用於利用磁場形成金屬薄膜的濺射裝置的製作方法
2023-05-06 22:55:16
專利名稱：用於利用磁場形成金屬薄膜的濺射裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種濺射裝置。特別涉及一種在靶極前形成一個磁場，同時在襯底上形成金屬層的濺射裝置。
該金屬層通常是由靶極向襯底濺射一種金屬，例如鈦，氮化鈦，鋁等金屬。針對形成這種金屬層濺射方法的研究和開發一直集中在提高被沉積在一個細微結構上的金屬的階梯覆蓋，以及當金屬層形成在襯底上相對較大的區域時的厚度的均勻程度。
為了使濺射進行的更為有效，通常都採用一個磁場。運用磁場可以獲得低壓高密度等離子體的非常理想的處理條件。在這些條件下，由靶極濺射出的粒子能夠以高線性度飛行，其結果是，階梯覆蓋非常好。此外，產生該磁場的元件是旋轉的，從而有效地控制被濺射出的粒子的動作。由此，在良好的階梯覆蓋的之外，還能獲得金屬層的均勻厚度。因此，這種運用旋轉的磁場通過濺射形成的金屬層的技術最近受到了關注。
例如，運用磁場的濺射方法在美國專利Nos.6,228,236(授予Rosenstein等)，6,183,614(授予Fu)以及4,995,958(授予Anderson等)，日本專利公開公報No.平8-74051和平9-31174中，以及韓國專利公開公報No.98-65920中被揭示。
但是，儘管使用了磁場，上述公報中揭示的這種濺射方法可能會產生缺陷。特別是，當半導體器件的臨界尺寸不大於0.15μ，或當金屬層形成在開口的長寬比在5∶1以上的已構圖的層上時，在形成金屬層時，該方法經常會產生缺陷。這種由於靶極的局部腐蝕產生的缺陷，可能會在開口的周圍形成例如，懸垂物。
圖1是在使用美國專利No.4,995,958中被揭示的那種帶有磁場產生部件的濺射裝置過程中靶極的腐蝕輪廓曲線。圖1中靶極腐蝕的深度是以毫米計的。
參照圖1，當鈦塗層在壓力為5mTorr的條件下形成時，靶極中間部分的腐蝕比靶極外圍更嚴重。因此，用這種方法很難得到具有好的階梯覆蓋和厚度均勻的金屬層。
圖2是在美國專利Nos.6,228,236和6,183,613中被揭示的那種帶有磁場產生部件的濺射裝置在使用過程中靶極的腐蝕輪廓曲線。同樣，靶極腐蝕的深度是以毫米計。另外，圖中用Δ表示在使用美國專利Nos.6,228,236中被揭示的那種帶有磁場產生部件的濺射裝置的過程中靶極的腐蝕情況，另一方面，用■表示在使用美國專利No.183,613中被揭示的那種帶有磁場產生部件的濺射裝置的過程中靶極的腐蝕情況。
參照圖2，當鈦塗層在壓力為5mTorr的條件下形成時，無論使用美國專利No.6,228,236和6,183,613中被揭示的哪一種裝置，靶極中間部分的腐蝕程度都比靶極外圍更嚴重，因此很難得到具有好的階梯覆蓋和厚度均勻的金屬層。
雖然如此，人們用了不同的方法來提高由濺射形成的金屬層的階梯覆蓋和厚度的均勻程度。例如，美國專利No.6,274,887(授予Yamazaki等)揭示了一種包括有準直儀的濺射裝置的例子。另一方面，美國專利No.6,121,134(授予Burton等)揭示了一種使用一種LTS(長拋擲濺射)的濺射技術的例子，其中靶極和襯底的距離最少要保持170mm。
儘管採用準直儀的結果是使在壓力為5mTorr的條件下形成的鈦塗層的階梯覆蓋得到了改善，但是鈦的濺射速率明顯降低了。與使用的準直儀的種類相對應的濺射速率由下面的表1來說明。在表1中，準直儀的種類是按準直儀中的格柵單元的大小來分的。
表1
表1表明當使用準直儀時濺射速率會降低。同樣，格柵變得越小，濺射速率變得越慢。因此，使用準直儀會降低濺射方法的生產效率。另外，準直儀還需要維護，因此，它的使用增加了生產成本。
同樣的，LTS方法也有減慢濺射速率的特點。這是因為被濺射出的粒子必須飛行相對較長的距離。實際上，當靶極和襯底的距離從50mm增加到250mm的時候，金屬層的濺射速率會降低70％。相應地，LTS方法也具有低生產效率的特點。
本發明的另外一個目的是提供一種具有磁場發生器的濺射裝置，該磁場發生器能夠使靶極產生最佳的腐蝕輪廓，從而形成具有良好的階梯覆蓋和均勻的厚度的金屬層。
本發明的濺射裝置包括一個濺射室，設在該濺射室中的靶極，一個具有磁場產生部件的磁場發生器，該磁場產生部件形成一個帶有穿過它的開口的磁性圍欄(enclosure)。該磁場產生部件位於靶極後面偏離開穿過靶極中心的垂直軸線的位置上。磁性圍欄內的開口位於偏移的方向，也就是從所述垂直軸沿著直徑延伸的一條線的方向。
相應地，在靶極前表面上位於中間部分和邊緣部分之間限定的位置，產生了一個具有非均勻分布的磁場，從而使靶極的腐蝕輪廓得到了最優化。因此，利用高密度等離子體，在低壓力下進行的濺射形成具有良好的階梯覆蓋和均勻的厚度的金屬層。而且該金屬層能夠被高效的形成。
圖1和圖2是使用傳統濺射裝置時靶極的腐蝕輪廓曲線；圖3是本發明的濺射裝置的示意圖；圖4是圖3所示出的本發明的濺射裝置中的磁場發生器的核心部分的透視圖；圖5是磁場發生器中主磁場產生部件的透視圖；圖6是磁場發生器中輔助磁場產生部件的透視圖；圖7是本發明中的磁場發生器的另一個實施例的核心部件的平面圖；
圖8是圖3中示出的濺射裝置的部分側向圖，圖中示出了襯底背面到主磁場產生部件以及輔助磁場產生部件的相對距離。
圖9A到圖9C是分別示出了在各種靶極腐蝕輪廓下金屬層的澱積輪廓圖；圖10是使用圖5中示出的主磁場產生部件時所得的靶極的腐蝕輪廓圖；圖11是使用圖6中示出的輔助磁場產生部件時所得的靶極的腐蝕輪廓圖；圖12是使用本發明中的磁場發生器時所得的靶極的腐蝕輪廓圖；圖13示出的是本發明中的磁場發生器所產生的磁場分布的透視圖；以及圖14示出的是在相同的濺射條件下，分別使用本發明的濺射裝置和傳統的濺射裝置時，所得的靶極的腐蝕輪廓曲線。
參照圖3，依照本發明的濺射裝置3包括一個濺射室30，一塊襯底34被放置在濺射室中位於靶極32前面的特定區域。該濺射裝置3還包括一個真空泵，用於從濺射室30中泵出空氣，從而在濺射室30中形成真空。濺射室30還與為產生等離子體提供能量的等離子電源36相連。具體來說，等離子電源36與靶極32相連接。襯底34與提供偏置的偏置電源38相連。被引入到濺射室30裡面的氣體，例如氬氣，被轉變為等離子體。由此，產生的等離子體撞擊靶極32，從而從靶極32濺射出原子。該從靶極32的正面濺射出的原子澱積在襯底34上，形成金屬層。
濺射裝置3還包括一個用於在靶極32前生成磁場的磁場發生器40。該磁場發生器40包括一個可以有效地控制從靶極32濺射出的原子的動作的磁性圍欄。圖4是帶有該圍欄的磁場發生器40部分的透視圖。
現在參照圖4，磁場發生器40包括一個平面支撐盤403。磁場發生器40被水平放置，這樣穿過支撐盤403中心的垂直軸線和穿過靶極32的中心的垂直軸線重合。即，支撐盤403和靶極32彼此同心。磁場發生器40還包括一個位於支撐盤403表面，相對於穿過靶極32的垂直軸線有一定位置偏移的主磁場產生部件405。因此，該主磁場產生部件405產生一個從靶極中心向側面偏移的磁場。
另外，磁場發生器40還包括一個旋轉驅動單元，例如一個電機401來轉動支撐盤403。驅動單元401連接在支撐盤403與設置主磁場產生部件的表面相對的表面上。當支撐盤403被驅動單元401旋轉後，主磁場產生部件405會從靶極的後面向前面產生一個主磁場。從靶極上濺射出的原子的動作能夠被襯底前面的磁場有效的控制。
現在結合圖5，對主磁場產生部件405作詳細的說明。主磁場產生部件405包括一個磁環405C，它形成一由形成磁場的帶有徑向延伸(穿過磁環)的開口的圍欄。該磁環由一個預定曲率的第一環形磁體405C，以及第一開口405a和第二開口405b組成。具體地講，第一磁體405c包括兩段弓型磁體，磁體的兩端相互分開形成了第一開口405a和第二開口405b。第一開口405a的面積比第二開口405b大。具體講第一開口405a的面積是第二開口405b的1.1-2倍大。另外，第一開口405a比第二開口405b距離支撐盤的中心更近。此外，第一磁體405C被這樣放置，使第一和第二開口405a和405b能夠沿著支撐盤上相同的直徑線水平分布。該主磁場產生部件405還包括一個第二磁體405d，它是被向心式的放置在第一磁體405C的內部，第二磁體405d離第二開口405b比第一開口405a更近。
第一和第二磁體405c和405d被水平放置，以使其磁力線是在垂直方向上的。就是說，405c和405d的N極朝向靶極的背面，而S極與支撐盤403連在一起。最終，磁力作用在靶極背面的垂直方向上。磁場的強度能夠調節，例如，通過在垂直方向上適當安排第一和第二磁體405c和405d來增加磁場強度。
因而，在靶極32的背面，由主磁場產生部件405產生一個有著預定的非均勻分布(不對稱的彈坑輪廓)的磁場，主要位於靶極中間和邊緣部分之間。靶極濺射出的原子的動作能夠被有效地控制，並且靶極的腐蝕輪廓也因此被優化，下面將進一步描述。
該主磁場產生部件405還包括第一框架405e，第二框架405f和第三框架405g。第一框架405e有著盤狀的外形，並且大小和第一磁體405c形成的圓形圍欄相當。第二框架405f是環狀的，其直徑與第一磁體405c的直徑相當。第一框架405e附著在支撐盤403之上，並且第一磁體405c位於第一和第二框架405e和405f之間。第三框架405g是盤狀的，大小正好能蓋住第二磁體405d，因此，第二磁體405d位於第一框架和第三框架405e和405g之間。第一框架405e，第二框架405f和第三框架405g把第一第二磁體405c和405d牢牢的固定入位。此外，第一框架，第二框架和第三框架405e，405f和405g包括了一種磁性物質，因此，由第一第二磁體405c和405d產生的磁場強度被第一框架405e，第二框架405f和第三框架405g增強。
回到圖4，磁場發生器40還包括一輔助磁場產生部分407。該輔助磁場產生部分407放置在支撐盤403上，在與放置主磁場產生部件一側相對的支撐盤403中心的另一側，因而，主輔磁場產生部分405和407獨立地產生包圍靶極的磁場。尤其因為該磁場發生器40是旋轉的，如此產生的磁場起著一個磁場作用。
輔助磁場產生部分407的結構將參照圖6作更詳細的說明。輔助磁場產生部分407包括一個預定曲率的第三環形磁體407C，第三環形磁體407形成一帶有徑向延伸(穿過磁環)的第三開口407a和第四開口407b的形成(第二)磁場的圍欄。具體地講，第三磁體407包括兩段弓型磁體，磁體的兩端相互分開，形成了第三開口407a和第四開口407b。第三開口407a的面積比第四開口407b大。具體講，第三開口407a的面積是第四開口407b的1.1-2倍大。另外，第三開口407a比第四開口407b距離支撐盤403的中心更近。而且，第三磁體407C被這樣放置，使得第三和第四開口407a和407b能夠沿著自支撐盤403幾何中心延伸的同一水平線(也就是，沿著支撐盤403的直徑線)分布。實際上，主磁場發生部件405的第一開口405a和第二開口405b以及輔助磁場產生部分的第三開口407a和第四開口407b都位於同一穿過支撐盤403幾何中心的水平線(在這種情況下，為同一支撐盤403的直徑線)上。
該輔助磁場產生部分407還包括一個第四磁體407b，它是向心式地放置在第三磁體407C的內部，第四磁體407b離第四開口407b比第三開口407a更近。因此，該輔助磁場產生部分470在靶極的背面也產生了一個非均勻分布的磁場。
此外，第三和第四磁體407c和407d被水平放置，以使磁場線是在垂直(與支撐盤403正交)方向上延伸的。就是說，第三和第四磁體407c和407d的N極朝向靶極的背面，而S極與支撐盤403連在一起。最終，磁力在靶極背面垂直方向上產生。磁場的強度能夠調節，例如，通過在垂直方向上適當安排第三和第四磁體407c和407d來增加磁場強度。因而，靶極濺射出的原子的動作能夠被有效地控制，並且靶極的腐蝕輪廓也因此被優化，從而產生有著良好的階梯覆蓋和均勻的厚度的金屬層。
該輔助磁場產生部分407還包括第四框架407e，第五框架407f和第六框架407g。第四框架407e，第五框架407f和第六框架407g把第三第四磁體407c和407d牢牢的固定入位。第四框架407e有著盤狀的外形，並且大小和第三磁體407c形成的圓形圍欄相當。第五框架407f是環狀的，其直徑與第三磁體407c的直徑相當。第四框架407e附著在託盤403上，並且第三磁體407c位於第四和第五框架407e和407f之間。第六框架407g是盤狀的，大小正好能蓋住第四磁體407d，因此，第四磁體407d位於第四框架和第六框架407e和407g之間。同樣，第四框架407e，第五框架407f和第六框架407g包括了一種磁性物質，因此，由輔助磁場產生部分407的磁體407c和407d產生的磁場強度被第四框架407e，第五框架407f和第六框架407g增強。
儘管輔助磁場產生部分407的結構類似於主磁場產生部件405，但是主磁場產生部件405比輔助磁場產生部分407大。具體地講，主磁場產生部件405是輔助磁場產生部分407的1.5到2倍。
此外，磁場發生器40可以包含多個輔助磁場產生部分，如圖7中所示。
參照圖7，圖中示出了三個輔助磁場產生部分407，417，419。這三個輔助磁場產生部分407，417，419放置在支撐盤上偏離於支撐盤403的中心的位置上，與主磁場產生部件405有一定距離。輔助磁場產生部分的數量僅受支撐盤的尺寸和磁場產生部分自身尺寸的限制。
主磁場產生部件405的高度和輔助磁場產生部分407不同。具體講，第一第二磁體405c和405d的高度(厚度)是一樣的，第三第四磁體407c和407d的高度(厚度)是一樣的。但是，如圖8所示，第三、第四磁體407c和407d要高(厚)於第一第二磁體405c和405d。
參照圖8，主磁場產生部件和輔助磁場產生部分405和407的磁環所在的平面與靶極32所在的平面平行。主磁場產生部件405到靶極背面的距離11小於輔助磁場產生部分407到靶極背面的距離12。具體講，二者距離的比率12比11在0.80到0.95的範圍之內。因而，能夠獲得一個穩定的用於濺射過程的等離子體。
此外，該磁場發生40產生的磁場，在靶極32前面的測量值最好是大約在1400到1800高斯。當磁場弱於1400高斯，被射出的原子不能被有效控制，當大於1800高斯時，原子的動作就會被抑制了。
下面，將對優化本發明中的磁場發生器所做的實驗進行描述。靶極的腐蝕輪廓與金屬層的沉積輪廓之間的關係參照圖9A，當靶極的整個表面90a被均勻的腐蝕時，所形成的金屬層的沉積輪廓92a是中間部分厚於邊緣部分。
參照圖9B，當靶極表面90b的邊緣部分比其他部分腐蝕得深時，所形成的金屬層的沉積輪廓92b是邊緣部分厚於中間部分。
參照圖9C，當靶極表面90c的邊緣部分和中間部分之間的部分比其他部分腐蝕的深時，所形成的金屬層的沉積輪廓92c是相對均勻的。
通過這些實驗觀察，發現當靶極邊緣部分和中間部分之間的部分被腐蝕時，可得到有著良好沉積輪廓的金屬層。基於這種靶極腐蝕輪廓的磁場發生器的優化設計圖10示出的是當圖5中的主磁場產生部件405被用於圖3中的裝置時，靶極的腐蝕輪廓。圖11示出的是當圖6中的輔助磁場產生部分407被用於圖3中的裝置時，靶極的腐蝕輪廓。另一方面，圖12示出的是當主磁場產生部件405和輔助磁場產生部分407被同時使用時的靶極腐蝕輪廓。如從圖12所見，靶極的腐蝕輪廓和圖9C中描述的輪廓類似。
由圖10到12自身證明了，主磁場產生部件405和輔助磁場產生部分407一起產生的磁場有助於產生帶有良好階梯覆蓋和均勻厚度的金屬層。磁場產生部分的外部磁體的開口和曲率的優化設計圖13示出了由主磁場產生部件405產生的磁場分布。參照圖13，由主磁場產生部件405產生的磁場分布是不均勻的，這是因為彎曲的第一磁體405c有第一、第二開口405a和405b。注意，由輔助磁場產生部分407產生的磁場的分布與由主磁場產生部件405產生的磁場的分布類似，也是不均勻的。
此外，高強度磁場有助於建立理想的低壓力高密度的用於等離子體處理的條件。至此，該磁體最好包括一種Nd-Fe-B基物質，框架最好包括一種鋼基物質。
如前所述，利用依照本發明的磁場產生部分，能夠建立低壓力高密度的處理條件。此外，在保持高生產率的同時，能夠形成帶有良好的階梯覆蓋和均勻厚度的金屬層。靶極腐蝕輪廓的比較圖14說明了分別使用本發明的濺射裝置和傳統的濺射裝置時靶極的腐蝕輪廓。特別是，曲線A表達的是使用美國專利No.6,183,614所揭示的磁場發生器時，靶極的腐蝕輪廓。曲線B是使用本發明所揭示的磁場發生器時，靶極的腐蝕輪廓。在兩種情況下，濺射的過程是在相同條件下執行的。圖中清楚的表明，使用本發明中的磁場發生器時，所得的靶極的腐蝕輪廓比較好。
總之，本發明可以很方便地用於在金屬層的濺射過程中對於靶極腐蝕輪廓的控制，用這種方法，可將金屬層的缺陷減至最小。同樣，因為靶極的腐蝕輪廓是由本發明中的一個具有非均勻分布的磁場所控制的，該金屬層將會有良好的階梯覆蓋和均勻的厚度。此外，本發明有助於在不影響濺射過程效率的同時，建立理想的低壓和高密度條件，而不象現有技術的使用準直儀的技術和現有技術的LTS方法那樣。
最後，儘管本發明是結合優選實施例進行說明的，但是本技術領域的技術人員非常清楚對本發明可以有各種變化和改型。
所有這些變化和改型都被視為屬於由所附權利要求限定的本發明的精神和範疇。
權利要求
1.一種濺射裝置，包括濺射室，具有在通過濺射在襯底上形成塗層時專門用於安放襯底的區域；靶極，放置在所述的濺射室內，在濺射過程中，靶極的前面正對著襯底區域；以及磁場發生器，包括對著靶極背面的主磁場產生部件，該主磁場產生部件包括一個在相對於穿過所述靶極的中心的垂直軸線水平偏移的磁環，所述的磁環帶有沿著直徑方向延伸穿過磁環的開口，所述開口沿著在磁環偏離所述垂直軸線的方向上延伸的直徑線定位。
2.權利要求1的濺射裝置，其中，所述的磁場發生器還包括垂直軸線穿過其幾何中心的支撐盤，所述的主磁場產生部件被置於並固定在所述的支撐盤上；以及旋轉驅動裝置，連接在所述的支撐盤上，以便使所述的支撐盤繞著垂直軸旋轉。
3.權利要求2的濺射裝置，其中，所述的主磁場產生部件包括包括所述的磁環的第一磁體，該第一磁體的正負極彼此上下垂直放置，並且該第一磁體是環狀的，並帶有可沿徑向延伸穿過磁環的第一和第二開口，該第一開口距離所述的垂直軸線比第二開口更近；正負極彼此上下垂直放置的第二磁體，所述第二磁體被向心式地放置在第一磁體內部，該第二磁體離第二開口比第一開口更近。
4.權利要求3的濺射裝置，其中所述的主磁場產生部件包括第一框架，其具有對應於所述的第一磁體的外部形狀的盤狀，該第一框架安裝在所述的支撐盤上，該第一框架包括一種磁性物質；第二框架，包括與第一框架相同的磁性物質，該第二框架是環狀的，並且具有與第一磁體相對應的直徑；以及第三框架，包括與第一框架相同的磁性物質，該第三框架是盤狀的而且正好蓋住所述的第二磁體，其中，所述第一磁體位於第一和第二框架之間，第三磁體位於第一和第三框架之間。
5.權利要求2的濺射裝置，其中，所述的磁場發生器包括至一個產生磁場的輔助磁場產生部分，每一個輔助磁場產生部分包括第二磁環，相對於所述的轉動的垂直軸線水平偏移，並且該第二磁環帶有徑向延伸穿過磁環的開口，該穿過第二磁環的開口沿著該第二磁環相對於所述垂直軸偏移的方向定位。
6.權利要求5的濺射裝置，其中，所述的至少一個輔助磁場產生部分包括多個位於所述的支撐盤上，彼此之間有一定間隔的輔助磁場產生部分。
7.權利要求5的濺射裝置，其中每一個所述的至少一個輔助磁場產生部分包括第三磁體，包括所述的第二磁環，其正負極彼此上下垂直放置在所述支撐盤上，並且該第三磁體是環狀的，並帶有沿徑向延伸穿過磁環的第三和第四開口，該第三開口距離所述的垂直軸線比第四開口更近，所述的第三磁體在直徑上比所述的主磁場產生部件的第一磁體小，並且高度比第一磁體高；和第四磁體，其正負極彼此上下垂直放置在所述支撐盤上，所述第四磁體被向心式地放置在第三磁體內部，該第四磁體離第四開口比第三開口更近。
8.權利要求7的濺射裝置，其中，每一個所述的至少一個輔助磁場產生部分包括第四框架，具有對應於所述的的第三磁體的外部形狀的盤狀，該第四框架附著在所述的支撐盤上，該第四框架包括一種磁性物質；第五框架，包括與第四框架相同的磁性物質，該第五框架是環狀的，並且具有與第三磁體相對應的直徑；以及第六框架，包括與第四框架相同的磁性物質，該第六框架是盤狀的而且正好蓋住所述的第四磁體，其中，第三磁體位於第四和第五框架之間，第四磁體位於第四和第六框架之間。
9.權利要求5的濺射裝置，其中所述的主磁場產生部件和輔助磁場產生部分各自有沿著所述的支撐盤的直徑線的中心縱軸。
10.權利要求5的濺射裝置，其中主磁場產生部件的大小是輔助磁場產生部分的1.1到2倍。
11.權利要求5的濺射裝置，其中從主磁場產生部件到所述的靶極背面的距離與輔助磁場產生部分到所述的靶極背面的距離之比約為1∶0.80-0.95。
12.權利要求7的濺射裝置，其中所述的第一開口，所述的第二開口，所述的第三開口和所述的第四開口都位於沿著所述的支撐盤的相同的直徑線上。
13.權利要求7的濺射裝置，其中所述的第一開口的面積是所述的第二開口面積的1.1-2倍，所述的第三開口的面積是所述的第四開口面積的1.1-2倍。
14.權利要求7的濺射裝置，其中所述的第一磁體，所述的第二磁體，所述的第三磁體，所述的第四磁體的S極是面向所述靶極的，並且所述的第一磁體，所述的第二磁體，所述的第三磁體，和所述的第四磁體的N極是面對著所述靶極的背面的。
15.權利要求1的濺射裝置，其中，所述的磁場發生器的磁環和所述的靶極位於在各自的平面彼此平行延伸。
16.權利要求1的濺射裝置，其中所述的磁環具有彎曲的外形。
17.權利要求1的濺射裝置，其中主磁場產生部件是這樣取向的，以使產生的磁力作用在垂直方向上。
18.權利要求1的濺射裝置，其中，所述的磁場發生器在所述的靶極前面產生約為1400-1800高斯的磁場。
全文摘要
一種濺射裝置，包括濺射室，放置在濺射室中的靶極，以及在靶極前面產生旋轉磁場的磁場發生器。該磁場發生器包括朝向該靶極背面的主磁場產生部件，並且相對於穿過該靶極中心的垂直線水平偏移。主磁場產生部件的磁環形成一面向靶極中心部分和邊緣部分的位置有穿過磁環的開口的磁性圍欄。該磁場產生部分因此在靶極前面產生一非均勻分布的磁場。一個襯底被放置在濺射室內部，面對靶極的前面。由靶極前面濺射出的原子在襯底上形成一金屬層。該被濺射出的原子的動作被該磁場有效地控制著。
文檔編號C23C14/35GK1407130SQ02106239
公開日2003年4月2日 申請日期2002年4月5日 優先權日2001年9月12日
發明者樸榮奎, 嚴顯鎰, 申在光, 金聖九 申請人:三星電子株式會社