一種具有轉移信號功能的3d晶片冗餘矽通孔容錯結構的製作方法

2023-05-16 11:20:56

一種具有轉移信號功能的3d晶片冗餘矽通孔容錯結構的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種具有轉移信號功能的3D晶片冗餘矽通孔容錯結構，3D晶片包括上層晶片和下層晶片；上層晶片和下層晶片上均設置有縱橫排成多行多列的圓孔；上層晶片和下層晶片的每一對相對應的圓孔之間通過一個矽通孔相連接；在上層晶片和下層晶片上，每個矽通孔的端部都通過一個多路選擇器與一個信號傳輸端子相連接；上層晶片和下層晶片上都分別設置有兩個交叉開關；交叉開關均與多路選擇器相連接；上層晶片的交叉開關通過兩個冗餘矽通孔與下層晶片的交叉開關相對應地連接。本發明的3D晶片冗餘矽通孔容錯結構，具有可解決矽通孔失效導致信號無法正常傳輸的問題、有效提高晶片的良率、硬體成本低，結構簡單且容錯能力高等優點。
【專利說明】一種具有轉移信號功能的3D晶片冗餘矽通孔容錯結構
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種具有轉移信號功能的3D晶片冗餘矽通孔容錯結構。
【背景技術】
[0002]隨著集成電路的發展，單個晶片上集成的器件越來越多，電路朝著更小，密度更高的方向發展，然而互連線所帶來的延遲和功耗問題越來越突出。三維集成電路(3D IC)是一項新興的技術，由於在封裝密度和異質集成的靈活性等方面的優勢，被認為是一項有效的集成電路發展技術，通常是採用垂直互連替換普通的二維互連，垂直方向的堆疊減小了晶片面積，降低了延遲。
[0003]娃通孔(Through-Silicon Vias, TSV)是3D IC中的一項重要技術,娃通孔通過在矽片或晶圓中打孔實現信號的上下傳輸，矽通孔可以用來傳輸信號，在三維集成電路中可以使用矽通孔技術來大大減少互連長度和延遲，矽通孔技術是將封裝和製作相融合的新型技術，矽通孔可以在上下層提供大量的數據通路，在三維集成電路中使用矽通孔技術互連信號已經成為行業目前廣泛關注的焦點之一。在晶圓上打孔需要規劃好矽通孔的區域，通過氧化物沉澱使矽通孔與襯底絕緣，並且在矽通孔內形成一層均勻的金屬層，減少在注入導電材料時形成的空洞和裂縫。在集成電路的堆疊方式中分為三種，分別為面對面堆疊(Face-to-Face Bonding),面對背堆疊(Face-to-Back Bonding),背對背堆疊(Back-to-Back Bonding)。面對背綁定中娃通孔又分為三種不同的製作順序,先通孔，中通孔和後通孔，主要是根據矽通孔的製作和晶圓上電晶體製作和金屬層布線之間的先後關係來劃分的。在先通孔方法中，矽通孔先製作好，後期器件的製作會汙染和惡化矽通孔。在中通孔方法中，矽通孔的製作可能會損壞器件層的各個組成部分。為了解決這個問題，需要低溫度製造工藝和替代銅的新的金屬化材料。後通孔方法中，取代在先通孔和中通孔的深層等離子體刻蝕技術採用雷射加工。雷射可以加工大量的矽通孔，但是這種方法產生的矽通孔側壁不夠光滑，而且容易產生碎片難以清理，又會增加清理碎片這個步驟。
[0004]由於工藝技術的限制，不能保證製做的所有矽通孔都是完好的，矽通孔的故障問題有很多，在注入導電銅階段，存在著注入不充分致使矽通孔斷裂或者矽通孔非常纖細，在三維集成電路的製造工藝中，矽通孔缺陷可能在矽通孔形成過程中和晶圓堆疊過程中發生。主要的矽通孔缺陷可以分為兩種:開路缺陷和短路缺陷。在矽通孔的形成階段，矽通孔可能會損壞或者在金屬填充過程中形成空洞，將會導致完全或部分開路缺陷，矽通孔也有可能在側壁會有針孔出現，將會導致短路缺陷。在晶圓堆疊階段，矽通孔的校準問題可能會導致開路缺陷，這是因為矽通孔的數量通常達到數以千計，但是同時矽通孔的直徑卻非常小，同時上下層的矽通孔全部對齊是一件極其困難的事。晶圓的打薄過程同樣會因為壓力問題使矽通孔破裂。在實際中，矽通孔的綁定質量不僅僅依靠綁定技術，同時還要考慮晶圓表面的粗糙程度和晶圓的清潔度。因此，如果在綁定階段一個矽通孔發生失效，極有可能它的相鄰矽通孔也會發生失效，稱此效應為聚類效應，早期的矽通孔修復技術難以解決這個問題，因為一個信號矽通孔和它相鄰的冗餘矽通孔可能會同時發生失效，在所有先前的研究中所有的分析和假設都是在錯誤均勻分布的情況下，這種假設在諸如空洞形成等隨機缺陷下是十分有效的，然而在非成熟綁定技術的條件制約下，諸如綁定表面的氧化和汙染，矽通孔的高度變化，打薄後晶圓的彎曲，都會引起集群失效矽通孔。
[0005]目前的三維研究仍然處於初級階段，缺乏深入的理論研究和豐富的實踐經驗，雖然半導體工業取得了巨大的進步，但是三維電路的發展仍然受製造工藝的限制，由於矽通孔有可能出現各種故障問題，因此採用增加冗餘矽通孔來解決失效矽通孔的方法是十分合適的，目前的矽通孔容錯技術主要分為兩種:
[0006]1、冗餘矽通孔結構，利用多路選擇器進行信號轉移，減少增加的冗餘矽通孔數目，降低了硬體開銷。冗餘娃通孔存在著不同的結構，其中轉移箱(Switching Box)以六個娃通孔為一組，通過選擇只輸出四個信號。還有將矽通孔連接成鏈，一條鏈中只有一個冗餘矽通孔，基於鏈式結構，進行轉移，達到修復失效矽通孔的目的。優點是方案可以達到較高的修復率和較低的硬體開銷，缺點是所有的分析和假設都是在錯誤均勻分布的情況下，沒有考慮在實際製造過程中的聚類效應，並且在矽通孔塊中矽通孔的數目受到嚴格控制，原因是單個矽通孔塊中只有一個冗餘矽通孔，為了提高矽通孔的修復率，單個矽通孔塊中只能通過控制矽通孔的數目來提高矽通孔的修復率。
[0007]2、矽通孔容錯單元，在特殊的例子中，通過兩個矽通孔的信號相同，譬如時鐘信號，可以將這兩個矽通孔化為一組，當其中之一出現失效時，信號同樣可以從另一個矽通孔輸出，沒有增加冗餘矽通孔，減少了面積開銷。方案優點是提高了修復率。缺點是應用局限，只可在矽通孔傳輸信號相同時才可應用。

【發明內容】

[0008]本發明是為避免上述已有技術中存在的不足之處，提供了一種具有轉移信號功能的3D晶片冗餘矽通孔容錯結構，以解決在三維集成晶片中因矽通孔失效造成的信號無法正常傳輸的問題。
[0009]本發明為解決技術問題，提供了一種具有轉移信號功能的3D晶片冗餘矽通孔容錯結構。
[0010]一種具有轉移信號功能的3D晶片冗餘矽通孔容錯結構，其結構特點是，所述3D晶片包括上層晶片和下層晶片；所述上層晶片和下層晶片上均設置有上設置有縱橫排成多行多列的圓孔；上層晶片的圓孔和下層晶片的圓孔上下一一對應，上層晶片和下層晶片的每一對相對應的圓孔之間通過一個矽通孔相連接；在上層晶片和下層晶片上，每個矽通孔的端部都通過一個多路選擇器與一個信號傳輸端子相連接；
[0011]所述上層晶片上設置有兩個上層晶片交叉開關，分別為第一上層晶片交叉開關和第二上層晶片交叉開關；所述下層晶片上設置有兩個下層晶片交叉開關，分別為第一下層晶片交叉開關和第二下層晶片交叉開關；所述上層晶片的多路選擇器均與所述兩個上層晶片交叉開關相連接；所述下層晶片的多路選擇器均與所述兩個下層晶片交叉開關相連接；
[0012]所述第一上層晶片交叉開關通過兩個冗餘矽通孔與第一下層晶片交叉開關相連接，所述第二上層晶片交叉開關通過兩個冗餘矽通孔與第二下層晶片交叉開關相連接。
[0013]本發明的一種具有轉移信號功能的3D晶片冗餘矽通孔容錯結構還具有以下技術特點。[0014]所述多路選擇器為3選I多路選擇器，包括4個非門、3個與門和3個三態門；多路選擇器包括兩個控制信號輸入端SO和S1、三個信號輸入端A、B和C和一個信號輸出端D。
[0015]與已有技術相比，本發明有益效果體現在:
[0016]本發明提出了一種具有轉移信號功能的3D晶片冗餘矽通孔容錯結構，基於矽通孔行列分布，將一行中的矽通孔通過多路選擇器相連，避免信號傳輸至失效矽通孔，提高單個晶片的良率，降低硬體成本。
[0017]在一個分組中可以解決出現2個以下失效矽通孔的問題時，通過控制3選I多路選擇器，有效的將信號傳輸至相鄰的矽通孔，依序將信號傳輸至兩側的冗餘矽通孔，通過配置交叉開關的控制信號可以將有失效矽通孔的分組與冗餘矽通孔相連，使用相鄰矽通孔傳輸信號可以降低延遲，有效提高晶片的良率，解決信號無法正常傳輸的問題，降低了成本。
[0018]交叉開關可以有效減少冗餘矽通孔的數目，避免每一分組兩端都需要與冗餘矽通孔直接相連，這樣做矽通孔的數目會急劇增加，由於矽通孔的尺寸相比其它電路元件較大，因此減少了冗餘矽通孔的數目就減少了面積成本。
[0019]本方案具有良率高，硬體成本低，結構簡單，具有較高的容錯能力等優點。
[0020]本發明的具有轉移信號功能的3D晶片冗餘矽通孔容錯結構，具有可解決矽通孔失效導致信號無法正常傳輸的問題、有效提高晶片的良率、硬體成本低，結構簡單且容錯能力聞等優點。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為本發明的3D晶片的三維立體圖。
[0022]圖2為本發明的3D晶片的晶片的矽通孔行列分布圖。
[0023]圖3為本發明的3D晶片的上層晶片內部結構示意圖。
[0024]圖4為本發明的3D晶片的下層晶片內部結構示意圖。
[0025]圖5為本發明的3D晶片的3選I多路選擇器的內部結構圖。
[0026]圖6為本發明的3D晶片的交叉開關內部結構圖。
[0027]圖7為本發明的3D晶片的無矽通孔失效時信號轉移示意圖。
[0028]圖8為本發明的3D晶片的有I個矽通孔失效時信號轉移示意圖
[0029]圖9為本發明的3D晶片的有2個矽通孔失效時信號轉移示意圖。
[0030]圖1?圖9中的標號為:1上層晶片，2下層晶片，3圓孔，4娃通孔，5多路選擇器，6信號傳輸端子，7第一上層晶片交叉開關，8第二上層晶片交叉開關，9第一下層晶片交叉開關，10第二下層晶片交叉開關，11冗餘矽通孔。
[0031 ] 以下通過【具體實施方式】，對本發明作進一步說明。
【具體實施方式】
[0032]參加圖1?圖9，一種具有轉移信號功能的3D晶片冗餘矽通孔容錯結構，所述3D晶片包括上層晶片I和下層晶片2 ;所述上層晶片I和下層晶片2上均設置有上設置有縱橫排成多行多列的圓孔3 ;上層晶片I的圓孔3和下層晶片2的圓孔3上下一一對應，上層晶片I和下層晶片2的每一對相對應的圓孔3之間通過一個矽通孔4相連接；在上層晶片I和下層晶片2上，每個矽通孔4的端部都通過一個多路選擇器5與一個信號傳輸端子6相連接；
[0033]所述上層晶片I上設置有兩個上層晶片交叉開關，分別為第一上層晶片交叉開關7和第二上層晶片交叉開關8 ;所述下層晶片2上設置有兩個下層晶片交叉開關，分別為第一下層晶片交叉開關9和第二下層晶片交叉開關10 ;所述上層晶片I的多路選擇器5均與所述兩個上層晶片交叉開關相連接；所述下層晶片2的多路選擇器5均與所述兩個下層晶片交叉開關相連接；
[0034]所述第一上層晶片交叉開關7通過兩個冗餘矽通孔11與第一下層晶片交叉開關9相連接，所述第二上層晶片交叉開關8通過兩個冗餘矽通孔11與第二下層晶片交叉開關10相連接。
[0035]矽通孔的上端插入上層晶片的圓孔中，矽通孔的下端插入下層晶片的圓孔中，兩層晶片通過矽通孔傳遞信號，實現信號的轉移和傳輸。每個矽通孔的上端和矽通孔的下端均通過一個多路選擇器與信號傳輸端子相連接，即每個圓孔對應有一個多路選擇器，所述多路選擇器與所述圓孔一一對應，也分為多行多列。兩層晶片中，每一行的多路選擇器中，相鄰的兩個多路選擇器之間是相連接的；每行兩端的最末兩個多路選擇器，二者之間相互連接，而且這兩個多路選擇器均和與二者相鄰的交叉開關相連接。
[0036]所述多路選擇器為3選I多路選擇器。因此，一旦出現同一行的矽通孔中出現I個或2個矽通孔失效時，可通過多路選擇器將信號傳輸至相鄰的矽通孔，然後依序將信號傳輸至兩側的冗餘矽通孔，通過配置交叉開關的控制信號可以將有失效矽通孔的分組與冗餘矽通孔相連，使用相鄰矽通孔傳輸信號可以降低延遲，有效提高晶片的良率，解決信號無法正常傳輸的問題，降低了成本。本發明的容錯方案單個分組的容錯能力為2，當同一行的矽通孔中出現3個或3個以上失效矽通孔時，方案無法完成容錯。
[0037]所述多路選擇器5為3選I多路選擇器，包括4個非門、3個與門和3個三態門；多路選擇器5包括兩個控制信號輸入端SO和S1、三個信號輸入端A、B和C和一個信號輸出端D。
[0038]本發明的3D晶片冗餘矽通孔容錯結構，利用矽通孔行列分布，通過多路選擇器將信號在矽通孔失效時傳輸至行內相鄰矽通孔，再由其傳輸至下層，被佔用矽通孔的信號同樣將信號傳輸至同向相鄰的矽通孔傳輸至下層，行內末端兩側的信號通過交叉開關將信號傳輸至冗餘矽通孔，再傳輸至下層，通過控制交叉開關將信號傳輸至對應矽通孔分組。
[0039]所述容錯結構基於矽通孔呈規律的行列分布，以行為單位劃分為若干個分組(如圖1和圖2中，將一行作為一個分組，一行有6個矽通孔，共有4行)，一個分組為一個轉移信號整體，當分組中出現失效矽通孔時，信號的轉移只發生在分組中，不會影響其它分組。
[0040]所述多路選擇器為3選I多路選擇器，矽通孔連接的上下層晶片分為輸入端和輸出端，每個輸入/輸出和矽通孔之間通過3選I多路選擇器相連。上層的多路選擇器三個輸入分別是與娃通孔對應的輸入端和這一輸入端的上一相鄰輸入端和下一相鄰輸入端，下層多路選擇器的三個輸入與上層對應一致。初始信號是在無失效矽通孔情況下，每個矽通孔對應的傳輸信號，上一信號是指在行內相鄰的上一矽通孔傳輸的信號，下一信號是指相鄰的在下一矽通孔傳輸的信號，下層的對應分組中矽通孔和信號之間用3選I多路選擇器相連，娃通孔的輸出與上層信號輸入對應一致。3選I多路選擇器的控制信號SO和SI,控制三個輸入ABC，SOSl為00時，信號通過初始矽通孔傳輸信號，SOSl為01時，則信號對應的矽通孔被佔用或者出現失效，信號從上一相鄰矽通孔傳輸信號，SOSl為10時，則信號對應的矽通孔被佔用或者出現失效，信號從下一相鄰矽通孔傳輸信號。
[0041]所述交叉開關每一節點有傳輸門控制信號輸入輸出，分組的兩端信號分別與一交叉開關相連，上層的每一分組對應一個輸入，與交叉開關相連，交叉開關的輸出與冗餘矽通孔相連，再將信號傳至下層，下層冗餘矽通孔的輸出與交叉開關相連，交叉開關的各個輸出與各個分組相連。
[0042]所述冗餘矽通孔分別在所有分組的兩端，上下層所有分組通過交叉開關與冗餘矽通孔相連，控制傳輸門可以將上層傳遞來的信號傳輸至冗餘矽通孔到達下層，再通過交叉開關傳輸至相應的出現失效矽通孔的分組。
[0043]所述容錯結構的單個分組的容錯能力為2，當單一分組出現3個或3個以上失效矽通孔時，無法完成容錯。
[0044]圖1所示為3D晶片的的三維效果圖，灰色直線是連接上下層的矽通孔，上下層有4組(虛線所框的每行為一組)矽通孔，通過交叉開關與冗餘矽通孔相連。圖1中，上下層晶片上各有20個圓孔，每行5個，分為4行，因此應該有24個矽通孔。為使得圖形簡潔，圖1中只畫出了 2個矽通孔。
[0045]利用矽通孔行列分布特性，按照矽通孔的實際位置分組，將實際位置相鄰的矽通孔劃分進一個分組內，圖2所示為矽通孔分布平面圖，以行為單位將矽通孔劃分為若干組，由橢圓虛線框出了第一行和第四行。白色圓形孔為晶片的圓孔，圓孔內插入有矽通孔。一個分組為一個轉移信號整體，當分組中出現失效矽通孔時，信號的轉移只發生在分組中，不會影響其它分組，信號可以選擇分布在分組兩側的冗餘矽通孔依序轉移信號，避免信號通過失效矽通孔。
[0046]信號的傳輸分為發送端和接收端，上層為發送端，下層為接收端，上層的每個信號與矽通孔之間用3選I多路選擇器相連，對應的三個輸入分別是分組中上一信號，初始信號，下一信號。初始信號是在無失效矽通孔情況下，信號使用默認的矽通孔傳輸信號，此時多路選擇器的控制信號為00。上一信號是指分組內相鄰的上一矽通孔傳輸的信號，下一信號是分組內相鄰的下一娃通孔傳輸的信號。每一個分組末端輸入信號還有一個輸入與交叉開關相連，末端輸入信號包括行頭和行尾兩個輸入信號，通過交叉開關使用冗餘矽通孔將信號傳輸至下層。
[0047]圖3所示為上層晶片的內部結構示意圖。其中，黑色矩形表示信號輸入端，白色圓形表示矽通孔，灰色圓形表示冗餘矽通孔。矽通孔以行為單位分組。上層的分組中每個信號與矽通孔之間用3選I多路選擇器相連。下層的對應分組中矽通孔和信號之間用3選I多路選擇器相連。矽通孔的輸出與上層信號輸入對應一致，冗餘矽通孔與交叉開關相連，下層交叉開關接受自上層冗餘矽通孔傳輸來的信號，通過控制交叉開關將信號傳輸到相應分組中的末端輸出信號。
[0048]圖4所示為下層晶片的內部結構示意圖，其結構與上層晶片類似，分組兩側末端接收冗餘矽通孔傳輸來的信號。
[0049]圖5所示3選I多路選擇器內部結構示意圖，與矽通孔相連的3選I多路選擇器包括4個非門，3個與門，3個三態門組成。控制信號SOSl控制三個輸入信號的輸出，三個輸入信號分別是上一信號，初始信號，下一信號，對應的每一個娃通孔都有三個輸入端可以在矽通孔上傳輸信號，上層的控制信號SOSl為00時，信號通過初始矽通孔傳輸信號，即矽通孔沒有失效，不需要使用相鄰的矽通孔傳輸信號至下層，SOSl為01時，則信號對應的初始娃通孔被上一信號佔用，信號傳輸至下一相鄰娃通孔傳輸信號，SOSl為10時,則信號對應的初始矽通孔被下一信號佔用，信號從上一相鄰矽通孔傳輸信號。下層的控制信號SOSl為00時,則對應的信號是從初始娃通孔傳輸而來,控制信號SOSl為01時,信號是從上一娃通孔傳輸而來，控制信號SOSl為10時,信號是從下一娃通孔傳輸而來。3選I多路選擇器的A、B、C對應三個輸入，D為輸出，SO和SI為控制信號，當控制信號SOSl為00時，控制C端的三態門導通，C端信號輸出。當控制信號SOSl為01時，B端三態門導通，B端信號輸出。當控制信號SOSl為10時，A端三態門導通，A端信號輸出。A端對應下一信號，B端對應上一信號，C端對應初始信號。
[0050]與冗餘矽通孔相連的交叉開關，可以將出現失效矽通孔分組傳輸來的信號傳輸至冗餘矽通孔，再通過下層的交叉開關將信號傳輸至出錯的失效矽通孔分組內。圖6所示為交叉開關內部結構圖，第一行與冗餘矽通孔之間的傳輸門導通時，第一行的輸入信號可以傳輸至冗餘矽通孔，每一行都與各個冗餘矽通孔之間有傳輸門，當傳輸門導通時，輸入信號可以傳輸至冗餘矽通孔到達下層，下層的冗餘矽通孔與各組之間有傳輸門，同樣位置的傳輸門導通時，信號可以傳輸至對應的分組，完成信號的正常傳輸。
[0051]單個分組允許矽通孔出現I個或2個失效矽通孔，信號轉移方案以分組為單位，各個分組的信號轉移獨立。
[0052]圖7為單個分組的信號轉移結構圖，圖中所示白色矽通孔為信號矽通孔，是在正常情況下信號傳輸的矽通孔，黑色矩形是信號輸入/輸出，交叉開關與冗餘矽通孔相連，通過配置交叉開關，使信號傳輸至下層信號輸出端。
[0053]圖8表示的是當失效數為I時修復過程，黑色交叉線表示矽通孔出現失效。圖8中所示當從左端數第一個矽通孔失效時，直線表示的是信號轉移的路徑，上層第一個多路選擇器無控制信號，從第二個開始多路選擇器的控制信號為01，最後一個信號通過交叉開關使用冗餘矽通孔，下層的多路選擇器的控制信號為10，最後一個輸出信號是來自冗餘矽通孔傳輸來的信號，自失效矽通孔至冗餘矽通孔形成一條信號轉移路徑。
[0054]圖9所示為矽通孔的失效數為2時信號轉移示意圖。當單個分組出現2個失效矽通孔時，當第二個和第三個矽通孔失效時，輸入2使用第一個矽通孔傳輸信號至下層，上層對應的控制信號為10,下層對應多路選擇器控制信號為01,輸入I將信號傳輸至交叉開關，信號通過冗餘矽通孔傳輸至下層，對應多路選擇器的控制信號為01。輸入3使用第四個矽通孔傳輸信號至下層，輸入4使用第五個娃通孔傳輸信號至下層,輸入5將信號傳輸至交叉開關，通過冗餘矽通孔傳輸至下層，上層多路選擇器的控制信號為01，下層對應的多路選擇器的控制信號為10。
[0055]冗餘矽通孔與交叉開關分布在所有分組兩端，上下層所有分組通過交叉開關與冗餘矽通孔相連。矽通孔分布在各個功能模塊之間，單一區域的矽通孔數目不會太高，再加上單個矽通孔的失效率較低，則冗餘矽通孔的數目設置為4，分組兩端各設置2個冗餘矽通孔。
【權利要求】
1.一種具有轉移信號功能的3D晶片冗餘矽通孔容錯結構，其特徵是，所述3D晶片包括上層晶片(I)和下層晶片(2);所述上層晶片(I)和下層晶片(2)上均設置有縱橫排成多行多列的圓孔(3);上層晶片(I)的圓孔(3)和下層晶片(2)的圓孔(3)上下一一對應，上層晶片(I)和下層晶片(2)的每一對相對應的圓孔(3)之間通過一個矽通孔(4)相連接；在上層晶片(I)和下層晶片(2)上，每個矽通孔(4)的端部都通過一個多路選擇器(5)與一個信號傳輸端子(6)相連接； 所述上晶片(I)上設置有兩個上層晶片交叉開關，分別為第一上層晶片交叉開關(7)和第二上層晶片交叉開關(8);所述下層晶片(2)上設置有兩個下層晶片交叉開關，分別為第一下層晶片交叉開關(9)和第二下層晶片交叉開關(10);所述上層晶片(I)的多路選擇器(5)均與所述兩個上層晶片交叉開關相連接；所述下層晶片(2)的多路選擇器(5)均與所述兩個下層晶片交叉開關相連接； 所述第一上層晶片交叉開關(7)通過兩個冗餘矽通孔(11)與第一下層晶片交叉開關(9)相連接，所述第二上層晶片交叉開關(8)通過兩個冗餘矽通孔(11)與第二下層晶片交叉開關(10)相連接。
2.根據權利要求1所述的一種具有轉移信號功能的3D晶片冗餘矽通孔容錯結構，其特徵是，所述多選擇器(5)為3選I多路選擇器，包括4個非門、3個與門和3個三態門；多路選擇器(5)包括兩個控制信號輸入端SO和S1、三個信號輸入端A、B和C和一個信號輸出端D0
【文檔編號】H01L23/538GK103780243SQ201410043988
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2014年1月28日 優先權日:2014年1月28日
【發明者】王偉, 張歡, 方芳, 陳 田, 劉軍, 吳璽 申請人:合肥工業大學