光電組件以及用於製造光電組件的方法與流程

2023-05-15 05:39:01

本發明涉及如專利權利要求1所述的光電組件以及如專利權利要求13所述的用於製造光電組件的方法。

本專利申請要求德國專利申請102014117510.7的優先權，該德國專利申請的公開內容被通過引用合併於此。

背景技術：

us7724793公開了一種包括凹陷的光電組件，其中凹陷毗鄰鏡面。凹陷包括垂直側壁和底面。

技術實現要素：

本發明的目的是提供一種改進的組件以及一種改進的用於製造組件的方法。

藉助於如專利權利要求1所述的組件並且藉助於如專利權利要求13所述的方法來實現本發明的目的。所提出的組件的一個優點是所述凹陷包括至少一個傾斜的側面。包括所述傾斜側面的所述凹陷提供如下的優點：可以利用電介質可靠地對所述傾斜側面進行重疊注塑（overmold）以便實現表面的鈍化。此外，在包括傾斜側面的凹陷的情況下，不必在製造期間精確地控制所述凹陷的深度。對於用於防止在斷裂邊沿處的位錯的凹陷的有效動作而言，形成具有在有源區的區域中的所限定的深度的凹陷是有利的。在這種情況下，凹陷的底面被布置在有源區的區域中。底面可以被布置在有源區之上或之下的區域中。

特別是，凹陷的底面可以被布置在從有源區的平面之上200nm到有源區的平面之下200nm的範圍中。光電組件可以例如被配置為雷射二極體或被配置為發光二極體。

實驗已經示出在100nm和800nm之間的範圍中的凹陷的深度是有利的。如果凹陷太淺，則它們對於減少（特別是在鏡面處的）位錯而言實際上是無效的。在具有太深的凹陷的配置中，凹陷本身可能再次像在其處可能形成位錯的缺陷中心那樣進行動作。

在一個實施例中，凹陷包括處於100nm和800nm之間的範圍中的與層結構的表面有關的深度。以此方式實現有源區的充分保護。在進一步的實施例中，至少一個側面（特別是兩個側面）相對於有源區的平面以傾斜方式包括95°到160°的角度。這些角度範圍使得能夠良好地保護有源區免於在斷裂面處形成位錯。取決於所選取的實施例，各側面可以被相對於彼此鏡像對稱地布置，或被以按不同的傾斜角度傾斜的方式布置。

特別是，藉助於面對有源區的有源區域的傾斜側面，可以實現的是，從凹陷起在有源區的有源區域的方向上前行地形成的位錯被朝下轉向並且在有源區之下延伸。憑藉位錯總是與側面垂直地形成的事實而帶來該效果。

取決於所選取的實施例，凹陷可以被布置在組件的橫向邊沿區域中，並且在面對有源區的斷裂方向上包括例如僅一個側面。在進一步的實施例中，凹陷包括兩個側面，其中以相對於有源區的第一平面傾斜的方式布置所述兩個側面中的至少一個（特別是面對有源區的側面）。

在進一步的實施例中，側面包括兩個面區段，其中以傾斜方式布置一個面區段，並且第二面區段被實質上垂直地對準於有源區的平面。取決於所選取的實施例，傾斜的面區段可以被布置在徑直的面區段之上或在徑直的面區段之下。

在進一步的實施例中，凹陷在平行於第二平面的平面中包括在凹陷的側面與層結構的頂側和/或凹陷的底面之間的至少一個圓狀過渡。對各面的過渡區域中的邊沿進行圓狀形成使得可以減少瑕疵（特別是位錯）的形成。特別是，各面之間的尖銳邊沿化的過渡可能是進一步的瑕疵的開始點。

在進一步的實施例中，側面包括一個被布置在另一個之上的兩個側區段，其中以相對於彼此橫向地偏移的方式布置側區段。側區段經由第二底面彼此連接。取決於所選取的實施例，兩個側區段或兩個側區段中的僅一個可以是傾斜的，並且另一個側區段可以被垂直地對準。

實驗已經示出，在10μm至200μm的範圍中的在垂直於有源區的有源區域的縱向延伸的第二平面中延伸的凹陷的情況下，對於抑制瑕疵（特別是抑制端面的區域中（就是說雷射二極體或發光二極體（led）的刻面的區域中）的位錯）而言，實現良好的效果。

此外，實驗已經示出，如果凹陷包括在距有源區的有源區域10μm至150μm的範圍中的距離，則在抑制刻面瑕疵方面實現良好的結果。在進一步的實施例中，在組件的一側與凹陷之間提供臺面溝槽。臺面溝槽可以減少層結構的應力。

在一個實施例中，對用於製造組件的方法進行使用，其中藉助蝕刻處理將凹陷引入到層結構中，其中在蝕刻處理期間至少部分地執行蝕刻掩模的蝕刻開孔的橫向加寬，以使得凹陷包括以傾斜方式布置的至少一個側面。

在進一步的實施例中，在蝕刻處理期間使用不同硬度的蝕刻掩模，以便製造具有至少一個傾斜的側面的凹陷。可以例如由光致抗蝕劑、或sinx或半導體材料或金屬形成軟蝕刻掩模。

附圖說明

以下參照各圖更詳細地解釋本發明，在各圖中：

圖1示出光電組件的端面的示意性視圖，

圖2示出來自圖1的片段的放大圖解，

圖3示出凹陷的進一步的實施例的示意性圖解，

圖4示出凹陷的進一步的實施例的示意性圖解，其中垂直地形成上側面並且以傾斜方式形成下側面，

圖5示出凹陷的進一步的實施例，其中以傾斜方式形成上側面並且垂直地形成下側面，

圖6示出凹陷的進一步的實施例，其中兩個側面相對於有源區的平面採用不同的角度，

圖7示出進一步的實施例，其中兩個凹陷被布置在雷射二極體的脊的相對的側上，

圖8示出具有被示意性地圖解的凹陷和位錯的進一步的實施例的雷射二極體的端面的平面圖，

圖9示出具有凹陷並且具有臺面溝槽的光電組件的端面的平面圖，

圖10示出進一步的實施例，其中臺面溝槽過渡到凹陷中，

圖11示出來自組件之上的視圖，

圖12至圖14示出用於製造凹陷的第一方法的方法步驟，

圖15至圖18示出用於製造凹陷的第二方法的方法步驟，以及

圖19和圖20示出第三方法的方法步驟。

具體實施方式

本示例性實施例的一個構思在於：藉助包括面對模式空間（即雷射二極體或發光二極體（led）的有源區的有源區域）並且以相對於雷射二極體/led的有源區的平面不等於90°的角度布置的至少一個側面的至少一個凹陷，來減少或避免在解理邊沿（就是說，通過解理所產生的雷射二極體或發光二極體（led）的端面）處形成梯級式瑕疵。此外，以如實現對有源區進行有效屏蔽以避免模式空間中的位錯這樣的方式來形成凹陷。此外，以可以快速地製造凹陷這樣的方式來選取凹陷的幾何形狀和布置。

實驗已經示出，凹陷的以平坦方式行進出來並且特別是被圓狀化的側翼具有如下的效果：蝕刻深度顯著地更不關鍵，並且包括以平坦方式行進出來和/或被圓狀化的側翼的、甚至被相對深地蝕刻的凹陷本身不充當用於在解理邊沿的解理時形成解理邊沿的梯級式位錯的缺陷中心，其中梯級式位錯可能再次延伸到雷射二極體/led的有源區域中。針對於此的一個原因是，與垂直的側翼相比，以平坦方式傾斜或被圓狀化的側翼包括應力場的顯著減小。因此，以此方式形成的凹陷不需要如包括垂直側翼的凹陷那樣精確地在它們的蝕刻深度方面受控制。作為結果，實現顯著的處理簡化。

更進一步地，包括以平坦方式行進出來的側翼的凹陷通過電介質鈍化而被更好地重疊注塑，其中實現質量上的改進以及組件的產出上的增加的結果。此外，實驗已經示出，橫斷刻面的區域中的凹陷的傾斜側翼引起橫斷刻面在晶片表面的方向上轉向，其中實現橫斷刻面的更有效的截斷的結果。因此，可能的是提供具有在雷射器刻面的有源區域中的良好表面質量的光電組件。作為結果，可以實現低閾值電流、高跨導、高效率以及還有高組件穩定性和良好的束質量。

光電組件例如被配置為邊發射雷射二極體或發光二極體（led）。特別是，可以從iii-v族半導體材料（特別是從氮化銦鎵）製造雷射二極體/led。

圖1在示意性圖解中示出例如被配置為發光二極體（led）或雷射二極體（特別是條形雷射二極體）的光電組件的端面13的視圖。提供如下的層布置：其在上端區域中包括層結構2，層結構2包括有源區1。有源區1可以包括布置在第一平面中的多個層。第一平面是垂直於像平面對準的。第一平面是平行於y軸並且平行於z軸而形成的。x軸被垂直於y軸對準。z軸垂直於平面y-x。脊3布置在層結構2上，所述脊被沿著z軸對準。脊3用來把在脊3之下的雷射集中在雷射模式區域4中。雷射模式區域4沿著z軸延伸，並且佔據有源區1以及在脊3之下的毗鄰層的區域。在脊3旁邊橫向地將凹陷6引入到層結構2的表面5中。凹陷6包括兩個側面7、8以及底面9。以相對於有源區1的第一平面按角度28傾斜的方式布置側面7、8，所述角度不等於90°。第一側面7和第二側面8包括例如在95°和160°之間（特別是在98°和130°之間）的角度28。取決於所選取的實施例，第一側面7和第二側面8可以還包括相對於第一平面的在100°和115°之間的角度。第一側面7面對雷射模式區域4。第二側面8被關於第一側面7相對地布置。取決於所選取的實施例，可以省掉第二側面8，並且凹陷6可以延伸得如橫向邊沿區域10或溝槽11（溝槽11可以構成臺面溝槽）那樣遠。在所圖解的示例性實施例中，溝槽11包括垂直側面，並且溝槽11是以與凹陷6相比更大的深度形成的。

如果層結構2然後沿著斷裂方向12斷裂，則位錯14可能例如從溝槽11的側面起前行地形成在所斷裂的端面13處。憑藉提供凹陷6，位錯14可以不一直通行進入到雷射模式的區域4中，而是相反被凹陷6截斷。端面13構成在其處電磁輻射（特別是雷射模式）被鏡面反射或輸出的發射面或鏡面。因此，特別是在雷射模式的區域4中應當避免平坦斷裂面13的位錯或缺陷。對於如鏡面或發射面那樣的優化效果而言，在雷射模式的區域4中斷裂面13應當儘可能遠地避開位錯。

取決於所選取的實施例，可以省掉可以構成臺面溝槽的溝槽11。層結構2可以包括下區域中的襯底15，外延生長的層16沉積到該襯底上。層16還包括有源區1。襯底和/或半導體層可以基於iii-v族化合物半導體或ii-vi族化合物半導體或氧化鋅。ii-vi族化合物半導體可以是硫化物或硒化物。iii-v族化合物半導體可以基於氮化物化合物半導體、磷化物化合物半導體、亞銻酸鹽化合物半導體或砷化物化合物半導體。iii-v族化合物半導體可以是例如氮化物（諸如例如氮化鎵、氮化銦或氮化鋁）、磷化物（諸如例如磷化鎵或磷化銦）、第一砷化物（諸如例如砷化鎵或砷化銦）。在此情況下，可以提供材料體系alnin1-n-mgamn，例如，其中，0≤n≤1，0≤m≤1，並且n+m≤1可以保持為真。此外，材料體系可以包括alngamin1-n-mp，其中，0≤n≤1，0≤m≤1以及n+m≤1保持為真。此外，材料體系可以包括alngamin1-n-msb，其中，0≤n≤1，0≤m≤1以及n+m≤1保持為真。

圖2在放大的圖解中示出來自圖1的凹陷6。凹陷6包括例如在100nm和800nm之間、優選地在200nm和500nm之間、特別是在300nm和450nm之間的深度。深度表示平行於x軸的在表面5與底面9之間的距離。此外，凹陷6可以包括處於在10μm和200μm之間的範圍中、特別是在20μm和100μm之間的範圍中、特別是在30μm和50μm之間的範圍中的沿著y軸的長度。長度表示側面7、8的上端區域之間的距離（就是說，表面5的平面中的長度）。此外，如沿著y軸觀看那樣，凹陷6包括處於在10μm和150μm之間、特別是在20μm和100μm之間、特別是在30μm和50μm之間的範圍中的相對於脊3的距離。在此情況下，距離是在表面5處測量的，並且從第一側面7的上邊沿延伸為如面對凹陷6的脊3的側面那樣遠。

另外，採用傾斜側面的形式的第二側面8的布置造成在第二側面8的區域中向上轉向的位錯14。結果，位錯14被截斷。有源區的區域中的外延生長的層16構成具有高應力場的受應力作用的外延層。高應力場特別是出現在波導層與有源區之間的過渡處。

圖3在示意性圖解中示出來自包括實質上被配置為類似於圖2中的凹陷的凹陷6的進一步的光電組件的片段，然而，其中以進行圓狀化去除的方式配置在第一側面7和第二側面8與對應的毗鄰表面5之間的過渡區域17、18。被圓狀化去除的過渡區域17、18的配置減少在第一側面7和第二側面8與表面5之間的過渡中的應力場。

圖4示出光電組件的凹陷6的進一步的實施例，其中凹陷6包括被再劃分為兩個側區段19、20、21、22的側面7、8。側面7、8的上側區段19、21被布置為實質上垂直於第一平面（就是說垂直於yz平面）。第一側面7和第二側面8的第二側區段20、22被配置為傾斜的面。根據來自圖1和圖2的側面的傾斜角度範圍來配置傾斜角度。根據來自圖2的實施例的範圍來類似地配置圖4中的凹陷6的距離和深度以及長度。

圖5示出凹陷的進一步的實施例，其中，在該實施例中，上側區段19、21被配置為傾斜側面。傾斜側面被布置在來自圖1和圖2的實施例的第一側面7和第二側面8的角度範圍中。第一側面7和第二側面8的下側區段20、22被布置為實質上垂直於有源區1的第一平面（即y-z平面）。更進一步地，進一步的第一底面23被布置在第一側區段19與第二側區段20之間。此外，進一步的第二底面24被布置在進一步的第一側區段21與進一步的第二側區段22之間。底面23和24被布置在同一高度處，並且具有相同大小的面積。

圖6示出根據圖1的光電組件的凹陷6的進一步的實施例，其中兩個側面7、8包括相對於有源區1的第一平面的不同的傾斜角度28。特別是，面對脊3的第一側面7的傾斜角度小於第二側面8的傾斜角度。第二側面8面對如下的側：端面13從該側起在斷裂方向12上斷裂。可以根據相對於有源區1的第一平面在98°和160°之間、特別是在98°和130°之間，特別是在100°和115°之間的所指示的角度範圍來對準側面7、8的傾斜的角度。取決於所選取的實施例，面對脊3的第一側面7的傾斜角度可以大於第二側面8的傾斜角度。此外，兩個側面7、8的傾斜角度也可以是相同的，就是說，兩個側面7、8可以被布置為關於被布置在兩個側面之間的假想中心平面鏡像對稱。

圖7示出實質上根據圖1配置的光電組件的進一步的實施例，然而，其中在脊3的兩側上將凹陷6、25引入到層結構2的表面5中。第二凹陷25可以被與凹陷6相同地配置。特別是，第二凹陷25可以被配置為關於脊3相對於凹陷6鏡像對稱。更進一步地，凹陷6、25可以包括不同的形狀和深度。

圖8示出光電組件的進一步的實施例，其中凹陷6被形成得更深，並且相對於有源區1的第一平面以按98°和130°之間的角度、特別是按100°和115°之間的角度傾斜的方式布置第一側面7和/或第二側面8。在該實施例中，也可以省掉溝槽11。特別是，藉助於面對有源區的有源區域的傾斜側面，實現的是在有源區1的有源區域的方向上從凹陷6起前行地形成的位錯14被朝下轉向並且在有源區1之下延伸。憑藉位錯14總是垂直於側面7形成的事實而帶來該效果。

圖9示出光電組件的進一步的實施例，其中溝槽11類似地包括傾斜的第三側面27和第四側面26。側面27、26可以包括根據側面7、8的傾斜。特別是，作為以傾斜方式布置的第三側面26的配置的結果，由於第三側面26的傾斜布置，在第三側面26處形成的位錯14被引導在雷射模式的區域4之下。因此，這種類型的位錯可能在雷射模式的區域4中（即，在有源區1的有源區域中）不產生或僅產生對所斷裂的端面13的質量的小的損害。

圖10示出光電組件的進一步的實施例，其中凹陷6包括梯級式的第一側面7以及被垂直地布置的第二側面8。第一側面7包括上部第一側區段19、下部第二側區段20以及進一步的第一底面23。以傾斜方式相對於有源區1的第一平面成一定角度範圍來布置上側區段19和下側區段20這兩者。角度可以處於在95°和160°之間、特別是在98°和130°之間、特別是在100°和115°之間的角度範圍中。取決於所選取的實施例，第一側區段19和第二側區段20可以包括相同的角度或不同的角度。進一步的第一底面23被布置為平行於有源區1的第一平面。此外，取決於所選取的實施例，也可以提供第二凹陷25。可以根據來自圖2的凹陷6來配置第二凹陷25。

進一步的第一底面23被布置在如下的深度處：在該深度處布置有來自圖2的底面9和凹陷6。進一步的第一底面23被布置在表面5之下的在100nm和800nm之間的範圍中。此外，第一底面23被布置在有源區的平面之上的200nm和有源區的平面之下的200nm之間的範圍中。在該實施例中，與有源區1的進一步的第一底面23相比底面9被布置得更深，並且因此取代臺面溝槽（就是說，來自圖1的更深的溝槽11）的功能。底面9例如被布置得在有源區1的平面之下更深200nm。

圖11示出包括脊3、臺面溝槽11以及兩個相對端面13、29的雷射二極體。此外，圖解示出毗鄰端面13、29的四個凹陷6、25。取決於所選取的實施例，可以根據上面描述的示例來配置凹陷6、25。此外，凹陷6、25可以平行於脊行進，如通過虛線示意性地圖解的那樣。

對於高效的電流承載和波導化而言，半導體二極體要求包括在從幾納米到幾百nm的範圍中的層厚度的許多個外延的單獨的層。所述層中的每個包括由氮化鎵和/或氮化鋁鎵和/或氮化銦鎵和/或氮化鋁銦鎵組成的特定材料組分。各層典型地是在600°c和1200°c之間的溫度下藉助於mocvd沉積的。層結構2在更大或更小的程度上受應力作用。在雷射器刻面（就是說，用於邊發射雷射二極體或led的端面13）的解理期間，沿著特定的層平面，梯級因此產生在解理的端面13處。刻面質量上的擾動可能源自於例如以類似elog的方式製造的具有富含缺陷的區域的襯底中或源自於跳變處。

在此情況下，可以通過使用抗蝕劑掩模而非硬掩模並且利用針對形成傾斜側面7、8而特別地優化的、並且具有高移除率的等離子體蝕刻處理來實現包括這樣的傾斜側面並且特別是包括圓狀過渡區域17、18的凹陷6的製造。使用在蝕刻處理期間被中等程度到高程度地移除的其它掩模並且因此導致側面7、8的傾斜角度還構成用於製造具有傾斜側面的凹陷6、25的技術可能性。可以以多種方式製造凹陷6、25。通過使用一個被布置在另一個之上的兩個蝕刻掩模。在此情況下，在第一蝕刻步驟中，具有相當高的蝕刻移除的製作掩模被用於製造傾斜側面7、8。在第二蝕刻步驟中，在此使用硬掩模，其產生垂直的側區段。在該步驟中，凹陷6被蝕刻到想要的深度，其中以傾斜方式布置的側面7、8被保持在臨界下區域中。通過示例的方式，當具有高蝕刻移除的第一掩模用盡（就是說，完全地移除）時，從第一步驟到第二步驟的過渡也可以發生。此外，包括不同硬度並且因此不同移除率的蝕刻掩模可以被布置在凹陷的相對側上。作為結果，在不同的側上，可以藉助於要被不同程度地橫向移除的蝕刻掩模以簡單的方式來實現各側面的不同的傾斜角度。軟蝕刻掩模可以由例如用於照相平版印刷方法的光致抗蝕劑構成。此外，軟掩模也可以由sinx或半導體材料或金屬構成。

此外，也可以通過使用兩個蝕刻處理步驟來製造凹陷6、25，其中第一蝕刻處理步驟包括高移除率，並且因此產生以傾斜方式布置的側面7、8。在第二處理步驟中，為了將凹陷6、25蝕刻到想要的深度，對蝕刻等離子體和包括更低的移除率並且產生垂直側翼的對應的等離子體參數進行使用。在此情況下，由於更低的移除率，在凹陷6、25的臨界深度範圍中帶來對毗鄰層結構2的更少的損壞。然而，可以保持以傾斜方式布置的側面7、8。此外，相反的情況也是可能的，其中以傾斜方式布置的側面7、8位於凹陷6、25的上部部分中。可以例如藉助於不同的蝕刻率和不同的外延層以處理專用方式來實現該情況。

圖12至圖14示出用於將凹陷6引入到層結構2中的第一方法的步驟。圖12在示意性圖解中示出包括外延層的層結構2，層結構2包括用於生成電磁輻射的有源區1。層結構2可以被施加在未圖解的載體上。第一蝕刻掩模31被施加在層結構2上。第二蝕刻掩模32被施加在第一蝕刻掩模上。第二蝕刻掩模32覆蓋第一蝕刻掩模的邊沿區域33，並且由此限定蝕刻開孔34。在所圖解的示例中，第二蝕刻掩模32包括比第一蝕刻掩模31更低的硬度，和/或帶來第二蝕刻掩模32的橫向移除的蝕刻方法被使用在第一蝕刻步驟中。第二蝕刻掩模的更低的硬度在蝕刻處理期間帶來第二蝕刻掩模的橫向移除。

作為結果，如圖13中圖解那樣，獲得包括傾斜側面7、8的凹陷6。在第二蝕刻步驟中，凹陷6的深度然後被增加，其中預留具有傾斜側面7、8的底面的結構。為此目的，由更硬的材料形成第一蝕刻掩模31，以使得在第二蝕刻步驟期間，實質上不發生第一蝕刻掩模31的橫向移除。此外，在第二蝕刻步驟期間，可以使用帶來很小的或不帶來第一蝕刻掩模31的橫向移除的蝕刻方法。藉助第二蝕刻步驟，將凹陷6的底面9向下帶入到有源區1的平面的區域中的想要的深度，如圖14中圖解那樣。在此情況下，由於凹陷6的上部區域中的第一蝕刻掩模31的穩定性，因此形成被布置為實質上垂直於有源區1的平面的側面。

圖15至圖18示出用於將凹陷6引入到層結構2中的第二方法的方法步驟。圖15在示意性圖解中示出包括外延層並且包括用於生成電磁輻射的有源區1的層結構2。層結構2可以被施加在未圖解的載體上。第一蝕刻掩模31被施加在層結構2上。第二蝕刻掩模32被施加在第一蝕刻掩模31上。第二蝕刻掩模32僅稍微地覆蓋或根本不覆蓋第一蝕刻掩模的邊沿區域33。因此，如所圖解的那樣由第二蝕刻掩模32或第一蝕刻掩模31限定蝕刻開孔34。在所圖解的示例中，第二蝕刻掩模32具有比第一蝕刻掩模31更大的硬度，和/或實質上不帶來第二蝕刻掩模32的橫向移除的蝕刻方法被使用在第一蝕刻步驟中。

作為結果，如圖16中圖解那樣，獲得包括被布置為實質上垂直於有源區1的平面的側面的凹陷6。此後，移除第二蝕刻掩模32，如圖17圖解那樣。在隨後第二蝕刻步驟中，凹陷6的深度然後被增加，其中在凹陷的下部區域中具有底面並且具有垂直側面的凹陷6的下部結構被保持。然而，以傾斜方式布置的側面7、8形成在凹陷6的上部區域中。為此目的，可以由更軟的材料形成第一蝕刻掩模31，以使得在第二蝕刻步驟期間發生第一蝕刻掩模31的橫向移除。此外，在第二蝕刻步驟期間可以使用帶來甚至更硬的第一蝕刻掩模31的橫向移除的蝕刻方法。藉助第二蝕刻步驟，將凹陷6的底面9的深度向下帶入到有源區1的平面的區域中的想要的深度，如圖18所圖解那樣。

圖19和圖20示出第三方法的方法步驟，通過該方法，包括不同地傾斜的側面7、8的凹陷6可以被引入到包括外延層以及用於生成電磁輻射的有源區1的層結構2中。為此目的，第一蝕刻掩模31和第二蝕刻掩模32被布置在層結構2上，所述蝕刻掩模從兩側界定蝕刻開孔34。在所圖解的示例中，第二蝕刻掩模32包括比第一蝕刻掩模31更低的硬度，以使得在第二蝕刻掩模32處，在蝕刻處理期間，發生比第一蝕刻掩模31的橫向移除更大的橫向移除。以此方式獲得包括底面9和兩個不同地傾斜的側面7、8的凹陷6。底面9被布置在有源區1的平面附近的想要的區域中。可以藉助於蝕刻掩模相對蝕刻方法的不同硬度或橫向耐受性來設置各側面7、8的傾斜。在所圖解的示例中，第一側面7包括相對於有源區1的平面的95°至160°的角度。第二側面8被布置為垂直於有源區1的平面。相應地，在橫向上並不移除或很少地移除第二蝕刻掩模32。取決於所選取的實施例，第一側面7和/或第二側面8可以還包括其它傾斜角度；特別是，第二側面8的傾斜角度也可以相對於有源區1的平面處於在95°和160°之間的範圍中。

參考標號列表

1有源區

2層結構

3脊

4雷射模式區域

5表面

6凹陷

7第一側面

8第二側面

9底面

10橫向邊沿區域

11溝槽

12斷裂方向

13端面

14位錯

15襯底

16層

17第一過渡區域

18第二過渡區域

19第一側區段

20第二側區段

21進一步的第一側區段

22進一步的第二側區段

23進一步的第一底面

24進一步的第二底面

25第二凹陷

26第三側面

27第四側面

28角度

29第二端面

31第一蝕刻掩模

32第二蝕刻掩模

33邊沿區域

34蝕刻開孔