在光學記錄載體的信息層中記錄標記的方法和記錄設備的製作方法

2023-05-02 05:31:01 4

專利名稱：：在光學記錄載體的信息層中記錄標記的方法和記錄設備的製作方法
技術領域：
：本發明涉及一種利用脈衝輻射光束通過照射信息層而在記錄載體的信息層中記錄標記的方法，所述信息層具有在晶相和非晶相之間可逆改變的相，其中利用n/2個脈衝的序列寫入偶數標記，該偶數標記的時間長度為nT，其中n表示等於4、6、8或10的整數值，T表示基準時鐘的一個周期的長度，並且其中利用(n-1)/2個脈衝的序列寫入奇數標記，該標記的時間長度為nT，其中n表示等於5、7、9或11的整數值。本發明還涉及一種用於將標記記錄到記錄載體的信息層中的記錄設備，所速記錄載體包括信息層，該信息層具有在晶相和非晶相之間可逆改變的相，該設備能夠實施上述方法。具有在晶相和非晶相之間可逆改變的相的信息層通常被稱作相變層。這種相變層通常應用到可改寫類型的光學記錄載體中，例如CD-可改寫(CD-RW)盤。光學信號的記錄操作按照以下方式實施，即通過改變輻射光束的照射條件使該層上的記錄材料的相在非晶相和晶相之間可逆地改變，從而將信號記錄到相變層中，同時通過檢測相變層的非晶相和晶相之間的光學特性差異實施對記錄信號的再現操作，從而再現該信號。這種相變層允許通過在寫入功率電平和擦除功率電平之間調製輻射光束功率來記錄和擦除信息。根據導言部分的用於將信息記錄到記錄載體的相變層中的方法可以從美國專利5,732,062中獲知。由脈衝序列記錄標記，該脈衝序列具有寫入功率電平和脈衝之間的偏置功率電平。通過在脈衝序列之間施加擦除功率電平，擦除了正在記錄的標記之間的預先記錄的標記，從而使本方法可以用於直接重寫(DOW)模式中，該模式是將所要記錄的信息記錄到記錄載體的信息層中並且同時擦除先前記錄在該信息層中的信息。用於寫入時間長度為nT的標記的脈衝序列當n為偶整數時由(n/2)個脈衝構成(這些標記稱作偶數標記)，而當n為奇整數時該序列由(n-1)/2個脈衝構成(這些標記稱作奇數標記)。因為每兩個基準時鐘周期生成一個脈衝，所以這種記錄標記的方法通常稱作2T寫入策略。這就與每單個基準時鐘周期生成一個脈衝的已知的記錄標記的方法形成了對比，例如還是US5,732,062中描述的方法，其中由(n-1)個脈衝的序列寫入標記。後一種方法通常稱作1T寫入策略。為了區分偶數標記和奇數標記，雖然二者在2T寫入策略中由相同數量的脈衝寫入，但是脈衝序列中的脈衝以及脈衝之間的間隙的圖案，即脈衝列的形狀，在奇數T長度標記和偶數T長度標記之間是不同的。在例如脈衝序列中的一個或多個脈衝持續時間內和/或在脈衝序列中的脈衝之間的一個或多個間隙的持續時間內，用於寫入奇數標記的脈衝列的形狀可以不同於用於寫入偶數標記的脈衝列的形狀。這種2T寫入策略在Ultra-SpeedCompactDiscRewritablespecifcation(超高速壓縮盤可改寫技術要求)中進行了詳細說明(RecordableCompactDiscSystems，PartIIICD-RW，Volume3Ultra-Speed，Version1.0)。此處所說明的寫入策略分成偶數和奇數標記長度以及獨立說明的3T標記長度。通過施加n/2個脈衝的序列來寫入偶數標記。用於寫入偶數標記的序列中的第一脈衝開始於EFM信號開始之後的1T時的基準時鐘的時鐘沿上。用於寫入偶數標記的序列中的最後脈衝的持續時間為Tp並且隨後是持續時間為Tc的冷卻間隙。通過施加(n-1)/2個脈衝的序列來寫入奇數標記。用於寫入奇數標記的序列中的第一脈衝也開始於EFM信號開始之後的1T時的基準時鐘的時鐘沿上。用於寫入奇數標記的序列中的最後脈衝的持續時間為Tp+Δ1並且隨後是持續時間為Tc+Δ2的冷卻間隙。而且，用於寫入奇數標記的脈衝序列中最後脈衝之前的間隙比用於寫入偶數標記的脈衝序列中最後脈衝之前的間隙的長時間段Δ1。注意，根據上述超高速壓縮盤可改寫技術要求，在每個序列的最後脈衝之前的脈衝序列中的所有脈衝的持續時間等於用於寫入偶數標記的脈衝序列中最後脈衝的持續時間，即持續時間Tp。由單個脈衝和隨後的冷卻間隙來寫入時間長度為3T的標記。該單個脈衝的持續時間為Tp+Δ3，並且相對於用於寫入偶數標記的脈衝序列中的第一脈衝的開始延遲了ΔT3。該單個脈衝之後的冷卻間隙的持續時間為Tc+Δ4。脈衝序列中脈衝的功率電平稱作寫入功率電平(Pw)，而序列中脈衝之間的功率電平稱作偏置功率電平(Pb)。此外，每個脈衝序列之間的功率電平稱作擦除功率電平(Pe)。為了使所記錄的標記具有良好的質量，也就是說為了具有規定值以下的抖動，2T寫入策略的寫入參數(Tp、Tc、Δ1、Δ2、Tp+Δ3＝T3、ΔT3和Tc+Δ4＝TC3)應當至少在超高速壓縮盤可改寫技術要求中指定的規定範圍之內。然而，這些寫入參數的實際值主要取決於記錄載體的特具體類型和製造商。對於先前使用的1T寫入策略，其寫入參數的最佳值預先記錄在每個單獨的記錄載體上。在記錄信息之前，記錄設備從記錄載體中讀取這些最佳值並且用於在記錄設備中設定適當的1T寫入策略。然而，對於當前的2T寫入策略來講，沒有在記錄載體中預先記錄其寫入參數的最佳值。取而代之，記錄設備必須根據記錄載體上的媒質標識符來確定該記錄載體的製造商和媒質類型。當記錄載體插入記錄設備中時，通過其媒質標識符識別該記錄載體，並且從位於記錄設備自身內的查找表中選擇寫入參數的適當設定。該查找表是由盤驅動器的製造商提供的，並且包含該驅動器製造商所知道的每種單獨類型的記錄載體的寫入參數的最佳設定。當引入新的記錄載體時，應當更新該記錄設備中的查找表。然而，當把記錄設備不能識別或者在查找表中找不到其寫入參數設定的記錄載體插入記錄設備中時，該記錄設備由於其不能設定適當的2T寫入策略而不能將信息記錄到該記錄載體上。本發明的目的是提供一種如開篇段落中所述類型的方法和記錄設備，即使是在不能識別該記錄載體或者不能找到其寫入參數設定時，該方法和設備也能使記錄標記具有良好的質量(即，具有規定範圍內的抖動)。本目的是通過提供根據權利要求1所述的方法和根據權利要求7所述的記錄設備而實現的，其中周期Δ1p、Δ1g和Δ2的和在0.7T到1.1T的範圍內。顯而易見，當用於寫入mT偶數標記的序列延長了持續時間接近1T的總周期時，就獲得了用於寫入(m+1)T奇數標記的良好序列。這是通過設定周期Δ1p、Δ1g和Δ2使得它們的和在0.7T到1.1T的範圍內而實現的。注意，根據上述超高速壓縮盤可改寫技術要求，周期Δ1p和Δ1g具有相等的持續時間(表示為Δ1)。然而，通過使這些周期具有不同的持續時間，可以獲得更加靈活的寫入策略，其中可以獨立地優化兩個寫入參數，從而獲得具有良好質量的標記。在本發明的實施例中，周期Δ1p和Δ1g的和在0.25T到0.75T的範圍內。當周期Δ1p過長時，脈衝序列中的最後脈衝在記錄載體中產生了過多的熱量，從而導致在正在寫入的標記末端附近的再結晶效應(即，非晶性區域的再結晶)，繼而導致過短的記錄標記。當周期Δ1g過長時，這導致由於過分冷卻造成的具有不規則寬度(即，在垂直於掃描方向的方向上的形狀；例如在盤形記錄載體上的徑向上)的標記。顯而易見，當周期Δ1p和Δ1g的和在0.25T到0.75T的範圍內時獲得了良好質量的標記。在本發明的優選實施例中，周期Δ1p基本上等於周期Δ1g。當選擇周期Δ1p和Δ1g具有基本上相等的持續時間時，由脈衝序列中延長的最後脈衝引起的額外熱量似乎被序列中的最後脈衝之前的延長的間隙特別良好地均衡了。在正在寫入的標記末端沒有顯著再結晶以及在正在寫入的標記的寬度沒有顯著的不規則性的情況下，獲得了具有特別良好的質量的標記。在根據本發明的實施例中，利用單個脈衝和隨後的冷卻間隙來寫入時間長度為3T的標記。顯而易見，當用於寫入3T標記的這個序列與用於寫入偶數標記的脈衝序列中的單個脈衝和隨後的冷卻間隙的持續時間相比延長了持續時間接近1T的時間段時，就獲得了用於寫入3T標記的良好序列。這是當單個脈衝比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝長周期Δ3，並且隨後的冷卻間隙比用於寫入偶數標記的脈衝序列中最後脈衝之後的冷卻間隙長周期Δ4時實現的，其中周期Δ3和Δ4的和在0.7T到1.1T的範圍內。在本發明的優選實施例中，選擇用於2T寫入策略的寫入參數的值，使得用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝的持續時間(Tp)基本上等於7.2ns，周期Δ1p的持續時間基本上等於2/8T，周期Δ1g的持續時間基本上等於2/8T，用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝之後的冷卻間隙的持續時間(Tc)基本上等於5/8T，周期Δ2的持續時間基本上等於3/8T，周期Δ3的持續時間基本上等於7/8T-7.2ns(16X時＝3/8T)，周期Δ4的持續時間基本上等於5/8T。通過對寫入參數設定的這種選擇，可以將質量良好的標記記錄到大多數記錄載體上。特別是當在超高速CD-RW盤上以16X進行記錄時更是如此，16X即根據CD-可改寫技術要求的標準記錄速度的16倍。目前，即使當超高速CD-RW盤被指定為具有高於16X的最大記錄速度(例如24X)時，也能獲得良好質量的標記。當用於寫入時間長度為3T的標記的單獨脈衝的開始相對於基準時鐘周期的開始，對應於用於寫入偶數標記的脈衝序列中第一脈衝的開始相對於基準時鐘周期的開始時，可以進一步提高記錄標記的質量。可選擇的是，通過根據權利要求8所述的記錄設備也實現了本發明的目的，該記錄設備包括用於識別記錄載體的識別單元，以及用於根據對記錄載體的識別而從寫入參數集的集合中選擇一個寫入參數集的選擇單元。當把記錄載體插入該記錄設備中時，識別單元識別該記錄載體(例如通過其媒質標識符)，並且選擇單元從寫入參數集的集合中選擇適當的寫入參數設定。寫入參數集的集合可以例如存儲在位於記錄設備自身中的查找表中。該選擇單元目前提供控制單元，該控制單元用於提供具有適當寫入參數設定的寫入脈衝序列。然而，當識別單元不能夠識別記錄載體時或者當選擇單元不能夠從寫入參數集的集合中選擇適當的寫入參數集時，例如由於在查找表中沒有存儲用於該特定記錄載體的參數集時，該選擇單元向控制單元提供寫入參數的設定，使得該控制單元依照根據本發明的任意一種方法提供脈衝序列。利用這些設定，即使不能識別記錄載體或者不能找到特定的寫入參數設定，該記錄設備目前也能夠將信息記錄到記錄載體上。根據以下對如各個附圖所示的本發明實施例的更加具體的說明，將清楚本發明的這些和其它目的、特徵以及優點，在附圖中圖1表示了數字數據信號的時間相關性圖表和用於控制記錄4T偶數標記的輻射光束功率的控制信號的時間相關性圖表，圖2表示了數字數據信號的時間相關性圖表和用於控制記錄5T奇數標記的輻射光束功率的控制信號的時間相關性圖表，圖3表示了數字數據信號的時間相關性的示意性圖表和用於控制記錄偶數和奇數標記的輻射光束功率的控制信號的時間相關性圖表，圖4表示了數字數據信號的時間相關性圖表和用於控制記錄3T標記的輻射光束功率的控制信號的時間相關性圖表，圖5表示了根據本發明實施例的記錄設備。圖1A和2A表示了作為時間的函數的數字數據信號104、105。這些數字數據信號的值表示將要記錄到記錄載體30的信息層301中的標記長度(參見圖5)。垂直虛線表示屬於數據信號的基準時鐘信號的轉換。該基準時鐘的一個周期也稱作信道位周期，由T表示。圖1A表示了將要作為4T標記記錄的數字數據信號104，4T標記即長度基本上等於4個基準時鐘周期乘以寫入速度的持續時間的標記。圖2A表示了將要作為5T標記記錄的數字數據信號105，5T標記即長度基本上等於5個基準時鐘周期乘以寫入速度的持續時間的標記。圖1B和2B表示了與數字數據信號102、105相關的控制信號204、205。這些控制信號用於控制輻射光束的功率，其中假設輻射光束的功率與相應的控制信號電平成比例。由寫入功率電平為Pw並且脈衝之間的偏置功率電平為Pb的脈衝序列來記錄標記。通過施加擦除功率電平Pe來擦除正在記錄的標記之間的先前記錄的標記。當要通過2T寫入策略來記錄時間長度為4T的標記和時間長度為5T的標記時，由包括兩個脈衝的脈衝序列記錄這兩種標記。圖1B表示了用於記錄4T標記的控制信號204，而圖2B表示用於記錄5T標記的控制信號205。儘管由具有兩個脈衝的序列來記錄這兩種標記，但是當用於記錄5T標記的控制信號205中，與用於記錄4T信號的控制信號204相比，序列中的最後脈衝延長了周期Δ1p(使其持續時間變為Tp+Δ1p)、該最後脈衝之前的間隙延長了周期Δ1g、該最後脈衝之後的冷卻間隙延長了周期Δ2(使其持續時間變為Tc+Δ2)，並且周期Δ1g、Δ1p和Δ2的和在0.7T到1.1T的範圍內時，獲得了5T標記的適當標記長度。在優選實施例中，周期Δ1g和Δ1p的和在0.25T到0.75T範圍內。圖3A示意表示了數字數據信號100，其表示將要記錄在4T到11T範圍內的標記。圖3B示意表示了用於記錄偶數標記，即4T、6T、8T和10T標記的相應控制信號110，而圖3C示意表示了用於記錄奇數標記，即5T、7T、9T和11T標記的相應控制信號111。因為使用了2T寫入策略，所以由n/2個脈衝的序列記錄時間長度為nT的偶數標記，由(n-1)/2個脈衝的序列記錄時間長度為nT的奇數標記。這就產生了由2脈衝序列記錄的4T偶數標記和5T奇數標記，由3脈衝序列記錄的6T偶數標記和7T奇數標記，由4脈衝序列記錄的8T偶數標記和9T奇數標記，以及由5脈衝序列記錄的10T偶數標記和11T奇數標記。為了獲得對於偶數標記和奇數標記都具有良好質量(即，具有在規定範圍內的抖動)的記錄標記，調整用於記錄奇數標記的脈衝序列，使得用於寫入奇數標記的脈衝序列中的最後脈衝比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝長周期Δ1p，該偶數標記的持續時間為Tp，在用於寫入奇數標記的脈衝序列中的最後脈衝之前的間隙比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝之前的間隙長周期Δ1g，在用於寫入奇數標記的脈衝序列中的最後脈衝之後的冷卻間隙比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝之後的冷卻間隙長周期Δ2，該偶數標記的持續時間為Tc，且周期Δ1p、Δ1g和Δ2的和在0.7T到1.1T的範圍內。根據本發明的實施例，對於寫入參數Tp、Tc、Δ1g、Δ1p和Δ2的值的適當選擇可以為Tp＝7.2ns、Tc＝5/8T、Δ1g＝2/8T、Δ1p＝2/8T以及Δ2＝3/8T。圖4A表示了將要作為3T標記記錄的數字數據信號103。當使用CD系統中公知的EFM(8到14調製)編碼方案時3T標記是所要記錄的最短標記長度。為了參考，圖4B(對應於圖3B)示意表示了用於記錄偶數標記的控制信號110。圖4C表示了與根據第一實施例的數字數據信號103相關的控制信號203。根據本實施例，通過比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝長周期Δ3的單個脈衝(使其持續時間變為Tp+Δ3)以及比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝之後的冷卻間隙長周期Δ4的後續冷卻間隙(使其持續時間變為Tc+Δ4)，來寫入時間長度為3T的標記，周期Δ3和Δ4的和在0.7T到1.1T的範圍內。用於寫入時間長度為3T的標記的單獨脈衝的開始相對於用於寫入偶數標記的脈衝序列中第一脈衝的開始延遲了周期ΔT3。圖4D表示了與根據第二實施例的數字數據信號103相關的控制信號213。在本實施例中，延遲周期ΔT3基本上等於0，使得用於寫入時間長度為3T的標記的單個脈衝的開始相對於基準時鐘周期的開始，對應於用於寫入偶數標記的脈衝序列中的第一脈衝的開始相對於基準時鐘周期的開始。根據本發明的實施例，對於寫入參數Δ3和Δ4的值的適當選擇可以為Δ3＝7/8T-7.2ns和Δ4＝5/8T。注意，周期Δ1g和Δ1p可以具有不同的持續時間。然而，根據本發明的實施例，可選擇的是它們可以具有基本上相同的持續時間(Δ1g＝Δ1p＝Δ1)。這樣就可以簡化記錄設備中的電子電路。而且，除了用於寫入奇數標記的脈衝序列中的最後脈衝之外，用於寫入偶數和奇數標記的脈衝序列中的所有脈衝都可以具有相同的持續時間Tp，同樣可以簡化記錄設備中的電子電路。圖5表示了根據本發明的用於在盤形記錄載體30的信息層301中記錄標記的記錄設備的實施例。信息層301為所謂的相變類型，也就是說，其具有在晶相和非晶相之間可逆變換的相。電動機34使該記錄載體圍繞其中心旋轉。輻射源31，例如雷射光源生成輻射光束，並且透鏡33將其聚焦到信息層上。利用控制單元62提供的控制信號SC控制輻射源31生成的輻射光束32的功率，其中假設輻射光束32的功率與相應的控制信號SC的電平成比例。這種控制信號SC的實例可以在圖1B、2B、3B、3C、4C和4D中找到。控制單元62將數字數據信號SD轉變為相應的控制信號SC，該數字數據信號SD表示將要記錄到記錄載體30的信息層301中的標記長度。這種轉換基於所謂的寫入策略。在根據本發明的2T寫入策略中，將表示時間長度為nT的偶數標記的數字數據信號SD轉變為包括n/2脈衝序列的控制信號SC，其中n表示等於4、6、8或10的整數值，T表示一個基準時鐘周期的長度，而將表示時間長度為nT的奇數標記的數字數據信號SD轉變為包括(n-1)/2脈衝序列的控制信號SC，其中n表示等於3、5、7、9或11的整數值。例如，圖1A表示了控制信號104，而圖1B表示了相應的控制信號204，圖4A表示了控制信號103，而圖4D表示了相應的控制信號204。控制信號SC中的脈衝和脈衝之間的間隙的圖案基於與2T寫入策略相關的寫入參數集，選擇單元61將這些寫入參數提供給控制單元62。圖5示意表示了選擇單元61提供給控制單元62的四個寫入參數Δ1、Δ2、Δ3和Δ4。然而，可選擇的是，選擇單元61可以提供給控制單元62更少或更多的寫入參數，例如當Δ1g和Δ1p不具有基本相同的持續時間並且二者分開提供給控制單元62時。選擇單元61根據識別單元63對記錄載體的識別從寫入參數集的集合中選擇寫入參數集。這種識別例如基於存儲在記錄載體上的媒質標識符。該識別過程本身是現有技術中公知的，因此在本申請中不再討論。寫入參數集的集合例如存儲在查找表611中。然而，當識別單元63不能夠識別記錄載體30時，或者當選擇單元61不能夠從寫入參數集的集合中選擇適當的寫入參數集時，例如由於在查找表611中沒有為該特定的記錄載體存儲這種參數集時，則選擇單元61向控制單于62提供例如存儲在默認寫入參數表612中的默認寫入參數集，使得控制單元62將會依照根據本發明方法之一提供控制信號SD。權利要求1.利用脈衝輻射光束(32)照射記錄載體(30)的信息層(301)中而在該信息層(301)記錄標記的方法，所述信息層具有在晶相和非晶相之間可逆改變的相，其中利用n/2個脈衝的序列寫入偶數標記，該偶數標記的時間長度為nT，其中n表示等於4、6、8或10的整數值，T表示一個基準時鐘周期的長度，並且其中利用(n-1)/2個脈衝的序列寫入奇數標記，該奇數標記的時間長度為nT，其中n表示等於5、7、9或11的整數值，用於寫入奇數標記的脈衝序列中的最後脈衝比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝長周期Δ1p，用於寫入奇數標記的脈衝序列中的最後脈衝之前的間隙比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝之前的間隙長周期Δ1g，用於寫入奇數標記的脈衝序列中的最後脈衝之後的冷卻間隙比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝之後的冷卻間隙長周期Δ2，周期Δ1g、Δ1p和Δ2的和在0.7T到1.1T的範圍內。2.根據權利要求1所述的方法，其中周期Δ1p和Δ1g的和在0.25T到0.75T的範圍內。3.根據權利要求1或2所述的方法，其中周期Δ1p基本上等於周期Δ1g。4.根據權利要求1所述的方法，其中利用單個脈衝寫入時間長度為3T的標記，該單個脈衝比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝長周期Δ3，並且後續的冷卻間隙比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝之後的冷卻間隙長周期Δ4，並且其中周期Δ3和Δ4的和在0.7T到1.1T的範圍內。5.根據權利要求4所述的方法，其中用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝的持續時間(Tp)基本上等於7.2ns；周期Δ1p的持續時間基本上等於2/8T；周期Δ1g的持續時間基本上等於2/8T；用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝之後的冷卻間隙的持續時間(Tc)基本上等於5/8T；周期Δ2的持續時間基本上等於3/8T；周期Δ3的持續時間基本上等於7/8T-7.2ns；以及周期Δ4的持續時間基本上等於5/8T。6.根據權利要求5所述的方法，其中用於寫入時間長度為3T的標記的單個脈衝的開始相對於基準時鐘周期的開始，對應於用於寫入偶數標記的脈衝序列中第一脈衝的開始相對於基準時鐘周期的開始。7.利用脈衝輻射光束(32)照射記錄載體(30)的信息層(301)而在該信息層(301)中記錄標記的記錄設備，每個標記由一個或多個脈衝的序列寫入，所述信息層具有在晶相和非晶相之間可逆改變的相，該設備包括用於提供輻射光束的輻射源(31)，控制單元(62)，用於控制輻射光束的功率以及提供用於記錄標記的脈衝序列，使得利用n/2脈衝序列寫入偶數標記，該偶數標記的時間長度為nT，其中n表示等於4、6、8或10的整數值，T表示一個基準時鐘周期的長度，並且利用(n-1)/2脈衝序列寫入奇數標記，該奇數標記的時間長度為nT，其中n表示等於5、7、9或11的整數值，用於寫入奇數標記的脈衝序列中的最後脈衝比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝長周期Δ1p，用於寫入奇數標記的脈衝序列中的最後脈衝之前的間隙比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝之前的間隙長周期Δ1g，用於寫入奇數標記的脈衝序列中的最後脈衝之後的冷卻間隙比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝之後的冷卻間隙長周期Δ2，並且周期Δ1g、Δ1p和Δ2的和在0.7T到1.1T的範圍內。8.一種利用脈衝輻射光束(32)照射記錄載體(30)的信息層(301)而在該信息層(301)中記錄標記的記錄設備，每個標記由一個或多個脈衝的序列寫入，所述信息層具有在晶相和非晶相之間可逆改變的相，該設備包括用於提供輻射光束的輻射源(31)，控制單元(62)，用於控制輻射光束的功率以及提供用於記錄標記的脈衝序列，脈衝序列中脈衝和脈衝之間的間隙的圖案是基於提供給控制單元的寫入參數(Δ1、Δ2、Δ3、Δ4)集，識別單元(63)，用於識別記錄載體，以及選擇單元(61)，用於根據對記錄載體的識別而從寫入參數集的集合(611)中選擇寫入參數集，並且向控制單元提供該選定的寫入參數集，該選擇單元還用於在識別單元不能識別記錄載體和/或選擇單元不能根據對記錄載體的識別從寫入參數集的集合中選擇寫入參數集時向控制單元提供默認寫入參數集(612)，所述默認寫入參數集使得利用n/2脈衝序列寫入偶數標記，該偶數標記的時間長度為nT，其中n表示等於4、6、8或10的整數值，T表示一個基準時鐘周期的長度，並且利用(n-1)/2脈衝序列寫入奇數標記，該奇數標記的時間長度為nT，其中n表示等於5、7、9或11的整數值，用於寫入奇數標記的脈衝序列中的最後脈衝比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝長周期Δ1p，用於寫入奇數標記的脈衝序列中的最後脈衝之前的間隙比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝之前的間隙長周期Δ1g，用於寫入奇數標記的脈衝序列中的最後脈衝之後的冷卻間隙比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝之後的冷卻間隙長周期Δ2，並且周期Δ1g、Δ1p和Δ2的和在0.7T到1.1T的範圍內。9.根據權利要求7或8所述的記錄設備，其中周期Δ1p和Δ1g的和在0.25T到0.75T的範圍內。10.據權利要求7或8所述的記錄設備，其中控制單元還用於提供用於記錄時間長度為3T的標記的脈衝序列，所述用於記錄時間長度為3T的標記的脈衝序列包括比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝長周期Δ3的單個脈衝，以及比用於寫入偶數標記的脈衝序列中的最後脈衝之後的冷卻間隙長周期Δ4的後續冷卻間隙，周期Δ3和Δ4的和在0.7T到1.1T的範圍內。全文摘要本發明涉及一種在記錄載體(30)的信息層(301)中記錄標記的方法，在該方法中使用了2t寫入策略。本發明還涉及一種能夠實施該方法的記錄設備。本發明提供了針對在沒有可以用於2T寫入策略的專門為所要記錄的記錄載體調整的寫入參數設定時，如何在該信息層上記錄標記的問題的解決方案。文檔編號G11B7/125GK1729512SQ200380106649公開日2006年2月1日申請日期2003年12月4日優先權日2002年12月19日發明者B·蒂伊克,M·范德韋勒坦申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司