低粗糙面電解銅箔及其製造方法
2023-05-18 01:47:31
專利名稱：低粗糙面電解銅箔及其製造方法
技術領域：
本發明涉及在印刷配線板及鋰二次電池用負極集電體上實際使用的、粗糙面無凹凸起伏的、具有均勻的低粗糙度的粗糙面的低粗糙面電解銅箔及其製造方法。
背景技術：
眾所周知，電解銅箔是以硫酸—硫酸銅水溶液作電解液，由鉑元素或其氧化物元素被覆的鈦板構成的不溶性陽極和相對於該陽極的陰極上採用鈦制輥筒，通過在該兩極之間通直流電，使電解銅在鈦制輥筒上析出，此時，鈦制輥筒以一定速度旋轉，通過將析出的電解銅從輥筒表面剝離並連續卷取的方法進行製造。
在本發明中，將電解銅箔的與輥筒表面接觸側的面稱作「光澤面」，而將其反面稱作「粗糙面」。
可按上述方法製造電解銅箔，但該領域技術人員將該電解銅箔稱作「未處理銅箔」，通常，該未處理銅箔不能直接使用，在作為印刷電路用電解銅箔時，經過用於提高與樹脂粘合性為目的的粗糙化處理工序及用於賦予耐熱性、耐藥品性及防鏽力的各種表面處理工序成為製品。
此前，在未處理電解銅箔的製造工序中，通過採用電解液中存在10～100mg/L的氯離子和0.1～4.0mg/L的骨膠或明膠，使粗糙面側的山谷形狀尖銳化的(粗糙化)的方法，而近幾年來，用於印刷配線板及鋰二次電池用負極集電體的電解銅箔，要求其粗糙面側的粗糙度儘量低，光澤面與粗糙面的粗糙度差要小(因光澤面是複製陰極輥筒表面的平滑形狀，故在光澤面與粗糙面之間必然產生粗糙度差)，並且，要求薄的電解銅箔。
這是因為當用於印刷配線板時，伴隨著細線化及細圖案化需要提高電路精度的觀點所要求的，另外，當用於鋰離子二次電池用負極集電體時，由於考慮光澤面與粗糙面之間的粗糙度差，換言之，考慮基於表面積之差的電池反應差的必要性變小的緣故。
然而，使光澤面與粗糙面的粗糙度差變小，並且滿足可實用的各種機械性能是困難的。
以往，已知在電解銅箔的製造方法中，通過往電解液中適當選擇添加各種水溶性高分子物質、各種表面活性劑、各種有機硫類化合物、氯離子等，可以使光澤面與粗糙面的粗糙度差變小，例如，日本特表2002-506484號公報公開了，往電解液中添加低分子量水溶性纖維素醚、低分子量水溶性聚亞烷基乙二醇醚、低分子量水溶性聚乙烯亞胺及水溶性磺化有機硫化合物時，可得到粗糙面上具有約3.8μm以下高度的細微凸起的電解銅箔(未處理電解銅箔)，例如，日本特許第3313277號公報公開了，當在電解液中添加纖維素醚、低分子量膠、具有巰基的化合物及氯化物離子時，可以得到粗糙面側的粗糙度低、光澤面與粗糙面的粗糙度差小，並且顯示高的高溫伸長率的電解銅箔(未處理電解銅箔)。
本發明人等在由硫酸—硫酸銅水溶液構成的電解液中適當組合添加上述各公報中記載的各種水溶性高分子物質、各種有機硫類化合物、氯離子等，多次進行了製得電解銅箔的實驗，其結果是，雖然所得到的電解銅箔的粗糙面側的粗糙度低，但在該粗糙面上產生緩緩的凹凸起伏(參照下面的圖7)。
電解銅箔(未處理電解銅箔)的粗糙面上所產生的緩緩的凹凸起伏，成為在上述粗糙化處理工序中誘發銅結晶粒子的異常析出的重要原因，使製品的粗糙面的粗糙度(Rz)上升。
另外，在用於柔性印刷配線板上時，在與絕緣膜粘接的工序中銅箔受熱，由於這種受熱，當銅結晶粒子小時，該銅結晶粒子成長變成粗大。
於是，本發明的技術課題是提供一種，可實用於印刷配線板及鋰二次電池用負極集電體的粗糙面上不出現凹凸起伏，具有均勻的低粗糙面的低粗糙面電解銅箔，具體的是提供一種粗糙面的粗糙度Rz在2.0μm以下，在該粗糙面上不出現凹凸起伏，具有均勻的低粗糙度的粗糙面，並且，在180℃的伸長率達到10.0％以上的低粗糙面電解銅箔。
本發明人等，為了解決上述課題進行悉心研究的結果發現，往硫酸—硫酸銅水溶液構成的電解液中添加聚氧化乙烯類表面活性劑、聚乙烯亞胺或其衍生物、活性有機硫化合物的磺酸鹽及氯離子等4種添加劑時，可以得到粗糙面的粗糙度Rz在2.0μm以下，在該粗糙面上實質上不出現凹凸起伏，具有均勻的低粗糙度的粗糙面，並且，在180℃的伸長率達到10.0％以上的低粗糙面電解銅箔，完成了本課題。
發明內容
本發明的低粗糙面電解銅箔，其特徵在於，電解銅箔的粗糙面的粗糙度Rz在2.0μm以下，在該粗糙面上不出現凹凸起伏，具有均勻的低粗糙度的粗糙面，並且，在180℃的伸長率達到10.0％以上。
本發明的上述低粗糙面電解銅箔，按照JIS(日本工業規格，以下相同)Z8741，用Gs(85°)測定的粗糙面的鏡面光澤度在100以上。
另外，本發明的低粗糙面電解銅箔的製造方法，以硫酸—硫酸銅水溶液作為電解液，採用由鉑元素或其氧化物元素被覆的鈦板構成的不溶性陽極和相對於該陽極的陰極上使用鈦制輥筒，在該兩極之間通直流電，其特徵在於，通過在所述電解液中添加氧化乙烯類表面活性劑、聚乙烯亞胺或其衍生物、活性有機硫化合物的磺酸鹽及氯離子，可以得到粗糙面的粗糙度Rz在2.0μm以下，在該粗糙面上不出現凹凸起伏，具有均勻的低粗糙度的粗糙面，並且，在180℃的伸長率達到10.0％以上的低粗糙面電解銅箔。
另外，本發明的上述低粗糙面電解銅箔的製造方法，可以得到按照JIS Z8741、用Gs(85°)測定的粗糙面的鏡面光澤度在100以上的低粗糙面電解銅箔。
另外，本發明的上述低粗糙面電解銅箔的製造方法，其電解液中的氧化乙烯類表面活性劑的濃度為10～200mg/L。
另外，本發明的上述低粗糙面電解銅箔的製造方法，其電解液中的聚乙烯亞胺或其衍生物的濃度為0.5～30.0mg/L。
另外，本發明的上述低粗糙面電解銅箔的製造方法，其電解液中的活性有機硫化合物的磺酸鹽濃度為5.5～450μmol/L。
另外，本發明的上述低粗糙面電解銅箔的製造方法，其電解液中的氯離子濃度為20～120mg/L。
將本發明的構成詳細說明如下。
在本發明中，往由硫酸—硫酸銅水溶液構成的電解液中添加的添加劑是氧化乙烯類表面活性劑、聚乙烯亞胺或其衍生物、活性有機硫的磺酸鹽及氯離子等4種添加劑，但只有這些添加劑處於一定的濃度區域，並且水溶性高分子組在一定的分子量區域時，才可以得到目標的低粗糙面電解銅箔。
首先，作為本發明中使用的氧化乙烯類表面活性劑，可以舉出平均分子量為2000～35000的聚乙二醇；氧化丙烯部分的平均分子量為2000～4000且在全部分子量中氧化乙烯的重量比在80重量％以上的聚氧化乙烯·聚氧化丙烯共聚物；聚氧化乙烯月桂醚；聚氧化乙烯壬基苯醚；雙酚A-環氧乙烷加成物等。還有，全部分子量中氧化乙烯的重量比在80重量％以下者，不溶解於由硫酸—硫酸銅水溶液構成的電解液中。
聚乙二醇的平均分子量在2000以下時，在電解銅箔的表面引起異常電沉澱。
在本發明中，將上述化合物中的1種或2種以上加以組合，添加至電解液中使其在電解液中單獨或合計的濃度達到10～200mg/L。該濃度範圍的下限值很重要，表示著即使將聚乙烯亞胺及其衍生物、活性有機硫的磺酸鹽及氯離子三者調至下述各合適的濃度範圍，仍無法得到目標的低粗糙面電解銅箔的閾值。與此相比，上限值不是如下限值那樣區分能否得到目標的低粗糙面電解銅箔的閾值，而是表示在工業上的操作條件下從經濟的觀點考慮該濃度保持高濃度不具有任何積極的價值。因此，這裡規定的上限值不是用於為了規定所得到的電解銅箔的特性的值，實際上即使在超過上限值的區域上，也可以得到目標的低粗糙面電解銅箔，但不現實。
另外，平均分子量的下限值也是重要的，當平均分子量小於2000時，得不到目標的低粗糙面電解銅箔。另一方面，上限值與濃度範圍的上限值可以說是相同的含義，可以推定，例如，即使採用平均分子量超過35000的聚乙二醇，仍可以得到低粗糙面電解銅箔。
其次，通過將氧化乙烯類表面活性劑、活性有機硫化合物及氯離子添加至電解液中所得到的電解銅箔的粗糙面上生成緩緩的凹凸起伏，但通過添加聚乙烯亞胺，可以抑制這種起伏的發生。
本發明使用的聚乙烯亞胺，優選重均分子量為600以上的聚乙烯亞胺，更優選為10000以上的聚乙烯亞胺。如重均分子量在600以上的聚乙烯亞胺，則可以使用以下列化學式(1)表示的直線型、以化學式(2)表示的支鏈型的任何一種，也可以使用兩者的混合物 (化學式1) (化學式2)還有，作為市場銷售的商品，例如，可以舉出「ェポミン商品名·編號P-1000·日本觸媒製造·重均分子量70000」。
作為聚乙烯亞胺衍生物，有環氧丙烷加成物，其重均分子量優選為1000以上的，加成環氧丙烷的聚乙烯亞胺的分子量優選為600以上。
另外，如下列化學式(3)所示，聚乙烯亞胺的伯、以及仲胺上的氫可被取代基取代者是優選的。
(化學式3)還有，作為市場銷售品，可以舉出「ェポミン商品名·編號PP-061·日本觸媒製造·重均分子量1200」。
當聚乙烯亞胺的重均分子量低於600及上述聚乙烯亞胺衍生物的重均分子量低於1000時，不管該濃度如何，所得到的電解銅箔的粗糙面上產生緩緩的凹凸起伏，不產生光澤(均勻的低粗糙化)。還有，當粗糙面上不產生緩緩的凹凸起伏，生成均勻的低粗糙度時，其外觀具有光澤，但當粗糙面上產生緩緩的凹凸起伏，不生成均勻的低粗糙度時，其外觀具有半光澤乃至無光澤。
作為聚乙烯亞胺及其衍生物的濃度區域和分子量關係的一般趨勢，隨著分子量升高，粗糙面從半光澤開始向光澤變化的濃度閾值上升，開始向不形成電鍍膜、析出粉狀銅的「燒鍍」區域變化的濃度也向更高濃度側移動。另外，即使在光澤區域內，當聚乙烯亞胺的濃度上升時，則高溫時的伸長率發生下降。有必要考慮上述的聚乙烯亞胺及其衍生物的分子量和濃度帶來的影響的基礎上，來決定分子量和濃度的各範圍，聚乙烯亞胺及其衍生物的分子量優選為600～70000，在其電解液中的濃度為0.5～30.0mg/L的範圍，優選為1.0～10.0mg/L的範圍。
當聚乙烯亞胺及其衍生物在電解液中的濃度低於0.5mg/L時，粗糙面呈現無光澤的外觀，當超過30mg/L時，則向燒鍍區域移動，已得不到電解銅箔。
其次，本發明中使用的活性有機硫化合物，必需是可溶解水難溶性的烷基硫醇的化合物，但為了溶解而加成羥基或羧基時，則得不到目標的低粗糙面電解銅箔。因此，必須以磺酸鹽的形式進行溶解。本發明優選的活性有機硫化合物的磺酸鹽的代表性化合物，可用下列化學式(4)、化學式(5)、化學式(6)、化學式(7)表示 化學式(4) 化學式(5) 化學式(6)
化學式(7)將這些化合物的添加量用質量濃度表示是不適當的。如注意到這些化合物是根據其結構內存在的硫醇基決定其效果的話，作為用化學式(4)表示的3-巰基-1-丙磺酸的2分子組合形的、用化學式(5)表示的化合物則生成2個硫醇基，即使1分子也可以顯示3-巰基-1-丙磺酸鈉的2倍效果，故可根據分子內存在的硫醇基的摩爾數來規定。
因此，如用摩爾濃度表示硫醇基存在量的話，則本發明中活性有機硫化合物向優選的電解液添加量(摩爾濃度)為5.5～450μmol/L的範圍、優選為55～180μmol/L的範圍。當電解液中的濃度低於5.5μmol/L時，粗糙面生成緩緩的凹凸起伏，得不到均勻的低粗糙度而呈現灰暗的外觀，不產生光澤。並且，在180℃的伸長率也低。即使添加量超過450μmol/L，對粗糙面狀態及在180℃的伸長率也無影響，但保持電解液中的活性有機硫化合物的高濃度，意味著當使用不溶性陽極製造電解銅箔時，為得到高的陽極電位，白白分解消耗掉高價的有機硫化合物，故不現實。
其次，在本發明中，氯離子的存在非常重要，即使將氧化乙烯類表面活性劑、聚乙烯亞胺或其衍生物及活性有機硫化合物的磺酸鹽三者調整至上述各優選濃度範圍，也得不到目標的低粗糙面電解銅箔。只有與氯離子共存時，才可以達到本發明的目的。
另外，氯離子濃度與活性有機硫化合物濃度的關係也是重要的，粗糙面呈光澤外觀(粗糙面上不產生緩緩的凹凸起伏、均勻的低粗糙度的狀態)的濃度區域，大致由兩者決定，該光澤範圍有隨氯離子濃度上升而縮小的傾向，也為了將活性有機硫化合物濃度降低而進行操作，把氯離子濃度抑制到低值是優選的。因此，電解液中的氯離子濃度在20～120mg/L的範圍，優選為30～100mg/L的範圍。當氯離子濃度低於20mg/L時，粗糙面的粗糙度不能達到2.0μm以下的低粗糙度。當氯離子超過120mg/L時，電鍍面產生不光滑。
氯離子的供給源，只要能在水溶液中解離、放出氯離子的無機鹽類即可，作為其代表例子可以舉出NaCl及HCl等。
在本發明中，通過將上述聚氧化乙烯類表面活性劑、上述聚乙烯亞胺或其衍生物、上述活性有機硫化合物的磺酸鹽及氯離子等4種添加劑，分別調整至上述各優選的濃度範圍所構成的硫酸—硫酸銅水溶液作為電解液，陽極上使用以鉑氧化物被覆的鈦板，陰極上使用鈦制輥筒，在電解液溫35～50℃及電解電流密度30～50A/dm2的條件下進行電解，可以得到目標的低粗糙面電解銅箔。
圖1是採用實施本發明的最佳方案得到的電解銅箔(未處理電解銅箔)的粗糙面的電子顯微鏡照片(倍率×1000)。
圖2是比較例1得到的電解銅箔(未處理電解銅箔)的粗糙面的電子顯微鏡照片(倍率×1000)。
圖3是比較例3得到的電解銅箔(未處理電解銅箔)的粗糙面的電子顯微鏡照片(倍率×1000)。
圖4是比較例4得到的電解銅箔(未處理電解銅箔)的粗糙面的電子顯微鏡照片(倍率×1000)。
圖5是比較例6得到的電解銅箔(未處理電解銅箔)的粗糙面的電子顯微鏡照片(倍率×1000)。
圖6是比較例7得到的電解銅箔(未處理電解銅箔)的粗糙面的電子顯微鏡照片(倍率×1000)。
圖7是採用未添加聚乙烯亞胺的電解液得到的電解銅箔(未處理電解銅箔)的粗糙面的電子顯微鏡照片(倍率×1000)。
具體實施例方式
首先，將實施本發明的最佳方案說明如下。
配製由硫酸(H2SO4)100g/L、硫酸銅五水合物(CuSO4·5H2O)280g/L的硫酸—硫酸銅水溶液構成的電解液(以下稱該電解液為「基本電解液」)。
將聚乙二醇(平均分子量20000·三洋化成製造)、聚乙烯亞胺(ェポミン商品名·編號P-1000·日本觸媒製造·重均分子量70000)、3-巰基-1-丙磺酸鈉及鹽酸作為添加劑添加至基本電解液中，配製成聚乙二醇為30mg/L、聚乙烯亞胺為0.5mg/L、3-巰基-1-丙磺酸鈉為220μmol/L及氯離子35mol/L。
使含有該添加劑的電解液，在作為陽極的鉑氧化物被覆鈦板和作為陰極的鈦制輥筒之間流入，在電解電流密度45A/dm2、電解液溫40℃下進行電解析出，得到厚度為18μm的低粗糙面電解銅箔。還有，通過肉眼觀察確認該低粗糙面電解銅箔的粗糙面具有光澤。
按照IPC-TM-650，用ィンテスコ社製造的2001型拉力試驗機，對上述得到的低粗糙面電解銅箔(未處理電解銅箔)進行在室溫(約25℃)及180℃下的抗張力(MPa)及伸長率(％)的測定，同時，按照JIS B0601，用小坂研究所製造的サ一フコ一グ一SE1700α，進行粗糙面的表面粗糙度(Rz)的測定。另外，作為在該低粗糙面電解銅箔的粗糙面中表示凹凸起伏程度的指標，按照JIS Z8741，用ミノルタ株式會社製造的光澤計(商品名マルチグロス268型)，用Gs(85°)，對低粗糙面電解銅箔的寬度方向和長度方向(流動)的兩個方向，進行粗糙面的鏡面光澤度的測定。將各測定結果示於表1。
還有，上述鏡面光澤度Gs(85°)，當粗糙面上實質上不生成凹凸起伏時表示100以上的數值，當粗糙面上生成緩緩的凹凸起伏時則表示100以下的數值(參照下列表2及圖1～圖7)。即，可以將上述鏡面光澤度Gs(85°)值作為粗糙面中凹凸起伏程度的指標，該值愈小凹凸起伏愈大，該值愈大凹凸起伏則愈小。
圖1是上述得到的低粗糙面電解銅箔(未處理電解銅箔)的粗糙面的電子顯微鏡照片(倍率×1000)，從該圖可以確認粗糙面上實質上無凹凸起伏，為均勻的低粗糙度的粗糙面狀態。
下面對本發明的實施例1～7及比較例1～9說明如下除了將添加劑的種類和在電解液中的濃度，及電解電流密度和電解液溫按表1所示加以變更外，在與實施上述本發明的最佳方案中的各條件相同的條件下，製得厚度為18μm的電解銅箔。採用與上述實施本發明的最佳方案中同樣的測定方法，對所得到的電解銅箔(未處理電解銅箔)進行在室溫(約25℃)及180℃下的抗張力(MPa)、伸長率(％)、表面粗糙度(Rz)·(μm)、以及粗糙面的寬度方向和長度方向(流動)的上述鏡面光澤度Gs(85°)的測定，將結果示於表2。
表1
(1)平均分子量70000；(2)聚乙烯亞胺衍生物(ェポミン商品名·編號PP-061·日本觸媒製造·重均分子量1200)；(3)平均分子量1000；(4)平均分子量300；(5)平均分子量600。
表2
圖2～圖6是比較例中得到的電解銅箔(未處理電解銅箔)的粗糙面的電子顯微鏡照片(倍率×1000)，圖2是表示比較例1(聚乙二醇的平均分子量低、聚乙烯亞胺的濃度低時)的粗糙面狀態，圖3是表示比較例3(聚乙烯亞胺的重均分子量低時)的粗糙面狀態，圖4是表示比較例4(聚乙二醇的平均分子量低、聚乙烯亞胺的濃度高時)的粗糙面狀態，圖5是表示比較例6(聚乙烯亞胺的濃度低時)的粗糙面狀態，圖7是表示比較例7(3-巰基-1-丙磺酸鈉的濃度低時)的粗糙面狀態。
圖7是除未添加聚乙烯亞胺以外，用與上述發明的實施方案同樣的條件得到的厚度為18μm的電解銅箔(未處理電解銅箔)的粗糙面的電子顯微鏡照片(倍率×1000)，可以確認粗糙面上產生緩緩的凹凸起伏的狀態。還有，圖7與上述實施本發明的最佳方案中的圖1加以對比，可以確認通過添加聚乙烯亞胺，粗糙面上未產生緩緩的凹凸起伏，表面粗糙度顯著降低。
另外，從表1及表2可以確認，在上述實施本發明的最佳方案及上述實施例1～7中的各電解液中，隨著聚乙烯亞胺濃度增加，室溫下的抗張力增加，但粗糙面的粗糙度(Rz)幾乎保持一定的值。
還有，本發明人等通過多次實驗確認，在基本電解液中，當不存在聚乙二醇時，粗糙面不呈現光澤的外觀；當不存在聚乙烯亞胺時，粗糙面粗糙，呈現灰暗的外觀，在180℃的伸長率低；當不存在3-巰基-1-丙磺酸鈉時，粗糙面變得非常粗糙，在180℃的伸長率低；當不存在氯離子時，電沉積面(電鍍面)破裂，在180℃的伸長率低。
另外，將水溶性高分子的濃度或平均分子量在上述規定的範圍內增加時，可以確認伴隨著增加，上述鏡面光澤度Gs(85°)有增加的傾向。還有，為了得到上述鏡面光澤度Gs(85°)為100以上的低粗糙面電解銅箔，在基本電解液中存在聚乙二醇、3-巰基-1-丙磺酸鈉、聚乙烯亞胺及氯離子是優選的，但當缺少它們中的任何一種物質，或者當濃度或平均分子量處於上述範圍以外時，上述鏡面光澤度(85°)在100以下。
產業上利用的可能性根據本發明，可提供一種低粗糙面電解銅箔(未處理電解銅箔)，其具有最適於用作印刷配線板及二次電池用負極集電體的、粗糙面粗糙度Rz為2.0μm以下，該粗糙面上實質上不產生凹凸起伏，上述鏡面光澤度Gs(85°)為100以上的均勻的低粗糙度的粗糙面，並且，180℃的伸長率在10.0％以上，光澤面與粗糙面之間的粗糙度差儘可能小。
權利要求
1.一種低粗糙面電解銅箔，其特徵在於，該電解銅箔的粗糙面的粗糙度Rz在2.0μm以下，該粗糙面上無凹凸起伏，具有均勻的低粗糙度的粗糙面，並且在180℃的伸長率為10.0％以上。
2.按照權利要求1中記載的低粗糙面電解銅箔，其特徵在於，按照JIS(日本工業規格，以下相同)Z8741，用Gs(85°)測定的粗糙面的鏡面光澤度在100以上。
3.一種低粗糙面電解銅箔的製造方法，該方法為，以硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液，採用由鉑元素或其氧化物元素被覆的鈦板構成的不溶性陽極和相對於該陽極的陰極上使用鈦制輥筒，在該兩極之間通直流電，其特徵在於，通過在上述電解液中添加氧化乙烯類表面活性劑、聚乙烯亞胺或其衍生物、活性有機硫化合物的磺酸鹽及氯離子，可以得到粗糙面的粗糙度Rz在2.0μm以下，在該粗糙面上不出現凹凸起伏，具有均勻的低粗糙度的粗糙面，並且，在180℃的伸長率達到10.0％以上的低粗糙面電解銅箔。
4.按照權利要求3中記載的低粗糙面電解銅箔的製造方法，其特徵在於，按照JIS Z8741，用Gs(85°)對該粗糙面電解銅箔測定的粗糙面的鏡面光澤度在100以上。
5.按照權利要求3或4中記載的低粗糙面電解銅箔的製造方法，其特徵在於，電解液中的氧化乙烯類表面活性劑的濃度為10～200mg/L。
6.按照權利要求3或4中記載的低粗糙面電解銅箔的製造方法，其特徵在於，電解液中的聚乙烯亞胺或其衍生物的濃度為0.5～30.0mg/L。
7.按照權利要求3或4中記載的低粗糙面電解銅箔的製造方法，其特徵在於，電解液中的活性有機硫化合物的磺酸鹽濃度為5.5～450μmol/L。
8.按照權利要求3或4中記載的低粗糙面電解銅箔的製造方法，其特徵在於，電解液中的氯離子濃度為20～120mg/L。
全文摘要
本發明涉及粗糙面粗糙度Rz在2.0μm以下、在該粗糙面上不出現凹凸起伏、具有均勻的低粗糙度的粗糙面、並且在180℃的伸長率達到10.0％以上的低粗糙面電解銅箔。該低粗糙面電解銅箔，在以硫酸－硫酸銅水溶液作為電解液，採用以鉑元素或其氧化物元素被覆的鈦板構成的不溶性陽極與相對於該陽極的陰極上使用鈦制輥筒，在該兩極之間通直流電的電解銅箔的製造方法中，通過在上述電解液中添加氧化乙烯類表面活性劑、聚乙烯亞胺或其衍生物、活性有機硫化合物的磺酸鹽及氯離子而得到。
文檔編號C25D3/38GK1764744SQ20048000782
公開日2006年4月26日 申請日期2004年4月5日 優先權日2003年4月3日
發明者佐野恭司, 左近薰, 赤嶺尚志 申請人:福田金屬箔粉工業株式會社