具有三重圖案化金屬層結構的位格的製作方法
2023-05-23 16:08:16
具有三重圖案化金屬層結構的位格的製作方法
【專利摘要】揭示一種具有三重圖案化金屬層結構的位格。具體實施例包括：經由金屬層的第一圖案化製程，提供為字符線結構、接地線結構、電源線結構及位線結構中的第一者的第一結構；經由該金屬層的第二圖案化製程，提供與該第一結構不同而且為該字符線結構、該接地線結構、該電源線結構及該位線結構中的第二者的第二結構；以及經由該金屬層的第三圖案化製程，提供與該第一結構及該第二結構不同而且為該字符線結構、該接地線結構線、該電源線結構及該位線結構中的第三者的第三結構。
【專利說明】具有三重圖案化金屬層結構的位格
【技術領域】
[0001]本揭示內容是有關於微型化靜態隨機存取內存(SRAM)位格(bit cell)的製造。本揭示內容尤其可應用於可超越20奈米(nm)技術節點(例如，14奈米及其它技術節點)的SRAM位格。
【背景技術】
[0002]隨著技術進步，以及持續縮減電晶體裝置的尺寸，越來越難以維持用於製造半導體裝置的設計的微影可印性。例如，圖1A中的現有SRAM位格100包含用於字符線的金屬I接著墊101，用於接地線的金屬I接著墊103，以及金屬I位線結構105，以及金屬2層結構107。此外，位格100包含主動區觸點109，金屬觸點111，以及用於完成與金屬I層結構101、103及105關連的各種互連的通孔I結構113，以及金屬2層結構107。不過，位格100可能難以印在晶圓上，因為位格100中顏色相同(或圖案化)的金屬結構彼此太接近。如圖標，例如，字符線接著墊101可能太靠近接地線接著墊103，以及接著墊101、103可能太靠近位線結構105。因此，變成越來越難以進一步縮小位格100的設計。此外，如圖1B所示的另一現有SRAM位格130，單一圖案化金屬線(例如，金屬I層結構131及133)佔據重要的空間。不過，如果減少位格130的高度(例如，以減少佔用空間)，金屬I層結構133之間的端邊至端邊間距(tip-to-tip spacing,其中端邊為結構的短邊),特別是在相同的顏色空間中，會變成太靠近，這對位格130的微影可印性有不利影響。
[0003]因此，亟須一種有改良微影可印性的微型化SRAM位格及致能方法。
【發明內容】
[0004]本揭示內容的一方面為一種用於實現具有三重圖案化金屬層結構的位格的方法。
[0005]本揭示內容的另一方面為一種用有三重圖案化金屬層結構的位格實現的裝置。
[0006]本揭示內容的其它方面及特徵會在以下說明中提出以及部分在本技藝一般技術人員審查以下內容或學習本揭示內容的實施後會明白。按照隨附權利要求書所特別提示，可實現及得到本揭示內容的優點。
[0007]根據本揭示內容，一些技術效果的達成部分可通過一種方法，其包含:經由金屬層的第一圖案化製程，提供為字符線結構、接地線結構、電源線結構及位線結構中的第一者的第一結構；經由該金屬層的第二圖案化製程，提供與該第一結構不同而且為該字符線結構、該接地線結構、該電源線結構及該位線結構中的第二者的第二結構；以及經由該金屬層的第三圖案化製程，提供與該第一結構及該第二結構不同而且為該字符線結構、該接地線結構、該電源線結構及該位線結構中的第三者的第三結構。
[0008]本揭示內容的數個方面包括:提供具有該第一結構、該第二結構及該第三結構的位格。附加方面包括:經由該第一圖案化製程，提供該位格的該字符線結構、該電源線結構、或其組合；經由該第二圖案化製程，提供該位格的該位線結構；以及經由該第三圖案化製程，提供該位格的該接地線結構。不同的方面包括:提供該位線結構於該字符線結構與該電源線結構之間、於該接地線結構與該電源線結構之間、或其組合。其它方面包括:該字符線結構、該接地線結構、該電源線結構及該位線結構均為金屬I層結構。
[0009]某些方面包括:提供具有第一邊緣以及比該第一邊緣長0至10百分比的第二邊緣的該第一結構、該第二結構、該第三結構、或其組合。一些方面包括:提供具有該等第一邊緣及該等第二邊緣的該字符線結構、該接地線結構、或其組合。其它方面包括:提供與該電源線結構有32奈米至42奈米的距離的該位線結構；以及提供與該位線結構有32奈米至42奈米的距離的該字符線結構、該接地線結構、或其組合。其它方面包括:提供與該接地線結構有32奈米至42奈米的距離的該字符線結構。
[0010]本揭示內容的一附加方面為一種裝置，其包含:字符線結構；接地線結構；電源線結構；以及位線結構，其中該字符線結構、該接地線結構、該位線結構、或其組合都有第一邊緣以及鄰接該第一邊緣而且比該第一邊緣長0至10百分比的第二邊緣。
[0011]數個方面包括:一種裝置，其具有包含該字符線結構、該接地線結構、該電源線結構及該位線結構的位格。附加方面包含:有該等第一邊緣及該等第二邊緣的該字符線結構、該接地線結構、或其組合。一些方面包括:該位線結構與該電源線結構有32奈米至42奈米的距離，以及該字符線結構、該接地線結構、或其組合與該位線結構有32奈米至42奈米的距離。某些方面包括:該字符線結構與該接地線結構有32奈米至42奈米的距離。其它方面包括:該字符線結構、該接地線結構、該電源線結構及該位線結構均為金屬I層結構。
[0012]本揭示內容的另一方面包括:經由金屬層的第一圖案化製程，提供為位格的字符線結構、接地線結構及電源線結構中的一者的第一結構；經由該金屬層的第二圖案化製程，提供該位格的位線結構；以及經由該金屬層的第三圖案化製程，提供與該第一結構不同而且為該字符線結構及該接地線結構線中的一者的第二結構。
[0013]附加方面包含:提供該位線結構於該字符線結構與該電源線結構之間、於該接地線結構與該電源線結構之間、或其組合。一些方面包括:提供具有第一邊緣及第二邊緣的該第一結構、該第二結構、或其組合，該等第二邊緣是鄰接該等第一邊緣而且比該等第一邊緣長0至10百分比。不同的方面包括:提供具有該等第一邊緣及該等第二邊緣的該字符線結構、該接地線結構、或其組合。其它方面包括:該字符線結構、該接地線結構、該電源線結構及該位線結構均為金屬I層結構。
[0014]熟諳此藝者由以下詳細說明可明白本揭示內容的其它方面及技術效果，其中僅以預期可實現本揭示內容的最佳模式舉例描述本揭示內容的具體實施例。應了解，本揭示內容能夠做出其它及不同的具體實施例，以及在各種明顯的方面，能夠修改數個細節而不脫離本揭示內容。因此，附圖及說明內容本質上應被視為圖解說明用而不是用來限定。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015]在此用附圖舉例說明而不是限定本揭示內容，圖中類似的組件用相同的組件符號表不。
[0016]圖1A及圖1B示意圖標有單一圖案化金屬層結構的SRAM位格；
[0017]圖2根據本揭示內容的示範具體實施例示意圖標有三重圖案化金屬層結構的位格；
[0018]圖3根據本揭示內容的示範具體實施例示意圖標有三重圖案化金屬層結構的位格的電路圖；
[0019]圖4根據本揭示內容的示範具體實施例示意圖標與有三重圖案化金屬層結構的位格關連的n型阱區及主動區；
[0020]圖5根據本揭示內容的示範具體實施例示意圖標與有三重圖案化金屬層結構的位格關連的多晶娃結構及多晶娃切割區；
[0021]圖6根據本揭示內容的示範具體實施例示意圖標與有三重圖案化金屬層結構的位格關連的主動區觸點、柵極觸點及通孔0結構；以及
[0022]圖7根據本揭示內容的示範具體實施例示意圖標與有三重圖案化金屬層結構的位格關連的通孔0結構及金屬I層結構。
[0023]符號說明
[0024]
【權利要求】
1.一種方法，其包含: 經由金屬層的第一圖案化製程，提供為字符線結構、接地線結構、電源線結構及位線結構中的第一者的第一結構； 經由該金屬層的第二圖案化製程，提供與該第一結構不同而且為該字符線結構、該接地線結構、該電源線結構及該位線結構中的第二者的第二結構；以及 經由該金屬層的第三圖案化製程，提供與該第一結構及該第二結構不同而且為該字符線結構、該接地線結構線、該電源線結構及該位線結構中的第三者的第三結構。
2.根據權利要求1所述的方法，還包括: 提供具有該第一結構、該第二結構及該第三結構的位格。
3.根據權利要求2所述的方法，還包括: 經由該第一圖案化製程，提供該位格的該字符線結構、該電源線結構、或彼等的組合； 經由該第二圖案化製程，提供該位格的該位線結構；以及 經由該第三圖案化製程，提供該位格的該接地線結構。
4.根據權利要求2所述的方法，還包括: 提供該位線結構於該字符線結構與該電源線結構之間、於該接地線結構與該電源線結構之間、或其組合。
5.根據權利要求1所述的方法，還包括: 提供具有第一邊緣以及比該第一邊緣長O至10百分比的第二邊緣的該第一結構、該第二結構、該第三結構、或其組合。`
6.根據權利要求5所述的方法，還包括: 提供具有該等第一邊緣及該等第二邊緣的該字符線結構、該接地線結構、或其組合。
7.根據權利要求1所述的方法，還包括: 提供與該電源線結構有32奈米至42奈米的距離的該位線結構；以及 提供與該位線結構有32奈米至42奈米的距離的該字符線結構、該接地線結構、或其組入口 o
8.根據權利要求1所述的方法，還包括: 提供與該接地線結構有32奈米至42奈米的距離的該字符線結構。
9.根據權利要求1所述的方法，其中，該字符線結構、該接地線結構、該電源線結構及該位線結構均為金屬I層結構。
10.一種裝置，其包含: 字符線結構； 接地線結構； 電源線結構；以及 位線結構，其中該字符線結構、該接地線結構、該位線結構、或其組合具有第一邊緣以及鄰接該第一邊緣而且比該第一邊緣長0至10百分比的第二邊緣。
11.根據權利要求10所述的裝置，還包含: 具有該字符線結構、該接地線結構、該電源線結構及該位線結構的位格。
12.根據權利要求10所述的裝置，其中，該字符線結構、該接地線結構、或其組合具有該第一邊緣與該第二邊緣。
13.根據權利要求10所述的裝置，其中，該位線結構與該電源線結構有32奈米至42奈米的距離，以及該字符線結構、該接地線結構、或其組合與該位線結構有32奈米至42奈米的距離。
14.根據權利要求10所述的裝置，其中，該字符線結構與該接地線結構有32奈米至42奈米的距離。
15.根據權利要求10所述的裝置，其中，該字符線結構、該接地線結構、該電源線結構及該位線結構均為金屬I層結構。
16.—種方法,其包含: 經由金屬層的第一圖案化製程，提供為位格的字符線結構、接地線結構及電源線結構中的一者的第一結構； 經由該金屬層的第二圖案化製程，提供該位格的位線結構；以及 經由該金屬層的第三圖案化製程，提供與該第一結構不同而且為該字符線結構及該接地線結構線中的一者的第二結構。
17.根據權利要求16所述的方法，還包括: 提供該位線結構於該字符線結構與該電源線結構之間、於該接地線結構與該電源線結構之間、或其組合。
18.根據權利要求16所述的方法，還包括: 提供具有第一邊緣及第 二邊緣的該第一結構、該第二結構、或其組合，該等第二邊緣是鄰接該等第一邊緣且比該等第一邊緣長0至10百分比。
19.根據權利要求18所述的方法，還包括: 提供具有該等第一邊緣及該等第二邊緣的該字符線結構、該接地線結構、或其組合。
20.根據權利要求16所述的方法，其中，該字符線結構、該接地線結構、該電源線結構及該位線結構均為金屬I層結構。
【文檔編號】H01L23/528GK103681472SQ201310410551
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年9月10日 優先權日:2012年9月14日
【發明者】J·金, J·桂 申請人:格羅方德半導體公司