改良型光傳感器的製作方法
2023-05-06 17:14:01
專利名稱：改良型光傳感器的製作方法
技術領域：
本實用新型是關於一種改良型光傳感器，特別是指一種藉由鍍膜的設計來達到單
純僅接收不可見光、進而縮小整體體積的光傳感器。
背景技術：
光傳感器的受光晶片能接收到可見光和不可見光，請參閱圖3所示，為公知光傳 感器的受光晶片的響應光譜，其橫軸為波長(nm)、縱軸為光譜(％ )，可見光為波長400nm 700nm的光，不可見光為波長小於400nm的光以及波長大於700nm的光，而如圖3所示的響 應光譜同時包括了可見光和不可見光，顯見公知光傳感器即因為受光晶片本身在感光上的 限制，而導致可見光與不可見光皆可接收，造成感測結果的錯誤，而此即為公知光傳感器的 第一缺點。而為了讓光傳感器的響應光譜達到只能接收不可見光、或只能接收可見光的目 標，不同的製造商是各以不同的方式來讓自廠的光傳感器達成該目標。 請參閱圖1所示的公知光傳感器l，包括一具有承載部111的第一支架11、一第二 支架12、一設置於該承載部111上的受光晶片13、一電性連接於第一支架11與受光晶片13 之間的第一導線14、一電性連接於第二支架12與受光晶片13之間的第二導線15、以及一 包覆於該承載部111、受光晶片13和第一、二導線14、15上的封膠體16。 請參閱圖2所示的公知光傳感器2，包括一座體20、一自該座體20 —側伸出且具 有承載部211的第一支架21、一自該座體20另側伸出的第二支架22、一設置於該承載部 211上的受光晶片23、一電性連接於第一支架21與受光晶片23之間的第一導線24、一電性 連接於第二支架22與受光晶片23之間的第二導線25、以及一包覆於該座體20上半部、承 載部211、受光晶片23和第一、二導線24、25上的封膠體26。 如上所述的公知第一、二種光傳感器1、2，乃利用封膠體16、26來改善上述第一缺 點，但卻反而因為該些封膠體16、26而造成第一、二種光傳感器1、2均有體積過大以及成本 過高的第二缺點。 再者，第一、二種光傳感器1、2還會因為第一、二支架11、12、21、22的存在，而讓體 積過大以及成本過高的第二缺點更形嚴重，其原因除了因為支架本身的長度之外，另一個 原因是第二種光傳感器2的第一、二支架21、22雖較第一種光傳感器1的第一、二支架11、 1 2短，惟卻多了座體20，此一座體20為了能夠保留其與各支架21、22間的結合強 度，而導致於厚度無法減至最薄的困擾。 此外，公知第一、二種光傳感器1、2即由於體積過大的問題，而導致於無法符合現 今的輕、薄、短、小要求，換言之，須設置光傳感器的各式電子產品將會受限於公知第一、二 種光傳感器1、2的體積，而無法達到輕薄短小的要求。 因此，如何設計出一種能改善習知光傳感器的上述缺點、且還能符合輕薄短小要 求的本實用新型，為本實用新型所欲解決的一大課題。
實用新型內容本實用新型的目的在於提供一種改良型光傳感器，由在受光晶片上設置一鍍膜，
且不設有封膠體(當然亦可進一步不設有支架)的結構設計，來達到單純僅能接收不可見 光、以及縮小整體體積(而由進一步不設有支架，則能讓整體體積縮得更小)並降低成本的 功效，進而符合現今輕薄短小的要求。 為實現上述目的，本實用新型提供的改良型光傳感器，包括一基體、一受光晶片 以及一鍍膜。該基體具有一第一電極部和一第二電極部；該受光晶片設置於該基體上，且該 受光晶片還分別與該基體的第一、二電極部彼此電性連接；該鍍膜形成於該受光晶片上，且 該鍍膜可濾掉可見光而保留不可見光。 由此，本實用新型能達到單純僅能接收不可見光、以及縮小本實用新型光傳感器 的整體體積且成本亦隨的降低的功效，完全符合現今輕薄短小的要求。
圖1為公知第一種光傳感器的剖面圖。[0014]圖2為公知第二種光傳感器的剖面圖。[0015]圖3為公知光傳感器的響應光譜。圖4為本實用新型光傳感器第一實施例的剖面圖。[0017]圖5為本實用新型光傳感器第二實施例的剖面圖。[0018]圖6為本實用新型光傳感器的響應光譜。[0019]附圖中主要組件符號說明公知技術部分1、光傳感器11、第一支架111、承載部12、第二支架13、受光晶片14、第一導線15、第二導線16、封膠體2、光傳感器20、座體21、第一支架211、承載部22、第二支架23、受光晶片24、第一導線25、第二導線26、封膠體本實用新型部分3、光傳感器31、基體311、第一電極部312、第二電極部32、受光晶片321、第一電極322、第二電極33、鍍膜34、第一導線35、第二導線4、光傳感器41、基體411、第一電極部412、第二電極部42、受光晶片421、電性接觸部422、導電極[0039] 43、鍍膜 44、導線
具體實施方式為了能夠更進一步了解本實用新型的特徵、特點和技術內容，請參閱以下有關本 實用新型的詳細說明與附圖，附圖僅提供參考與說明用，非用以限制本實用新型。 本實用新型提供的改良型光傳感器，為完全破除了公知光傳感器的既有構造窠 臼，以達到單純僅能接收不可見光、以及整體體積可縮至最小等功效的改良型光傳感器。圖 4為本實用新型第一實施例的光傳感器3，圖5為本實用新型第二實施例的光傳感器4。 請參閱圖4所示，本實用新型第一實施例的光傳感器3包括一基體31 、 一受光晶片 32以及一鍍膜33。該基體31具有一第一電極部311和一第二電極部312 ;該受光晶片32 設置於基體31上，且受光晶片32還分別與基體31的第一、二電極部311、312彼此電性連 接，該基體31的底側則由其第一、二電極部311、312來與其它電子組件或其它電子產品電 性連接；至於該鍍膜33則形成於受光晶片32上，且該鍍膜33能濾掉可見光而保留不可見 光，換言之，該受光晶片32僅能接收到不可見光。 請參閱圖4所示的本實用新型第一實施例中，受光晶片32與基體31之間的電性 連接方式包含一第一導線34和一第二導線35，該第一導線34電性連接於受光晶片32的第 一電極321與基體31的第一電極部311之間，該第二導線35則電性連接於受光晶片32的 第二電極322與基體31的第二電極部312之間。 請參閱圖5所示的本實用新型第二實施例，是與第一實施例大部分相同，僅在受 光晶片42與基體41之間的電性連接方式有所不同。如圖所示，本實用新型第二實施例的 光傳感器4亦包括一基體41、一受光晶片42以及一鍍膜43，基體41亦具有第一、二電極部 411、412，受光晶片42亦設置於基體41上，且受光晶片42亦分別與基體41的第一、二電極 部411、412彼此電性連接，基體41的底側亦由其第一、二電極部411、412來與其它電子組 件或其它電子產品電性連接，至於鍍膜43亦形成於受光晶片42上，且鍍膜43亦能濾掉可 見光而保留不可見光，以使受光晶片42亦僅能接收不可見光。 本實用新型第二實施例中，受光晶片42與基體41之間的電性連接方式(如圖5所 示)包含一導線44和一電性接觸部421，該導線44電性連接於受光晶片42的導電極422 與基體41的第一電極部411之間，該電性接觸部421設於該受光晶片42的底側，受光晶片 42即由其底側的電性接觸部421而電性接觸於基體41的第二電極部412。 其中，本實用新型第一、二實施例中的鍍膜33、43包含金屬材料(Metal Material)層、聚合物(Polymer Material)層、介電材料(DielectricMaterial)層以及化 合物材料(Compound Material)層中的任一層、或任多數層彼此堆疊；而，其中的化合物材 料(Compound Material)層則包含氮化鈦(TiN)層、銦錫氧化物(IT0)層、氧化鋅(ZnO) 層以及二氧化鈦(Ti02)層中的任一層、或任多數層彼此堆疊。 至於，本實用新型第一、二實施例中的基體31、41可為一電路板，所述受光晶片 32、42電性設置於該電路板上，意即受光晶片32、42能以第一或第二實施例的方式來電性 連接於電路板上的線路(圖未示)。 除此之外，亦可在本實用新型 基體31、41上增設一封膠體(圖未示)，以具有保護功能(例如保護受光晶片32、42、鍍膜33、43、第一導線34、44以及第二導線35、45等等) 或其它功能，所述封膠體包覆於基體31、41、受光晶片32、42、鍍膜33、43、第一導線34、44以 及第二導線35、45上(圖未示)，且該封膠體為「供光線穿透」的膠體、或為濾掉可見光而保 留不可見光的膠體。 本實用新型光傳感器3、4的特點在於 1、由在受光晶片32、42上設置一鍍膜33、43，且該鍍膜33、43可濾掉可見光而保留 不可見光，從而讓本實用新型光傳感器3、4達到單純僅能接收不可見光(如圖6所示)的 功效。 2、由不設有封膠體的結構設計，而讓本實用新型光傳感器3、4的整體體積小於公 知第一、二種光傳感器1、2(如圖1、圖2所示)。當然，本實用新型亦可同時不設有封膠體 且不設有支架，以能進一步讓本實用新型光傳感器3、4的整體體積再更小於公知第一、二 種光傳感器1、2 (如圖1、圖2所示)，其原因除了是因為省去支架本身的長度之外，另一個 原因是由於本實用新型的基體31、41根本不須結合任何支架，因此不需考慮到結合強度 的問題而可將基體31、41減至最薄，從而讓本實用新型基體31、41的厚度能遠小於公知第 二種光傳感器2的座體20的厚度(如圖2所示)。換言之，本實用新型光傳感器3、4的整 體體積可縮至最小且還能降低成本，進而符合現今輕薄短小的要求，尤其是在電子產品的 厚度方面確能更薄、更輕。 以上所述，僅為本實用新型的較佳可行實施例而已，非因此即局限本實用新型的 權利範圍，舉凡運用本實用新型說明書及圖式內容所為的等效結構變化，均理同包含於本 實用新型的權利要求範圍內。
權利要求一種改良型光傳感器，其特徵在於，包括一基體，具有一第一電極部和一第二電極部；一受光晶片，設置於該基體上，該受光晶片還分別與該基體的第一、二電極部彼此電性連接；以及一鍍膜，形成於該受光晶片上，該鍍膜是濾掉可見光而保留不可見光。
2. 如權利要求1所述的改良型光傳感器，其特徵在於，該受光晶片與基體之間的鄰接 側具有一電性接觸部，該電性接觸部接觸於該基體的第一、二電極部的其中之一，該受光芯 片與該基體的第一、二電極部的其中另一之間電性連接有一導線。
3. 如權利要求1所述的改良型光傳感器，其特徵在於，該受光晶片與所述第一、二電極 部的其中之一之間連接有一第一導線，該受光晶片與所述第一、二電極部的其中另一之間 連接有一第二導線。
4. 如權利要求1所述的改良型光傳感器，其特徵在於，該鍍膜包含金屬材料層、聚合 物層、介電材料層以及化合物材料層中的任一層。
5. 如權利要求4所述的改良型光傳感器，其特徵在於，該化合物材料層包含氮化鈦 層、銦錫氧化物層、氧化鋅層以及二氧化鈦層中的任一層。
6. 如權利要求4所述的改良型光傳感器，其特徵在於，該化合物材料層包含氮化鈦 層、銦錫氧化物層、氧化鋅層以及二氧化鈦層中的任多數層且彼此堆疊。
7. 如權利要求1所述的改良型光傳感器，其特徵在於，該鍍膜包含金屬材料層、聚合 物層、介電材料層以及化合物材料層中的任多數層且彼此堆疊。
8. 如權利要求7所述的改良型光傳感器，其特徵在於，該化合物材料層包含氮化鈦 層、銦錫氧化物層、氧化鋅層以及二氧化鈦層中的任一層。
9. 如權利要求7所述的改良型光傳感器，其特徵在於，該化合物材料層包含氮化鈦 層、銦錫氧化物層、氧化鋅層以及二氧化鈦層中的任多數層且彼此堆疊。
10. 如權利要求1所述的改良型光傳感器，其特徵在於，其中該基體為一電路板，該受 光晶片電性設置於該電路板上。
11. 如權利要求1所述的改良型光傳感器，其特徵在於，該基體上進一步包覆有一封膠 體，該封膠體包覆於該基體、受光晶片、鍍膜、第一電極部以及第二電極部上，且該封膠體為 供光線穿透的膠體。
12. 如權利要求1所述的改良型光傳感器，其特徵在於，該基體上進一步包覆有一封膠 體，該封膠體包覆於該基體、受光晶片、鍍膜、第一電極部以及第二電極部上，且該封膠體為 濾掉可見光而保留不可見光的膠體。
專利摘要本實用新型是一種改良型光傳感器，包括一基體、一受光晶片以及一鍍膜。該基體具有第一、二電極部；該受光晶片設置於基體上，且受光晶片還分別與基體的第一、二電極部彼此電性連接；該鍍膜形成於受光晶片上，且鍍膜能濾掉可見光而保留不可見光。從而達到僅能接收不可見光、以及整體體積可縮至最小的功效。
文檔編號H01L31/115GK201478335SQ20092014992
公開日2010年5月19日 申請日期2009年4月22日 優先權日2009年4月22日
發明者周文隆, 朱倪廷 申請人:鼎元光電科技股份有限公司