一種陣列基板及液晶面板的製作方法

2023-05-02 05:08:21

專利名稱：一種陣列基板及液晶面板的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及液晶顯示器技術領域，特別涉及一種陣列基板及包括該陣列基板的液晶面板。
背景技術：
透過率和刷新率是液晶顯示器的重要指標。透過率指的是背光通過液晶面板之後的出光量，刷新率是指液晶充電的頻率。透過率的提高能夠提高顯示器的亮度，降低成本。 刷新率的提高可以提高動態畫面的質量，減小拖尾，降低成本。當前廣視角水平電場的技術有IPS(共面轉換Jn-Plane-Switching)和FFS(邊緣場交換Fringe Field Switching)兩種。IPS由於陣列基板中像素電極使用的是金屬材料，因此影響了透過率；FFS由於存儲電容很大，刷新率也只能到120Hz，也不能滿足發展的市場需求。傳統的FFS結構陣列基板如圖1所示，包括公共電極層5』、像素電極2』、玻璃基板3』和保護層10』，所述公共電極層5』與像素電極2』之間形成電場4』，但是電場4』中不包含水平電場，造成對像素電極2』上方的液晶分子驅動力不強，而為了彌補液晶分子驅動力不強的不足，必須提高像素電極的排布密度，然而如果提高像素電極的排布密度，就會造成透過率降低。在結構設計方面，電場對液晶的控制力決定著液晶的透過率。電極的寬度一般在 3μπι以上，而電場對液晶分子的控制，往往是在電極的邊緣，因此電極的正上方往往是電場力最弱的位置，因此在這裡的液晶分子透過率也不高，而造成透過率的整體下降。FFS結構當中也面臨相同的情況，雖然像素電極採用透明的ITO(氧化銦錫)材料，但由於像素電極上方的液晶透過率不高，從而影響了整體的透過率。而且在FFS的結構中像素電極會和下面的公共電極形成一個很大的存儲電容，存儲電容大一方面對像素電壓的穩定有好處，但是隨著近年來需求高刷新率的產品越來越多，傳統的FFS結構已經在應用上出現了明顯的不足，而3D技術、集成技術等都需要較高的刷新率支持，而大存儲電容使得FFS的像素需要更長的充電時間，降低刷新率。

實用新型內容(一)要解決的技術問題本實用新型要解決的技術問題其一是如何提高液晶面板畫面的刷新率；其二是如何提高液晶面板的透過率。
實用新型內容為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種陣列基板，包括玻璃基板、公共電極層、保護層和形成在所述保護層上的多個像素電極，所述玻璃基板上形成有多個突起，所述公共電極層覆蓋於所述突起和所述玻璃基板上，所述公共電極層覆蓋於所述突起上的部分形成有突起電極部，所述像素電極與所述突起電極部間隔排列，且所述突起電極部的頂部與所述像素電極大致處於一水平面上。[0009]其中，所述保護層材料為絕緣樹脂。其中，所述公共電極層和所述像素電極由透明導電材料製成。其中，所述透明導電材料為ITO或ΙΖ0。其中，所述突起為三角形突起或梯形突起。本實用新型還提供了一種液晶面板，包括所述的陣列基板。(三)有益效果本實用新型由於所述玻璃基板上形成有多個突起，公共電極層覆蓋於突起上的部分形成有突起電極部，且突起電極部的頂部與像素電極大致處於一水平面上，從而可增強電場中的水平電場部分，如此可降低第二電極的排布密度，因而在提高像素透過率的同時， 可降低像素中的存儲電容，並提高刷新率。

圖1為傳統的FFS結構陣列基板示意圖，並示出了其工作狀態的電場；圖2 7為本實用新型的陣列基板的形成過程中，在各個工藝步驟的結構示意圖；圖8為本實用新型實施例一的結構示意圖，並示出了其工作狀態的電場；圖9為本實用新型實施例二的結構示意圖，並示出了其工作狀態的電場。其中，1突起電極部；2、2』像素電極；3、3』玻璃基板；4、4』電場；5、5』公共電極層； 6柵線；7TFT ；8數據線；9突起；10，10』保護層；11柵絕緣層；12樹脂層；13公共電極線。
具體實施方式
以下結合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下實施例用於說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的範圍。實施例一如圖8所示，本實施例的陣列基板包括玻璃基板3、公共電極層5、保護層10和形成在保護層10上的多個像素電極2，所述玻璃基板3表面形成有多個突起9，公共電極層5 覆蓋於突起9和玻璃基板3上，公共電極層5覆蓋於突起9上的部分形成有突起電極部1。 像素電極2與突起電極部1間隔排列，突起電極部1的頂部與像素電極2大致處於同一水平面上。所述公共電極層5和像素電極2均使用透明材料製成，透明材料為ITO或IZO(氧化銦鋅)。所述保護層10材料為絕緣樹脂。所述結構還包括公共電極線，公共電極層5與所述公共電極線13相連接。作為像素電極2通過過孔與TFT7的漏極相連接，TFT7的源極連接數據線8。本實施例中，保護層10使用樹脂材料(也可採用SiNx材料)，突起9的形狀為三角形。如圖8所示，充電之後突起電極部1與像素電極2之間形成有水平電場，對液晶分子進行驅動。由於公共電極層5上形成突起電極部1，因此頂端的液晶分子被極大程度的控制而提高液晶透過率。實施例二如圖10所示，本實施例的結構與實施例一基本相同，所不同的是，突起9的形狀為
4梯形。如圖2 7所示，本實用新型的製作工藝步驟如下1、利用濺射、曝光、刻蝕，剝離等工藝在玻璃基板上形成柵線6和公共電極線13。 材料使用Al，Cu等金屬導電材料，如圖2所示。2、利用濺射、曝光、刻蝕，剝離等工藝在步驟1的基礎上形成柵絕緣層11和突起9， 使用絕緣材料，如圖3所示。3、利用濺射、曝光、刻蝕，剝離等工藝在步驟2的基礎上形成公共電極層5 (材料為 ITO或者其它透明材料)，如圖4所示。4、在步驟3的基礎上形成樹脂層12。材料使用絕緣材料，如圖4所示。5、利用濺射、曝光、刻蝕、灰化、剝離等工藝在步驟4的基礎上形成TFT7和數據線 8。數據線8的材料使用Al，Cu等金屬導電材料，如圖5所示。6、利用塗布、曝光、剝離等工藝在步驟5的基礎上形成保護層過孔。保護層10材料可以使用無機絕緣材料或有機絕緣材料。7、利用濺射、曝光、刻蝕，剝離等工藝在步驟6的基礎上形成像素電極2，如圖6所示。實施例三本實用新型還提供了一種包括上述陣列基板的液晶面板。由以上實施例可以看出，對比當前的IPS和FFS技術，本實用新型的結構由於電場中的水平電場部分增強了對液晶的驅動力，因此提高了面板的透過率，使得透過率比IPS 結構的更高，而與FFS結構相比像素存儲電容能降低50%以上，大幅提高了像素的充電能力，大幅提高了畫面刷新率。而充電能力的提高，使得在FFS結構上使用180Hz，甚至MOHz 的刷新率成為可能。以上實施方式僅用於說明本實用新型，而並非對本實用新型的限制，有關技術領域的普通技術人員，在不脫離本實用新型的精神和範圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術方案也屬於本實用新型的範疇，本實用新型的專利保護範圍應由權利要求限定。
權利要求1.一種陣列基板，包括玻璃基板(3)、公共電極層(5)、保護層(10)和形成在所述保護層(10)上的多個像素電極O)，其特徵在於，所述玻璃基板C3)上形成有多個突起(9)，所述公共電極層(5)覆蓋於所述突起(9)和所述玻璃基板(3)上，所述公共電極層(5)覆蓋於所述突起(9)上的部分形成有突起電極部(1)，所述像素電極( 與所述突起電極部(1) 間隔排列，且所述突起電極部(1)的頂部與所述像素電極( 大致處於一水平面上。
2.如權利要求1所述的陣列基板，其特徵在於，所述保護層(10)材料為絕緣樹脂。
3.如權利要求1所述的陣列基板，其特徵在於，所述公共電極層(5)和所述像素電極 ⑵由透明導電材料製成。
4.如權利要求3所述的陣列基板，其特徵在於，所述透明導電材料為ITO或ΙΖ0。
5.如權利要求1 4中任一項所述的陣列基板，其特徵在於，所述突起(9)為三角形突起或梯形突起。
6.一種液晶面板，其特徵在於，包括如權利要求1 4中任一項所述的陣列基板。
專利摘要本實用新型涉及液晶顯示器技術領域，公開了一種陣列基板，包括玻璃基板(3)、公共電極層(5)、保護層(10)和形成在所述保護層(10)上的多個像素電極(2)，所述玻璃基板(3)上形成有多個突起(9)，所述公共電極層(5)覆蓋於所述突起(9)和所述玻璃基板(3)上，所述公共電極層(5)覆蓋於所述突起(9)上的部分形成有突起電極部(1)，所述像素電極(2)與所述突起電極部(1)間隔排列，且所述突起電極部(1)的頂部與所述像素電極(2)大致處於一水平面上。本實用新型能提高液晶面板的透過率，及其畫面的刷新率。
文檔編號G02F1/1343GK202210200SQ20112031395
公開日2012年5月2日 申請日期2011年8月25日 優先權日2011年8月25日
發明者王崢 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司