一種圖形化襯底及用於製造該圖形化襯底的掩膜版的製作方法

2023-05-25 18:04:11 3

專利名稱：一種圖形化襯底及用於製造該圖形化襯底的掩膜版的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及LED工藝領域，尤其涉及一種可提高LED晶片的軸向發光亮度的圖形化襯底及用於製造該圖形化襯底的掩膜版。
技術背景原有LED工藝是在平坦的襯底上生長N-GaN、量子阱、P-GaN等層疊外延結構，然後在所述層疊外延結構上形成透明導電膜並開孔，最後製作P、N電極並形成鈍化保護層結構。當LED發展到向景觀照明和通用照明進軍的現階段，LED的發光亮度遇到了更高的挑戰，在內量子效率(已接近100% )可提聞的空間有限的情況下，為了進一步提聞LED的發光亮度，LED行業的科研工作者引入了圖形化襯底。所謂圖形化襯底就是通過溼法高溫腐蝕或幹法刻蝕的辦法在襯底上形成類似半球形、圓臺形、圓錐形、三角錐形、多稜錐形、柱形或不規則圖形等微結構。這類微結構對光波具有漫反射作用，可增加光子的逃逸機率，從而提高LED的發光亮度。但這類結構畢竟是基於光的漫反射原理而設計的，被反射後光的傳播方向也是隨機的，沒有太多的目的性。因此提供一種微結構可以有目的地改變光波的傳播方向，在更有效地提升光子的逃逸機率的前提下，提高LED的軸向發光亮度成為業界的一個研究方向。眾所周知，在宏觀領域，無論是照明路燈、家用檯燈、照明手電筒，還是顯示照明用高壓汞燈或滷素燈等，都是由發光光源和與其配套的反光碗組成的；在微觀領域的LED器件也是由發光晶片和與其配套的碗杯組成的。無論在宏觀領域還是在微觀領域，反光碗(或碗杯)的作用都是改變光的傳播方向，提高軸向發光亮度。那麼再向微觀領域延伸和擴展，因此製備出一種具有類發光體和反光碗組合特性的新型圖形化襯底，這種襯底既不影響外延生長，又能提高LED的軸向發光亮度成為業界的一個研究課題。這種結構製作的難點應該在光刻工藝中，因為只要能在掩膜層上製作出所述結構，剩下的工作就是通過ICP刻蝕的辦法將所述結構轉移到襯底上，這種工作比較易於實現。光刻工藝中的技術難點應該在於如何提供一種能製作上述結構的掩膜版。

實用新型內容本實用新型的目的是提供一種能夠提高LED晶片的軸向亮度的圖形化襯底及用於製備該圖形化襯底的掩膜版。為解決上述問題，本實用新型提供一種圖形化襯底，用於提高LED晶片的軸向亮度，所述圖形化襯底具有若干陣列排列的微結構，所述微結構包括若干用於對光波產生漫反射作用以提高LED晶片的發光亮度的類發光體和若干用於提高LED晶片的軸向發光亮度的反光碗，每一所述反光碗固定於一所述類發光體的底部，並環繞設置於所述類發光體的周圍。進一步的，所述類發光體和所述反光碗為一體成型。進一步的，所述微結構的排列方式為矩形陣列排列、六邊形陣列排列。[0009]進一步的，所述微結構的排列方式為六邊形陣列排列，除邊界處的微結構外，每一微結構被周圍排列於正六邊形頂點的六個微結構包圍，被包圍的微結構位於該正六邊形的中心。進一步的，相鄰的微結構之間的間距為5 μ m 15 μ m。進一步的,所述微結構的底部直徑為3 μ m 5 μ m。進一步的，所述類發光體為微米量級的圓錐體結構，所述類發光體的最大高度為2 μ m 10 μ m0進一步的，所述反光碗為亞微米量級的環形面結構，所述反光碗的最大高度為
O.01 μ m O. 5 μ m。·進一步的，所述圖形化襯底的材質為藍寶石、碳化矽或矽。本實用新型還提供一種用於製作所述的圖形化襯底的掩膜版，所述掩膜版包括粘合固定的具有衍射作用的第一掩膜版和具有濾波作用的第二掩膜版，第一掩膜版和第二掩膜版均具有若干陣列排列的小孔，所述第一掩膜版和第二掩膜版之間具有空氣介質。進一步的,所述空氣介質的厚度為I μ m 50 μ m。進一步的，在使用掩膜版進行曝光的過程中，所述第一掩膜版比第二掩膜版更臨近曝光的光源。進一步的，所述第一掩膜版和第二掩膜版上的小孔的排列形式完全相同，且第一掩膜版和第二掩膜版上相對應小孔的圓心相對。進一步的，所述第一掩膜版和第二掩膜版上小孔的排列方式均為矩形陣列排列、六邊形陣列排列。進一步的，所述第一掩膜版和第二掩膜版上小孔的排列方式均為六邊形陣列排列，除邊界處的小孔外，每一小孔被周圍排列於正六邊形頂點的六個小孔包圍，被包圍的小孔位於該正六邊形的中心。進一步的，所述第一掩膜版上相鄰的小孔之間的間距為Iym 15μπι，所述第二掩膜版上相鄰的小孔之間的間距為I μ m 15 μ m。進一步的，第二掩膜版的小孔直徑大於第一掩膜版的小孔直徑。綜上所述，本實用新型提供的圖形化襯底上具有包括類發光體和發光碗的微結構，所述類發光體能夠對光波產生漫反射，增加光子的逃逸機率，從而提高LED的發光亮度，所述反光碗能夠將從類發光體微結構上反射而來的光束變成準直光，從LED晶片的正面出射，進而提高LED晶片的軸向發光亮度。由於本實用新型所提供的反光碗的高度尺寸比類發光體的高度尺寸小I 2個數量級，在該圖形化襯底上形成外延層的過程中，所述微結構不會給外延生長過程增加額外的困難，並且能夠降低圖形化襯底與外延層之間的應力作用。本實用新型提供的用於製作圖形化襯底的掩膜版也有別於傳統工藝，所述掩膜版採用利用小孔衍射和濾波的原理，包括兩層掩膜版，第一層掩膜版用於形成小孔衍射，第二層掩膜版實現濾波作用，將用於實驗室演示的小孔衍射效應用於LED領域，從而能夠形成具有包括類發光體和發光碗的微結構的圖形化襯底。本實用新型提供的用於製作圖形化襯底的掩膜版上的具有陣列排列的小孔，結構簡單、無需特殊設計，且所述掩膜版的製備也比較簡單，有多種方式可以實現，如雷射打孔技術、高壓腐蝕氧化鋁薄膜技術等。本實用新型提供的用於製作圖形化襯底的掩膜版解決了光刻工藝中的技術難題，加快了將宏觀領域的概念和結構引入微觀的LED領域，為提高LED晶片的軸向發光亮度而服務的進程，採用本實用新型所提供的掩膜版，通過調整曝光量和微調整掩膜版和襯底之間的距離，可製作出不同周期和尺寸的圖形化襯底，具有一塊掩膜版多種功能的優點，本實用新型所提供的掩膜版對器件的尺寸沒有選擇性，對晶片的圖形及尺寸也沒有要求，適用任何尺寸、任何品種的LED晶片製作，符合LED晶片大規模、商業化生產的要求。

圖I是本實用新型一實施例中圖形化襯底結構示意圖； 圖2是本實用新型另一實施例中圖形化襯底結構示意圖；圖3a為本實用新型一實施例中第一掩膜版的小孔的陣列排布圖；圖3b為本實用新型一實施例中第二掩膜版的小孔的陣列排布圖；圖4a為本實用新型另一實施例中第一掩膜版的小孔的陣列排布圖；圖4b為本實用新型另一實施例中第二掩膜版的小孔的陣列排布圖；圖5為本實用新型另一實施例中掩膜版的側面結構示意圖；圖6為小孔衍射原理及能量分布曲線示意圖；圖7為本實用新型一實施例中掩膜版的工作原理不意圖；圖8為本實用新型一實施例中在預襯底上塗覆光刻膠後的結構示意圖；圖9為本實用新型一實施例中在曝光、顯影和堅膜後光刻膠結構示意圖；圖10為本實用新型另一實施例中在曝光、顯影和堅膜後光刻膠結構示意圖；圖11為本實用新型一實施例中圖形化襯底的製造方法的流程示意圖。
具體實施方式
為使本實用新型的內容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本實用新型的內容作進一步說明。當然本實用新型並不局限於該具體實施例，本領域內的技術人員所熟知的一般替換也涵蓋在本實用新型的保護範圍內。其次，本實用新型利用示意圖進行了詳細的表述，在詳述本實用新型實例時，為了便於說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應以此作為對本實用新型的限定。本實用新型的核心思想是本實用新型提供一種具有由類發光體和反光碗組成的微結構的圖形化襯底，從而能夠大大提高LED晶片的軸向發光亮度，並相應提供形成該圖形化襯底的掩膜版，掩膜版結構簡單、易於製備，成本低廉，所述圖形化襯底的製作方法，利用小孔衍射的原理曝光和ICP刻蝕轉移，只需一次光刻工藝和一次刻蝕工藝就能實現，工藝簡單、易於實現，小孔衍射曝光法解決光刻工藝中的技術難題，加快將宏觀領域的概念和結構引入微觀的LED領域，為提高LED晶片的軸向發光亮度而服務的進程。圖I是本實用新型一實施例中圖形化襯底結構示意圖。如圖I所示，本實用新型提供一種用於提高LED軸向亮度的圖形化襯底，所述圖形化襯底具有若干陣列排列的微結構，所述微結構包括若干類發光體16和若干反光碗17,每一所述反光碗17固定於一所述類發光體16的底部，並環繞設置於所述類發光體16的周圍。[0045]所述微結構形狀與小孔衍射的O級和I級空間能量分布結構相適應，即所述微結構形狀與小孔衍射的O級和I級空間能量分布結構相同或相近。由於微結構通過具有小孔衍射的掩膜版形成，該掩膜版只能通過小孔衍射的O級和I級空間能量，因而所述微結構形狀與小孔衍射的O級和I級空間能量分布結構相同或相近。在宏觀領域中,位於反光碗內部的發光光源，由於自身能夠發光，所以被稱為發光體，本實用新型中所述的類發光體16，雖然本身並不發光，但可以對光波產生漫反射作用，因而稱為類發光體16。所述類發光體16對量子阱發出的光波具有漫反射作用，能夠增加光子的逃逸機率，從而提高LED晶片的發光亮度；所述反光碗17能夠將從類發光體16上反射而來的光束變成準直光，以從LED晶片的正面出射，進而提高LED晶片的軸向發光亮度。在較佳的實施例中，所述類發光體16和所述反光碗17為一體成型,可以利用光刻和刻蝕工藝同時形成。相鄰的微結構之間的間距為5 μ m 15 μ m。所述微結構的底部直徑
5μηι。
·[0048]所述類發光體16為微米量級的圓錐體結構，所述類發光體16的最大高度為
2μ m 10 μ m。所述反光碗17為亞微米量級的環形面結構,所述反光碗17的最大高度為
O.01 μ m O. 5 μ m。所述反光碗17的尺寸比所述類發光體16的尺寸小I 2個數量級，因而在圖形化襯底上進行形成外延層的過程中，不會使外延生長增加額外的困難，並且能夠降低圖形化襯底與外延層之間的應力作用。所述微結構的排列方式可以為矩形陣列排列、六邊形陣列排列，此外亦可以為無規則排列形式。如圖I所示，所述微結構的排列方式為矩形陣列排列，圖2是本實用新型另一實施例中圖形化襯底結構示意圖。如圖10所示，當所述微結構的排列方式為六邊形陣列排列，除邊界處的微結構外，每一微結構被周圍排列於正六邊形頂點的六個微結構包圍，被包圍的微結構位於該正六邊形的中心。此外,所述圖形化襯底的材質為藍寶石、碳化娃或娃,其他能夠作為LED晶片的襯底的半導體材質均在本實用新型的思想範圍之內。圖3a為本實用新型一實施例中第一掩膜版的小孔的陣列排布圖；圖3b為本實用新型一實施例中第二掩膜版的小孔的陣列排布圖；圖5為本實用新型另一實施例中掩膜版的側面結構示意圖；結合圖3a、圖3b和圖5，本實用新型還提供一種用於製作圖形化襯底的掩膜版，所述掩膜版包括粘合固定的第一掩膜版21和第二掩膜版22，第一掩膜版21和第二掩膜版22均具有若干陣列排列的小孔9、10,所述第一掩膜版21和第二掩膜版22之間具有空氣介質20 ;所述第一掩膜版21上的小孔9具有衍射作用,用於產生衍射空間光強分布，所述第二掩膜版22上的小孔10具有濾波作用，用於將所述第一掩膜版21上的小孔9產生的衍射空間光強的O級和I級能量全部透過，並濾除其餘各級能量。所述第一掩膜版21和第二掩膜版22上的小孔9、10的排列形式完全相同，且第一掩膜版21和第二掩膜版22上相對應小孔9、10的圓心相對。在使用掩膜版進行曝光的過程中，所述第一掩膜版21比第二掩膜版22更臨近曝光的光源，即曝光光線先經過第一掩膜版21進行衍射，再經過第二掩膜版22進行濾波。所述空氣介質20的厚度為I μ m 50 μ m。第二掩膜版21的小孔10直徑大於第一掩膜版9的小孔直徑。所述第一掩膜版21和第二掩膜版22上小孔9、10的排列方式均為矩形陣列排列、六邊形陣列排列，此外亦可以為無規則排列形式。如圖3a和圖3b所示，所述第一掩膜版21和第二掩膜版22上小孔9、10的排列方式為矩形陣列排列。圖4a為本實用新型另一實施例中第一掩膜版的小孔的陣列排布圖；圖4b為本實用新型另一實施例中第二掩膜版的小孔的陣列排布圖；圖4a和圖4b所示，所述第一掩膜版21和第二掩膜版22上小孔9、10的排列方式均為六邊形陣列排列，除邊界處的小孔9、10夕卜，每一小孔9、10被周圍排列於正六邊形頂點的六個小孔9、10包圍，被包圍的小孔9、10位於該正六邊形的中心。所述第一掩膜版21上相鄰的小孔9、10之間的間距為I μ m 15 μ m，所述第二掩膜版22上相鄰的小孔9、10之間的間距為I μ m 15 μ m。經過利用掩膜版的光刻工藝以及刻蝕工藝後，所述圖形化襯底的微結構自然能夠形成與小孔衍射的O級和I級空間能量分布結構相同或相近的形狀結構。圖6為小孔衍射原理及能量分布曲線示意圖；如圖6所示，平行雷射束I經過小孔2後會在小孔2的後面形成衍射圖樣，剖面衍射圖樣如標號4所示，正面衍射圖樣如標號5所示，小孔衍射能量分布曲線如標號6所示。需要說明的是小孔衍射後的圖樣並不是亮暗相間的圓環條紋，而是由亮到暗、再由暗到亮的漸變過程，圖I中剖面衍射圖樣4和正面衍射圖樣5所示只是為了便於觀看和理解而給出的示意圖，如圖I中小孔衍射能量分布曲線6雖然沒有和剖面衍射圖樣4和正面衍射圖樣5完全對應，但其更接近於實際情況。所述小孔衍射產生的空間光強的O級能量是指如圖6中正面衍射圖樣5(或圖7中正面衍射圖樣7)所示的最中間的亮斑所佔的能量，所述小孔衍射產生的空間光強的I級能量是指如圖6中正面衍射圖樣5所示的光強最強的亮環所佔的能量，或如圖7中正面衍射圖樣7所示的亮環所佔的能量。圖7為本實用新型一實施例中掩膜版的工作原理示意圖，如圖7所示，第二掩膜版22的小孔10的直徑比第一掩膜版21的小孔9的直徑大，第二掩膜版22的小孔10具有濾波作用，可將第一掩膜版21的小孔9產生的衍射圖樣的O級和I級能量透過，而將其餘各級能量濾除。經第一掩膜版21的小孔9濾波後如7中正面衍射圖樣7所示，經第二掩膜版22的小孔10如圖7中濾波後的能量分布曲線8所示。圖9是本實用新型一實施例中在曝光、顯影和堅膜後光刻膠結構示意圖；圖10是本實用新型另一實施例中在曝光、顯影和堅膜後光刻膠結構示意圖。結合圖9和圖10，所述掩膜版利用小孔衍射實現曝光工藝，採用本實用新型所提供的掩膜版可在光刻膠上形成如圖9或圖10所示的圖形，解決了光刻工藝中的技術難題，加快將宏觀領域的概念和結構引入微觀的LED領域，為提高LED晶片的軸向發光亮度而服務的進程；採用本實用新型所提供的掩膜版，通過調整曝光量和微調整掩膜版和襯底之間的距離，可製作出不同周期和尺寸的圖形化襯底，具有一塊掩膜版多種功能的優點；此外本實用新型所提供的掩膜版，對製品的尺寸沒有選擇性，對晶片的圖形及尺寸也沒有要求，適用任何尺寸、任何品種的LED晶片製作，符合LED晶片大規模、商業化生產的要求；本實用新型所提供的掩膜版的設計比較簡單，只是陣列小孔，無需特殊設計；此外，掩膜版的製備也比較簡單，有多種方式可以實現，如雷射打孔技術、高壓腐蝕氧化鋁薄膜技術等。應當明確的是，如圖3a、圖3b、圖4a及圖4b所示的小孔的排布方式只是本實用新型所涉及的兩種小孔排布方式的特例，其它排布方式本實用新型不可能一一畫出，但任何不脫離本實用新型實質精神的改動都應該屬於本實用新型的範疇。圖11為本實用新型一實施例中圖形化襯底的製造方法的流程示意圖。如圖11所示，本實用新型所述圖形化襯底的製造方法，所述圖形化襯底用於提高LED晶片的軸向亮度，所述製造方法包括步驟SOl :提供一預襯底，在所述預襯底上塗覆一層光刻膠；步驟S02 :利用掩膜版對所述光刻膠進行曝光，並對所述光刻膠進行顯影和堅膜，以在光刻膠上形成光刻圖形；步驟S03 :進行刻蝕工藝，使光刻膠上的光刻圖形轉移至所述預襯底上，以使所述預襯底形成圖形化襯底。在步驟SOl中，圖8是本實用新型一實施例中在預襯底上塗覆光刻膠後的結構示意圖，如圖8所示，所述預襯底11的材料可以採用常用的半導體襯底材料，在本實施例中， 所述預襯底11的材料可以為藍寶石、炭化矽或矽等。在步驟S02中，繼續參考圖8，所述光刻膠12是負性光刻膠。所述負性光刻膠被曝光的部分保留，且根據光強度保留程度不同。所述光刻膠12的厚度為Iym 5μπι。在較佳的實施例中，曝光時間為I秒 30秒,顯影時間為I分鐘 30分鐘,堅膜時間為10分鐘 60分鐘，堅膜溫度為80°C 200°C，其後形成例如圖9或圖10所示的結構。在步驟S03中，所述刻蝕工藝採用電感耦合等離子體刻蝕法(InductivelyCoupled Plasma Etch)，在較佳的實施例中，可以採用法國COSMA公司提供的C0RIAL300IL刻蝕設備。在進行刻蝕工藝的步驟中，刻蝕物質包括BCL3和H2, BCL3的通入量為40sccm 80sccm, H2的通入量為IOsccm 20sccm,上電極功率為1200W 1400W,下電極功率為300W 500W，通入時間1800s 2200s。在較佳的實施例中，刻蝕過程分為五步刻蝕，每步刻蝕的工藝條件如表I所示。最終，所述圖形化襯底的製造方法最終形成如圖I或如2所示的圖形化襯底的結構。表I
I第一步I第二步I第三步I第四步I第五步
BCL, (seem)60_60_60_60_60_
H2 (seem)~5 151515 15
上電極功率(W) ~000 100010001000 1000
下電極功率(W) FOP 由500降至400由400降至300 500 時間(sec) |500 |300ΙθΟΟ|250 !300綜上所述，本實用新型提供的圖形化襯底上具有包括類發光體和發光碗的微結構，所述類發光體能夠對光波產生漫反射，增加光子的逃逸機率，從而提高LED的發光亮度，所述反光碗能夠將從類發光體微結構上反射而來的光束變成準直光，從LED晶片的正面出射，進而提高LED晶片的軸向發光亮度。由於本實用新型所提供的反光碗的高度尺寸比類發光體的高度尺寸小I 2個數量級，在該圖形化襯底上形成外延層的過程中，所述微結構不會給外延生長過程增加額外的困難，並且能夠降低圖形化襯底與外延層之間的應力作用。本實用新型提供的用於製作圖形化襯底的掩膜版也有別於傳統工藝，所述掩膜版採用利用小孔衍射的原理，包括兩層掩膜版，第一層掩膜版用於形成小孔衍射，第二層掩膜版實現濾波作用，將用於實驗室演示的小孔衍射效應用於LED領域，從而能夠形成具有包括類發光體和發光碗的微結構的圖形化襯底。本實用新型提供的用於製作圖形化襯底的掩膜版上的兩層掩膜版具有陣列排列的小孔，無需特殊設計，其結構簡單，掩膜版材料常見，因此易於製作且成本低廉，且所述掩膜版的製備也比較簡單，有多種方式可以實現，如雷射打孔技術、高壓腐蝕氧化鋁薄膜技術
坐寸ο本實用新型提供的用於製作圖形化襯底的掩膜版解決了光刻工藝中的技術難題，加快將宏觀領域的概念和結構引入微觀的LED領域，為提高LED晶片的軸向發光亮度而服務的進程，採用本實用新型所提供的掩膜版，通過調整曝光量和微調整掩膜版和襯底之間的距離，可製作出不同周期和尺寸的圖形化襯底，具有一塊掩膜版多種功能的優點，本實用 新型所提供的掩膜版對器件的尺寸沒有選擇性，對晶片的圖形及尺寸也沒有要求，適用任何尺寸、任何品種的LED晶片製作，符合LED晶片大規模、商業化生產的要求。本實用新型所述圖形化襯底的製作方法，利用小孔衍射的原理，只需一次光刻工藝和一次刻蝕工藝就能實現，工藝簡單、易於實現，解決光刻工藝中的技術難題，加快將宏觀領域的概念和結構引入微觀的LED領域，為提高LED晶片的軸向發光亮度而服務的進程。雖然本實用新型已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本實用新型，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本實用新型的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此本實用新型的保護範圍當視權利要求書所界定者為準。
權利要求1.一種圖形化襯底，用於提高LED晶片的軸向亮度，其特徵在於，所述圖形化襯底具有若干陣列排列的微結構，所述微結構包括若干用於對光波產生漫反射作用以提高LED晶片的發光亮度的類發光體和若干用於提高LED晶片的軸向發光亮度的反光碗,每一所述反光碗固定於一所述類發光體的底部，並環繞設置於所述類發光體的周圍。
2.如權利要求I所述的圖形化襯底，其特徵在於，所述類發光體和所述反光碗為一體成型。
3.如權利要求I所述的圖形化襯底，其特徵在於，所述微結構的排列方式為矩形陣列排列、六邊形陣列排列。
4.如權利要求3所述的圖形化襯底，其特徵在於，所述微結構的排列方式為六邊形陣列排列，除邊界處的微結構外，每一微結構被周圍排列於正六邊形頂點的六個微結構包圍，被包圍的微結構位於該正六邊形的中心。
5.如權利要求I所述的圖形化襯底，其特徵在於，相鄰的微結構之間的間距為5μπι 15 μ m0
6.如權利要求I所述的圖形化襯底，其特徵在於，所述微結構的底部直徑為3μ m 5 μ m0
7.如權利要求I所述的圖形化襯底，其特徵在於，所述類發光體為微米量級的圓錐體結構，所述類發光體的最大高度為2 μ m 10 μ m。
8.如權利要求I所述的圖形化襯底，其特徵在於，所述反光碗為亞微米量級的環形面結構，所述反光碗的最大高度為O. 01 μ m O. 5 μ m。
9.如權利要求I所述的圖形化襯底，其特徵在於，所述圖形化襯底的材質為藍寶石、碳化矽或矽。
10.一種用於製作如權利要求I至9中任意一項所述的圖形化襯底的掩膜版，其特徵在於，所述掩膜版包括粘合固定的具有衍射作用的第一掩膜版和具有濾波作用的第二掩膜版，第一掩膜版和第二掩膜版均具有若干陣列排列的小孔，所述第一掩膜版和第二掩膜版之間具有空氣介質。
11.如權利要求10所述的掩膜版，其特徵在於，所述空氣介質的厚度為Iμ m 50μπι。
12.如權利要求10所述的掩膜版，其特徵在於，在使用掩膜版進行曝光的過程中，所述第一掩膜版比第二掩膜版更臨近曝光的光源。
13.如權利要求10所述的掩膜版，其特徵在於，所述第一掩膜版和第二掩膜版上的小孔的排列形式完全相同，且第一掩膜版和第二掩膜版上相對應小孔的圓心相對。
14.如權利要求10所述的掩膜版，其特徵在於，所述第一掩膜版和第二掩膜版上小孔的排列方式均為矩形陣列排列、六邊形陣列排列。
15.如權利要求14所述的掩膜版，其特徵在於，所述第一掩膜版和第二掩膜版上小孔的排列方式均為六邊形陣列排列，除邊界處的小孔外，每一小孔被周圍排列於正六邊形頂點的六個小孔包圍，被包圍的小孔位於該正六邊形的中心。
16.如權利要求10所述的掩膜版，其特徵在於，所述第一掩膜版上相鄰的小孔之間的間距為I μ m 15 μ m，所述第二掩膜版上相鄰的小孔之間的間距為I μ m 15 μ m。
17.如權利要求16所述的掩膜版,其特徵在於,第二掩膜版的小孔直徑大於第一掩膜版的小孔直徑。
專利摘要本實用新型提供一種圖形化襯底及用於製造該圖形化襯底的掩膜版，所述圖形化襯底為具有由類發光體和反光碗組成的微結構的圖形化襯底，能夠大大提高LED晶片的發光亮度，尤其提高軸向發光亮度，形成該圖形化襯底的掩膜版利用小孔衍射和濾波原理，結構簡單、無需特殊設計且易於製備、成本低廉加快了將宏觀領域的概念和結構引入微觀的LED領域，為提高LED晶片的軸向發光亮度而服務的進程。
文檔編號H01L33/10GK202712247SQ201220279148
公開日2013年1月30日 申請日期2012年6月11日 優先權日2012年6月11日
發明者丁海生, 李東昇, 馬新剛, 江忠永, 張昊翔, 王洋, 李超, 黃捷, 黃敬 申請人:杭州士蘭明芯科技有限公司