晶片檢測方法
2023-05-16 01:55:31 1
專利名稱：晶片檢測方法
技術領域：
本發明涉及一種晶片檢測(Wafer Acceptance Testing；WAT)方法，特別涉及一種自動晶片檢測方法(automatically WAT test)。藉由自動程序(program)的設計與輔助，可以增進現有晶片檢測方法(WAT)人機介面的親和力以及減少操作與修改程序的時間。
在半導體製作工藝上，常用一種晶片檢測方法(WAT)來檢測晶片上電晶體的各種特性。其方式為在晶片上欲檢測的晶方(die)周圍，提供多個測試鍵(test Key)，這些測試鍵形成在晶方之間的切割道(scribe line)上，以焊墊(pad)電性連接外部。然後，選擇一模件(module)的測試鍵，分別用以檢測不同的晶片特性與讀取訊號，例如臨界電壓VTH(threshold voltage)或是飽和電流IDSAT(saturate current)等。接著，操作者或是使用者們便開始撰寫程序，操作者必須了解與熟悉程序語言與各種參數所代表的意義。最後，再利用人機介面的控制方式，來控制在測試鍵上所需加上的電壓，並讀出所欲檢測的電流訊號。
如
圖1所示，在晶片10上，分布有多個形狀為矩形的晶方12，在晶方12之間分布有切割道14的結構。一般在晶方12上形成的電晶體為主要參與邏輯運算或是記憶功能的元件，而在切割道14上也會同時形成電晶體的結構，此種電晶體的結構與晶方12上的電晶體結構很相似，目的是被用以做測試之用，其柵極、源極或漏極均以焊墊16電性連接外部的測試鍵。
當進行晶片檢測(WAT)時，常會碰到許多的困難，例如人機介面缺乏親和力，因為此種檢測的程序並不容易撰寫，使得操作者或是使用者們在撰寫程序前，往往必須花費數天至數周的時間去學習電腦語言，才能建立起晶片檢測(WAT)系統，非常的耗時與耗力，因此會使得製作工藝浪費許多不必要的時間與人力。此外，操作者或是使用者們在操作此晶片檢測(WAT)系統時，每一次選擇不同模件的測試鍵作測試，或是需要檢測不同的元件特性時，都需要重新花時間去撰寫程序，使得晶片檢測所花的時間會拖延更久，非常不經濟。
有鑑於此，本發明的目的是提供一種自動晶片檢測方法，藉由輔助程序的設計，可以提供自動化的晶片檢測(WAT)系統，增進晶片檢測時人機介面的親和力與減少操作及修改程序的時間。
為達上述目的，本發明提供了一種自動晶片檢測方法，首先，提供一晶片，在其上已設有晶方與切割道的結構。然後，提供第一組數據，其為元件特性表，包括至少一個元件特性。其次，提供第二組數據，其為測試程序元件特性數值範圍以及對應單位表。接著，提供一自動程序，此自動程序為本發明的特徵，用以更方便檢測各種元件特性。然後，開始執行此自動程序，載入第一組數據，並進行下列選擇步驟選擇一檢測模件，其以電性連接多個焊墊，且這些焊墊位於晶片的切割道上；再選擇欲檢測的元件特性，此時自動程序會載入第二組數據。最後，自動程序會將上述選擇結果載入一工作站，然後進行並完成元件特性的檢測動作。
為讓本發明的上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下面特舉一優選實施例，並配合所附各圖，作詳細說明如下，其中圖1是現有晶片結構的俯視圖；以及圖2是本發明一優選實施例，表示一種自動晶片檢測方法的流程圖。
本發明此優選實施例提供一自動晶片檢測方法，藉由提供一輔助程序的設計，可以成為自動化的晶片檢測(WAT)系統，不但可以增進晶片檢測時人機介面的親和力，也可以減少操作及修改程序的時間。
本發明提供了一種自動晶片檢測方法，根據此優選實施例，首先，提供一晶片，在其上已設有晶方與切割道的結構。然後，進行A步驟，提供第一組數據，其為元件特性表，包括至少一個元件特性。其次，提供第二組數據，其為測試程序元件特性數值範圍以及對應單位表。接著，提供一自動程序，此自動程序為本發明的特徵，用以更方便檢測各種元件特性。然後，開始執行此自動程序，載入第一組數據，並進行B步驟，亦即進行下列選擇步驟選擇一檢測模件，其以電性連接多個焊墊，且這些焊墊位於晶片的切割道上；再選擇欲檢測的元件特性。此時接著進行C與D步驟，儲存檔案與轉換檔案，同時自動程序會載入第二組數據，用以參與檢測的步驟。最後，進行E步驟，自動程序會將上述選擇結果載入一工作站，然後進行並完成元件特性的檢測動作。
請參照圖2，其表示根據本發明的一優選實施例，為一種自動晶片檢測方法流程示意圖。首先，提供一待測的晶片，如圖1所示，在此晶片上已設有晶方與切割道的結構。然後，開始進行A步驟，提供各組數據，此組數據是從使用者手冊(User Manual)中已存在的各種測試鍵檔案(Testkey File)，例如提供第一組數據，如下表1所示，其是元件特性表，其中包括至少一個元件特性，例如臨界電壓、飽和電流、通道區寬度偏差量或是負載電阻等。或是提供第二組數據，其是元件特性數值範圍(binning limits)以及對應單位表，如表2所示。
表1元件特性表WL D G SBa20 20 2 1，13 412b20 5 3 1，13 412c20 1 5 1，13 412d20 0.86 1，13 412e20 0.55 7 1，13 912f20 0.45 8 1，13 912g20 0.325 10 1，13 912h20 0.411 1，13 912i20 0.375 14 1，13 16 12j20 0.35 15 1，13 16 12k20 0.317 1，13 16 12l20 0.275 18 1，13 16 12m20 0.25 19 1，13 21 12n20 0.225 20 1，13 21 12o20 0.222 1，13 21 12p 5 20 23 1，13 21 12上述a、b～p代表元件結構的編號，W代表通道寬度，L代表通道長度，D代表漏極，G代表柵極，S代表源極，而B代表基底。
表2元件特性數值範圍(binning limits)其中內突緣內側中央處設有一呈一字形的欄架，該欄架上設有若干的固定孔，欄架兩側設有複數個止動凸塊；一閥片，是一橡膠材質的片狀結構，位於氣嘴內突緣下方，其一面上設有相對於氣嘴欄架上固定孔位置處的固定突塊，用以將閥片連接於氣嘴內突緣的下方而將內突緣與欄架的鏤空處覆蓋，其中閥片的另一面相對於欄架位置處則設有一凹槽，可形成閥片與欄架結合處的閥片厚度較薄，閥片兩側可開啟與直立；一阻動片，是一截面呈
字形的活動片，其兩側設有複數個滑槽，其位置乃配合氣嘴的欄架兩側所設的複數個止動凸塊，止動凸塊分別穿入相對應的滑槽內，阻動片可跨置定位於欄架之上並可作上下有限距離的移動；通過上述結構的組合，阻動片的滑槽受欄架兩側所設的止動凸塊牽制而定位於欄架上，阻動片可抽起及壓下兩種動作；阻動片處於抽起狀態，對於閥片不產生任何幹涉作用，使閥片為一單向活門，於充氣狀態使用，空氣得以進入而不能逸出；阻動片被壓下狀態而緊靠於欄架，阻動片的
形兩側端面將壓迫閥片的兩側，閥片成為全開的狀態，充氣物品在不使用狀態可快速釋放其內的氣體，或可接於抽氣的裝置迅速地將其內的氣體連續抽離。
而本實用新型的閥片結構亦採用一具有彈性、韌性與一定厚度的橡膠材質所製成，密閉性與可靠性則較習用薄膜片為佳，使用壽命更長，整體結構所能達成的效果乃優於習用結構。
為使審查員能對本實用新型的結構特點與特色有更進一步的了解，以下即配合各附圖的一較佳實施例作一詳細解說。
圖1是習用一種氣嘴閥體的結構示意圖。
圖2是習用另一種氣嘴閥體結構示意圖。
圖3是本實用新型的氣嘴閥體構造示意圖。
圖4(A)是本實用新型阻動片抽起時的動作示意圖。
圖4(B)是本實用新型阻動片壓下時的動作示意圖。
當使用者輸入完成時，指令表完成，例如表3所示
表3指令表START1.A01#N- MOSW L D G S Ba 20 202 1，13 4 12 VTHGAMMADELTAW_5_23_21b 20 5 3 1，13 4 12 VTH{Vbs＝-1}DELTAL_0.8_6_4C 20 1 5 1，13 4 12d 20 0.8 6 1，13 4 12 VTHIDSATIOFFISUBDIBLBVDSE 20 0.55 7 1，13 9 12F 20 0.45 8 1，13 9 12g 20 0.325 10 1，13 9 12 VTHIDSAT{Vtest＝3.3，Vd＝2}IOFFISUB BVDSh 20 0.4 11 1，13 9 12 VTHIDSATIOFFISUBDIBLBVDSi 20 0.375 14 1，13 16 12j 20 0.35 15 1，13 16 12 VTHIDSATIOFF{Vtest＝7}ISUBDIBLBVDSk 20 0.3 17 1，13 16 12 VTHIDSATIOFFISUBBVDSl 20 0.275 18 1，13 16 12m 20 0.25 19 1，13 21 12n 20 0.225 20 1，13 21 12o 20 0.2 22 1，13 21 12p 5 2023 1，13 21 12END其中，此表與表1大致上相同，只是在不同的選項前面會加上指令的符號，例如「START」，「A01」，「#N-MOS」，「」，「VTH」以及「IDSAT」……等。此外，其他的代號與表1相同，包括上述a、b～p代表元件結構的編號，W代表通道寬度，L代表通道長度，D代表漏極，G代表柵極，S代表源極，而B代表基底。
然後，進行C與D步驟，將上述修改完成後的所有數據，儲存於一第一擋案(例如為～.txt檔案)中，本發明的自動程序會再將此檔案轉換(translate)至晶片檢測(WAT)系統所能接受的格式(format)，於是成為一第二檔案(例如為～.tst檔案)。此時自動程序會再載入第二組數據，亦即表2的所有數據，用以參與檢測的步驟。
接著，進行E步驟，本發明的自動程序再將上述選擇結果，亦即第二檔案(～.tst)，載入一工作站(workstation)或是晶片檢測控制處(WAT controller)，進行元件特性檢測的動作。於是完成本發明的自動晶片檢測步驟，整個操作流程只需花費不到5分鐘的時間即可完成。
綜上所述，本發明的自動晶片檢測方法有以下的優點(1)本發明的自動晶片檢測方法可以加強人機介面的親和力，操作者或是使用者們不必再花費數天至數周的時間去學習電腦語言去建立起晶片檢測(WAT)系統。從現有需花費數天的時間，降低到只需不到5分鐘即可完成，因此大量節省製作工藝中的時間與人力。
(2)本發明的自動晶片檢測方法可以幫助操作者或是使用者們在操作晶片檢測(WAT)系統時，能夠很快速的進行與選擇每一次不同模件的測試鍵去作測試，或是很快速的選擇檢測不同的元件特性，不需要在轉換時重新花時間去撰寫操作程序，節省很多時間。
綜上所述，雖然本發明已結合一優選實施例進行了說明，然其並非用以限定本發明，對於本領域技術人員來說，在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，可作出各種改進。
權利要求
1.一種晶片檢測方法，包括下列步驟提供一晶片，在該晶片上已設有一晶方與一切割道；提供一組數據，該組數據中包括至少一元件特性；提供一自動程序，該自動程序用以檢測所述元件特性，並開始執行該自動程序；選擇一檢測模件，該檢測模件以電性連接與控制多個測試鍵，且這些測試鍵位於所述切割道上；選擇欲檢測的所述元件特性，此時所述自動程序會載入所述組數據，用以參與檢測的步驟；以及將上述選擇結果載入一工作站，進行並完成所述元件特性的檢測動作。
2.如權利要求1所述的方法，其中所述自動程序系提供一視介面，用以輔助檢測所述元件特性的操作。
3.如權利要求1所述的方法，其中所述組數據是一元件特性表，其中包括至少一元件特性。
4.如權利要求1所述的方法，其中所述組數據是一元件特性數值範圍以及對應單位表。
5.一種晶片檢測方法，包括下列步驟提供一晶片，在該晶片上已設有一晶方與一切割道；提供一第一組數據，該第一組數據是一元件特性表，其中包括至少一元件特性；提供一第二組數據，該第二組數據是一元件特性數值範圍以及對應單位表；提供一自動程序，該自動程序用以檢測所述元件特性；載入所述第一組數據，並開始執行所述自動程序；選擇一檢測模件，該檢測模件以電性連接多個測試鍵，且該些測試鍵位於所述切割道上；選擇欲檢測的所述元件特性，此時所述自動程序會再載入所述第二組數據，用以參與檢測的步驟；以及所述自動程序將上述選擇結果載入一工作站，進行並完成所述元件特性的檢測動作。
6.如權利要求5所述的方法，其中所述自動程序系提供一視介面，用以輔助檢測所述元件特性的操作。
7.如權利要求5所述的方法，其中所述元件特性包括臨界電壓。
8.如權利要求5所述的方法，其中所述元件特性包括飽和電流。
9.如權利要求5所述的方法，其中所述元件特性包括通道區寬度偏差量。
10.如權利要求5所述的方法，其中所述元件特性包括負載電阻。
全文摘要
一種自動晶片檢測方法，首先提供第一組數據與第二組數據。接著，提供一自動程序，是提供一視介面，使用者只需修改其中簡單的幾個指令，即可方便檢測各種不同的元件特性。執行此自動程序，載入第一組數據，並進行下列選擇步驟選擇一檢測模件，其以電性連接與控制晶片上的多個測試鍵；再選擇欲檢測的元件特性，此時自動程序載入第二組數據。最後，自動程序將上述選擇結果載入一工作站，然後進行並完成元件特性的檢測動作。
文檔編號G01R31/26GK1239777SQ9811522
公開日1999年12月29日 申請日期1998年6月24日 優先權日1998年6月24日
發明者楊光磊, 羅增錦 申請人:世大積體電路股份有限公司