瞬時電壓檢測電路的製作方法
2023-05-06 05:46:41
專利名稱：瞬時電壓檢測電路的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種瞬時電壓檢測電路(Transient voltage detecting circuit)，用以針對一電子系統(Electronic system)檢測一瞬時電壓(Transient voltage)。並且特別地，本發明涉及這樣一種瞬時電壓檢測電路，其根據本發明的瞬時電壓檢測電路內各個元件，均無須引用或參考該電子系統的電源埠(Power port)，由此，一旦瞬時電壓發生時，根據本發明的瞬時電壓檢測電路內的各個元件，仍保持原有的電氣特性，進而迅速、準確地檢測到該瞬時電壓。
背景技術：
一般的電子系統，尤其是集成電路，均會針對突波(Surge)、脈衝幹擾(Glitch)、過電壓(Overvoltage)…等不想發生的瞬時電壓，採取自我保護措施，以避免系統因上述瞬時電壓導致運作錯誤，甚至是死機，或元件損壞等問題。
電子系統針對瞬時電壓實行的自我保護措施，首先看重於迅速、準確地檢測到瞬時電壓。關於瞬時電壓檢測的已知技術，請參考美國專利第5,999,392號專利。美國專利第5,999,392號專利揭示一種具有檢測瞬時電位變化功能的自動復位電路(Resetting circuit)，用以檢測電子系統中電源供應埠(Powersupply port)及接地埠(Ground port)之間電位的異常變化，以實時執行電子系統的復位動作。
然而，關於檢測瞬時電壓的已知技術，仍使用到須引用或參考該電子系統的電源埠的元件，例如，與非門(NAND gate)、或非門(NOR gate)、非門(NOT gate)…等。致使，一旦瞬時電壓發生時，須引用或參考該電子系統的電源埠的元件，以無法確保仍保有原有的電氣特性。也導致，使用到須引用或參考該電子系統的電源埠的元件的瞬時電壓檢測電路，其檢測瞬時電壓的準確性頗令人堪慮。
發明內容
因此，本發明的一主要目的在於提供一種瞬時電壓檢測電路，並且特別地，根據本發明的瞬時電壓檢測電路內各個元件，均無須引用或參考該電子系統的電源埠。
具體地，本發明的主要目的旨於提供一種瞬時電壓檢測電路，用以針對一電子系統檢測一瞬時電壓。特別地，根據本發明的瞬時電壓檢測電路內各個元件，均無須引用或參考該電子系統的電源埠，由此，一旦瞬時電壓發生時，根據本發明的瞬時電壓檢測電路內的各個元件，仍保持原有的電氣特性，進而迅速、準確地檢測到該瞬時電壓。
根據本發明的第一較佳具體實施例的瞬時電壓檢測電路，包含一電容元件、一整流元件、一預設電阻元件以及一檢測元件。該電容元件具有一第一端以及一第二端。該電容元件的第一端耦合至一電子系統的一接地埠。該整流元件具有一順向操作方向。該電容元件的第二端經由該整流元件串聯耦合至該電子系統的一電源供應埠，並且該整流元件的順向操作方向指向該電容元件。致使當該電子系統正常時，位於該電容元件第二端處的一電壓關聯於該電源供應埠。該檢測元件具有一耦合至該電容元件的第二端的輸入端。該檢測元件也具有一閾值電壓。一旦一正的瞬時電壓發生於該電源供應埠處，並且當位於該電容元件第二端處的電壓高過該閾值電壓時，該檢測元件即輸出一輸出電壓，用以代表該瞬時電壓的發生。預設電阻元件與該電容元件做並聯耦合。該預設電阻元件用以預設該電路的一操作點電壓，使該電路處於正常操作狀態。
根據本發明第二較佳具體實施例的瞬時電壓檢測電路，包含一電容元件、一整流元件、一預設電阻元件以及一檢測元件。該電容元件具有一第一端以及一第二端。該電容元件的第一端耦合至一電子系統的一接地埠。該整流元件具有一順向操作方向。該電容元件的第二端經由該整流元件串聯耦合至該電子系統的一電源供應埠，並且該整流元件的順向操作方向指向該電源供應埠。致使當該電子系統正常時，位於該電容元件第二端處的一電壓關聯於該電源供應埠。該檢測元件具有一耦合至該電容元件第二端的輸入端。該檢測元件也具有一閾值電壓。一旦一負的瞬時電壓發生於該電源供應埠處，並且當位於該電容元件第二端處的電壓低於該閾值電壓時，該檢測元件即輸出一輸出電壓，用以代表該瞬時電壓的發生。該預設電阻元件與該整流元件做並聯耦合。該預設電阻元件用以預設該電路的一操作點電壓，使該電路處於正常操作狀態。
根據本發明第三較佳具體實施例的瞬時電壓檢測電路，包含一電容元件、一整流元件、一預設電阻元件以及一檢測元件。該電容元件具有一第一端以及一第二端。該電容元件的第一端耦合至一電子系統的一電源供應埠。該整流元件具有一順向操作方向。該電容元件的第二端經由該整流元件串聯耦合至該電子系統的一接地埠，並且該整流元件的順向操作方向指向該電容元件。致使當該電子系統正常時，位於該電容元件第二端處的一電壓關聯於該接地埠。該檢測元件具有一耦合至該電容元件第二端的輸入端。該檢測元件也具有一閾值電壓。一旦一正的瞬時電壓發生於該接地處，並且當位於該電容元件第二端處的電壓高過該閾值電壓時，該檢測元件即輸出一輸出電壓，用以代表該瞬時電壓的發生。該預設電阻元件與該整流元件做並聯耦合。該預設電阻元件用以預設該電路的一操作點電壓，使該電路處於正常操作狀態。
根據本發明第四較佳具體實施例的瞬時電壓檢測電路，包含一電容元件、一整流元件、一預設電阻元件以及一檢測元件。該電容元件具有一第一端以及一第二端。該電容元件的第一端耦合至一電子系統的一電源供應埠。該整流元件具有一順向操作方向。該電容元件的第二端經由該整流元件串聯耦合至該電子系統的一接地埠，並且該整流元件的順向操作方向指向該接地埠，致使當該電子系統正常時，位於該電容元件第二端處的一電壓關聯於該接地埠。該檢測元件具有一耦合至該電容元件第二端的輸入端。該檢測元件也具有一閾值電壓。一旦一負的瞬時電壓發生於該接地處，並且當位於該電容元件第二端處的電壓低於該閾值電壓時，該檢測元件即輸出一輸出電壓，用以代表該瞬時電壓的發生。該預設電阻元件與該電容元件做並聯耦合。該預設電阻元件用以預設該電路的一操作點電壓，使該電路處於正常操作狀態。
關於本發明的優點與精神可以通過以下的發明詳述及附圖得到進一步的了解。
圖1繪示根據本發明第一較佳具體實施例的瞬時電壓檢測電路1，適於檢測發生於一電子系統的電源供應埠VCC處一正的瞬時電壓。
圖2繪示根據本發明第二較佳具體實施例的瞬時電壓檢測電路2，適於檢測發生於一電子系統電源供應埠VCC處一負的瞬時電壓。
圖3繪示根據本發明第三較佳具體實施例的瞬時電壓檢測電路3，適於檢測發生於一電子系統的接地埠GND處一正的瞬時電壓。
圖4繪示根據本發明第四較佳具體實施例的瞬時電壓檢測電路4，適於檢測發生於一電子系統的接地埠GND處一負的瞬時電壓。
主要元件標號說明1、2、3、4瞬時電壓檢測電路12、22、32、42電容元件122、222、322、422電容元件的第一端124、224、324、424電容元件的第二端14、24、34、44整流元件142、242、342、442二極體16、26、36、46檢測元件18、28、38、48預設電阻元件VCC電源供應埠GND接地埠Ofor順向操作方向 Vfor特性電壓Vth閾值電壓具體實施方式
本發明提供一種瞬時電壓檢測電路，用以針對一電子系統檢測一瞬時電壓。該電子系統為一典型的電子系統，例如，集成電路，具有一電源供應埠以及一接地埠。根據本發明的瞬時電壓檢測電路適於檢測發生於一般的電子系統(集成電路)的電源供應埠處正的瞬時電壓、負的瞬時電壓，以及發生於一般的電子系統的接地埠處正的瞬時電壓、負的瞬時電壓。以下將通過詳述本發明的多個較佳具體實施例，來清楚地指出本發明的精神與特徵。
第一較佳具體實施例請參閱圖1，揭示了根據本發明第一較佳具體實施例的瞬時電壓檢測電路1的基本架構。該集成電路1適於檢測發生於一般的電子系統(未繪示於圖中)的電源供應埠VCC處正的瞬時電壓。
如圖1所示，該瞬時電壓檢測電路1包含一電容元件(Capacitor)12、一整流元件(Rectifying device)14、一預設電阻元件(Pre-set resistance device)16以及一檢測元件(Detecting device)18。
該電容元件12具有一第一端122以及一第二端124。該電容元件12的第一端122耦合至該電子系統的一接地埠GND。該電容元件12的第二端124經由該整流元件14串聯耦合至該電源供應埠VCC。
該整流元件14具有一順向操作方向(Operating forward orientation)Ofor。該整流元件14也具有一特性電壓Vfor。該整流元件14的順向操作方向Ofor指向該電容元件12，致使當該電子系統正常時，位於該電容元件12第二端124處的一電壓Vc等於(VCC-Vfor)。
該檢測元件18具有一耦合至該電容元件12第二端124的輸入端。該檢測元件18也具有一閾值電壓(Threshold voltage)Vth。
一旦一正的瞬時電壓發生於該電源供應埠VCC處，讓該電源供應埠電壓向上變化ΔV時，位於該電容元件12第二端124處的電壓Vc等於(VCC-Vfor+ΔV)。並且當位於該電容元件12第二端124處的電壓Vc高過該閾值電壓Vth時，該檢測元件18即輸出一輸出電壓Vout，用以代表該瞬時電壓的發生。該輸出電壓Vout可用來觸發該電子系統一復位裝置(Resettingdevice)(未繪示於圖中)，以保護該電子系統不會遭受到該正的瞬時電壓的破壞。
同樣示於圖1，該預設電阻元件16與該電容元件12做並聯耦合。其目的在於導通該整流元件14，使該電路1處於正常操作點。如果沒有該預設電阻元件16，該第二端124處的電壓Vc，有可能高於(VCC-Vfor)，如此整個電路就會失去檢測效能。
在一具體實施例中，如圖1所示，該整流元件14由多個串聯的二極體(Diode)所構成。在另一具體實施例中，該整流元件14由多個串聯的金屬氧化物半導體電晶體(MOS transistor)所構成。
在一具體實施例中，如圖1所示，該預設電阻元件16是一可編程電阻。在另一具體實施例中，該預設電阻元件16是一金屬氧化物半導體電晶體。需聲明的是，該預設電阻元件16的阻抗需大到足以使出現瞬時電壓時，處於電壓改變的該電容元件12無法快速放電。一般而言，該預設電阻元件16的阻抗值可能高過數百千歐姆(K-Ω)，甚至高達數百萬歐姆(M-Ω)。
在一具體實施例中，如圖1所示，該檢測元件18是一反相器(Inverter)。在另一具體實施例中，該檢測元件18是一比較器(Comparator)或其它無須引用、參考該電子系統電源埠的檢測元件。
第二較佳具體實施例請參閱圖2，揭示了根據本發明第二較佳具體實施例的瞬時電壓檢測電路2的基本架構。該集成電路2適於檢測發生於一般的電子系統(未繪示於圖中)的電源供應埠VCC處負的瞬時電壓。
如圖2所示，該瞬時電壓檢測電路2包含一電容元件22、一整流元件24、一預設電阻元件26以及一檢測元件28。
該電容元件22具有一第一端222以及一第二端224。該電容元件22的第一端222耦合至該電子系統的一接地埠GND。該電容元件22的第二端224經由該整流元件24串聯耦合至該電源供應埠VCC。
該整流元件24具有一順向操作方向Ofor。該整流元件24也具有一特性電壓Vfor。該整流元件24的順向操作方向Ofor指向該電源供應埠VCC，致使當該電子系統正常時，位於該電容元件22第二端224處的一電壓Vc等於VCC。
該檢測元件28具有一耦合至該電容元件22第二端224的輸入端。該檢測元件28也具有一閾值電壓Vth。
一旦一負的瞬時電壓發生於該電源供應埠VCC處，讓該電源供應埠的電壓向下變化(Vfor+ΔV)時，位於該電容元件22第二端224處的電壓Vc等於(VCC-ΔV)。並且當位於該電容元件22第二端224處的電壓Vc低於該閾值電壓Vth時，該檢測元件28即輸出一輸出電壓Vout，用以代表該瞬時電壓的發生。該輸出電壓Vout可用來觸發該電子系統的一復位裝置(未繪示於圖中)，以保護該電子系統不會遭受到該負的瞬時電壓的破壞。
同樣示於圖2，該預設電阻元件26與該整流元件24做並聯耦合，其目的在於預設該第二端224處的電壓Vc為VCC，使該電路2處於正常操作點。
在一具體實施例中，如圖2所示，該整流元件24由多個串聯的二極體所構成。在另一具體實施例中，該整流元件24由多個串聯的金屬氧化物半導體電晶體所構成。
在一具體實施例中，如圖2所示，該預設電阻元件26是一可編程電阻。在另一具體實施例中，該預設電阻元件26是一金屬氧化物半導體電晶體。需聲明的是，該預設電阻元件26的阻抗需大到足以使出現瞬時電壓時，處於電壓改變的該電容元件22無法快速放電。一般而言，該預設電阻元件26的阻抗值可能高過數百千歐姆(K-Ω)，甚至高達數百萬歐姆(M-Ω)。
在一具體實施例中，如圖2所示，該檢測元件28是一反相器。在另一具體實施例中，該檢測元件28是一比較器或其它無須引用、參考該電子系統的電源埠的檢測元件。
第三較佳具體實施例請參閱圖3，揭示了根據本發明第三較佳具體實施例的瞬時電壓檢測電路3的基本架構。該集成電路3適於檢測發生於一般的電子系統(未繪示於圖中)的接地埠GND處正的瞬時電壓。
如圖3所示，該瞬時電壓檢測電路3包含一電容元件32、一整流元件34、一預設電阻元件36以及一檢測元件38。
該電容元件32具有一第一端322以及一第二端324。該電容元件32的第一端322耦合至該電子系統的一電源供應埠VCC。該電容元件32的第二端324經由該整流元件34串聯耦合至該接地埠GND。
該整流元件34具有一順向操作方向Ofor。該整流元件34也具有一特性電壓Vfor。該整流元件34的順向操作方向Ofor指向該電容元件32，致使當該電子系統正常時，位於該電容元件32第二端324處的一電壓Vc等於0。
該檢測元件38具有一耦合至該電容元件32第二端324的輸入端。該檢測元件38也具有一閾值電壓Vth。
一旦一正的瞬時電壓發生於該接地埠GND處，讓該接地埠的電壓向上變化(Vfor+ΔV)時，位於該電容元件32第二端324處的電壓Vc等於ΔV。並且當位於該電容元件32第二端324處的電壓Vc高過該閾值電壓Vth時，該檢測元件38即輸出一輸出電壓Vout，用以代表該瞬時電壓的發生。該輸出電壓Vout可用來觸發該電子系統的一復位裝置(未繪示於圖中)，以保護該電子系統不會遭受到該正的瞬時電壓的破壞。
同樣示於圖3，該預設電阻元件36與該整流元件34做並聯耦合，其目的在於預設該第二端324處的電壓Vc為零電位(GND)，使該電路3處於正常操作點。
在一具體實施例中，如圖3所示，該整流元件34由多個串聯的二極體所構成。在另一具體實施例中，該整流元件34由多個串聯的金屬氧化物半導體電晶體所構成。
在一具體實施例中，如圖3所示，該預設電阻元件36是一可編程電阻。在另一具體實施例中，該預設電阻元件36是一金屬氧化物半導體電晶體。需聲明的是，該預設電阻元件36的阻抗需大到足以使出現瞬時電壓時，處於電壓改變的該電容元件32無法快速放電。一般而言，該預設電阻元件36的阻抗值可能高過數百千歐姆(K-Ω)，甚至高達數百萬歐姆(M-Ω)。
在一具體實施例中，如圖3所示，該檢測元件38是一反相器。在另一具體實施例中，該檢測元件38是一比較器或其它無須引用、參考該電子系統的電源埠的檢測元件。
第四較佳具體實施例請參閱圖4，揭示了根據本發明第四較佳具體實施例的瞬時電壓檢測電路4的基本架構。該集成電路4適於檢測發生於一般的電子系統(未繪示於圖中)的接地埠GND處負的瞬時電壓。
如圖4所示，該瞬時電壓檢測電路4包含一電容元件42、一整流元件44、一預設電阻元件46以及一檢測元件48。
該電容元件42具有一第一端422以及一第二端424。該電容元件42的第一端422耦合至該電子系統的一電源供應埠VCC。該電容元件42的第二端424經由該整流元件44串聯耦合至該接地埠GND。
該整流元件44具有一順向操作方向Ofor。該整流元件44也具有一特性電壓Vfor。該整流元件44的順向操作方向Ofor指向該接地埠GND，致使當該電子系統正常時，位於該電容元件42第二端424處的一電壓Vc等於Vfor。
該檢測元件48具有一耦合至該電容元件42第二端424的輸入端。該檢測元件48也具有一閾值電壓Vth。
一旦一負的瞬時電壓發生於該接地埠GND處，讓該接地埠的電壓向下變化ΔV時，位於該電容元件42第二端424處的電壓Vc等於(Vfor-ΔV)。並且當位於該電容元件42第二端424處的電壓Vc低於該閾值電壓Vth時，該檢測元件48即輸出一輸出電壓Vout，用以代表該瞬時電壓的發生。該輸出電壓Vout可用來觸發該電子系統的一復位裝置(未繪示於圖中)，以保護該電子系統不會遭受到該負的瞬時電壓的破壞。
同樣示於圖4，該預設電阻元件46與該電容元件42做並聯耦合，其目的在於預設該第二端424處的電壓Vc為Vfor，使電路處於正常操作點。
在一具體實施例中，如圖4所示，該整流元件44由多個串聯的二極體所構成。在另一具體實施例中，該整流元件44由多個串聯的金屬氧化物半導體電晶體所構成。
在一具體實施例中，如圖4所示，該預設電阻元件46是一可編程電阻。在另一具體實施例中，該預設電阻元件46是一金屬氧化物半導體電晶體。需聲明的是，該預設電阻元件46的阻抗需大到足以使出現瞬時電壓時，處於電壓改變的該電容元件42無法快速放電。一般而言，該預設電阻元件46的阻抗值可能高過數百千歐姆(K-Ω)，甚至高達數百萬歐姆(M-Ω)。
在一具體實施例中，如圖4所示，該檢測元件48是一反相器。在另一具體實施例中，該檢測元件48是一比較器或其它無須引用、參考該電子系統的電源埠的檢測元件。
明顯地，由以上本發明的多個較佳具體實施例可看出，根據本發明的瞬時電壓內的各個元件，均無須引用或參考該電子系統的電源埠。亦即，一旦一瞬時電壓發生時，根據本發明的瞬時電壓檢測電路內的各個元件，仍保持原有的電氣特性，進而迅速、準確地檢測到該瞬時電壓。
由以上較佳具體實施例的詳述，能更加清楚描述本發明的特徵與精神，但是並非以上述所揭示的較佳具體實施例來對本發明的範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具等效性的安排於本發明所要申請的專利範圍的範疇內。
權利要求
1.一種瞬時電壓檢測電路，該電路用以針對一電子系統檢測一瞬時電壓，該電子系統具有一電源供應埠以及一接地埠，該電路包含一電容元件，該電容元件具有一第一端以及一第二端，該電容元件的第一端耦合至該接地埠；一具有一順向操作方向的整流元件，該電容元件的第二端經由該整流元件串聯耦合至該電源供應埠，並且該整流元件的順向操作方向指向該電容元件，致使位於該電容元件第二端處的一電壓關聯於該電源供應埠；一預設電阻元件，該預設電阻元件與該電容元件做並聯耦合，該預設電阻元件用以預設該電路的一操作點電壓，使該電路處於正常操作狀態；以及一檢測元件，該檢測元件具有一耦合至該電容元件第二端的輸入端，一旦該瞬時電壓發生於該電源供應埠時，並且當位於該電容元件第二端處的電壓高過一閾值電壓時，該檢測元件則輸出一輸出電壓，用以代表該瞬時電壓的發生。
2.如權利要求1所述的瞬時電壓檢測電路，其中該整流元件由多個串聯的二極體或多個串聯的金屬氧化物半導體電晶體所構成。
3.如權利要求1所述的瞬時電壓檢測電路，其中該預設電阻元件是一可編程電阻或一金屬氧化物半導體電晶體。
4.如權利要求1所述的瞬時電壓檢測電路，其中該檢測元件是一反相器或一比較器。
5.一種瞬時電壓檢測電路，該電路用以針對一電子系統檢測一瞬時電壓，該電子系統具有一電源供應埠以及一接地埠，該電路包含一電容元件，該電容元件具有一第一端以及一第二端，該電容元件的第一端耦合至該接地埠；一具有一順向操作方向的整流元件，該電容元件的第二端經由該整流元件串聯耦合至該電源供應埠，並且該整流元件的順向操作方向指向該電源供應埠，致使位於該電容元件第二端處的一電壓關聯於該電源供應埠；一預設電阻元件，該預設電阻元件與該整流元件做並聯耦合，該預設電阻元件用以預設該電路的一操作點電壓，使該電路處於正常操作狀態；以及一檢測元件，該檢測元件具有一耦合至該電容元件第二端的輸入端，一旦該瞬時電壓發生於該電源供應埠時，並且當位於該電容元件第二端處的電壓低於一閾值電壓時，該檢測元件則輸出一輸出電壓，用以代表該瞬時電壓的發生。
6.如權利要求5所述的瞬時電壓檢測電路，其中該預設電阻元件由多個串聯的二極體或多個串聯的金屬氧化物半導體電晶體所構成。
7.如權利要求5所述的瞬時電壓檢測電路，其中該預設電阻元件是一可編程電阻或一金屬氧化物半導體電晶體。
8.如權利要求5所述的瞬時電壓檢測電路，其中該檢測元件是一反相器或一比較器。
9.一種瞬時電壓檢測電路，該電路用以針對一電子系統檢測一瞬時電壓，該電子系統具有一電源供應埠以及一接地埠，該電路包含一電容元件，該電容元件具有一第一端以及一第二端，該電容元件的第一端耦合至該電源供應埠；一具有一順向操作方向的整流元件，該電容元件的第二端經由該整流元件串聯耦合至該接地埠，並且該整流元件的順向操作方向指向該電容元件，致使位於該電容元件第二端處的一電壓關聯於該接地埠；一預設電阻元件，該預設電阻元件與該整流元件做並聯耦合，該預設電阻元件用以預設該電路的一操作點電壓，使該電路處於正常操作狀態；以及一檢測元件，該檢測元件具有一耦合至該電容元件第二端的輸入端，一旦該瞬時電壓發生於該接地埠時，並且當位於該電容元件第二端處的電壓高過一閾值電壓時，該檢測元件則輸出一輸出電壓，用以代表該瞬時電壓的發生。
10.如權利要求9所述的瞬時電壓檢測電路，其中該預設電阻元件由多個串聯的二極體或多個串聯的金屬氧化物半導體電晶體所構成。
11.如權利要求9所述的瞬時電壓檢測電路，其中該預設電阻元件是一可編程電阻或一金屬氧化物半導體電晶體。
12.如權利要求9所述的瞬時電壓檢測電路，其中該檢測元件是一反相器或一比較器。
13.一種瞬時電壓檢測電路，該電路用以針對一電子系統檢測一瞬時電壓，該電子系統具有一電源供應埠以及一接地埠，該電路包含一電容元件，該電容元件具有一第一端以及一第二端，該電容元件的第一端系耦合至該電源供應埠；一具有一順向操作方向的整流元件，該電容元件的第二端經由該整流元件串聯耦合至該接地埠，並且該整流元件的順向操作方向指向該接地埠，致使位於該電容元件第二端處的一電壓關聯於該接地埠；一預設電阻元件，該預設電阻元件與該電容元件做並聯耦合，該預設電阻元件用以預設該電路的一操作點電壓，使該電路處於正常操作狀態；以及一檢測元件，該檢測元件具有一耦合至該電容元件第二端的輸入端，一旦該瞬時電壓發生於該接地埠時，並且當位於該電容元件第二端處的電壓低於一閾值電壓時，該檢測元件則輸出一輸出電壓，用以代表該瞬時電壓的發生。
14.如權利要求13所述的瞬時電壓檢測電路，其中該預設電阻元件由多個串聯的二極體或多個串聯的金屬氧化物半導體電晶體所構成。
15.如權利要求13所述的瞬時電壓檢測電路，其中該預設電阻元件是一可編程電阻或一金屬氧化物半導體電晶體。
16.如權利要求13所述的瞬時電壓檢測電路，其中該檢測元件是一反相器或一比較器。
全文摘要
本發明提供一種瞬時電壓檢測電路，用以針對一電子系統檢測一瞬時電壓。該電子系統具有一電源供應埠以及一接地埠。該電路包含一電容元件、一整流元件、一預設電阻元件以及一檢測元件。該電容元件具有一第一端以及一第二端。該電容元件的第一端耦合至一電子系統的一接地埠。該電容元件的第二端經由該整流元件串聯耦合至該電子系統的一電源供應埠，並且該整流元件的順向操作方向指向該電容元件。根據本發明的一較佳具體實施例，該檢測元件具有一耦合至該電容元件第二端的輸入端。一旦該瞬時電壓發生於該電源供應埠時，並且當位於該電容元件第二端處的電壓高過一閾值電壓時，該檢測元件則輸出一輸出電壓，用以代表該瞬時電壓的發生。
文檔編號H02H9/00GK1743852SQ20041007488
公開日2006年3月8日 申請日期2004年8月30日 優先權日2004年8月30日
發明者周國煜 申請人:聯詠科技股份有限公司