半導體封裝件和製造半導體封裝件的方法
2023-05-25 10:35:01 2
專利名稱：半導體封裝件和製造半導體封裝件的方法
技術領域：
本發明構思涉及半導體封裝件和製造這樣的半導體封裝件的方法，更具體地講，涉及包括垂直堆疊的多個半導體晶片的半導體封裝件和製造這樣的半導體封裝件的方法。
背景技術：
隨著電子裝置變得集成度更高並包括不斷增加的功能，需要用於在同一個公共封裝件內安裝多個半導體晶片的改進的技術。在改善集成度的一種嘗試中，可以採用多堆疊半導體封裝件。這樣的多堆疊半導體封裝件包括在共用封裝件板或基板上沿垂直方向堆疊的半導體晶片。這樣的構造提出了很多挑戰，包括對用於將堆疊的半導體晶片電連接到封裝件板的鍵合引線和結合突起的緊湊設計的制約。
發明內容
本發明構思涉及一種半導體封裝件及其製造方法。在本發明構思的實施例中，一種半導體封裝件包括:板，包括板焊盤；多個半導體晶片，安裝在板上，半導體晶片分別包括晶片焊盤；突起，分別設置在晶片焊盤上；引線，設置在晶片焊盤和突起之間，引線將多個半導體晶片的晶片焊盤和板的板焊盤彼此電連接。在一些實施例中，晶片焊盤分別設置在半導體晶片的上表面的邊緣上；位於第η-1半導體晶片上方的第η半導體晶片位於第η-1半導體晶片的第η_1晶片焊盤的側部處，以暴露第η-1晶片焊盤。在一些實施例中，引線包括:谷部，分別與引線和晶片焊盤之間的接觸的點位對應；脊部，與引線的在接觸的點位之間的部分對應，脊部分別與半導體晶片的側壁分開。在一些實施例中，引線設置在晶片焊盤上並與晶片焊盤的上表面的中部區域交叉；突起設置在引線上。在一些實施例中，將晶片焊盤和板焊盤彼此電連接的引線是單一的一體。在一些實施例中，引線與半導體晶片的側壁分開並避免與半導體晶片的側壁接觸。在一些實施例中，所述半導體封裝件還包括半導體晶片上的包括晶片焊盤的最上部的半導體晶片和最上部的半導體晶片的晶片焊盤上的最上部的突起，其中，引線連接到最上部的突起的頂端部。在一些實施例中，所述半導體封裝件還包括板焊盤上的電連接到弓I線的板突起。在本發明構思的實施例中，一種製造半導體封裝件的方法包括下述步驟:提供分別形成有晶片焊盤的多個半導體晶片；在包括板焊盤的板上垂直地順序堆疊所述多個半導體晶片，從而暴露晶片焊盤 ；在半導體晶片中的最上部的半導體晶片的晶片焊盤上設置最上部的突起；設置將最上部的突起連接到板焊盤的單一的引線；分別在最上部的半導體晶片下方的堆疊的半導體晶片的晶片焊盤上設置突起，突起將引線粘附到晶片焊盤，且突起分別電連接到晶片焊盤。在一些實施例中，形成引線的步驟包括使引線從最上部的突起開始延伸，以形成引線的脊部和谷部，引線的脊部與半導體晶片的側壁對應，脊部與側壁分開，引線的谷部與引線和半導體晶片的晶片焊盤之間的接觸的點位對應。在一些實施例中，引線的谷部不與晶片焊盤直接接觸。在一些實施例中，引線電粘附到板焊盤。在一些實施例中，所述方法還包括在引線的粘附到板焊盤的部分上形成板突起。在本發明構思的實施例中，一種半導體封裝件包括:基板，包括至少一個基板焊盤；多個半導體晶片，彼此堆疊並位於基板上，每個半導體晶片包括至少一個晶片焊盤，半導體晶片相對於彼此定位為使得它們各自的晶片焊盤暴露；引線，將所述多個半導體晶片中的各個半導體晶片的至少一個晶片焊盤與基板的至少一個基板焊盤電連接，其中，引線包括分別與在引線和晶片焊盤之間的接觸的點位對應的多個谷部和與引線的在接觸的點位之間的部分對應的脊部，脊部與所述多個半導體晶片中的對應的半導體晶片的側壁分開。在一些實施例中，引線是一體的。在一些實施例中，所述半導體封裝件還包括:多個導電突起，將引線電連接到所述多個半導體晶片中的對應的半導體晶片的至少一個晶片焊盤。在一些實施例中，所述半導體封裝件還包括將引線電連接到基板的至少一個基板焊盤的導電突起。在一些實施例中，·脊部被定位為避免引線和半導體晶片的側壁之間的接觸。在一些實施例中，所述多個半導體晶片相對於彼此在水平位置上移位。在一些實施例中，至少一個基板焊盤位於基板的上表面上，其中，至少一個晶片焊盤位於對應的半導體晶片的上表面上。
結合說明書附圖部分和具體實施方式
部分進行考慮，本發明構思將變得更明顯。圖1是示出根據本發明構思的實施例的半導體封裝件的剖視圖；圖2是示出根據本發明構思的另一實施例的半導體封裝件的剖視圖；圖3是示出根據本發明構思的實施例的晶片焊盤、引線和突起的平面圖；圖4至圖9是示出根據本發明構思的實施例的製造半導體封裝件的方法的剖視圖；圖1OA是示出根據本發明構思的實施例的設置有半導體封裝件的存儲器卡的示例的示意性框圖；圖1OB是示出根據本發明構思的實施例的設置有半導體封裝件的信息處理系統的示例的示意性框圖。
具體實施方式
現在，將在下文中參照示出了本發明構思的示例性實施例的附圖來對本發明構思進行更充分的描述。本發明構思和實現其的方法的優點和特徵將因下面的將參照附圖進行更具體的描述的示例性實施例而變得明顯。然而，應該注意的是，本發明構思不被限制於下面的示例性實施例，且可以以各種形式來實現。因此，僅為了公開本發明構思並使本領域技術人員獲知本發明構思的範圍來提供示例性實施例。在附圖中，本發明構思的實施例不限於這裡提供的特定的示例，並且出於清楚起見而進行了誇大。這裡使用的術語僅出於描述特定的實施例的目的而非意圖進行限制。如這裡所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否則單數的術語「一個(種)」和「所述(該)」也意圖包括複數形式。如這裡所使用的，術語「和/或」包括一個或多個相關所列項目的任意和所有組合。將理解的是，當元件被稱為「連接」或「結合」到另一元件時，其可以直接連接或結合到另一元件，或者可以存在中間元件。類似地，將理解的是，當諸如層、區域或基板的元件被稱為「在」另一元件「上」時，其可以直接在另一元件上，或者可以存在中間元件。相反，術語「直接」的含義為不存在中間元件。還將理解的是，當在這裡使用術語「包括」和/或「包含」時，其指示存在所述特徵、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排出存在或添加一個或多個其他的特徵、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。此外，將以作為本 發明構思的理想的示例性示圖的剖視圖來描述具體實施方式
部分中的實施例。因此，可以根據製造技術和/或可允許的誤差來修改示例性示圖的形狀。因此，本發明構思的實施例不限於在示例性示圖中示出的特定的形狀，而是可以包括可以根據製造工藝而產生的其他的形狀。在附圖中舉例說明的區域具有普遍性，並被用於示出元件的特定的形狀。因此，不應該將其解釋為限制本發明構思的範圍。還將理解的是，雖然術語第一、第二、第三等可以在此被用於描述各種元件，但是這些元件不應受這些術語限制。這些術語僅用於將一個元件與另一個元件區分開來。因此，在一些實施例中的第一元件可以在其他的實施例中被稱為第二元件而不脫離本發明構思的教導。這裡解釋和示出的本發明構思的多個方面的示例性實施例包括其互補的相對部分。貫穿本說明書，相同的標號或相同的標識符指示相同的元件。此外，在此參照作為理想化的示例性示圖的剖視圖和/或平面圖來描述示例性實施例。因此，作為例如製造技術和/或公差的結果的示圖的形狀的改變是在預期內的。因此，示例性實施例不應被解釋為限於這裡示出的區域的形狀，而是要包括例如由製造引起的形狀上的偏差。例如，被示出為矩形的蝕刻區域通常將具有倒圓或彎曲的特徵。因此，在附圖中示出的區域在本質上是示意性的，且它們的形狀並不意圖示出裝置的區域的真實形狀，且不意圖限制示例性實施例的範圍。下文中，將參照附圖對本發明構思的實施例進行描述。圖1是示出根據本發明構思的實施例的半導體封裝件的剖視圖，圖2是示出根據本發明構思的另一實施例的半導體封裝件的剖視圖，圖3是示出根據本發明構思的實施例的晶片焊盤、引線和突起的平面圖。參照圖1和圖2，半導體封裝件可以包括垂直堆疊在下面的板或基板100上的多個半導體晶片110、120、130和140。另外，半導體封裝件還可以包括用於將板100和多個半導體晶片110、120、130和140彼此電連接的一條或多條鍵合引線170和一個或多個突起152、154、156 和 158。在一些實施例中，板100可以包括印刷電路板或適於支撐垂直堆疊的半導體晶片110、120、130、140的其他類型的基體或基板。在一些實施例中，一個或多個互連件或板焊盤120可以設置在板100的邊緣或外部區域上。在一些實施例中，可以設置多個這樣的板焊盤102。一個或多個板焊盤102均可以包含諸如鉛(Pb)的導電材料或其他合適的導電材料。為了進行容易和方便的說明的目的，在下文中將描述四個半導體晶片110、120、130和140的堆疊作為示例。第一半導體晶片110、第二半導體晶片120、第三半導體晶片130和第四半導體晶片140可以順序堆疊在板100上。然而，本發明構思不限制半導體晶片的數量，可以在堆疊中採用少於四個或多於四個的這樣的半導體晶片。在一些實施例中,第一半導體晶片110、第二半導體晶片120、第三半導體晶片130和第四半導體晶片140可以具有比板100的尺寸小的尺寸，例如，可以具有比板100的水平表面面積小的水平表面面積。此外，在一些實施例中，第一半導體晶片110、第二半導體晶片120、第三半導體晶片130和第四半導體晶片140可以為相同的種類或類型。然而，本發明構思的實施例不限於此，可以採用水平表面面積較大的半導體晶片和不同種類或類型的晶片。第一晶片焊盤114、第二晶片焊盤124、第三晶片焊盤134和第四晶片焊盤144可以分別設置在第一半導體晶片110、第二半導體晶片120、第三半導體晶片130和第四半導體晶片140上。第一晶片焊盤114、第二晶片焊盤124、第三晶片焊盤134和第四晶片焊盤144可以分別設置在第一半 導體晶片110、第二半導體晶片120、第三半導體晶片130和第四半導體晶片140的邊緣上。第一晶片焊盤114至第四晶片焊盤144均可以設置成多個。第一晶片焊盤114、第二晶片焊盤124、第三晶片焊盤134和第四晶片焊盤144可以包含諸如鋁(Al)的導電材料。第一半導體晶片110可以以暴露板焊盤102的方式或位置而被設置在板100上並在板焊盤102的側部處。即，第一半導體晶片110可以相對於板焊盤102進行堆疊，從而朝向板100的另一邊緣移位，以暴露板焊盤102。如圖所示,板焊盤102可以設置在板100的右邊緣區域上，第一半導體晶片110可以朝向板100的左邊緣移位，以暴露板焊盤102。第一粘附膜112可以被塗覆在板100和第一半導體晶片110之間，或者可以定位於板100和第一半導體晶片110之間，從而第一半導體晶片110可以因此被粘附至板100。如圖所示，第一晶片焊盤114可以設置在第一半導體晶片110的與第一半導體晶片110的設置了第一粘附膜的表面不同的表面上。例如，第一晶片焊盤114可以設置在第一半導體晶片110的頂表面上，第一粘附膜112可以設置在第一半導體晶片110的底表面上或以其他的方式與第一半導體晶片110的底表面形成界面。第二半導體晶片120、第三半導體晶片130和第四半導體晶片140可以類似地設置在對應的下面的第一半導體晶片110、第二半導體晶片120和第三半導體晶片130上，以分別暴露第一晶片焊盤114、第二晶片焊盤124和第三晶片焊盤134。即，第二半導體晶片
120、第三半導體晶片130和第四半導體晶片140可以類似地朝向板100的另一邊緣移位。因此，在一些實施例中，第一半導體晶片110、第二半導體晶片120、第三半導體晶片130和第四半導體晶片140可以具有階梯式的結構，並可以如圖所示地安裝在板100上。在一些實施例中，第一半導體晶片110和第二半導體晶片120可以類似地因位於在它們之間的第二粘附膜122而彼此粘附，第二半導體晶片120和第三半導體晶片130可以因位於在它們之間的第三粘附膜132而彼此粘附，第三半導體晶片130和第四半導體晶片140可以因位於在它們之間的第四粘附膜142而彼此粘附。在一些實施例中，第一粘附膜112、第二粘附膜122、第三粘附膜132和第四粘附膜142可以包括當前封裝技術中常用的裸片附著膜(die attach films, DAF);然而,可以等同地應用其他合適的結合方法。參照圖1和圖2，第一互連突起152、第二互連突起154、第三互連突起156和第四互連突起158可以分別設置在第一晶片焊盤114、第二晶片焊盤124、第三晶片焊盤134和第四晶片焊盤144上。在一些實施例中，第一突起152、第二突起154、第三突起156和第四突起158可以由與引線170的材料基本相同的材料形成。例如，第一突起152、第二突起154、第三突起156和第四突起158可以包含諸如金(Au)的導電材料或其他合適的導電材料。在一些實施例中，第一突起152、第二突起154、第三突起156和第四突起158可以具有分別比第一晶片焊盤114、第二晶片焊盤124、第三晶片焊盤134和第四晶片焊盤144的水平面積小的水平剖面面積。例如，如圖3中所示，在平面圖中，與第三晶片焊盤134接觸的第三突起156可以具有圓形或倒圓的形狀，第三晶片焊盤134可以具有四邊形形狀。例如，在一些實施例中，假設第三晶片焊盤134的尺寸為50 μ mX50 μ m，則第三突起156的直徑可以為大約40 μ m。晶片焊盤和突起的其他合適的尺寸也適用於本發明構思的原理。參照圖2，板突起160可以另外地設置在板焊盤102上。在一些實施例中，按與晶片突起152、154、156、158的方式相似的方式，板突起160的水平剖面面積可以小於板焊盤102的水平剖面面積。此外，當以平面視圖觀察時，與板焊盤102接觸的板突起160可以具有圓形形狀，板焊盤102可以具有四邊形形狀。板焊盤和突起的其他合適的尺寸也適用於本發明構思的原理。參照圖1和圖2，引線170可以被用於將第一晶片焊盤114、第二晶片焊盤124、第三晶片焊盤134和第四晶片焊 盤144以及板焊盤102彼此電連接。在一些實施例中，引線170可以包含諸如金(Au)的導電材料或其他合適的導電材料。根據圖3中示出的實施例，當以平面視圖觀察時，引線170可以被排布為與第三晶片焊盤134的中心交叉。此外，當以平面視圖觀察時，第三突起156可以設置在第三晶片焊盤134的中部上。根據圖1和圖2中示出的實施例，引線170可以連接到對應於最上部的突起的第四突起158的頂端部。引線170可以以一定的曲率在第三晶片焊盤134和第三突起156之間延伸。引線170還可以以一定的曲率在第二晶片焊盤124和第二突起154之間延伸。弓丨線170也可以以一定的曲率在第一晶片焊盤114和第一突起152之間延伸。接下來，引線170還可以以一定的曲率延伸到板焊盤102的上部。如上所述，引線170可以因此連接第一晶片焊盤114、第二晶片焊盤124、第三晶片焊盤134、第四晶片焊盤144和板焊盤102。引線170可以包括多個脊部R和多個谷部T。谷部T可以與引線170的分別設置在晶片焊盤114、124、134、144和突起152、154、156、158之間的連接部分對應。脊部R可以與引線170的分別與半導體晶片110、120、130和140的側壁相鄰的部分對應。多個脊部R可以抑制或防止引線170與半導體晶片110、120、130和140的側壁的接觸。在一些實施例中，脊部R的幾何形狀被構造為防止這樣的接觸。因為在半導體晶片110、120、130和140的側壁處可能在用於使半導體晶片110、120、130和140從晶片分離的切割工藝期間於不存在中間絕緣的情況下暴露出導電圖案,所以半導體晶片110、120、130和140中的每個半導體晶片的側壁可以與引線170物理分開，從而避免與其接觸。參照圖2，從第一晶片焊盤114延伸的引線170可以以一定的曲率在板焊盤102和板突起160之間延伸。半導體的類型可以確定是否期望存在這樣的板突起160。[製造半導體封裝件的方法]圖4至圖9是示出根據本發明構思的實施例的製造半導體封裝件的方法的剖視圖。圖6A和圖6B是圖5的A部分的放大圖。下文中，為了說明的簡單和方便的目的，與上面描述相同的元件將以相同的標號或相同的標識符進行指示。參照圖4，可以在設置有板焊盤102的板100上垂直地順序堆疊分別包括第一晶片焊盤114、第二晶片焊盤124、第三晶片焊盤134和第四晶片焊盤144的第一半導體晶片110、第二半導體晶片120、第三半導體晶片130和第四半導體晶片140。可以將第一半導體晶片110、第二半導體晶片120、第三半導體晶片130和第四半導體晶片140設置為暴露板焊盤102、第一晶片焊盤114、第二晶片焊盤124和第三晶片焊盤134。此外，可以通過位於第一半導體晶片110、第二半導體晶片120、第三半導體晶片130、第四半導體晶片140與板100之間的第一粘附膜112、第二粘附膜122、第三粘附膜132和第四粘附膜142進行第一半導體晶片110、第二半導體晶片120、第三半導體晶片130和第四半導體晶片140相對於彼此以及相對於板100的固定。用於將晶片相對於彼此以及相對於板100進行粘附的其他合適的機構可以等同地應用於本發明構思。可以通過毛細工具(或劈刀，capillary) 200在對應於最上部的晶片焊盤的第四晶片焊盤144上形成第四突起158。毛細工具200可以包括主體202、穿過主體202的孔(未示出)和連接到孔的噴嘴NZ。可以通過孔來提供引線170，噴嘴NZ可以在其端部處變寬。現在將簡要地描述形成第四突起158的步驟。首先，可以在毛細工具200的噴嘴NZ的端部處形成無空氣球(FAB)。可以在噴嘴NZ的端部處暴露位於毛細工具200中的引線204，然後可以將高電壓施加到毛細工具200的端部處，以使暴露的引線204熔化。因此，以這樣的方式，可以形成無空氣球FAB。可以將無空氣球FAB結合到第四晶片焊盤144，因此形成第四突起158。參照圖5至圖7，通過毛細工具200可以從第四突起158至板焊盤102形成引線170。更具體地講，可以沿水平方向和沿垂直方向從第四突起158開始移動毛細工具200的位置，從而可以將引線170形成為包括其間具有預定角度的多個脊部R和多個谷部T。這樣的預定的角度可以在從第四突起158至板焊盤102形成引線170時改變若干次。將描述從第四突起158至與第三晶片焊盤134對應的谷部T形成引線170的步驟以作為示例。毛細工具200可以從第四突起158開始移動，以形成引線170的與第四半導體晶片140的側壁相鄰的脊部R，並形成引線170的與第三晶片焊盤134相鄰的谷部T。在一些實施例中，當以平 面視圖觀察時，可以將引線170的谷部T形成在第三晶片焊盤134的中部上。
如圖6A中所示，在一些實施例中，在製造工藝的這一時刻，引線170的谷部T不與第三晶片焊盤134接觸。以這樣的方式，能夠抑制否則可能出現的由引線170的谷部T導致的第三晶片焊盤134的損傷。同時，如圖6B中所示，在一些實施例中，在製造工藝的這一時刻，引線170的谷部T可以與第三晶片焊盤134接觸。在這樣的情況下，不是故意地使引線170與第三晶片焊盤134接觸。換句話說，引線170可以因重力或毛細工具200的誤操作的結果而在非故意的情況下與第三晶片焊盤134接觸。作為這樣的輕微的非故意接觸的結果，避免了由故意地按壓引線170導致的對第三晶片焊盤134的損傷。與從第四突起158開始形成引線170的與第三晶片焊盤134相鄰的谷部T的工藝相似，可以使引線170延伸以從第四突起158經第三晶片焊盤134、第二晶片焊盤124和第一晶片焊盤114連接到板102。參照圖7，可以使用某種存在於毛細工具200中的切割機構自接觸板焊盤102的引線170切斷毛細工具200中的引線。根據本發明構思的一些實施例，可以使用能夠改變引線170的角度的設備來形成連接半導體晶片110、120、130和140中的最上部的半導體晶片140的引線170，以及使這樣的引線具有多個脊部R和多個谷部T。例如，這樣的設備可以包括美國的Kulicke&SoffaPte Ltd的ICONN設備和/或日本的Sinkawa C0.的UTC-3000設備。可以通過應用PSadvanced loop mode來在ICONN設備中形成引線170。可以通過應用ICP multi loop mode來在UTC-3000設備中形成引線170。這些設備被描述為可以由本發明構思的系統和方法所使用的示例設備。然而，本發明構思不限於使用上述設備。參照圖8，可以通過毛細工具200將第三突起156形成在引線170的與第三晶片焊盤134相鄰的谷部T上。此外，在形成第三突起156期間，也可以將引線170的如圖6A中所示的與第三晶片焊盤134分開的部分粘附到第三晶片焊盤134。如圖6B中所示，也可以在形成第三突起156期間將不與第三晶片焊盤134電接觸而與第三晶片焊盤134物理接觸的引線170的示例粘附到第 三晶片焊盤134。這裡，引線170不與第三晶片焊盤134電接觸。引線170僅與第三晶片焊盤134物理接觸。例如，引線170僅位於第三晶片焊盤134上。在被粘附到第三晶片焊盤134之後，引線170可以與第三晶片焊盤134電接觸。因此，可以通過引線170將第三突起156電連接到第三晶片焊盤134。參照圖9，可以在引線170的位於第二晶片焊盤124附近的一部分的谷部T上形成第二突起154。以與在此參照圖8的描述相似的方式，可以選擇性地通過引線170將第二突起154電連接到第二晶片焊盤124。再次參照圖1，可以在引線的位於第一晶片焊盤114附近的谷部T上形成第一突起152。該描述可以與參照圖8的描述相同。參照圖2，可以在引線170的位於板焊盤102的區域中的部分上形成板突起160。在這樣的情況下，可以將引線170粘附到板焊盤120，可以在粘附的引線170上形成板突起160。如這裡參照圖7、圖8和圖9所描述的，在一些實施例中，可以順序地將突起152、154、156、158和引線170粘附到晶片焊盤114、124、134和144，或者可以同時地將突起152、154、156、158和引線170粘附到晶片焊盤114、124、134和144。按照這樣的方式，可以減輕或防止對晶片焊盤114、124、134和144的任何損傷。結果，能夠抑制否則可能由半導體晶片110、120、130和140的厚度的任何減小所導致的問題。圖1OA是示出根據本發明構思的實施例的設置有半導體封裝件的存儲器卡的示例的示意性框圖。參照圖10A，根據本發明構思的實施例的半導體封裝件可以應用於存儲器卡300。例如，存儲器卡300可以包括控制主機和存儲器裝置310之間的數據通信的存儲器控制器320。SRAM裝置322可以用作中央處理單元(CPU) 324的運行存儲器。主機接口單元326可以被構造為包括存儲器卡300和主機之間的數據通信協議。錯誤檢查和校正(ECC)塊328可以檢查並校正從存儲器裝置310讀取出的數據的錯誤。存儲器接口單元330可以與存儲器裝置310接口連接。CPU324控制存儲器控制器324的整體操作。當應用於存儲器卡300的存儲器裝置310包括根據本發明構思的實施例的半導體封裝件時，能夠抑制對半導體晶片的損傷，並因此改善所得的存儲器卡的可靠性。圖1OB是示出根據本發明構思的實施例的設置有半導體封裝件的信息處理系統的示例的示意性框圖。參照圖10B，信息處理系統400可以包括根據本發明構思的實施例的半導體封裝件。在一些實施例中，信息處理系統400可以包括移動裝置或計算機。例如，信息處理系統400可以包括經系統總線460電連接到存儲器系統410的數據機420、中央處理單元(CPU)430、隨機存取存儲器(RAM)440和用戶接口單元450。存儲器系統410可以存儲由中央處理單元430所處理的數據或從外部裝置輸入的數據。存儲器系統410可以包括存儲器裝置412和存儲器控制器414。存儲器系統410可以與參照圖1OA描述的存儲器卡300基本相同。信息處理系統400可以被實現為存儲器卡、固態盤(SSD)裝置、相機圖像傳感器和其他類型的應用晶片組。例如，存儲器系統410可以由SSD裝置構成。在這樣的情況下，信息處理系統400可以穩定並可靠地存儲大量的數據。根據本發明構思的實施例，在將引線形成為與晶片焊盤相鄰並與半導體分開，並與從最上部的晶片焊盤至板來形成引線之後，可以在形成突起期間將引線粘附至晶片焊盤。因此，可以減小施加到晶片焊盤的能`量和物理壓力的量。結果，即使使半導體晶片的相對厚度減小，也可以最小化或防止對晶片焊盤的損傷，並可以因此提高所得裝置的可靠性。雖然已經參照示例實施例對本發明構思進行了描述，但是本領域技術人員應該理解的是，可以在不脫離本發明構思的精神和範圍的情況下進行各種改變和變形。因此，應該理解的是，上面的實施例不是限制性的而是說明性的。因此，本發明構思的範圍將由權利要求及其等同物的最廣可允許解釋來確定，且不應被上面的描述約束或限制。
權利要求
1.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括: 板，包括板焊盤； 多個半導體晶片，安裝在板上，半導體晶片分別包括晶片焊盤； 突起，分別設置在晶片焊盤上； 引線，設置在晶片焊盤和突起之間，引線將所述多個半導體晶片的晶片焊盤和板的板焊盤彼此電連接。
2.如權利要求1所述的半導體封裝件， 其中，晶片焊盤分別在半導體晶片的上表面的邊緣上； 其中，位於第η-1半導體晶片上方的第η半導體晶片位於第η-1半導體晶片的第η-1晶片焊盤的側部，以暴露第η-1晶片焊盤。
3.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，引線包括: 谷部，分別與引線和晶片焊盤之間的接觸的點位對應； 脊部，與引線的在接觸的點位之間的部分對應，脊部分別與半導體晶片的側壁分開。
4.如權利要求1所述的半導體封裝件， 其中，引線在晶片焊盤上並與晶片焊盤的上表面的中部區域交叉； 其中，突起設置在引線上。`
5.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，將晶片焊盤和板焊盤彼此電連接的引線是單一的一體。
6.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，引線與半導體晶片的側壁分開並避免與半導體晶片的側壁接觸。
7.如權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括: 半導體晶片上的包括晶片焊盤的最上部的半導體晶片； 最上部的半導體晶片的晶片焊盤上的最上部的突起，其中，引線連接到最上部的突起的頂端部。
8.如權利要求7所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括: 板焊盤上的電連接到弓I線的板突起。
9.一種製造半導體封裝件的方法，所述方法包括下述步驟: 提供分別形成有晶片焊盤的多個半導體晶片； 在包括板焊盤的板上垂直地順序堆疊所述多個半導體晶片，從而暴露晶片焊盤； 在半導體晶片中的最上部的半導體晶片的晶片焊盤上設置最上部的突起； 設置將最上部的突起連接到板焊盤的單一的引線； 分別在最上部的半導體晶片下方的堆疊的半導體晶片的晶片焊盤上設置突起，其中，突起分別將引線粘附到晶片焊盤，且突起分別電連接到晶片焊盤。
10.如權利要求9所述的方法，其中，形成引線的步驟包括: 使引線從最上部的突起開始延伸，以形成引線的脊部和谷部， 其中，引線的脊部與半導體晶片的側壁對應，脊部與側壁分開，引線的谷部與引線和半導體晶片的晶片焊盤之間的接觸的點位對應。
11.如權利要求10所述的方法，其中，引線的谷部不與晶片焊盤直接接觸。
12.如權利要求9所述的方法，其中，引線電粘附到板焊盤。
13.如權利要求9所述的方法，所述方法還包括下述步驟: 在引線的粘附到板焊盤的部分上形成板突起。
14.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括: 基板，包括至少一個基板焊盤； 多個半導體晶片，在基板上彼此堆疊，每個半導體晶片包括至少一個晶片焊盤，半導體晶片相對於彼此定位為使得它們各自的晶片焊盤暴露； 引線，將所述多個半導體晶片中的各個半導體晶片的至少一個晶片焊盤與基板的至少一個基板焊盤電連接，其中，引線包括分別與在引線和晶片焊盤之間的接觸的點位對應的多個谷部和與引線的在接觸的點位之間的部分對應的脊部，脊部與所述多個半導體晶片中的對應的半導體晶片的側壁分開。
15.如權利要求14所述的半導體封裝件，其中，引線是一體的。
16.如權利要求14所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括: 多個導電突起，將引線電連接到所述多個半導體晶片中的對應的半導體晶片的至少一個晶片焊盤。
17.如權利要求14所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括: 導電突起，將引線電連接到基板的至少一個基板焊盤。
18.如權利要求14所述的半導體 封裝件，其中，脊部被定位為避免引線和半導體晶片的側壁之間的接觸。
19.如權利要求14所述的半導體封裝件，其中，所述多個半導體晶片相對於彼此在水平位置上移位。
20.如權利要求14所述的半導體封裝件， 其中，所述至少一個基板焊盤位於基板的上表面上， 其中，所述至少一個晶片焊盤位於對應的半導體晶片的上表面上。
全文摘要
本發明提供一種半導體封裝件和製造半導體封裝件的方法。該半導體封裝件包括包括板焊盤的板；安裝在板上的多個半導體晶片，半導體晶片包括晶片焊盤。突起分別設置在晶片焊盤上，引線設置在晶片焊盤和突起之間。引線將多個半導體晶片的晶片焊盤和板焊盤彼此電連接。
文檔編號H01L23/488GK103247589SQ20131004939
公開日2013年8月14日 申請日期2013年2月7日 優先權日2012年2月8日
發明者金鬥珍, 金營式, 吳基宅, 洪性福 申請人:三星電子株式會社