用於利用交流電壓對電容器進行充電的電路和功率調光器的製造方法
2023-05-25 09:29:21 1
用於利用交流電壓對電容器進行充電的電路和功率調光器的製造方法
【專利摘要】本實用新型的實施例提供一種用於利用交流電壓對電容器進行充電的電路和功率調光器，所述用於利用交流電壓對電容器進行充電的電路包括用於根據所述交流電壓的值調整電容器充電速度的電路，其中所述調整電路包括至少一個雙極電晶體，在所述雙極電晶體的基極上接收取決於所述交流電壓的值的電壓。所述功率調光器用於利用交流電壓供電的負載，所述功率調光器包括至少一個電容器和所述的用於利用所述交流電壓對所述電容器進行充電的電路。
【專利說明】用於利用交流電壓對電容器進行充電的電路和功率調光器
【技術領域】
[0001]本公開總體涉及電子電路，更具體地涉及用於利用交流電壓對電容器進行充電的電路的領域。本公開特別適用於g在控制利用交流電壓供電的負載的功率調光器(dimmer)的領域。
【背景技術】
[0002]ー些已知的功率調光器包括與負載串聯的晶閘管或三端雙向可控矽(triac)類型的開關、接收交流電源電壓的組件以及用於控制該開關的電路。在操作中，通過在開關的門極上施加啟動信號，使開關在電源電壓的每個正和/或負半波的開始和結束之間的中間階段處導通(閉合)。一旦啟動，開關就保持導通直到半波結束。通過變化施加啟動信號的時間，可以調節供給負載的功率。
[0003]開關控制電路通常包括利用交流電壓充電的電容器和當跨電容器的電壓超過閾值時能夠導通開關的啟動電路。電位計能夠使得用戶控制電容器充電速度，並且因此控制開關啟動時間。
[0004]現有的功率調光器的缺陷在於:對於電位計的給定設置而言，在交流電源電壓的幅度的寄生波動的情況下，電容器充電速度變化並且供給到負載的功率相應地也變化。在負載為照明裝置的情況下，這可能會導致可視光強度變化。
[0005]期望減少交流電源電壓的幅度波動對供給到負載的功率的影響。
[0006]更具體而言，期望能夠減少交流電壓的幅度波動對電容器充電速度的影響。
實用新型內容
[0007]—個實施例提供用於利用交流電壓對電容器充電的電路，克服現有充電電路的全部或一部分缺陷。
[0008]另ー實施例提供用於利用交流電壓供電的負載的功率調光器，該調光器克服現有調光器的全部或一部分缺陷。
[0009]因而，一個實施例提供用於利用交流電壓對電容器進行充電的電路，包括用於根據交流電壓值調整電容器的充電速度的電路。
[0010]根據ー個實施例，調整電路能夠將電容器的充電電流減去調整電流，該調整電流取決於交流電壓值。
[0011]根據ー個實施例，調整電流的強度為交流電壓值的線性函數。
[0012]根據ー個實施例，調整電路包括至少ー個雙極電晶體，在該雙極電晶體的基極上接收取決於交流電壓值的電壓。
[0013]根據ー個實施例，電晶體與電容器並聯連接。
[0014]另ー實施例提供用於利用交流電壓供電的負載的功率調光器，其包括至少ー個電容器和諸如上述的用於利用交流電壓對所述電容器進行充電的ー個電路。
[0015]根據ー個實施例，所述至少ー個電容器的充電速度調控供給到負載的功率。[0016]根據ー個實施例，調光器包括啟動電路，當跨電容器的電壓超過閾值時，該啟動電路能夠觸發開關的導通。
[0017]根據ー個實施例，開關包括至少ー個晶閘管。
[0018]根據ー個實施例，開關包括三端雙向可控矽。
[0019]根據ー個實施例，充電電路包括與電容器串聯的電阻元件。
[0020]通過使用本實用新型的技術方案可以至少部分地解決上述的技術問題並且獲得對應的技術效果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021]將在下面結合附圖的具體實施例的非限制性描述中詳細地論述前述和其它特徵與優勢。
[0022]圖1是包括利用交流電壓供電的負載的組件和能夠控制給該負載供應的功率的功率調光器的實施例的簡化電氣圖；
[0023]圖2是用於啟動功率調光器開關的電路的實施例的電氣圖；
[0024]圖3是用於啟動功率調光器開關的電路的另ー實施例的電氣圖；以及
[0025]圖4是包括利用交流電壓供電的負載的組件和能夠控制給該負載供應的功率的功率調光器的另ー實施例的簡化電氣圖。
【具體實施方式】
[0026]在不同的附圖中，利用相同的參考標號標示相同的元件。此外，為清楚起見，僅示出有助於理解本公開的那些元件並且將在下面進行描述。
[0027]圖1是包括利用交流電壓\c供電的負載L的組件和能夠控制給負載L供應的功率的功率調光器100的實施例的簡化電氣圖。負載L例如為照明裝置，諸如滷素燈泡、發光ニ極管燈、緊湊型螢光燈或能夠利用交流電壓供電的任意其它照明裝置。作為變體，負載可以為加熱或通風裝置或者能夠利用交流電壓供電的任意其它裝置。交流電壓Va。例如為電氣分布網絡的市電電壓。在本例中，調光器100經由兩個接觸端子A和B與負載L串聯組裝，該組件接收交流電壓\c。調光器的端子A和B連接到負載L的第一端子和提供交流電壓\c的第一端子，負載L的第二端子連接到提供交流電壓\c的第二端子。
[0028]調光器100為全波調光器，也就是，它在電源電壓Vac的正半波和負半波二者期間向負載L遞送功率。
[0029]調光器100包括LC濾波器，該LC濾波器包括電容器103和電感器105，電容器103在端子A和B之間，電感器105的一端連接到端子A且另一端連接到調光器的節點C。LC濾波器特別是具有防止不希望的電流和/或電壓梯度(例如電流和/或電壓峰值)在電氣分布網絡中傳播的功能。作為示例，電容器103與端子A和B直接連接，並且電感器105與端子A和節點C直接連接。
[0030]調光器100包括第一晶閘管107和與該晶閘管107反向並聯的第二晶閘管109，第一晶閘管107在節點C與端子B之間，該晶閘管107的陽極在節點C側上。在本例中，晶閘管107和109為陰極門極型晶閘管。在優選實施例中，晶閘管107的陽極和晶閘管109的陰極直接連接到節點C，並且晶閘管107的陰極和晶閘管109的陽極直接連接到端子B。電阻器108將晶閘管107的陰極門極F連接到端子B，並且電阻器110將晶閘管109的陰極門極G連接到節點C。在優選實施例中，電阻器108和110分別直接連接到節點F和端子B以及節點G和C。
[0031]調光器100進ー步包括用於控制晶閘管107和109的電路111。電路111包括第ー電容器113和第二電容器115，第一電容器113在端子B與電路111的中間節點D之間，第二電容器115在節點C與電路111的中間節點E之間。例如包括電位計的可變值的電阻元件117將節點D連接到節點E。在優選實施例中，電容器113直接連接到節點D和端子B，電容器115直接連接到節點E和C，並且電阻元件117直接連接到節點E和D。電路111包括重置元件，用於在交流電壓的每個新的正半波或負半波的開始處對電容器113或115放電。重置元件例如包括ニ極管123和ニ極管125，ニ極管123在端子B和節點D之間，ニ極管123的陽極在端子B側上，而ニ極管125在節點C和節點E之間，ニ極管125的陽極在節點C側上。在優選實施例中，ニ極管123的陽極和陰極分別直接連接到節點B和節點D，並且ニ極管125的陽極和陰極分別直接連接到節點C和節點E。電路111進ー步包括電路119和電路121，電路119能夠在電壓Vac的正半波期間當跨電容器113的電壓超過閾值時啟動(導通)晶閘管107，而電路121能夠在電HVa。的負半波期間當跨電容器115的電壓超過閾值時啟動(導通)晶閘管109。在本例中，電路119連接並且優選地直接連接到節點D和F以及端子B，而電路121連接並且優選地直接連接到節點E、C和G。
[0032]在電壓Vac的正半波的開始，晶閘管107和109保持截止。調光器使電流Iq傳導穿過正向偏置ニ極管125並穿過電阻元件117。電容器113在該電流的影響下充電。當跨電容器113的電壓超過閾值時，晶閘管107導通。為此目的，啟動電路119跨電阻器108(也就是在節點F和端子B之間)施加電壓，以在晶閘管107的陰極門極和陰極之間施加具有大於啟動閾值的強度的電流。一旦啟動，晶閘管107就保持導通直到它傳導的電流變為零，例如直到半波結束。
[0033]對於交流電壓Vac的每個正半波或負半波重複上述時序，不同之處僅在於:對於負半波而言，在半波開始吋，電流Iq穿過正向偏置ニ極管123並且對電容器115進行充電。當跨電容器115的電壓超過閾值時，晶閘管109由啟動電路121導通。
[0034]通過變化可變電阻元件117的值，可以變化電容器113和115的充電速度，這使得能夠變化晶閘管107和109的導通時間。這樣能夠使得調節供給到負載L的功率。特別是，減小電阻117的量以使晶閘管107和109的導通時間超前，因而增加供給到負載的功率，以及增加電阻117的量以使得晶閘管107和109的導通時間延遲，因而降低供給到負載的功率。
[0035]根據所述實施例的ー個方面，除了已經描述的元件之外，調光器100的控制電路111還包括分支電路127，該分支電路127能夠根據交流電壓Vac的值將電容器113和115的充電電流Iq減去調整電流Id。
[0036]在本例中，分流電路127包括兩個NPN雙極電晶體129和131。電晶體129的集電極連接並且優選地直接連接到節點D，並且其發射極經由發射極電阻器130連接到端子B。電晶體131的集電極連接並且優選地直接連接到節點E，並且其發射極經由發射極電阻器132連接到節點C。電路127進ー步包括電阻器134和電阻器136，電阻器134將電晶體131的基極連接到節點C，電阻器136將電晶體129的基極連接到端子B。在本例中，電路127包括在電晶體129的基極與電晶體131的基極之間反串聯的兩個齊納二極體138和140，二極體138的陰極在電晶體129的基極側上，二極體140的陰極在電晶體131的基極側上。在本例中，二極體138的陰極直接連接到電晶體129的基極，二極體138的陽極直接連接到二極體140的陽極，並且電阻器142將二極體140的陰極連接到電晶體131的基板。
[0037]在電壓VA。的正半波的開始以及電容器113的充電階段的開始時，齊納二極體140截止。電晶體129的基板-集電極電壓因而基本為零，並且電晶體129為非導通。流過二極體125和電阻元件117的所有電流Iq對電容器113進行充電。當電壓Vac達到齊納二極體140的雪崩電壓時，齊納二極體140變為導通。將二極體140的雪崩電壓稱為Vzi4tl,並且將電阻器134、136和142的相應值稱為R134、R136和R142，則在電晶體129的基極與端子B之間施加基本等於(Vac-Vzi4q)xR136 / (R136+R134+R142)的電壓，這使得電晶體129導通。電流Iq的一部分Id繼而被電晶體129分流，並且不再參與對電容器113的充電。相對於不包括分流電路127的調光器而言，這降低了電容器113的充電速度。電路111定製成使得電晶體129處於其線性工作範圍內。由幹與電壓Vac-Vzi4ci基本成比例的基極電流流過電晶體129的基極-發射極結，所以由該電晶體分流的電流Id也與電壓Vac-Vzi4ci成比例，並且因而為電壓Va。的值的線性函數。繼而電容器113的充電電流等於IQ-1d。當跨電容器113的電壓超過電路119設定的啟動閾值時，晶閘管107導通。
[0038]類似地，在負半波期間，當電壓\c達到齊納二極體138的雪崩電壓Vzi38時，與電壓Vac-Vz138成比例的電流Id從電容器115的充電電流Iq中減去，並且經由電晶體131和電感器105耗盡到端子A。
[0039]換言之，分流電路127根據交流電壓Vac的值調整電容器113和115的充電速度，或者根據交流電壓\c的值對電容器113和115部分地放電。更具體而言，在本例中，當電壓Vac超過二極體138和140的雪崩閾值吋，電路127降低電容器113和115的充電速度，該降低都是由於電壓\c的值高而更大。
`[0040]圖1的實施例的優勢在於:電路127能夠使得將電壓\c的幅度波動對電容器113和115的充電速度的影響最小化，並且因而對供給到負載的功率的影響最小化。
[0041]在圖1的示例中，提供齊納二極體138和140，使得能夠避免電流Id在電壓\c的正半波或負半波的開始就從電容器113和115的充電電流分流。這能夠使得在事先已知時將調光器的功耗最小化，無論電位計117的設置如何，都僅朝著電壓\c的半波的結束啟動晶閘管107和109 (例如，當負載具有低功耗時)。然而，二極體138和140是可選的。在沒有二極體138和140的情況下，與電壓Vac的值成比例的電流Id在電壓Vac的正半波或負半波的開始就從電容器113和115的充電電流分流。
[0042]圖2是圖1的調光器100的用於在電壓Vac的正半波期間啟動晶閘管107的電路119的實施例的電氣圖。基於圖2的示圖，本領域技術人員將能夠形成類似的用於在電壓Vac的負半波期間啟動晶閘管109的電路(圖1的調光器100的電路121)。在本例中，啟動電路包括晶閘管201，該晶閘管201的陽極連接並且優選地直接連接到節點D，該晶閘管201的陰極經由電阻器203連接到節點F。陽極門極電阻器205連接在晶閘管201的陽極與陽極門極之間，陰極門極電阻器207連接在晶閘管201的陰極與陰極門極之間，並且電容器209與電阻器207並聯連接在晶閘管201的陰極與陰極門極之間。圖2的啟動電路進ー步包括齊納二極體211，該齊納二極體211連接在晶閘管201的陽極門極與端子B之間，二極體211的陽極在端子B側上。齊納ニ極管211的雪崩閾值調控啟動晶閘管107的跨電容器113的電壓閾值。
[0043]當跨電容器113的電壓超過閾值時，齊納ニ極管211由於雪崩效應而導通，並且電流從ニ極管211的陽極流到ニ極管211的陽極門扱。該啟動電流使得晶閘管201導通。一旦晶閘管201成為導通，電流就在晶閘管107的陰極和陰極門極之間流動，這使得晶閘管107導通。電阻器207和電容器209能夠使得提高晶閘管201的電磁抗擾性。
[0044]圖3是圖1的調光器100的用於在電壓VA。的正半波期間啟動晶閘管107的電路119的另ー實施例的電氣圖。基於圖3的示圖，本領域技術人員將能夠形成類似的用於在電壓\c的負半波期間啟動晶閘管109的電路(圖1的調光器100的電路121)。在本例中，啟動電路包括晶閘管301，該晶閘管301的陽極連接並且優選地直接連接到節點D，該晶閘管301的陰極經由電阻器303連接到節點F。陰極門極電阻器305連接在晶閘管301的陰極與陰極門極之間，並且電容器307與電阻器305並聯連接在晶閘管301的陰極與陰極門極之間。圖2的啟動電路進ー步包括齊納ニ極管309，該齊納ニ極管309連接在陰極門極與節點D之間，ニ極管309的陰極在節點D側上。齊納ニ極管309的雪崩閾值調控啟動晶閘管107的跨電容器113的電壓閾值。在圖3的示例中，端子B不與啟動電路119連接。
[0045]當跨電容器113的電壓超過閾值時，齊納ニ極管309由於雪崩效應而變為導通，並且電流從晶閘管301的陰極門極流到晶閘管301的陰極。該啟動電流使得晶閘管301導通。一旦晶閘管201成為導通，電流就在晶閘管107的陰極和陰極門極之間流動，這使得晶閘管107導通。電阻器305和電容器307能夠使得提高晶閘管301的電磁抗擾性。
[0046]圖3的啟動電路相比圖2的電路而言具有能夠使得更精確地控制晶閘管107和109的優勢。該優勢特別是帶來如下事實:圖3的電路使用陰極門極晶閘管，該陰極門極晶閘管比陽極門極晶閘管響應靈敏。此外，在陽極門極晶閘管中，對於在晶閘管中流動的低於陰極門極晶閘管中的電流值，會發生從導通狀態到截止狀態的切換，這使得對晶閘管107和109的控制更容易。
[0047]在圖1的調光器100的實施例中，根據圖3的示例形成啟動電路119和121，並且調光器100的各種部件的值如下:電容器103:100納法，電感器105:29微亨，電阻器108和110:10千歐，電阻器303:50千歐，電阻器305:20千歐，電阻器307:10納法，電容器113和115:1微法，電阻器130和132:680微法，電阻器134和136:4.3千歐，電阻器142:150千歐。晶閘管107和109例如為以索引號(reference)TS820-600售賣的部件。齊納ニ極管309例如為以索引號BZX55C15售賣的部件，並且具有15伏量級上的雪崩電壓。ニ極管123和125例如為以索引號1N4148售賣的部件。雙極電晶體129和131例如為以索引號2N2222售賣的部件。齊納ニ極管138和140例如為以索引號BZX55C68售賣的部件，並且具有68伏量級上的雪崩電壓。每個晶閘管301 (或圖2的電路情況中的201)可以藉助於兩個晶閘管組裝的雙極電晶體來形成，例如，以索引號2N2222售賣的NPN電晶體和以索引號2N2907售賣的PNP電晶體。可變電阻元件117例如包括220千歐的電位計，該電位計與I千歐的第一電阻器串聯在節點E和D之間並且與82千歐的第二電阻器並聯，電位計滑臂(wiper)連接到與電位計以及第一和第二電阻器共同的節點。
[0048]所述實施例當然不限於該特定示例。
[0049]圖4是包括利用交流電壓\c供電的負載L的組件和能夠控制給負載L供應的功率的功率調光器400的另ー實施例的示例的簡化電氣圖。如在圖1的示例中那樣，圖4的調光器400經由兩個接觸端子A和B與負載L串聯組裝，該組件接收交流電壓\c。此外，如圖1的示例中那樣，調光器400為全波調光器。
[0050]調光器400包括LC濾波器，該LC濾波器包括電容器403和電感器405，電容器403在端子A與B之間，電感器405的一端連接到端子A，電感器405的另一端連接到調光器的節點M。調光器400與圖1的調光器100的不同之處在於:在調光器400中，用於控制供給到負載的功率的開關為三端雙向可控矽407 (其替換調光器100的晶閘管107和109)。三端雙向可控矽407連接在節點M和端子B之間。調光器400包括用於控制三端雙向可控矽407的電路409。電路409包括在電路409的中間節點N與端子B之間的電容器411。可變值的電阻元件413例如包括電位計，將節點N與節點M連接。電路409進ー步包括連接在三端雙向可控矽407的控制門極0與節點N之間的ニ端交流開關元件(diac)415。
[0051]在電壓Vac的正半波的開始時，三端雙向可控矽407保持截止。電流Iq通過電阻元件413流動並對電容器411進行充電。當跨電容器411的電壓超過三端交流開關元件415的啟動閾值時，三端交流開關元件415導通並且電流在三端雙向可控矽407的門極0與端子B之間流動。該門極電流使三端雙向可控矽407導通。一旦啟動，三端雙向可控矽407保持導通直到半波結束。
[0052]對於交流電壓VA。的每個正半波或負半波重複上述時序。
[0053]根據所述實施例的ー個方面，除了已經描述的元件之外，三端雙向可控矽的控制電路409還包括分流電路417或根據交流電壓\c的值對電容器411進行部分放電的電路。在本例中，電路417能夠根據交流電壓\c的值將電容器411的充電電流Iq減去調整電流
Id°
[0054]在本例中，分流電路127包括NPN雙極電晶體419和PNP雙極電晶體421。ニ極管423連接在電晶體419的集電極與節點N之間，ニ極管423的陽極在節點N側上，並且ニ極管425連接在電晶體421的集電極與節點N之間，ニ極管425的陰極在節點N側上。電晶體419的發射極經由發射極電阻器427連接到端子B，並且電晶體421的發射極經由發射極電阻器429連接到端子B。電路417還包括將電晶體419的基極連接到端子B的電阻器431以及將電晶體421的基極連接到端子B的電阻器433。在本例中，電路417還包括兩個齊納ニ極管435和437，分別在電晶體419的基極與節點M之間以及電晶體421的基極與節點M之間，ニ極管435的陰極在節點M側上並且ニ極管437的陰極在電晶體421的基極側上。在本例中，ニ極管439連接在齊納ニ極管435的陰極與節點M之間，ニ極管439的陽極在節點M側上，並且ニ極管441連接在電晶體421的基極與齊納ニ極管437的陰極之間，ニ極管441的陽極在電晶體421的基極側上。此外，在所示示例中，電阻器443連接在電晶體419的基極與齊納ニ極管435的陽極之間，並且電阻器445連接在節點M與齊納ニ極管437的陽極之間。
[0055]在電壓VAC的正半波的開始以及電容器411的充電階段的開始時，齊納ニ極管435截止。電晶體419的基極-發射極電壓因而基本為零，並且電晶體419為非導通。流過ニ極管125和電阻元件413的全部電流Iq因而對電容器411充電。當電壓Vac達到齊納ニ極管435的雪崩電壓吋，齊納ニ極管435變為導通。然後在電晶體419的基極與端子B之間施加減去ニ極管435的雪崩電壓的基本與電壓Va。成比例的電壓，這使得電晶體419導通。然後電流Iq的一部分Id由電晶體49分流並且不再作用於電容器411的充電，相對於將不包括分流電路417的調光器而言這降低了電容器411的充電速度。在本例中，由電晶體419分流的電流Id與電壓Vac減去ニ極管435的雪崩電壓的值成比例。當跨電容器411的電壓超過由三端交流開關元件415設定的啟動閾值時，三端雙向可控矽407導通。
[0056]類似地，在負半波期間，當電壓Vac超過齊納ニ極管437的雪崩電壓吋，與電壓Vac減去齊納ニ極管437的雪崩電壓成比例的電流Id從電容器411的充電電流Iq中減去並且經由電晶體421耗盡。
[0057]應注意到，在圖4的示例中，ニ極管423、425、439和441是可選的，並且如果電晶體419和421能夠一方面耐受它們的集電極和它們的發射極之間的負電壓、另一方面耐受它們的發射極和它們的基極之間的負電壓，則可以抑制電晶體419和421。
[0058]已經描述了特定實施例。本領域技術人員將容易想到各種替代、修改和改進方案。
[0059]特別地，以上描述了其中根據交流電壓值調整電容器充電速度的用於利用交流電壓對電容器充電的電路的實施例。更具體而言，已經描述了其中電容器充電電路包括分流電路的實施例，該分流電路能夠從電容器充電電流中減去依賴於交流電壓值的電流或者能夠根據交流電壓值對電容器部分放電。儘管已經在功率調光器中控制開關的電路的特別有利用途的上下文中進行了本公開，但並不限於該特定用途。本領域技術人員將能夠將所述實施例適用於利用交流電壓對電容器進行充電的任意電路，其中期望將交流電壓的幅度波動對電容器充電速度的影響最小化。
[0060]此外，本公開並不限於分流或放電電路的上述示例。基於上述教導，本領域技術人員將能夠形成其它用於利用交流電壓對電容器進行充電的電路、能夠根據交流電壓值調整電容器充電速度的電路。作為示例，以上描述了使得能夠從電容器充電電流中減去作為交流電壓值的線性函數的調整電流的分流電路。本公開並不限於這種類型的函數。此外，在所述示例中，調整電流藉助於雙極電晶體分流。本公開並不限於此特定情況。可以使用其它類型的分流部件，例如MOS電晶體。
[0061]此外，在用於利用交流電壓供電的負載的功率調光器中使用的情況中，本公開並不限於調光器系統的所示和所述示例。特別地，本公開並不限於其中調光器包括保護抗寄生幹擾的LC濾波器的情況。此外，本公開並不限於使用晶閘管或三端雙向可控矽類型的開關的調光器。本領域技術人員將能夠將所述實施例適用於使用其它類型的開關的調光器。本公開並不限於開關啟動電路的上述示例。此外，本領域技術人員將能夠將所述實施例適用於半波調光器。
[0062]g在於將這樣的替代、修改和改進方案作為本公開的一部分並且g在於將它們置於本申請的精神和範圍內。相應地，前面的描述僅作為示例而不_在於構成限制。本申請僅限制為所附權利要求及其等同方案中限定的那樣。
【權利要求】
1.一種用於利用交流電壓對電容器進行充電的電路，其特徵在於，包括用於根據所述交流電壓的值調整電容器充電速度的電路，其中所述調整電路包括至少ー個雙極電晶體，在所述雙極電晶體的基極上接收取決於所述交流電壓的值的電壓。
2.根據權利要求1所述的充電電路，其特徵在於，所述調整電路能夠將用於對所述電容器進行充電的電流減去調整電流，所述調整電流取決於所述交流電壓的值。
3.根據權利要求2所述的充電電路，其特徵在於，所述調整電流的強度為所述交流電壓的值的線性函數。
4.根據權利要求1所述的電路，其特徵在於，所述電晶體與所述電容器並聯連接。
5.ー種功率調光器，其特徵在於，用於利用交流電壓供電的負載，所述功率調光器包括至少ー個電容器和權利要求1所述的用於利用所述交流電壓對所述電容器進行充電的電路。
6.根據權利要求5所述的功率調光器，其特徵在於，所述至少ー個電容器的充電速度調控供給到所述負載的功率。
7.根據權利要求6所述的功率調光器，其特徵在於，包括啟動電路，當跨所述電容器的電壓超過閾值時，所述啟動電路能夠觸發開關的導通。
8.根據權利要求7所述的功率調光器，其特徵在於，所述開關包括至少ー個晶閘管。
9.根據權利要求7所述的功率調光器，其特徵在於，所述開關包括三端雙向可控矽。
10.根據權利要求5所述的功率調光器，其特徵在於，所述充電電路包括與所述電容器串聯的電阻元件。
【文檔編號】H02J7/10GK203445679SQ201320532729
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年8月27日 優先權日:2012年8月29日
【發明者】L·貢蒂爾, A·帕索爾 申請人:意法半導體(圖爾)公司