化學氣相沉積裝置製造方法
2023-05-02 05:34:51
化學氣相沉積裝置製造方法
【專利摘要】本發明涉及一種化學氣相沉積裝置。所述化學氣相沉積裝置包括反應腔、位於反應腔頂部的噴淋組件以及與所述噴淋組件相對設置的基座，所述基座可以相對所述噴淋組件旋轉，所述噴淋組件包括第一進氣管路以及第二進氣管路，用於分別將第一氣體以及第二氣體傳輸到氣體分配板，所述氣體分配板具有面向所述基座的排氣面，所述排氣面具有若干能夠收容氣體並安裝板部件的凹槽，所述板部件具有若干出氣孔，用以排出所述第一氣體或所述第二氣體中的一種或多種。本發明的化學氣相沉積裝置結構簡單，製造成本較低，且易於拆分清潔。
【專利說明】化學氣相沉積裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及化學氣相沉積【技術領域】，特別涉及一種化學氣相沉積裝置。
【背景技術】
[0002]化學氣相沉積(Chemical vapor deposition,簡稱CVD)是反應物質在氣態條件下發生化學反應，生成固態物質沉積在加熱的固態基體表面，進而製得固體材料的工藝技術，其通過化學氣相沉積裝置得以實現。具體地，CVD裝置通過進氣裝置將反應氣體通入反應室中，並控制反應室的壓強、溫度等反應條件，使得反應氣體發生反應，從而完成沉積工藝步驟。為了沉積所需薄膜，一般需要向反應室中通入多種不同的反應氣體，且還需要向反應室中通入載氣或吹掃氣體等其他非反應氣體，因此在CVD裝置中需要設置多個進氣裝置。以下以金屬有機化學氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,M0CVD)裝置為例，介紹現有技術中包括多個進氣裝置的CVD裝置。
[0003]MOCVD主要用於氮化鎵、砷化鎵、磷化銦、氧化鋅等II1-V族，I1-VI族化合物及合金的薄層單晶功能結構材料的製備，隨著上述功能結構材料的應用範圍不斷擴大，MOCVD裝置已經成為化學氣相沉積裝置的重要裝置之一。MOCVD —般以II族或III族金屬有機源和VI族或V族氫化物源等作為反應氣體，用氫氣或氮氣作為載氣，以熱分解反應方式在基板上進行氣相外延生長，從而生長各種I1-VI化合物半導體、II1-V族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。由於II族或III族金屬有機源和VI族或V族氫化物源的傳輸條件不同，因此需要通過不同的進氣裝置分別將II族或III族金屬有機源和VI族或V族氫化物源傳輸至基板上方。
[0004]現有技術中的MOCVD裝置一般包括:`[0005]反應腔；
[0006]位於所述反應腔頂部的噴淋組件，所述噴淋組件包括兩個進氣裝置，所述兩個進氣裝置分別將II族或III族金屬有機源和VI族或V族氫化物源傳輸至基板上方；
[0007]與所述噴淋組件相對設置的基座，所述基座具有加熱單元，所述基座用於支撐和加熱基板。
[0008]所述噴淋組件根據所提供的反應氣體的氣流相對基板的流動方向的不同，分為垂直式和水平式。水平式噴淋組件是指所述噴淋組件使得反應氣體的氣流沿平行於基板的水平方向流動；垂直式噴淋組件是指所述噴淋組件使得反應氣體的氣流沿垂直於基板的豎直方向流動。與水平式噴淋組件相比，垂直式噴淋組件能產生二維軸對稱流動，抑制熱對流渦旋，分別在基板上方形成較均勻的速度、溫度和濃度邊界層，從而獲得更好的薄膜沉積。
[0009]請參閱圖1，圖1是現有技術的一種MOCVD裝置的剖面結構示意圖。所述設置與所述MOCVD裝置頂部的噴淋組件包括第一進氣管路37和第二進氣管路47以及第一氣體分配板38和第二氣體分配管48。所述第一氣體分配板38和第二氣體分配管48上下層疊。所述第一進氣管路37與所述第一氣體分配板38連接，所述第一進氣管路37通過所述第一氣體分配板38向所述反應腔中輸入第一反應氣體；所述第二進氣管路47與所述第二氣體分配管48連接，所述第二進氣管路47通過所述第二氣體分配管48向所述反應腔中輸入第二反應氣體。
[0010]然而，現有技術的MOCVD裝置的噴淋組件中，所述第一進氣管路37和所述第二進氣管路47需要分別通過所述第一氣體分配板38和第二氣體分配管48將反應氣體傳輸到反應腔中；使得現有技術的噴淋組件結構複雜，製造成本高，而且所述第一氣體分配板38疊於置所述第二氣體分配管47上，從而被所述第二氣體分配管48阻擋，使得所述第一氣體分配板38較難清洗。
[0011]因此，有必要研發一種製造成本低，且容易清洗的化學氣相沉積裝置。
【發明內容】
[0012]現有技術化學氣相沉積裝置存在製造成本高，且難以清洗的問題，本發明提供一種能解決上述問題的化學氣相沉積裝置。
[0013]一種化學氣相沉積裝置，其包括反應腔、位於反應腔頂部的噴淋組件以及與所述噴淋組件相對設置的基座，所述基座可以相對所述噴淋組件旋轉，所述噴淋組件包括第一進氣管路以及第二進氣管路，用於分別將第一氣體以及第二氣體傳輸到氣體分配板，所述氣體分配板具有面向所述基座的排氣面，所述排氣面具有若干能夠收容氣體並安裝板部件的凹槽，所述板部件具有若干出氣孔，用以排出所述第一氣體或所述第二氣體中的一種或多種。
[0014]與現有技術相比較，本發明的化學氣相沉積裝置中，所述分配板上的凹槽與板部件配合形成所述噴淋組件，所述第一氣體或所述第二氣體通過只具有一個氣體分配板的噴淋組件引入到所述反應腔；從而減少了結構複雜的氣體分配管的使用，降低了所述化學氣相沉積裝置的製造成本。同時，所述板部件安裝在所述凹槽中，與所述氣體分配板一起形成面向所述的基座的表面，相對現有技術，沒有了對所述氣體分配管的阻擋，且所述板部件易於從所述分配板上拆分，因此，所述噴淋組件更易清潔。
[0015]優選的，所述排氣面具有若干與所述氣體分配板一體成型的孔洞，用以將所述第二氣體從所述孔洞排出。進一步優選的，所述氣體分配板遠離基座的面具有圓環形凹部，以及與所述圓環形凹部相連接的若干扇形槽道，用以分配所述第二氣體。再進一步優選的，所述孔洞的位置與所述扇形槽道位置相對設置。
[0016]由於所述孔洞一體成型於所述氣體分配板的排氣面，所述第二氣體可以從所述孔洞中排出，從而減少所述板構件與所述凹槽的設置，減少了所述噴淋組件的部件數量，進一步降低製造成本，而且同時減少了所述板構件的安裝量，減少所述噴淋組件的安裝工作量。
[0017]優選的，所述出氣孔排列成若干列，所述若干列中至少有兩列的孔排列位置部分錯開。進一步優選的，所述出氣孔排列成若干列，所述若干列中至少有兩列的孔排列位置錯開。
[0018]由於所述出氣孔排列成多列，且所述多列的出氣孔中至少有兩列的孔排列位置是錯開的，當所述基座相對所述噴淋組件旋轉時，錯開的兩列出氣孔分別掃過所述基座上不同半徑的的區域，從而使從所述出氣孔排出的氣體分布更加均勻；同時，當所述多列的出氣孔中至少有兩列的孔排列位置錯開時，所述錯開的兩列出氣孔所掃過的基座上不同半徑區域是互補的，從而使得在同一列上相鄰兩個出氣孔之間的距離可以較大也能保證氣體分布均勻，進而使得在所述板部件上加工所述多個出氣孔的難度大為降低。
[0019]優選的，所述板部件的材料與所述氣體分配板的材料相同。
[0020]由於化學氣相沉積設備通常工作在高溫下，通常高於500攝氏度，甚至高達1000攝氏度，使的所述板部件的材料與所述氣體分配板的材料相同，可以防止因板部件與所述氣體分配板之間的膨脹係數不匹配而發生損壞。
[0021]優選的，所述氣體分配板成環形，嵌套件設置於所述環形的中心通孔中，第三進氣管道引入的第三氣體通過所述嵌套件向所述基座排放反應氣體。可以防止所述嵌套件下方的反應區由於沒有氣體通入而造成反應區中的反應氣流混亂或渦旋。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022]圖1是現有技術的一種MOCVD裝置的剖面結構示意圖。
[0023]圖2是本發明化學氣相沉積裝置第一實施方式的剖面結構示意圖。
[0024]圖3是圖2所示噴淋組件面向基座一側的表面結構示意圖。
[0025]圖4圖2所示氣體分配板遠離基座一側的表面結構示意圖。
[0026]圖5是圖3所示噴淋組件沿A-A線的剖面結構示意圖。
[0027]圖6是本發明化學氣相沉積裝置第二實施方式的噴淋組件面向基座一側的表面結構示意圖。
[0028]圖7是本發明化 學氣相沉積裝置第二實施方式的噴淋組件的氣體分配板遠離基座一側的表面結構不意圖。
[0029]圖8是圖6所示噴淋組件沿B-B線的剖面結構示意圖。
[0030]圖9是圖6所示噴淋組件沿C-C線的剖面結構示意圖。
【具體實施方式】
[0031]為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的【具體實施方式】做詳細的說明。
[0032]在下面的描述中闡述了很多具體細節以便於充分理解本發明，但是本發明還可以採用其他不同於在此描述的其它方式來實施，因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。
[0033]現有技術的化學氣相沉積(CVD)裝置存在製造成本高，且難以清洗的問題，為解決現有技術的問題，本發明提出一種製造成本低，且容易清洗的化學氣相沉積裝置，所述化學氣相沉積裝置包括反應腔、位於反應腔頂部的噴淋組件以及與所述噴淋組件相對設置的基座，所述基座可以相對所述噴淋組件旋轉，所述噴淋組件包括第一進氣管路以及第二進氣管路，用於分別將第一氣體以及第二氣體傳輸到氣體分配板，所述氣體分配板具有面向所述基座的排氣面，所述排氣面具有若干能夠收容氣體並安裝板部件的凹槽，所述板部件具有若干出氣孔，用以排出所述第一氣體或所述第二氣體中的一種或多種。
[0034]與現有技術相比較，本發明的化學氣相沉積裝置中，所述分配板上的凹槽與板部件配合形成所述噴淋組件，所述第一氣體或所述第二氣體通過只具有一個氣體分配板的噴淋組件引入到所述反應腔；從而減少了結構複雜的氣體分配管的使用，降低了所述化學氣相沉積裝置的製造成本。同時，所述板部件安裝在所述凹槽中，與所述氣體分配板一起形成面向所述的基座的表面，相對現有技術，沒有了對所述氣體分配管的阻擋，因此，所述噴淋組件更易清潔。
[0035]請參閱圖2，圖2是本發明化學氣相沉積裝置第一實施方式的剖面結構示意圖。所述化學氣相沉積裝置2優選的是MOCVD裝置。所述化學氣相沉積裝置2包括反應腔21，設置於所述反應腔21內的噴淋組件22及基座23 ;所述噴淋組件22固定設置於所述腔體21的頂部，所述基座23設置於所述反應腔21的底部區域。所述噴淋組件22與所述基座23相對設置。所述噴淋組件22與所述基座23之間形成反應區。反應氣體從所述噴淋組件22引入到所述反應區。
[0036]所述基座23包括一面向所述噴淋組件22的襯底支撐面，所述襯底支撐面用於支撐一個或多個待處理襯底25。在進行化學氣相沉積的過程中，一個或多個襯底25被設置在所述襯底支撐面；進一步的，特別是在MOCVD設備中，所述基座23支撐於一轉軸上，所述轉軸使得所述基座23繞一垂直所述襯底支撐面的軸線旋轉。由於所述噴淋組件22固定於反應腔21上，因此，所述基座23同時也相對所述噴淋組件22旋轉。
[0037]所述噴淋組件22設置於所述反應腔21頂部，並固定於所述反應腔21的頂部。所述噴淋組件22包括進氣管道24、頂板211、位於所述頂板211下方的氣體分配板227和若干板部件(圖中未示)；所述進氣管路24穿過所述頂板211向所述氣體分配板227輸送各種氣體；所述板部件設置於所述氣體分配板227鄰近所述基座23的一側。
[0038]所述進氣管道24包括第一進氣管道和第二進氣管道，所述第一進氣管道和第二進氣管道穿過所述頂板 211連接到所述氣體分配板227。所述第一進氣管道和第二進氣管道分別向所述氣體分配板227傳輸第一氣體或第二氣體。可選的，所述第一氣體包括反應前體、載氣、吹掃氣體中的一種或多種；所述第二氣體包括反應前體、載氣、吹掃氣體中的一種或多種。優選的，所述第一氣體包括第一反應前體氣體，所述第二氣體包括與所述第一反應前體氣體不同的第二反應前體氣體；例如，當所述化學氣相沉積裝置2為MOCVD裝置時，所述第一反應前體氣體可以是III族金屬有機源氣體，如:Ga(CH3)3、In(CH3)3、Al(CH3)3、Ga (C2H5) 3、Zn (C2H5) 3氣體等中的一種或多種，所述第二反應前體氣體可以是V族氫化物源氣體，如:NH3、PH3、AsH3氣體等中的一種或多種。
[0039]請同時參圖3、圖4和圖5，圖3是圖2所示噴淋組件22面向所述基座23 —側的表面結構示意圖。圖4是圖2所示氣體分配板227遠離基座23—側的表面結構示意圖。圖5是圖3所示噴淋組件22沿A-A線的剖面結構示意圖。構成所述氣體分配板227的材料可以是石墨或碳化矽；構成所述氣體分配板227的材料還可以是耐熱金屬材料，如鎢或鑰等；所述氣體分配板227包括面向所述基座23的排氣面和背離所述基座23的頂面。所述排氣面具有多個凹槽221/222。所述凹槽221/222與所述進氣管道24連通。多個所述板部件225分別對應安裝於所述凹槽221/222中，並使的所述凹槽221/222底面與所述板部件225之間具有收容氣體的空間。優選的，所述凹槽221/222包括多個第一凹槽221和多個第二凹槽222。所述第一凹槽221與所述第一進氣管路相連接，用於通過所述板部件225上設置的出氣孔2221向所述反應區傳輸第一氣體；所述第二凹槽222與所述第二進氣管路相連接，用於通過所述板部件225上設置的出氣孔2221向所述反應區域傳輸第二氣體。優選的，所述凹槽221/222在所述排氣面呈放射狀排列；進一步優選的，所述第一凹槽221與所述第二凹槽222沿氣體分配板227的四周方向間隔排列。又優選的，所述多個凹槽221/222呈扇形。
[0040]請一併參閱圖3、圖4，所述氣體分配板227的頂面優選的具有環形凹部223/224，所述環形凹部223/224上具有穿過所述氣體分配板227與所述多個凹槽221/222連通的通孔，從所述進氣管道24引入的第一和第二氣體先進入所述環形凹部223/224，並在所述環形凹部223/224中均勻擴散，然後再通過所述通孔分布到所述多個凹槽221/222中，從而可以增氣體擴散的均勻性。優選的，所述環形凹部223/224包括第一環形凹部223和第二環形凹部224 ;所述第一環形凹部223與所述多個第一凹槽221相連接，所述第一氣體從所述第一進氣管路先進入所述第一環形凹部223再分配到所述多個第一凹槽221 ;所述第二環形凹部224與所述多個第二凹槽222相連接，所述第二氣體從所述第二進氣管路先進入所述第二環形凹部224再分配到所述多個第二凹槽222。
[0041]請參閱所述圖5，所述板部件225的材料可以與所述氣體分配板227相同，也可以不相同；所述板部件225的材料可以與所述氣體分配板227相同，可以降低製造成本，且可以使得熱膨脹係數匹配，防止所述噴淋組件22在高溫下損壞。優選的，所述凹槽221/222的底面具有窄縫2111，所述板部件225具有於所述窄縫2111相匹配的凸緣2251。將所述板部件225裝配於所述氣體分配板227時，使得所述板部件225的凸緣2251嵌入到所述凹槽221/222底面窄縫2111中，從而使得所述板部件225安裝固定於所述凹槽221/222中；優選的，所述氣體分配板227周邊具有安裝部，所述安裝部將所述板部件225固定在凹槽221/222中。所述板部件225的形狀與所述凹槽221/222的形狀相匹配，並與所述凹槽221/222形成收容氣體的氣體收容空間。所述板部件225具有多個貫穿所述板部件225而連接所述氣體收容空間與所述反應區的出氣孔2221。
[0042]所述出氣孔2221在板部件225上排列成多列。優選的，是所述多列的出氣孔2221相對所述氣體分配板227呈放射狀設置；進一步優選的，所述位於一板部件225中的至少兩列的出氣孔2221的排列位 置沿相對所述氣體分配板227的徑向錯開。進一步優選的，相鄰兩列出氣孔2221的排列位置沿相對所述氣體分配板227的錯開。在本發明的優選的實施方式中，所述氣體分配板為圓形，所述兩列出氣孔2221的排列位置沿相對所述氣體分配板227的半徑方向錯開。由於所述出氣孔2221排列成多列，且所述多列的出氣孔2221中至少有兩列的出氣孔2221排列位置是錯開的，當所述基座23相對所述噴淋組件22旋轉時，錯開的兩列出氣孔2221分別掃過所述基座23上不同半徑的區域，從而使從所述出氣孔2221排出的氣體分布更加均勻；同時，當所述多列的出氣孔2221中至少有兩列的出氣孔2221排列位置錯開時，所述錯開的兩列出氣孔2221所掃過的所述基座23的半徑區域之間是互補的，從而使得在同一列上相鄰兩個出氣孔2221之間的距離可以較大仍能保證氣體分配的均勻性，從而使得所述板部件225上加工所述多個出氣孔2221的難度大為降低。
[0043]與現有技術相比較，本發明的化學氣相沉積裝置2中，所述分配板227上的凹槽221/222與板部件225配合形成所述噴淋組件22，所述第一氣體或所述第二氣體通過只具有一個氣體分配板227的噴淋組件22引入到所述反應腔；從而減少了現有技術中結構複雜的噴淋組件的使用，降低了所述化學氣相沉積裝置2的製造成本。同時，所述板部件225安裝在所述凹槽221/222中，並與所述氣體分配板227 —起形成面向所述的基座23的表面，相對現有技術，沒有了所述氣體分配管的阻擋，因此，所述噴淋組件22更易清潔。
[0044]請同時參圖6、圖7、圖8和圖9，圖6是本發明化學氣相沉積裝置第二實施方的噴淋組件面向基座一側的表面結構示意圖。圖7是本發明化學氣相沉積裝置第二實施方式的噴淋組件的氣體分配板遠離基座一側的表面結構示意圖。圖8是圖6所示噴淋組件沿B-B線的剖面結構示意圖。圖9是圖6所示噴淋組件沿C-C線的剖面結構示意圖。所述第二實施方式的化學氣相沉積裝置與所述第一實施方式的化學氣相沉積裝置2大致相同，其區別在於:
[0045]所述氣體分配板327的所述排氣面上設置有多個能夠收容氣體並安裝板部件325的凹槽321，所述凹槽321的形狀與位置分布與所述第一實施方式中的第一凹槽221基本相同，在此不再贅述；所述安裝於所述凹槽321中的板部件325與所述第一實施方式中的板部件225也基本相同，在此也不再贅述。所述第一進氣管路與所述凹槽321連通，並通過所述凹槽321以及所述板部件325向所述反應區輸送第一氣體。
[0046]請參閱圖7，所述氣體分配板327的所述頂面上設置有第一環狀凹部323，所述第一環狀凹部323上具有穿過所述氣體分配板327並與所述多個凹槽321連通的通孔；所述第一環形凹部323通過所述通孔與所述多個凹槽321相連接；所述第一氣體從所述第一進氣管路先進入所述第一環形凹部323再通過所述通孔分配到所述多個凹槽321中。所述氣體分配板327的所述頂面上進一步設置有第二環狀凹部324和與所述第二環狀凹部324相連通的多個槽道322。其中是所述多個槽道322設置在與所述凹槽321互補的區域。其中所述多個槽道322的形狀與位置分布與所述第一實施方式中的第二凹槽222基本相同，因此不再贅述。所述氣體分配板327進一步包括貫穿所述氣體分配板327的多個孔洞3222，所述孔洞3222設置於相鄰兩個所述凹槽321之間的區域。所述孔洞3222用於將所述第二氣體排向所述反應區。其中所述多個孔洞3222設置於所述槽道322中。進入到所述槽道322中的第二氣體通過所述多個孔洞3222排向所述反應區。優選的，對應設置於每一個槽道322中的多個孔洞3222排列成多列，所述多列的孔洞3222相對所述氣體分配板327呈放射狀；進一步優選的，所述槽道322中的多列所述孔洞3222中至少一列與相鄰的板部件325中至少一列的出氣孔3211的排列位置沿相對所述氣體分配板227的徑向錯開。進一步優選的，相鄰一列出氣孔3211與一列孔洞3222之間的孔排列位置沿相對所述氣體分配板327的徑向錯開，如此可以使得反應氣體更加均勻地混合。
[0047]進一步的，請同時參閱圖7和圖9 ;所述氣體分配板327可以呈圓環狀；所述噴淋組件進一步包括一嵌套件37。所述嵌套件37嵌入到所述圓環狀氣體分配板327中心開口中。所述第一進氣管路將所述第一氣體引入到所述嵌套件37，再經過所述嵌套件37引入到所述氣體分配板327上的第一環形凹部323中。所述嵌套件37的材料，優選的可以是鋼、鋁、銅、鑰、鎢中的一種或任意組合合金。所述嵌套件37包括遠離所述基座的上套件371和近鄰所述基座的下套件372，所述上套件371與所述下套件371配合夾緊所述氣體分配板327。
[0048]所述上套件371內設置有一第一氣體擴散區373和多個氣體擴散通道274。所述第一氣體擴散區373與所述第一進氣管連接；所述多個氣體擴散通道274均勻地設置在所述第一氣體擴散區373的周圍，並連接所述第一氣體擴散區373和所述第一環狀凹陷部323。所述第一進氣管道引入的第一氣體先進入到所述第一氣體擴散區373，在經過所述氣體擴散通道374均勻地分布到所述第一環狀凹陷部323中，從而進一步提高所述第一氣體的分布均勻性。[0049]進一步優選的，所述噴淋組件進一步包括第三進氣管路，所述第三進氣管路用於引入第三氣體，其中所述第三氣體優選的為載氣或吹掃氣體。所述嵌套件37的所述上套件371與所述下套件372之間形成一吹掃氣體分布空間375。所述第三進氣管路穿過所述上套件371與所述吹掃氣體分布空間375連接。優選的，所述第三進氣管路嵌套於所述第一進氣管路中，並穿過所述第一氣體擴散空間373連接所述吹掃氣體分布空間375。所述下套件372包括連通所述吹掃氣體分布空間375與所述反應區的多個通氣孔376，所述通氣孔376用以向所述嵌套件37下方的反應區中通入所述第三氣體；防止所述嵌套件下方的反應區由於沒有氣體通入而造成反應區中的反應氣流混亂或渦旋。
[0050]與所述第一實施方式的化學氣相沉積裝置2相比較，所述第二實施方式的化學氣相沉積裝置中，只有在所述凹槽321中設置和安裝板部件325 ;因此所述噴淋組件中需要安裝的板部件325部件的數量大為減少，因而可以進一步減低成本，且安裝和維護更為簡單。
[0051]雖然本發明已以較佳實施例披露如上，但本發明並非限定於此。如在第一實施方式，所述氣體分配板也可以是圓環狀，所述噴淋組件也可以進一步包括如第二實施方式中的嵌套件和第三進氣管路；相鄰的所述第一凹槽與所述第二凹槽之間也可以設置至少一列通氣孔，所述通氣孔向反應區域通入用於隔離所述第一和所述第二氣體，防止所述第一和所述第二氣體在到達所述基座襯底支撐面之前發生預反應的所述第三氣體。
[0052]雖然本發明已以較佳實施例披露如上，但本發明並非限定於此。任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護範圍應當以權利要求所限定的範圍為準`。
【權利要求】
1.一種化學氣相沉積裝置，包括:反應腔、位於所述反應腔頂部的噴淋組件以及與所述噴淋組件相對設置的基座，所述基座可以相對所述噴淋組件旋轉，其特徵在於，所述噴淋組件包括第一進氣管路以及第二進氣管路，用於分別將第一氣體以及第二氣體傳輸至氣體分配板，所述氣體分配板具有排氣面，所述排氣面具有若干能夠收容氣體並安裝板部件的凹槽，所述板部件具有若干出氣孔，用以排出所述第一氣體或第二氣體中的一種或多種。
2.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述排氣面具有若干一體成型的孔洞，用以將所述第二氣體從所述孔洞排出。
3.如權利要求2所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述氣體分配板遠離基座的面具有圓環形凹部，以及與所述圓環形凹部相連接的若干扇形槽道，用以分配所述第二氣體。
4.如權利要求3所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述孔洞的位置與所述扇形槽道位置相對設置。
5.如權利要求2所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述凹槽內具有狹縫用以安裝所述板部件，所述第一氣體從所述出氣孔中排出。
6.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述出氣孔排列成若干列，所述若干列中至少有兩列的孔排列位置部分錯開。
7.如權利要求6所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述出氣孔排列成若干列，所述若干列中至少有兩列的孔排列位置錯開。
8.如權利要求1-7中任一項所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述氣體分配板為圓環形，其材料為石墨、碳化娃或金屬材料。
9.如權利要求8所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述氣體分配板的圓環內嵌入有嵌套件，所述嵌套件用以將所述第一氣體從所述第一進氣管路引入到所述凹槽中。
10.如權利要求9所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述嵌套件包括遠離所述基座的上套件和近鄰所述基座的下套件，所述第一進氣管路穿過所述上套件，所述上套件的材料包括鋼、鋁、銅、鑰、鎢中的一種或任意組合合金。
11.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述第一氣體包括反應前體、載氣、吹掃氣體中的一種或多種。
12.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述第二氣體包括反應前體、載氣、吹掃氣體中的一種或多種。
13.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述第一進氣裝管路用於傳輸III族金屬有機源，所述第二進氣管路用於傳輸V族氫化物源。
14.如權利要求13所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述III族金屬有機源包括Ga (CH3) 3、In (CH3) 3、Al (CH3) 3、Ga (C2H5) 3、Zn (C2H5) 3 氣體中的一種或多種。
15.如權利要求13所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述V族氫化物源包括NH3、PH3、AsH3氣體中的一種或多種。
16.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述氣體分配板的四周邊緣具有安裝部，所述安裝部用以固定所述板部件。
17.如權利要求2所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述孔洞排列成若干列，至少一列所述孔洞和一列所述出氣孔的孔排列部分錯開。
18.如權利要求8所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述板部件的材料與所述氣體分配板的材料相同。
19.如權利要求8所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述板部件的材料與所述氣體分配板的材料不相同。
20.如權利要求10所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於，所述噴淋組件還包括第三進氣管路用以引入第三氣體，所述第三進氣管路穿過所述上套件，所述下套件具有若干通氣孔，用以將所述第三`氣體排出。
【文檔編號】C23C16/44GK103774115SQ201210396302
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2012年10月17日 優先權日:2012年10月17日
【發明者】宋濤, 薩爾瓦多, 奚明, 馬悅, 黃佔超, 劉強 申請人:理想能源設備(上海)有限公司