧化膜溶解處理(E)是用於擴大通過上述陽極氧化處理(D)形成的存在於陽極氧化膜中的微孔的直徑的處理(孔尺寸擴大處理)。通過使已經經過上述陽極氧化處理(D)的鋁基板與酸或鹼的水溶液接觸進行氧化膜溶解處理(E)。接觸方法的實例包括，但是不限於，浸潰和噴塗。其中，浸潰是優選的。當用酸的水溶液進行氧化膜溶解處理(E)時，優選的是使用無機酸如硫酸、磷酸、 硝酸或鹽酸或其混合物的水溶液。在其高安全度方面，特別優選的是使用不含鉻酸的水溶液。酸的水溶液優選具有I至10重量％的濃度。酸的水溶液優選具有25至60°C的溫度。當用鹼的水溶液進行氧化膜溶解處理(E)吋，優選的是使用選自由以下各項組成的組的至少ー種鹼的水溶液氫氧化鈉、氫氧化鉀和氫氧化鋰。鹼的水溶液優選具有O. I至5重量％的濃度。鹼的水溶液優選具有20至35°C的溫度。可以優選使用的溶液的具體實例包括含有50g/L的磷酸的40°C水溶液,含有
O.5g/L的氫氧化鈉的30°C水溶液，以及含有O. 5g/L的氫氧化鉀的30°C水溶液。在酸的水溶液或鹼的水溶液中的浸潰時間優選為8至120分鐘，更優選10至90分鐘並且再更優選15至60分鐘。在氧化膜溶解處理(E)中，孔尺寸擴大的程度隨陽極氧化處理(D)的條件變化，但在處理後的孔尺寸與在處理前的孔尺寸的比例優選為I. 05至100，更優選I. I至75，並且最優選為I. 2至50。氧化膜溶解處理(E)將如圖3A中所示的陽極氧化膜14a的表面和微孔16a的內部(阻擋層18a和多孔層)溶解，以獲得如圖3B中所示的在鋁基板12上具有帶微孔16b的陽極氧化膜14b的鋁構件。與圖3A中相同，阻擋層18b存在於陽極氧化膜14b靠近鋁基板12的ー側上。[第三歩陽極氧化處理⑶]在自排序方法II中，優選的是在上述氧化膜溶解處理(E)之後再次進行上述陽極氧化處理⑶。通過再次進行陽極氧化處理(D)，進行圖3B中所示的鋁基板12的氧化反應，以如圖3C中所示得到具有在鋁基板12上形成的陽極氧化膜14c的鋁構件，所述陽極氧化膜14c帶有具有比微孔16b更大深度的微孔16c。與圖3A中相同，阻擋層18c存在於陽極氧化膜14c靠近招基板12的ー側上。[第四步氧化膜溶解處理(E)]在自排序方法II中，優選的是在上述陽極氧化處理(D)，氧化膜溶解處理(E)和陽極氧化處理(D)按該順序進行之後進ー步進行上述氧化膜溶解處理(E)。該處理使處理液能夠進入微孔以溶解通過第三步中的陽極氧化處理(D)形成的陽極氧化膜，藉此通過第三步中的陽極氧化處理(D)形成的微孔可以具有擴大的直徑。更具體地，再次進行的氧化膜溶解處理(E)將圖3C中所示的陽極氧化膜14c中表面側上的微孔16c的內部從拐點開始溶解，以獲得如圖3D中所示在鋁基板12上具有帶有直管形微孔16d的陽極氧化膜14d的鋁構件。與圖3A中相同，靠近鋁基板12的陽極氧化膜14d —側上存在阻擋層18d。孔尺寸的擴大的程度隨第三步中進行的陽極氧化處理(D)的條件變化，但是處理後的孔尺寸與處理前的孔尺寸的比例優選為I. 05至100，更優選I. I至75，並且再更優選
I.2 至 50。自排序方法II至少包括上述陽極氧化處理(D)和氧化膜溶解處理(E)的ー個循環。重複的次數越多，孔陣列的有序度越高。通過在氧化膜溶解處理(E)中將通過在前的陽極氧化處理(D)形成的陽極氧化膜 溶解，顯著地改善了從膜表面側看到的微孔的圓度。因此，優選將該循環重複至少兩次，更優選至少三次並且再更優選至少四次。在將該循環至少重複兩次的情況下，在氧化膜溶解處理和陽極氧化處理的每個循環中的條件可以是相同的或不同的。備選地，該處理可以終止於陽極氧化處理。[貫通處理步驟]貫通處理步驟是這樣的步驟其中在陽極氧化處理步驟之後，將通過陽極氧化形成的微孔貫通以獲得具有貫通微孔的絕緣基材。更具體地，通過以下方法進行貫通處理步驟例如，這樣的方法，其中在陽極氧化處理步驟之後將鋁基板(在圖3D中通過附圖標記12表示的部分)溶解，並將陽極氧化膜的底部(在圖3D中通過附圖標記18d表示的部分)移除；以及這樣的方法，其中在陽極氧化處理步驟之後將鋁基板和靠近鋁基板的陽極氧化膜切除。接下來，詳細描述作為優選實施方案的前ー種方法。(鋁基板的溶解)使用不易溶解陽極氧化膜(氧化鋁)但是易溶解鋁的處理液用於陽極氧化處理步驟之後鋁基板的溶解。換言之，使用這樣的處理液它具有至少I μ m/分鐘，優選至少3 μ m/分鐘，並且更優選至少5 μ m/分鐘的鋁溶解速率，並且具有O. Inm/分鐘以下，優選O. 05nm/分鐘以下，並且更優選O. Olnm/分鐘以下的陽極氧化膜溶解速率。具體地，使用這樣的處理液用於浸潰處理它包含至少ー種其離子化傾向低於鋁的離子化傾向的金屬化合物，並且它的pH為4以下或8以上，優選3以下或9以上，並且更優選2以下或10以上。這種處理液的優選實例包括由以下各項組成的溶液作為基體的酸或鹼的水溶液以及混入其中的下列金屬的化合物例如，錳、鋅、鉻、鐵、鎘、鈷、鎳、錫、鉛、銻、鉍、銅、汞、銀、鈀、鉬或金(例如，氯鉬酸)，或者這些金屬中任意一種的氟化物或氯化物。上面這些中，優選的是處理液基於酸的水溶液並且具有混入其中的氯化物。從處理範圍的角度，尤其優選的是其中混入氯化汞的鹽酸水溶液的處理液(鹽酸/氯化汞)和其中混入氯化銅的鹽酸水溶液的處理液(鹽酸/氯化銅)。對於這種處理液的組成沒有特別的限定。可以使用的處理液的示例性實例包括溴/甲醇混合物、溴/こ醇混合物和王水。這種處理液具有優選O. 01至10mol/L並且更優選O. 05至5mol/L的酸或鹼濃度。
此外，優選在-10°C至80°C並且更優選0至60°C的處理溫度下使用這種處理液。在本發明中，通過使經過陽極氧化處理步驟的鋁基板與上述處理液接觸而進行鋁基板的溶解。接觸方法的實例包括，但是不限於，浸潰和噴塗。其中，浸潰是優選的。在該方法中的接觸時間優選為10秒至5小吋，並且更優選I分鐘至3小吋。(陽極氧化膜底部的移除)在鋁基板的溶解之後通過在酸或鹼的水溶液中浸潰以將陽極氧化膜的底部移除。陽極氧化膜底部的移除使微孔在那裡貫通。優選通過包括以下各步的方法移除陽極氧化膜的底部預先將陽極氧化膜浸潰在PH緩衝溶液中以用pH緩衝溶液從微孔的開ロ側填充微孔，並且使與開ロ相反的表面(即，陽極氧化膜的底部)與酸的水溶液或鹼的水溶液接觸。當用酸的水溶液進行該處理時，優選的是使用無機酸如硫酸、磷酸、硝酸或鹽酸或其混合物的水溶液。酸的水溶液優選具有I至10重量％的濃度。酸的水溶液優選具有25 至40°C的溫度。當用鹼的水溶液進行該處理吋，優選的是使用選自由以下各項組成的組的至少ー種鹼的水溶液氫氧化鈉、氫氧化鉀和氫氧化鋰。鹼的水溶液優選具有0. I至5重量％的濃度。鹼的水溶液優選具有20至35°C的溫度。可以優選使用的溶液的具體實例包括含有50g/L的磷酸的40°C水溶液,含有0. 5g/L的氫氧化鈉的30°C水溶液，以及含有0. 5g/L的氫氧化鉀的30°C水溶液。在酸的水溶液或鹼的水溶液中的浸潰時間優選為8至120分鐘，更優選10至90分鐘並且再更優選15至60分鐘。在將該膜預先浸入pH緩衝溶液中的情況下，使用適合於上述酸/鹼的緩衝溶液。該貫通處理步驟產生在鋁基板12和阻擋層18d的移除之後的圖3D中所示的結構體，即，如圖4A中所示的絕緣基材20。另ー方面，可以有益地使用以將鋁基板和鋁基板附近的陽極氧化膜切除的後ー種方法的實例包括以下這種方法該方法包括通過用雷射束切割或其它多種拋光處理將鋁基板(圖3D中通過附圖標記12表示的部分)和陽極氧化膜的底部(圖3D中通過附圖標記18d表示的部分)物理移除。[填充步驟]填充步驟是其中將導電材料填充到貫通處理步驟之後得到的絕緣基材中的貫通微孔中以獲得各向異性導電構件的步驟。所要填充的導電材料構成各向異性導電構件的導電通路，並且其實例與上面所描述的相同。在本發明的製造方法中，可以使用電解電鍍方法或無電鍍膜方法用金屬作為導電材料填充微孔。在電解電鍍之前優選通過電極膜形成處理在絕緣基材的ー個表面上形成沒有空隙的電極膜。對於形成電極膜的方法沒有特別限定，並且其優選的實例包括金屬無電鍍膜和導電材料如金屬的直接塗敷。這些之中，在電極膜的均勻性和易於操作方面更優選的是無電鍍膜。當無電鍍膜用於電極膜形成處理時，優選的是在氧化物膜的ー個表面上形成電鍍核。更具體地，優選使用這樣的方法其中在絕緣基材的ー個表面上提供與將要通過無電鍍膜提供的特定金屬相同類型的金屬或金屬化合物，或者提供具有比將要通過無電鍍膜提供的特定金屬更高的電離傾向的金屬或金屬化合物。提供這種金屬或金屬化合物的示例性實例包括氣相沉積、濺射和直接塗敷，但是本發明不特別限定於這些方法。在如上所述設置電鍍核之後，通過無電鍍膜形成電極膜。從可以通過時間控制電極膜厚度的觀點上，浸潰是優選的處理方法。可以使用任何傳統公知類型的無電鍍膜液。在增加所要形成的電極膜的電連續性方面，優選的是含貴金屬的電鍍液如金電鍍液、銅電鍍液和銀電鍍液，並且在電極的長期穩定性，即防止由氧化帶來的劣化方面，更優選的是金電鍍液。在本發明的製造方法中，當通過電解電鍍處理進行金屬填充時，優選在脈衝電解或恆壓電解的過程中提供休息期。休息期應當為至少10秒，並且優選為30至60秒。
·
為了促進電解液的攪拌，適宜的是施用超聲能。此外，電解電壓通常不超過20V，並且優選不超過10V，雖然優選的是首先測量所要使用的電解液中目標金屬的沉積電位，並且在該電位+不超過IV的電位下進行恆電位電解。當進行恆電位電解時，適宜的是也使用循環伏安法。為此，可以使用恆電位儀，如可得自 Solartron, BAS Inc.、Hokuto Denko Corporation 和 Ivium Technologies 的那些。可以使用任何傳統公知的電鍍液用於金屬填充。更具體地，當要沉積銅時，通常可以使用硫酸銅的水溶液。硫酸銅的濃度優選為I至300g/L，並且更優選100至200g/L。可以通過將鹽酸加入電解液促進沉積。在這樣的情況下，鹽酸的濃度優選為10至20g/L。當要沉積金時，適宜的是使用四氯金酸鹽的硫酸溶液通過交流電電解進行電鍍。根據無電鍍膜方法，用金屬完全填充具有高縱橫比的微孔花費很多時間，並且因此適宜的是在本發明的製造方法中通過電解電鍍方法填充金屬。該填充步驟產生圖4B中所示的各向異性導電構件21。[絕緣材料填充處理]在填充步驟之後任選地對用金屬填充的絕緣基材進行封孔處理，並且可以進行絕緣材料填充處理以進一歩用絕緣材料填充絕緣基材以使導電通路的形成率可以是99%以上。對於絕緣材料填充處理中的封孔處理沒有特別地限制，並且可以根據公知方法進行，如沸水處理、熱水處理、水蒸汽處理、矽酸鈉處理、亞硝酸鹽處理或こ酸銨處理。例如，可以使用 JP 56-12518B,JP 4-4194A.JP 5-202496A 和 JP 5-179482A 中描述的裝置和方法進行封孔處理。當使用金屬和絕緣材料的導電通路的形成率在以上範圍內時，可以提供能進ー步抑制互連缺陷的各向異性導電構件。在各向異性導電構件上互連層的形成過程中，來源於用於形成互連層的材料(主要為液體形式)的微塵或油(以下統稱為「汙染物」)可能留存在未封孔的貫通微孔中，從而使互連層的粘附變差。另ー方面，通過用預定的絕緣材料填充貫通微孔抑制了這種汙染物的存在，使得在貫通微孔中導電通路的形成率可以是至少99%。
[表面平面化處理]在本發明的製造方法中，在填充步驟之後優選是表面平面化步驟，其中通過拋光(例如，化學機械拋光)平面化頂側和背側。通過進行化學機械拋光(CMP)，優選地將金屬填充之後的頂側和背側平面化，同時移除粘附至表面的過量金屬。可以使用CMP漿液如可得自Fujimi Inc.的PNANERLITE-7000、可得自HitachiChemical Co. ,Ltd.的 GPX HSC800 或者可得自 AGC Seimi Chemical Co. ,Ltd.的 CL-1000進行CMP處理。因為不應將陽極氧化膜拋光，不優選的是使用用於層間電介質膜和阻擋金屬的漿液。[修整處理]在本發明的製造方法中，在填充步驟或表面平面化步驟之後優選是修整步驟。修整步驟是這樣的步驟其中在填充步驟或表面平面化步驟之後僅將各向異性導電構件的表面中的絕緣基材的一部分移除以使導電通路從各向異性導電膜表面突出。如果不會將構成導電通路的材料(例如，金屬)溶解，可以在與上述氧化物膜溶解處理(E)的處理條件相同的條件下進行修整處理。特別優選的是使用磷酸，用磷酸容易控制溶解速率。修整步驟產生圖4C中所示的各向異性導電構件21。[電解沉積處理]在本發明的製造方法中，可以將修整步驟替換為或在其後進行電解沉積步驟，其中將與填充在微孔中的金屬相同或不同的導電金屬進ー步僅沉積在圖4B中所示的導電通路3的表面上(圖4D)。在本發明的實施中，電解沉積是也包括利用不同類金屬電負性上的區別的無電鍍膜的處理。無電鍍膜是這樣的步驟其中將絕緣基材浸潰在無電鍍膜液中(例如，通過將pH值為6至13的還原劑處理液與pH為I至9的含貴金屬的處理液適當地混合獲得的溶液)。在本發明的製造方法中，優選剛好在各向異性導電構件的使用之前進行修整步驟和電解沉積步驟。優選的是剛好在使用之前進行這些處理，因為這樣構成導電通路的突起的金屬直至剛好在使用之前的時刻還不會發生氧化。[保護膜形成處理步驟]在本發明的製造方法中，通過由氧化鋁製成的絕緣基材與空氣中的水分水合，微孔大小可以隨時間而變化，並且因此在填充步驟之前優選進行保護膜形成處理。保護膜的示例性實例包括含有元素鋯和/或元素矽的無機保護膜，和含有水不溶性聚合物的有機保護膜。JP 2008-270157A 的第
至
段中詳細描述了這些。[各向異性導電構件]、
可以在多種應用中使用本發明的各向異性導電構件，例如，作為在CPU主板與插片之間的電連接(電連接構件)，或者作為插片與CPU IC晶片之間的電連接。在對於上述用途的應用方面，本發明的各向異性導電構件優選具有lX10_4Qm以下，更優選IX 10_5 以下並且再更優選IX 10_7 Qm以下的導電通路的厚度方向上的電阻率。實施例下面通過實施例的方式更具體地描述本發明。然而，不應將本發明理解為限於以下實施例。(實施例I和2)(I)鏡面拋光處理(電解拋光)將高純鋁基板(NipponLight Metal Co. , Ltd.;純度，99. 9999 重量厚度，0. 4mm)切為10平方釐米的尺寸並將其陽極氧化，之後使用下面給出的組成的電解拋光液在25V的電壓，65°C的溶液溫度，以及3. Om/分鐘的溶液流動速率下進行電解拋光。 使用碳電極作為陰極，並且使用GP0110-30R單元(Takasago，Ltd.)作為電源。此夕卜，使用As One Corporation製造的渦流式流量監測儀FLM22-10PCW測量電解液的流速。(電解拋光液的組成)*85 重量憐酸(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. ) 66OmL* 純水160mL* 硫酸150mL* こニ醇30mL(2)陽極氧化處理根據JP 2007-204802A中描述的方法對經過電解拋光的鋁基板進行自排序陽極
氧化處理。更具體地，用0. 50mol/L草酸的電解液在以下條件下對經過電解拋光的鋁基板進行5小時的預陽極氧化處理電壓，40V ;溶液溫度，160C ;以及溶液流動速率，3. Om/分鐘。在預陽極氧化處理之後，對鋁基板進行膜移除處理，其中將其浸潰在0. 2mol/L的鉻酸酐與0. 6mol/L的磷酸的混合水溶液(溶液溫度，50°C )中12小吋。接下來，用0. 50mol/L草酸的電解液在以下條件下對鋁基板進行16小時的再陽極氧化處理電壓，40V ;溶液溫度，160C ；以及溶液流動速率，3. Om/分鐘。如此獲得厚度為130 iim的氧化物膜。預陽極氧化處理和再陽極氧化處理兩者都使用不鏽鋼電極作為陰極並使用GP0110-30R單兀(Takasago, Ltd.)作為電源進行。使用 NeoCool BD36 (Yamato ScientificCo. , Ltd.)作為冷卻系統,並用 Pairstirrer PS-100 (Tokyo Rikakikai Co. , Ltd.)作為攬拌和加溫単元。此外，使用渦流式流量監測儀FLM22-10PCW(As One Corporation)測量電解液的流速。(3)貫通處理接下來，通過在20°C下在氯化汞(升汞)的20重量％水溶液中浸潰3小時將鋁基板溶解。之後，將陽極氧化膜在30°C下浸潰在5重量％的磷酸中30分鐘以移除陽極氧化膜的底部從而製備具有貫通微孔的陽極氧化膜。 貫通微孔具有30nm的平均孔徑大小。通過用FE-SEM在50，000X的放大率下取得表面圖像，測量50個點的孔徑大小並計算測量的平均值，從而測定平均孔徑大小。貫通微孔具有130 U m的平均深度。通過以下方法測定平均深度用FIB在貫通微孔的厚度方向上切割所得到的微結構體，用FE-SEM在50，000X的放大率下取得截面表面的圖像，測量10個點的微孔深度並計算測量結果的平均值。貫通微孔的密度為約lxl08pCS/mm2。通過下式計算該密度，如圖5中所示，假設貫通微孔的單位晶格(unit cell) 51是以使得通過上述式(i)定義的有序度是至少50%而排列的，並且所述單位晶格51含有貫通微孔52的一半。密度[pcs/iim2] = (1/2) / {Pp (ii m) XPp (ii m) X V 3X (1/2)}這裡Pp是貫通微孔的節距。貫通微孔的有序度為92%。通過FE-SEM取得其表面圖像(放大率20，000X)，並在的視野中測量如上式⑴所定義的貫通微孔的有序度。 (4)加熱處理接下來，將如上所述獲得的帶貫通微孔的結構體在400°C的溫度下加熱I小吋。(5)電極膜形成處理接下來，進行用於在經過上述加熱處理的帶貫通微孔的結構體的ー個表面上形成電極膜的處理。更具體地，將0. 7g/L氯金酸的水溶液塗敷在ー個表面上，在140°C下乾燥I分鐘並且之後在500°C下焙燒I小時以形成金的電鍍核。之後，使用PRECIOUSFAB ACG2000 底液 / 還原液(可得自 ElectroplatingEngineers of Japan Ltd.)作為無電鍍膜液在50°C下進行浸潰I小時從而形成沒有空隙的電極膜。(6)金屬填充處理步驟(電解電鍍)接下來，將銅電極與形成有電極膜的表面置於緊密接觸，並且使用銅電極作為陰極並使用鉬作為陽極進行電解電鍍。在實施例I中，使用下面給出的組成的銅電鍍液進行恆電流電解從而製備其中用銅填充貫通微孔的各向異性導電構件。在實施例2中，使用下面給出的組成的鎳電鍍液進行恆電流電解從而製備其中用鎳填充貫通微孔的各向異性導電構件。在電鍍液中通過循環伏安法檢查沉積電位之後,使用由Yamamoto-MS Co. ,Ltd.製造的電鍍系統和由Hokuto Denko Corp.製造的電源(HZ-3000)在以下條件下進行恆定電流電解。[銅電鍍液的組成]* 硫酸銅100g/L* 硫酸50g/L* 鹽酸15g/L*溫度25で* 電流密度10A/dm2[鎳電鍍液的組成]* 硫酸鎳300g/L* 氯化鎳60g/L* 硼酸40g/L*溫度50で
* 電流密度5A/dm2(7)精密拋光處理接下來，對所製備的各向異性導電構件的兩個表面進行機械拋光，並且從而得到的各向異性導電構件具有IlOym的厚度。將陶瓷夾具(Kemet Japan Co. , Ltd.)用於機械拋光中的樣品固定臺，並且使用ALCOffAX (Nikka Seiko Co. ,Ltd.)作為應用於樣品固定臺的材料。按順序使用DP-懸浮液P-6 u m 3 u m Ium* l/4iim(可得自 Struers)作為石開磨齊[I。測量如上所述製備的各向異性導電構件中用金屬填充的貫通微孔的比例。更具體地，通過FE-SEM觀察所製備的各向異性導電構件的兩個表面以觀察1，000 個貫通微孔是否填充有金屬，從而計算在兩個表面上的導電通路形成率，並從其中測定平均值。作為結果，實施例I和2中的各向異性導電構件分別具有92. 6%和96. 2%的比例。通過FIB在厚度方向切割如此製備的各向異性導電構件，通過FE-SEM在50，000X的放大率下取得截面圖像並檢查貫通微孔的內部。作為結果，顯示出形成了導電通路的貫通微孔的內部被金屬完全填充。(8)絕緣材料填充處理接下來，對如上所述製備的各向異性導電構件進行下面描述的封孔處理。封孔處理包括將各向異性導電構件在純水中在80°C下浸潰I分鐘並將其在浸潰狀態下在110°C下的氣氛下加熱10分鐘。(9)精密拋光處理接下來，對封孔的各向異性導電構件的兩個表面進行類似於(7)中的精密拋光的機械拋光，並且從而得到的各向異性導電構件具有100 u m的厚度。作為導電通路的形成率的計算結果，在實施例I和2中如上所述製備的各向異性導電構件具有100%的形成率。(10)修整處理接下來，將經過精密拋光處理的結構體浸入磷酸溶液中，以便選擇性地溶解陽極氧化膜，從而使得充當導電通路的金屬柱從該結構體的表面突出。使用與上述貫通處理步驟中使用的磷酸溶液相同的磷酸溶液，並且處理時間為I分鐘。(實施例3)除了將高純招基板(NipponLight Metal Co. ,Ltd.;純度,99. 9999重量％;厚度，
0.4mm)替換為高純招基板(Nippon Light Metal Co. , Ltd.;純度,99. 999重量％ ;厚度，
0.5mm)以外,重複實施例I，從而製備厚度為100 ii m的各向異性導電構件。(實施例4)除了在實施例I的(2)中的陽極氧化處理中將鋁基板在丙ニ酸水溶液中陽極氧化以形成直徑為lOOnm、密度為I. 3xl07pcs/mm2的導電通路以外,重複實施例I,從而製備厚度為IOOiim的各向異性導電構件。在含有0. 50mol/L丙ニ酸的電解液中在以下陽極氧化條件下進行陽極氧化處理以獲得厚度為130 iim的陽極氧化膜115V的電壓，3 °C的溶液溫度以及13小時的時間。(實施例5)
除了在實施例I的⑵中的陽極氧化處理中將鋁基板陽極氧化54小時以製備厚度為430 iim的陽極氧化膜以外，重複實施例I，從而製備厚度為400 iim的各向異性導電構件(實施例6)除了不進行實施例I的(I)中的鏡面拋光處理(電解拋光)以外，重複實施例1，從而在實施例6中製備厚度為IOOiim的各向異性導電構件。(實施例7)除了將實施例I中使用的高純鋁基板(Nippon Light Metal Co.，Ltd.;純度，99. 9999 重量％ ;厚度，0.4mm)替換為高純招基板(Nippon Light Metal Co.，Ltd.;純度，99. 996重量厚度，0.5mm)以外，重複實施例1，從而製備厚度為100 y m的各向異性導電構件。(實施例8)除了通過連續鋳造和壓延(CC (連續鋳造)法)製備實施例3中使用的高純鋁基板(Nippon Light Metal Co. ,Ltd.;純度,99. 999重量％;厚度,0. 5mm)以減小金屬間化合物的尺寸以外，重複實施例1，從而製備厚度為IOOiim的各向異性導電構件。(比較例I)除了將高純招基板(NipponLight Metal Co. ,Ltd.;純度,99. 9999重量％;厚度,
0.4mm)替換為高純招基板(Sumitomo Light Metal Industries,Ltd.;純度,99. 99重量;厚度,0.4mm)以外,重複實施例I，從而製備厚度為100 ii m的各向異性導電構件。[無導電通路區面積比]通過FE-SEM觀察實施例I至8和比較例I中製備的各向異性導電構件的每ー個的表面。未形成導電通路的區域具有低於形成導電通路的區域的電子密度，並且從而可以將前者與後者區分。換言之，可以從所得到的SEM圖像計算出未形成導電通路的區域的面積比。表I中顯示了從在2，000X的放大率下在Imm x Imm的觀察區域中取得的FE-SEM圖像獲得的無導電通路區域面積比) {(無導電通路區域的面積)/觀察區域的面積)X 100}。從實用的觀點來看，無導電通路區域面積比優選為約0. 50%以下。[電阻率的測量]使用實施例I至8和比較例I中製備的各向異性導電構件以及預先準備掩模(mask)以將它們浸潰在含有 PRECIOUSFAB ACG2000 (Tanaka Holdings Co.，Ltd.)的無電鍍金電鍍浴中，從而如圖6A和6B的各向異性導電構件I中所示，在各向異性導電構件的前表面和背表面的每ー個上形成厚度為20 的金屬電極部分60。金屬連接部分具有5 u mX 5 u m的尺寸。經由形成在各向異性導電構件的前表面和背表面上的金屬連接部分，使用RM3542 (Hioki E. E. Corporation)通過四端子方法計算各向異性導電構件的厚度方向上的電阻率。從實用的觀點來看，電阻率為IXKT4Qm以下。表I中的「金屬間化合物的密度」和「金屬間化合物的平均等價圓直徑」分別顯示了所使用的鋁基板中金屬間化合物的密度和平均等價圓直徑的數值。「鋁基板的Ra」顯示了所要陽極氧化的鋁基板的表面粗糙度。
權利要求
1.ー種各向異性導電構件，所述各向異性導電構件包括絕緣基材，所述絕緣基材具有貫通微孔和多個導電通路，所述導電通路通過用導電材料填充所述貫通微孔形成，彼此絕緣，並且在所述絕緣基材的厚度方向上貫通所述絕緣基材，所述導電通路的每ー個的一端暴露在所述絕緣基材的ー側上，所述導電通路的每ー個的另一端暴露在所述絕緣基材的另ー側上， 其中所述絕緣基材是由鋁基板獲得的陽極氧化膜，並且所述鋁基板以至多100pCS/mm2的密度含有平均等價圓直徑至多2 μ m的金屬間化合物。
2.根據權利要求I所述的各向異性導電構件，其中所述導電通路以至少IX107pCS/mm2的密度形成。
3.根據權利要求I或2所述的各向異性導電構件，其中所述導電通路具有5至500nm的直徑。
4.根據權利要求I至3中任一項所述的各向異性導電構件，其中所述絕緣基材具有I至1,000 μ m的厚度。
5.根據權利要求I至4中任一項所述的各向異性導電構件，其中所述鋁基板具有至多O.I μ m的算術平均粗糙度Ra。
6.一種各向異性導電構件製造方法，所述方法用於製造根據權利要求I至5中任ー項所述的各向異性導電構件，所述方法至少包括 陽極氧化處理步驟，其中將鋁基板陽極氧化； 貫通處理步驟，其中在所述陽極氧化處理步驟之後，使通過陽極氧化形成的微孔貫通以獲得絕緣基材；以及 填充步驟，其中在所述貫通處理步驟之後，將導電材料填充至所得到的絕緣基材中的貫通微孔中以獲得所述各向異性導電構件。
7.根據權利要求6所述的各向異性導電構件製造方法，所述方法在所述填充步驟之後還包括表面平面化步驟，其中通過化學機械拋光將頂表面和背表面平面化。
8.根據權利要求6或7所述的各向異性導電構件製造方法，所述方法在所述填充步驟之後還包括修整步驟。
全文摘要
本發明提供一種各向異性導電構件，所述各向異性導電構件包含絕緣基材，所述絕緣基材具有貫通微孔和導電通路，所述導電通路通過用導電材料填充貫通微孔形成，彼此絕緣，並且在所述絕緣基材的厚度方向上貫通所述絕緣基材，所述導電通路的每一個的一端暴露在所述絕緣基材的一側上，所述導電通路的每一個的另一端暴露在所述絕緣基材的另一側上。該絕緣基材是由鋁基板獲得的陽極氧化膜，並且所述鋁基板以至多100pcs/mm2的密度含有平均等價圓直徑至多2μm的金屬間化合物。該各向異性導電構件顯著地增加了所設置的導電通路的密度，並且抑制了不具有導電通路的區域的形成，並且可以將其用作用於電子部件的電連接構件或檢查連接器。
文檔編號H01R43/00GK102664324SQ201110286748
公開日2012年9月12日 申請日期2011年9月23日 優先權日2010年9月24日
發明者上杉彰男, 堀田吉則, 山下廣祐 申請人:富士膠片株式會社