一種製備鈷胺素晶體的耦合乾燥工藝的製作方法
2023-05-06 04:03:36
專利名稱：一種製備鈷胺素晶體的耦合乾燥工藝的製作方法
技術領域：
本發明涉及鈷胺素晶體的製備技術，特別是一種製備鈷胺素晶體的耦合幹 燥工藝。
背景技術：
鈷胺素是一種含有鈷的咕啉類化合物，是人體和動物必需的維持生長和促 進紅細胞生長的重要因子。晶體鈷胺素是其存在的常見形式，同時一定的晶形 對其應用有著直接的影響。鈷胺素的晶體通常通過溶析結晶的方法得到，這種 方法可以得到滿意的晶體，但存在著溶劑殘留的問題。因此，晶體後序乾燥工 藝是鈷胺素晶體製備過程中一項重要的工藝過程。該工藝過程不僅要求除去晶 體的水分，而且還要求清除晶體中的殘留有機溶劑。同時，從提高生產效率降 低生產成本的角度考慮，要求其乾燥過程的時間儘量短。
目前，已知生產製備鈷胺素的乾燥工藝主要為真空乾燥方法，其乾燥過程 中物料處於真空狀態，通過蒸汽壓的下降作用使物料表面的水分或溶劑蒸發， 並由真空泵抽氣及時排出回收。工業上主要以單純抽氣的方式進行， 一般情況
下乾燥過程時間較長，達約12 24小時。除此之外，經過此法乾燥後的鈷胺素
晶體溶劑殘留量較難達到《0. 5%的要求。
發明內容
本發明的目的是針對現有鈷胺素晶體真空乾燥工藝存在的殘留溶劑超標 和乾燥操作時間較長的技術問題，提供一種製備鈷胺素晶體的耦合乾燥工藝。 本發明的技術方案
一種製備鈷胺素晶體的耦合乾燥工藝，採用丙酮或乙醇作為溶析劑，在帶 攪拌的乾燥器內進行乾燥處理，按以下步驟進行
1) 在乾燥器內部溫度為30 4(TC的條件下，對溶析結晶後的鈷胺素溼
晶進行真空抽氣處理1 2小時；
2) 調節乾燥器內溫度為40 50°C，並且在繼續真空抽氣處理的同時， 間隔通入氣體1 2小時，間隔時間為10 15min;
3) 保持真空抽氣處理狀態，調節乾燥器內部溫度為50 60°C，與此同 時，打開氣體預熱器，將氣源的溫度升至50 60'C，通入氣體2 3小時；
4) 保持乾燥器內部溫度為50 7(TC，真空抽氣處理1 2小時。 所述乾燥工藝中真空抽氣處理是在乾燥器內部絕對壓力低於O.OlMPa下進行。
3所述氣體為乾燥的氮氣或空氣，或者為含有低於飽和蒸汽壓的水蒸氣的氮 氣或空氣。
本發明的有益效果是通過加入氣體，增大傳質作用，可以縮短達到產品 質量要求的乾燥時間。經檢測採用本發明乾燥工藝後的鈷胺素晶體中含有的殘 留溶劑含量《0.5%，水分含量《2%，均達到了乾燥技術指標要求。此外，本發 明條件下乾燥處理時間為5 9小時，縮短了鈷胺素晶體乾燥所需的時間。本 發明具有操作簡便，乾燥時間較短且乾燥效果好等優點。
具體實施例方式
實施例l:
一種製備鈷胺素晶體的耦合乾燥工藝，採用丙酮作為溶析劑，將溶析結晶 後的1000g鈷胺素溼晶置於5000ml的帶攪拌乾燥容器內進行乾燥處理，按以 下步驟進行1)在乾燥器內部溫度為40'C的條件下，對溶析結晶後的鈷胺素 溼晶進行真空抽氣處理2小時；2)調節乾燥器內溫度為50'C，並且在繼續真 空抽氣處理的同時，按間隔時間為10min下間隔通入乾燥氮氣2小時；3)保 持真空抽氣處理狀態，調節乾燥器內部溫度為60°C，將氮氣的溫度升至6(TC， 通入氣體2小時；4)保持乾燥器內部溫度為6(TC，真空抽氣處理l小時。在 以上步驟中所述的真空抽氣處理均是在乾燥器內部絕對壓力低於O.OlMPa下 進行。
本實施例共乾燥處理7小時，經檢測乾燥後的鈷胺素晶體中含有的殘留溶 劑含量為0.43%，水分含量為1.8%,均達到了乾燥技術指標要求。 實施例2:
一種製備鈷胺素晶體的耦合乾燥工藝，採用乙醇作為溶析劑，將溶析結晶 後的1000g鈷胺素溼晶置於5000ml的帶攪拌乾燥容器內進行乾燥處理，按以 下步驟進行1)在乾燥器內部溫度為4(TC的條件下，對溶析結晶後的鈷胺素 溼晶進行真空抽氣處理2小時；2)調節乾燥器內溫度為5(TC，並且在繼續真 空抽氣處理的同時，按間隔時間為15min下間隔通入乾燥氮氣2小時；3)保 持真空抽氣處理狀態，調節乾燥器內部溫度為60°C，將氮氣的溫度升至6(TC， 並打開加溼器，在氮氣預熱器中加入水蒸氣，控制氣體相對溼度為50% 80%RH，向乾燥器內通入加溼氮氣氣體1小時；4)關掉加溼器，保持氮氣溫度 6(TC，繼續通入乾燥氮氣氣體1小時；5)保持乾燥器內部溫度為7(TC,真空 抽氣處理1小時。在以上步驟中所述的真空抽氣處理均是在乾燥器內部絕對壓 力低於O.OlMPa下進行。
本實施例共乾燥處理7小時，經檢測乾燥後的鈷胺素晶體中含有的殘留溶 劑含量為0.39%，水分含量為1.9%，均達到了乾燥技術指標要求。
權利要求
1.一種製備鈷胺素晶體的耦合乾燥工藝，採用丙酮或乙醇作為溶析劑，在帶攪拌的乾燥器內進行乾燥處理，其特徵在於按以下步驟進行1)在乾燥器內部溫度為30～40℃的條件下，對溶析結晶後的鈷胺素溼晶進行真空抽氣處理1～2小時；2)調節乾燥器內溫度為40～50℃，並且在繼續真空抽氣處理的同時，間隔通入氣體1～2小時，間隔時間為10～15min；3)保持真空抽氣處理狀態，調節乾燥器內部溫度為50～60℃，與此同時，打開氣體預熱器，將氣源的溫度升至50～60℃，通入氣體2～3小時；4)保持乾燥器內部溫度為50～70℃，真空抽氣處理1～2小時。
2. 根據權利要求1所述製備鈷胺素晶體的耦合乾燥工藝，其特徵 在於所述乾燥工藝中真空抽氣處理是在乾燥器內部絕對壓力低於 O.OlMPa下進行。
3. 根據權利要求1所述製備鈷胺素晶體的耦合乾燥工藝，其特徵 在於所述氣體為乾燥的氮氣或空氣，或者為含有低於飽和蒸汽壓的 水蒸氣的氮氣或空氣。
全文摘要
一種製備鈷胺素晶體的耦合乾燥工藝，採用丙酮或乙醇作為溶析劑，在帶攪拌的乾燥器內進行乾燥處理，按以下步驟進行1)在乾燥器內部溫度為30～40℃下，對鈷胺素溼晶進行真空抽氣處理；2)調節乾燥器內溫度為40～50℃，間隔通入氮氣或空氣；3)保持真空抽氣處理狀態，調節乾燥器內部溫度為50～60℃，並將氣源的溫度預熱升至50～60℃繼續通入乾燥器；4)保持乾燥器內部溫度為50～70℃，繼續真空抽氣處理。本發明的優點是通過加入氣體，增大傳質作用，縮短乾燥時間。檢測顯示，採用本工藝乾燥鈷胺素晶體，處理時間僅為5～9小時，且晶體中的殘留溶劑含量≤0.5％，水分含量≤2％，不僅乾燥效果好且操作簡便。
文檔編號F26B7/00GK101591372SQ20091006930
公開日2009年12月2日 申請日期2009年6月18日 優先權日2009年6月18日
發明者楊俊傑, 梁寶臣, 邵寶利, 慧 陳 申請人:天津理工大學