疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法
2023-05-25 21:22:56
專利名稱：疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法
技術領域：
本發明涉及一種疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，屬於半導體雷射器陣列的功率耦合技術領域。具體而言，本發明敘述疊式多模半導體雷射器陣列與多模光纖陣列間的光學耦合系統。帶尾纖的半導體雷射器陣列可用作固體雷射器的泵浦源、光纖雷射器的泵浦源或直接用於雷射工業加工、印刷、焊接和醫療設備等。
背景技術：
在諸多的應用領域中，通常要求尾纖輸出具有高的能量密度(高亮度)。為了達到這一要求，近年來，半導體雷射器逐漸從單一的發光單元演變成由多個發光單元組成的一維陣列，進而發展到由多個一維陣列重疊排列而成的疊式二維陣列。在此基礎上，為了得到高亮度的尾纖輸出，光鍵是採用一個將分布在發光面上的諸多發光單元的輸出功率高效率地耦合進光纖的光學耦合系統。
圖1所示為一維(線性)半導體雷射器陣列1。它通常由20至50個發光單元2(沒有全部畫出)周期性排列組成，每一個發光單元2長50至200微米、寬1微米，周期P為200至1000微米，每個發光單元發出的光功率在0.5至1.2瓦；一維半導體雷射器陣列總長一般為1至2釐米，總連續輸出光功率為20瓦至60瓦。由於發光單元幾何結構上的非對稱性，光學衍射效應使得發光單元的出射光束也是非對稱的。在垂直於發光面的方向上(稱快軸)的發散角β()約為30°至40°；而在平行於發光面的方向上(稱慢軸)的發散角α(∥)約為10°至15°；出射光束為線偏振光，其偏振方向在平行於發光面的平面內。
一維雷射器陣列在線性長度上發光單元數量的增加是有限的，將一維雷射器陣列重疊排列有可能進一步增加能量密度，圖2所示為兩個一維雷射器陣列重疊排列而成的疊式二維雷射器陣列3，其垂直間隔D一般為1毫米左右；疊式二維雷射器陣列3也可以由多於兩個一維雷射器陣列重疊排列而成。
圖3所示為一維多模光纖陣列4，它由多根多模光纖5周期排列而成，其周期為P′；通常多模光纖5的數量對應相等於待耦合的一維雷射器陣列(或疊式二維雷射器中的一維雷射器陣列)中發光單元的數量。為了得到高亮度的尾纖輸出，在過去幾年間，一些光學耦合系統相繼出現，如利用反射鏡的光學系統(見美國專利#6266359和#5805323)、利用稜鏡的光學系統(見美國專利#6377410和#5513201)、以及利用透鏡陣列的光學系統(美國專利#5887096)。這些專利的特點是它們利用各種不同的結構形式將半導體雷射器陣列的多個發光單元進行空間上的排列組合，以形成較小的發光面積，再由光纖(或光纖陣列)接收。但是，這些辦法通常需要數量很多的光學部件，這些部件間的光學對準複雜，難以保證系統的穩定性，而且結構體積很大。
另一類方法是利用偏振波片和雙折射晶體將一維半導體雷射器陣列中的兩個發光單元合成，再利用光纖接收(美國專利#5533152和#6104741)。在此類結構中，雙折射晶體通常需要較大的光程才能完成發光單元的合成，對於疊式二維雷射器陣列而言，由於一維雷射器陣列間的距離D較大，該類方法一般不實用。
發明內容
本發明的目的是通過利用波分復用膜片和偏振膜片，有效地將疊式半導體雷射器陣列的功率耦合進多模光纖陣列，以得到高亮度的大功率輸出。用膜片合光的優點是所需光程較短，因而可以保持較小的光束半徑，以利於提高耦合效率。
本發明的另一目的是通過利用較少的光學部件來實現疊式半導體雷射器陣列光功率的有效耦合，使光學系統結構簡單、緊湊、具有好的穩定性。
本發明還有一目的是通過利用簡單、緊湊的光學系統能成比例地增加多模光纖陣列的功率輸出，如疊式半導體雷射器陣列可以由兩個、三個、四個，或更多的一維半導體雷射器陣列排列而成。
本發明的技術方案本發明的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，主要包括半導體雷射器陣列和光纖陣列，其特徵在於半導體雷射器陣列由多個一維半導體雷射器陣列疊合而成二維陣列，用柱透鏡和柱透鏡陣列對從多個一維半導體雷射器陣列所發出的光束進行準直，然後將多個準直後的光束合束，合束後的光束再由透鏡陣列聚焦耦合進多模光纖陣列。
所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，其疊式半導體雷射器陣列3由兩個一維半導體雷射器陣列6和7排列而成二維陣列，柱透鏡8和柱透鏡陣列10用來對從一維半導體雷射器陣列6所發出的光束進行準直，準直後的光束又經全反射鏡13使光束的傳輸方向改變90°，再由偏振合束膜片14將其反射90°，與來自一維半導體雷射器陣列7的準直光束合束成為光束15，柱透鏡9和柱透鏡陣列11用來對從一維半導體雷射器陣列7所發出的光束進行準直，準直後的光束首先經半波片12使其偏振方向旋轉90°，再透過偏振合束膜片14與來自一維半導體雷射器陣列6的準直光束合成為光束15，合束後的光束15再由柱透鏡陣列16聚焦耦合進多模光纖陣列17。
所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，其疊式半導體雷射器陣列3由兩個一維半導體雷射器陣列6和7排列而成，它們所發出的光束有著不同的波長，分別為λ1和λ2，柱透鏡8和柱透鏡陣列10用來對從一維半導體雷射器陣列6所發出的光束進行準直，準直後的光束又經全反射鏡18使光束的傳輸方向改變90°，再由波分復用膜片19將其反射90°，與來自一維半導體雷射器陣列7的準直光束合束成為光束15，柱透鏡9和柱透鏡陣列11用來對從一維半導體雷射器陣列7所發出的光束進行準直，再透過波分復用膜片19，與來自一維半導體雷射器陣列6的準直光束合束為光束15，合成後的光束15再由柱透鏡陣列16聚焦耦合進多模光纖陣列17。
所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，其疊式半導體雷射器陣列由三個一維半導體雷射器陣列6、7和22排列而成，一維半導體雷射器陣列6和7所發出的光束有著不同的波長，柱透鏡8和柱透鏡陣列10用來對從一維半導體雷射器陣列6所發出的光束進行準直，準直後的光束又經全反射鏡18使光束的傳輸方向改變90°，再由波分復用膜片19將其反射90°，與來自一維半導體雷射器陣列7的準直光束合束成為光束15，柱透鏡9和柱透鏡陣列11用來對從一維半導體雷射器陣列7所發出的光束進行準直，再透過波分復用膜片19，與來自一維半導體雷射器陣列6的準直光束合束為光束15，合成光束15經半波片12使其偏振方向旋轉90°，再透過偏振合束膜片14與來自一維半導體雷射器陣列22的準直光束合成為光束20，從一維半導體雷射器陣列22所發出的光束經全反射鏡13使光束的傳輸方向改變90°，再由偏振合束膜片14將其反射90°，與合成光束15進一步合成為光束20，合成後的光束20再由柱透鏡陣列16聚焦耦合進多模光纖陣列17。
所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，多個一維半導體雷射器陣列有著相同數量的發光單元，各自的對應發光單元在慢軸方向基本平行對齊，多模光纖陣列17與一維半導體雷射器陣列有著同樣數量的多模接收光纖，多模光纖陣列的周期P′與一維半導體雷射器陣列的周期P相同。
所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，其柱透鏡陣列10和11由多個平凸柱透鏡組成，平凸柱透鏡數量與一維半導體雷射器陣列中的發光單元數量相同，柱透鏡陣列10和11中的單個柱透鏡平行於對應的一維半導體雷射器陣列的各個發光單元的快軸放置，用來同時對一維半導體雷射器陣列的各個發光單元的出射光束準直，即所有發光單元置於柱透鏡陣列10或11的前焦點。
所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，其多模光纖陣列17置於柱透鏡陣列16的後焦點附近，接收將合成光束15聚焦後的光功率，只要聚焦後的光斑及發散角不大於對應接收光纖的芯徑和數值孔徑。
所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，在快軸方向上，從疊式半導體雷射器陣列的各個發光單元出射的發散光束，經柱透鏡8和9準直後成為發散角非常小的平行光束，為了使準直光束直接耦合進光纖陣列17中的接收光纖，選擇柱透鏡8和9的焦距使得準直光束的直徑和發散角不大於接收光纖的芯徑和數值孔徑。
本發明的優點本發明通過利用波分復用膜片和偏振膜片，有效地將疊式半導體雷射器陣列的功率耦合進多模光纖陣列，得到了高亮度的大功率輸出。用膜片合光的優點是所需光程較短，因而可以保持較小的光束半徑，以利於提高耦合效率。
通過利用較少的光學部件來實現疊式半導體雷射器陣列光功率的有效耦合，使光學系統結構簡單、緊湊、具有好的穩定性。
通過利用簡單、緊湊的光學系統能成比例地增加多模光纖陣列的功率輸出，如疊式半導體雷射器陣列可以由兩個、三個、四個，或更多的一維半導體雷射器陣列排列而成。
圖1為一維(線性)半導體雷射器陣列結構示意圖；圖2為兩個一維雷射器陣列重疊排列而成的疊式二維雷射器陣列端面示意圖；圖3為一維多模光纖陣列端面示意圖，它由多根多模光纖5周期排列而成；圖1-圖3在背景技術中已有說明。
圖4為本發明的偏振合束技術實施例1示意圖；圖5為圓柱棒透鏡示意圖；圖6為透鏡陣列由多個平凸柱透鏡組成示意圖；圖7為實施例2另一合束技術即波分復用合束技術示意圖；圖8是實施例3的示意圖，是一個典型系統。疊式半導體雷射器陣列由三個一維半導體雷射器陣列排列而成，合波由波分復用合束技術和偏振合束技術相結合。
具體實施例方式
圖4為本發明的偏振合束技術實施例1示意圖。疊式半導體雷射器陣列3由兩個一維半導體雷射器陣列6和7排列而成(圖中所示為快軸方向)；柱透鏡8和柱透鏡陣列10用來對從一維半導體雷射器陣列6所發出的光束進行準直，準直後的光束又經全反射鏡13使光束的傳輸方向改變90°、再由偏振合束膜片14將其反射90°、與來自一維半導體雷射器陣列7的準直光束合成為光束15；柱透鏡9和柱透鏡陣列11用來對從一維半導體雷射器陣列7所發出的光束進行準直，準直後的光束首先經半波片12使其偏振方向旋轉90°，再透過偏振合束膜片14與來自一維半導體雷射器陣列6的準直光束合成為光束15；合成後的光束15再由柱透鏡陣列16聚焦耦合進多模光纖陣列17。
圖4的優選結構為兩個一維半導體雷射器陣列6和7有著相同數量的發光單元，各自的對應發光單元在慢軸方向基本平行對齊；而且，多模光纖陣列17有著同樣數量的多模接收光纖，多模光纖陣列的周期P′與一維半導體雷射器陣列的周期P相同。通過使用本發明的偏振合束技術，來自兩個一維半導體雷射器陣列6和7的對應發光單元的光束能被同時高效率地耦合進單一多模接收光纖的輸入端，因而增加功率輸出。
圖4的優選結構的另一方面為全反射鏡13可以是鍍金(或鋁)反射鏡、對45°入射的光束全反射的介質膜、或類似於偏振合束膜片14。
圖4的優選結構的另一方面為柱透鏡8和9是完全相同的圓柱棒(圖5所示)；此外，柱透鏡8和9還可以是平凸柱透鏡、或其他拋物線形的柱透鏡；柱透鏡8和9平行於對應的一維半導體雷射器陣列的慢軸放置，用來同時對一維半導體雷射器陣列的各個發光單元的出射光束準直，即所有發光單元置於柱透鏡8或9的前焦點。
圖4的優選結構的另一方面為柱透鏡陣列10和11由多個平凸柱透鏡組成，柱透鏡陣列10和11上的單個柱透鏡還可以是雙曲面柱透鏡、或其他拋物線形的柱透鏡；如圖6所示，平凸柱透鏡數量與一維半導體雷射器陣列中的發光單元數量相同，且柱透鏡陣列10和11完全相同；柱透鏡陣列10和11中的單個柱透鏡平行於對應的一維半導體雷射器陣列的各個發光單元的快軸放置，用來同時對一維半導體雷射器陣列的各個發光單元的出射光束準直，即所有發光單元置於柱透鏡陣列10或11的前焦點。
圖4的優選結構的另一方面為柱透鏡陣列10和11可以做成一體，即為單一柱透鏡陣列。
圖4的優選結構的另一方面為全反射鏡13和偏振合束膜片14之間可以是平行玻璃稜鏡，全反射鏡13和偏振合束膜片14通過膠粘工藝固定在兩個45°的平行斜邊上。
圖4的優選結構的另一方面為多模光纖陣列17置於柱透鏡陣列16的後焦點，接收將合成光束15聚焦後的光功率；此外，只要聚焦後的光斑及發散角不大於對應接收光纖的芯徑和數值孔徑，多模光纖陣列17的位置可以偏離柱透鏡陣列16的後焦點。
圖4的優選結構的另一方面為在快軸方向上，從疊式半導體雷射器陣列的各個發光單元出射的發散光束，經柱透鏡8和9準直後成為發散角非常小的平行光束；柱透鏡陣列10、11、和16在快軸方向上對準直光束沒有聚焦(或發散)作用；為了使準直光束直接耦合進光纖陣列17中的接收光纖，選擇柱透鏡8和9的焦距使得準直光束的直徑和發散角不大於接收光纖的芯徑和數值孔徑。
圖4的優選結構的另一方面為在慢軸方向上，柱透鏡8和9對各個發光單元出射的發散光束不產生影響，經柱透鏡陣列10和11中的各個相應柱透鏡後，光束的發散角得以壓縮，但因為慢軸方向發光單元的尺寸較大，壓縮後的光束仍然有較大發散角；因而，柱透鏡陣列10和11、全反射鏡13、偏振合束膜片14、柱透鏡陣列16應儘可能地安置緊湊。而且，為了避免相鄰發光單元的光束在慢軸方向上重迭，耦合光學系統應選擇合適的參數，這些參數包括慢軸方向發光單元的尺寸及發散角、發光單元的周期P、柱透鏡陣列10和11的焦距、焦點位置及孔徑大小、柱透鏡陣列16的焦距、焦點位置、孔徑大小。
圖4的優選結構的另一方面為所有光學元件的表面都鍍有對光束的波長增透的介質膜。
圖7為本發明的另一合束技術，即波分復用合束技術示意圖。疊式半導體雷射器陣列3由兩個一維半導體雷射器陣列6和7排列而成(圖中所示為快軸方向)，它們所發出的光束有著不同的波長，分別為λ1和λ2；柱透鏡8和柱透鏡陣列10用來對從一維半導體雷射器陣列6所發出的光束進行準直，準直後的光束又經全反射鏡18使光束的傳輸方向改變90°、再由波分復用膜片19將其反射90°、與來自一維半導體雷射器陣列7的準直光束合成為光束15；柱透鏡9和柱透鏡陣列11用來對從一維半導體雷射器陣列7所發出的光束進行準直，再透過波分復用膜片19，與來自一維半導體雷射器陣列6的準直光束合成為光束15；合成後的光束15再由柱透鏡陣列16聚焦耦合進多模光纖陣列17。
與圖4所示本發明的偏振合束技術比較，全反射鏡18代替全反射鏡13，波分復用膜片19代替偏振合束膜片14，半波片12不再需要；其他所有光學元件及其工作原理完全相同。全反射鏡18可以是鍍金(或鋁)反射鏡、對45°入射的光束全反射的介質膜、類似於偏振合束膜片14、或類似于波分復用膜片19。波分復用膜片19反射波長λ1、透射波長λ2。
偏振合束技術和波分復用合束技術可以同時用在一個系統中，使多個一維半導體雷射器陣列的光束實現合束，進一步提高光纖的功率輸出。
圖8是這樣一個典型系統的示意圖。疊式半導體雷射器陣列21由三個一維半導體雷射器陣列6、7和22排列而成(圖中所示為快軸方向)，一維半導體雷射器陣列6和7所發出的光束有著不同的波長，通過前述波分復用合束技術合成為光束15；合成光束15經半波片12使其偏振方向旋轉90°，再透過偏振合束膜片14與來自一維半導體雷射器陣列22的準直光束合成為光束20；從一維半導體雷射器陣列22所發出的光束全反射鏡13使光束的傳輸方向改變90°、再由偏振合束膜片14將其反射90°、與合成光束15進一步合成為光束20；合成後的光束20再由柱透鏡陣列16聚焦耦合進多模光纖陣列17。
圖8的優選結構中的所有元器件具有前面所述的特徵和工作原理。
很顯然，偏振合束技術和波分復用合束技術同時用於一個系統中可以有多種不同的組合；以上應被認作本發明原理的示範性描述，對掌握有相關技巧的人士(those skilled in the art)來說，進一步的改動是明顯的、而且能夠實現的。然而，這些改動不超出本發明的保護範圍和精神。
權利要求
1.一種疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，主要包括半導體雷射器陣列和光纖陣列，其特徵在於半導體雷射器陣列由多個一維半導體雷射器陣列疊合而成二維陣列，用柱透鏡和柱透鏡陣列對從多個一維半導體雷射器陣列所發出的光束進行準直，然後將多個準直後的光束合束，合束後的光束再由透鏡陣列聚焦耦合進多模光纖陣列。
2.根據權利要求1所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，其特徵在於疊式半導體雷射器陣列(3)由兩個一維半導體雷射器陣列(6)和(7)排列而成二維陣列，柱透鏡(8)和柱透鏡陣列(10)用來對從一維半導體雷射器陣列(6)所發出的光束進行準直，準直後的光束又經全反射鏡(13)使光束的傳輸方向改變90°，再由對45°入射的光束全反射的介質膜片(14)將其反射90°，與來自一維半導體雷射器陣列(7)的準直光束合束成為光束(15)，柱透鏡(9)和柱透鏡陣列(11)用來對從一維半導體雷射器陣列(7)所發出的光束進行準直，準直後的光束首先經半波片(12)使其偏振方向旋轉90°，再透過偏振合束膜片(14)與來自一維半導體雷射器陣列(6)的準直光束合成為光束(15)，合束後的光束(15)再由柱透鏡陣列(16)聚焦耦合進多模光纖陣列(17)。
3.根據權利要求1所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，其特徵在於疊式半導體雷射器陣列(3)由兩個一維半導體雷射器陣列(6)和(7)排列而成，它們所發出的光束有著不同的波長，分別為λ1和λ2，柱透鏡(8)和柱透鏡陣列(10)用來對從一維半導體雷射器陣列(6)所發出的光束進行準直，準直後的光束又經全反射鏡(18)使光束的傳輸方向改變90°，再由波分復用膜片(19)將其反射90°，與來自一維半導體雷射器陣列(7)的準直光束合束成為光束(15)，柱透鏡(9)和柱透鏡陣列(11)用來對從一維半導體雷射器陣列(7)所發出的光束進行準直，再透過波分復用膜片(19)，與來自一維半導體雷射器陣列(6)的準直光束合束為光束(15)，合成後的光束(15)再由柱透鏡陣列(16)聚焦耦合進多模光纖陣列(17)。
4.根據權利要求1所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，其特徵在於疊式半導體雷射器陣列由三個一維半導體雷射器陣列(6)、(7)和(22)排列而成，一維半導體雷射器陣列(6)和(7)所發出的光束有著不同的波長，柱透鏡(8)和柱透鏡陣列(10)用來對從一維半導體雷射器陣列(6)所發出的光束進行準直，準直後的光束又經全反射鏡(18)使光束的傳輸方向改變90°，再由波分復用膜片(19)將其反射90°，與來自一維半導體雷射器陣列(7)的準直光束合束成為光束(15)，柱透鏡(9)和柱透鏡陣列(11)用來對從一維半導體雷射器陣列(7)所發出的光束進行準直，再透過波分復用膜片(19)，與來自一維半導體雷射器陣列(6)的準直光束合束為光束(15)，合成光束(15)經半波片(12)使其偏振方向旋轉90°，再透過對45°入射的光束全反射的介質膜片(14)與來自一維半導體雷射器陣列(22)的準直光束合成為光束(20)，從一維半導體雷射器陣列(22)所發出的光束全反射鏡(13)使光束的傳輸方向改變90°，再由對45°入射的光束全反射的介質膜片(14)將其反射90°，與合成光束(15)進一步合成為光束(20)，合成後的光束(20)再由柱透鏡陣列(16)聚焦耦合進多模光纖陣列(17)。
5.根據權利要求1或2所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，其特徵在於多個一維半導體雷射器陣列有著相同數量的發光單元，各自的對應發光單元在慢軸方向基本平行對齊，多模光纖陣列有著同樣數量的多模接收光纖，多模光纖陣列的周期P′與一維半導體雷射器陣列的周期P相同。
6.根據權利要求1或2所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，其特徵在於柱透鏡陣列(10)和(11)由多個平凸柱透鏡組成，平凸柱透鏡數量與一維半導體雷射器陣列中的發光單元數量相同，柱透鏡陣列(10)和(11)中的單個柱透鏡平行於對應的一維半導體雷射器陣列的各個發光單元的快軸放置，用來同時對一維半導體雷射器陣列的各個發光單元的出射光束準直，即所有發光單元置於柱透鏡陣列(10)或(11)的前焦點。
7.根據權利要求1或2所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，其特徵在於多模光纖陣列(17)置於柱透鏡陣列(16)的後焦點附近，接收將合成光束(15)聚焦後的光功率，只要聚焦後的光斑及發散角不大於對應接收光纖的芯徑和數值孔徑。
8.根據權利要求1或2所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，其特徵在於在快軸方向上，從疊式半導體雷射器陣列的各個發光單元出射的發散光束，經柱透鏡(8)和(9)準直後成為發散角非常小的平行光束，為了使準直光束直接耦合進光纖陣列(17)中的接收光纖，選擇柱透鏡(8)和(9)的焦距使得準直光束的直徑及發散角不大於接收光纖的芯徑及數值孔徑。
9.根據權利要求3或4所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，其特徵在個一維半導體雷射器陣列有著相同數量的發光單元，各自的對應發光單元在慢軸方向基本平行對齊，多模光纖陣列(17)有著同樣數量的多模接收光纖，多模光纖陣列的周期P′與一維半導體雷射器陣列的周期P相同。
10.根據權利要求3或4所述的疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，其特徵在於柱透鏡陣列(10)和(11)由多個平凸柱透鏡組成，平凸柱透鏡數量與一維半導體雷射器陣列中的發光單元數量相同，柱透鏡陣列(10)和(11)中的單個柱透鏡平行於對應的一維半導體雷射器陣列的各個發光單元的快軸放置，用來同時對一維半導體雷射器陣列的各個發光單元的出射光束準直，即所有發光單元置於柱透鏡陣列(10)或(11)的前焦點。
全文摘要
本發明提供一種疊式半導體雷射器陣列與光纖陣列間的耦合方法，其半導體雷射器陣列由多個一維半導體雷射器陣列疊合而成二維陣列，用柱透鏡和柱透鏡陣列對從多個一維半導體雷射器陣列所發出的光束進行準直，然後將多個準直後的光束合束，合束後的光束再由透鏡陣列聚焦耦合進多模光纖陣列。多個一維半導體雷射器陣列有著相同數量的發光單元，各自的對應發光單元在慢軸方向基本平行對齊，多模光纖陣列與一維半導體雷射器陣列有著同樣數量的多模接收光纖，多模光纖陣列的周期P′與一維半導體雷射器陣列的周期P相同。
文檔編號G02B6/32GK1523388SQ03118678
公開日2004年8月25日 申請日期2003年2月21日 優先權日2003年2月21日
發明者樊承鈞, 向清 申請人:樊承鈞, 向清